JP2006024961A

JP2006024961A - Semiconductor device

Info

Publication number: JP2006024961A
Application number: JP2005272032A
Authority: JP
Inventors: Masaharu Honda; 正治本多
Original assignee: Tokyo Sanyo Electric Co Ltd; Tottori Sanyo Electric Co Ltd; Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Tokyo Sanyo Electric Co Ltd; Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2002-03-25
Filing date: 2005-09-20
Publication date: 2006-01-26
Anticipated expiration: 2023-02-14
Also published as: JP3980037B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To protect the semiconductor light emitting element of a semiconductor device by reducing the size of a package by improving the heat radiating property of the package. SOLUTION: In the semiconductor device, a groove 5 is formed in a metallic heatsink 4, and the semiconductor light emitting element 9, and one ends of two lead pins 11B and 11C are arranged in the groove 5 so that they may not be protruded from the groove 5. In addition, the light emitting element 9 and one end of the lead pin 11B wired to the element 9 are connected to each other through a wire bonding wire 16. Since one ends of the lead pins 11B and 11C are arranged in the groove 5, the size of the package can be reduced and the semiconductor light emitting element 9 can be protected. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ＣＤ，ＣD−Ｒ／ＲＷ，ＤＶＤ，ＤＶD−Ｒ／ＲＷ，ＤＶD−ブルーレイディスク等の光ディスク用光源に使用することができる半導体（レーザ）装置に関する。特に、光ディスク用のスリム（薄型）なピックアップ用に適した小型パッケージを備える半導体（レーザ）装置、あるいはそのパッケージに関する。 The present invention relates to a semiconductor (laser) device that can be used as a light source for an optical disc such as a CD, CD-R / RW, DVD, DVD-R / RW, DVD-Blu-ray disc. In particular, the present invention relates to a semiconductor (laser) device including a small package suitable for a slim (thin) pickup for an optical disc, or a package thereof.

現行のハーフハイトピックアップには、φ５．６ｍｍステムを有する半導体レーザ装置が使用されている。スリムピックアップにはφ５．６ｍｍステムの一部をカットしたD型ステム、両方をカットしたI型ステムのパッケージなどが提案されている。また、φ３．５ｍｍステム、φ３．３ｍｍステムのパッケージも提案されている（図１３に示す外観参照）。このφ３．５ｍｍステム、φ３．３ｍｍステムは、図１３に外観を示すようにφ５．６ｍｍステムパッケージを全体的に縮小した形であるため、レーザ素子配置用のヒートシンク部が小さくなるという問題がある。またヒートシンク部の体積を大きくした内容で特許文献１などが知られているが、これは半円状で体積的には不充分である。 In the current half-high topic up, a semiconductor laser device having a φ5.6 mm stem is used. For the slim pickup, a D-type stem with a part of φ5.6mm stem cut, and an I-type stem package with both cuts are proposed. Further, packages of φ3.5 mm stem and φ3.3 mm stem have been proposed (see the appearance shown in FIG. 13). The φ3.5 mm stem and the φ3.3 mm stem have a problem that the heat sink portion for arranging the laser elements becomes small because the φ5.6 mm stem package is entirely reduced as shown in FIG. . Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-228561 is known for increasing the volume of the heat sink, but it is semicircular and insufficient in volume.

ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ用等の高出力タイプの半導体レーザ装置の場合、電流値，電圧ともに大きくなり、それに伴い発熱が増加しφ３．３ｍｍステムのような放熱体積の小さいステムでは７０℃以上の高温保証が困難になるという問題点があった。したがって、如何に放熱体積を稼ぐかが重要になってくる。
特開平10−362032号公報 In the case of a high-power type semiconductor laser device for CD-R, DVD-R, etc., both the current value and the voltage increase, and accordingly heat generation increases, and a stem with a small heat dissipation volume such as φ3.3 mm stem is 70 ° C. or more. There was a problem that it was difficult to guarantee high temperature. Therefore, how to gain the heat radiation volume becomes important.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-362032

本発明の課題は、以下の内の１つ、あるいはそれらを組み合わせたものである。すなわち、放熱性を改善すること。パッケージの小型化を図ること。素子の保護を図ること。 The subject of the present invention is one of the following, or a combination thereof. That is, improve heat dissipation. To reduce the size of the package. To protect the element.

本発明の半導体装置は、請求項1に記載のように、金属製のヒートシンク部に溝を形成し、この溝の中に、半導体発光素子と、２本のリードピンの一端を前記溝からはみ出さないように配置し、前記半導体発光素子とこれに配線される前記リードピンの一端をワイヤーボンド線にて接続したことを特徴とする。 In the semiconductor device of the present invention, as described in claim 1, a groove is formed in a metal heat sink, and the semiconductor light emitting element and one end of two lead pins protrude from the groove in the groove. The semiconductor light emitting element and one end of the lead pin wired to the semiconductor light emitting element are connected by a wire bond line.

また、請求項２に記載のように、前記半導体発光素子に接続される前記ワイヤーボンド線を、前記溝からはみ出さないように配置したことを特徴する。 According to a second aspect of the present invention, the wire bond line connected to the semiconductor light emitting element is disposed so as not to protrude from the groove.

また、請求項３に記載のように、金属製のベースの一面に前記ヒートシンク部が設けられ、前記各リードピンは、前記ベース部を貫通して前記溝の中に配置されていることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, the heat sink portion is provided on one surface of a metal base, and each lead pin is disposed in the groove through the base portion. To do.

また、請求項４に記載のように、前記溝の中に配置されたリードピンは、互いに同等の高さに配置されていることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, the lead pins disposed in the groove are disposed at the same height.

本発明によれば、パッケージの小型化を図ることができる。また、別の局面では、素子の保護を図ることができる。また、別の局面では、放熱性を改善することができる。 According to the present invention, the package can be reduced in size. In another aspect, the element can be protected. Moreover, in another situation, heat dissipation can be improved.

以下本発明の実施形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は、改良された半導体レーザ装置の第1の実施形態を示し、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）は正面図、同図（ｃ）は平面図である。 1A and 1B show a first embodiment of an improved semiconductor laser device, in which FIG. 1A is a perspective view, FIG. 1B is a front view, and FIG. 1C is a plan view.

半導体レーザ装置1は、ステムタイプのパッケージ２を備えている。このパッケージ２は、ベース部３とヒートシンク部４によって構成している。 The semiconductor laser device 1 includes a stem type package 2. The package 2 includes a base portion 3 and a heat sink portion 4.

ベース部３は、直径が３．３ｍｍ、厚さが１ｍｍの円盤を基本形態とした円盤状の金属で構成している。ヒートシンク部４は、直径が２．９ｍｍ、長さが２．５ｍｍの円柱を基本形態としてその一部を切り欠いてくぼみを形成した柱状の金属で構成している。ベース部３とヒートシンク部４は、正面から見てその中心が一致するように同心円状に配置している。ベース部３とヒートシンク部４の中心Ｘは、後述する半導体素子の光軸Ｘと一致するように設定される。 The base part 3 is made of a disk-shaped metal whose basic form is a disk having a diameter of 3.3 mm and a thickness of 1 mm. The heat sink portion 4 is formed of a columnar metal having a hollow with a diameter of 2.9 mm and a length of 2.5 mm as a basic form, and a part of which is cut out to form a recess. The base portion 3 and the heat sink portion 4 are arranged concentrically so that their centers coincide with each other when viewed from the front. The center X of the base part 3 and the heat sink part 4 is set so as to coincide with the optical axis X of the semiconductor element described later.

ヒートシンク部４は、円柱の中心軸方向に延びる溝５を、円柱の上平坦面と下平坦面を横切ように形成することによって、正面Ｕ字形状をしている。溝５は、その上端の幅が１．５ｍｍ、下端の幅が１．０ｍｍと上広がりの形態で形成されている。溝５は、この溝５によって切り取られた円柱の円弧部分（溝５の上端が弦と見なされる円弧部分）が、円柱の中心軸に対する中心角度に換算して１８０度よりも小さな角度θになるように形成されている。この角度θは、９０度よりも小さい角度に設定しているが、１８０度以下であれば、９０度よりも大きな角度に設定しても良い。溝５は、その底面が円柱の中心軸Ｘよりも深い位置になる様に形成されている。溝５の底に位置する面６は、円柱の中心軸Ｘと平行な平坦面とされ、この平坦面６が後述する半導体レーザ素子を配置する面となる。 The heat sink portion 4 has a front U shape by forming a groove 5 extending in the central axis direction of the cylinder so as to cross the upper flat surface and the lower flat surface of the cylinder. The groove 5 has an upper end width of 1.5 mm and a lower end width of 1.0 mm. In the groove 5, the circular arc portion of the cylinder cut by the groove 5 (the circular arc portion where the upper end of the groove 5 is regarded as a chord) becomes an angle θ smaller than 180 degrees in terms of the central angle with respect to the central axis of the cylinder. It is formed as follows. This angle θ is set to an angle smaller than 90 degrees, but may be set to an angle larger than 90 degrees as long as it is 180 degrees or less. The groove 5 is formed so that the bottom surface thereof is deeper than the central axis X of the cylinder. A surface 6 positioned at the bottom of the groove 5 is a flat surface parallel to the central axis X of the cylinder, and this flat surface 6 is a surface on which a semiconductor laser element to be described later is disposed.

ヒートシンク部４は、平坦面６の両側（前記軸Ｘに対して左右方向の側）に壁部７を一体に設けている。すなわち、溝５の左右に、溝５の底部の平坦面６よりも高い左右の壁部７Ａ，７Ｂを有している。この壁部７Ａ，７Ｂの間に後述する素子９が配置される。 The heat sink portion 4 is integrally provided with wall portions 7 on both sides of the flat surface 6 (side in the left-right direction with respect to the axis X). That is, the left and right walls 7 A and 7 B higher than the flat surface 6 at the bottom of the groove 5 are provided on the left and right of the groove 5. An element 9 described later is disposed between the wall portions 7A and 7B.

ヒートシンク部４は、その基端がベース部３に一体化されている。ベース部３とヒートシンク部４は、それぞれを別部材とし、半田などの接続材料によって両者を一体に接合してパッケージ２とすることもできるし、それぞれを同一部材とし一体成形してパッケージ２とすることもできる。ベース部３とヒートシンク部４をそれぞれを別部材とする場合は、ベース部３を熱抵抗が小さな銅あるいは銅系の合金、あるいは鉄あるいは鉄系の合金で構成するのが好ましく、ヒートシンク部４を熱抵抗が小さな銅あるいは銅系の合金で構成するのが好ましい。また、ベース部３とヒートシンク部４を一体に形成する場合は、ベース部３とヒートシンク部４を熱抵抗が小さな銅あるいは銅系の合金で構成するのが好ましい。ベース部３とヒートシンク部４を一体に形成する場合は、両者を板材のプレス加工によって、あるいは、柱材の切削加工によって同時に形成することができる。 The base end of the heat sink part 4 is integrated with the base part 3. The base part 3 and the heat sink part 4 may be formed as separate members, and the package 2 may be formed by integrally joining the base part 3 and the heat sink part 4 together with a connecting material such as solder. You can also. When the base part 3 and the heat sink part 4 are respectively separate members, the base part 3 is preferably made of copper or a copper-based alloy having a low thermal resistance, or iron or an iron-based alloy. It is preferable that the heat resistance is made of copper or a copper-based alloy. When the base portion 3 and the heat sink portion 4 are integrally formed, the base portion 3 and the heat sink portion 4 are preferably made of copper or a copper-based alloy having a low thermal resistance. When the base portion 3 and the heat sink portion 4 are integrally formed, they can be formed simultaneously by pressing a plate material or by cutting a column material.

ヒートシンク部４は、その先端が先細りになるように、先端部の外周部にテーパー面８を形成している。このようなテーパー面８を形成することにより、通常アルミニウムなどで構成される光ピックアップ側のレーザ装置の受け入れ部分がエッジによって削られることを未然に防止することができる。 The heat sink portion 4 has a tapered surface 8 formed on the outer peripheral portion of the tip portion so that the tip thereof is tapered. By forming such a tapered surface 8, it is possible to prevent the receiving portion of the laser device on the optical pickup side, which is usually made of aluminum, from being scraped by the edge.

また、ヒートシンク部４の外周部は、左右の壁部７Ａ，７Ｂを含めて軸Ｘを中心とした円弧からなる曲面としているので、光ピックアップ側のレーザ装置の受け入れ部分の中で軸Ｘを中心に回転して位置調整する際、この外周曲面をガイドとすることによって調整時の動きをスムーズにすることができる。 Further, since the outer peripheral portion of the heat sink portion 4 is a curved surface formed of an arc centering on the axis X including the left and right wall portions 7A and 7B, the axis X is centered in the receiving portion of the laser device on the optical pickup side. When the position is adjusted by rotating it, the movement at the time of adjustment can be made smooth by using the outer peripheral curved surface as a guide.

半導体レーザ装置１は、パッケージ部２に、半導体素子としての半導体レーザ素子９を配置している。半導体レーザ素子９は、ヒートシンク部４の取付面、この例では溝５の内壁面を構成する平坦面６にサブマウント１０を介して配置している。半導体レーザ素子９は、その発光点がサブマウント１０側に偏った配置、すなわちジャンクションダウンの形態で配置するのが、放熱性を高める上で好ましい。 In the semiconductor laser device 1, a semiconductor laser element 9 as a semiconductor element is disposed in the package unit 2. The semiconductor laser element 9 is arranged on the mounting surface of the heat sink portion 4, in this example, the flat surface 6 constituting the inner wall surface of the groove 5 via the submount 10. The semiconductor laser element 9 is preferably arranged in such a manner that its light emitting point is biased toward the submount 10, that is, in a junction-down form, in order to improve heat dissipation.

半導体レーザ装置１は、半導体レーザ素子９として赤外タイプから紫外タイプまで種々のものを用いることができる。特に、赤外タイプに比べて放熱特性が悪く、良好な放熱環境が要求される赤色タイプや青色タイプの半導体レーザ素子を用いるのが、その放熱特性を改善することができる点で好ましい。 The semiconductor laser device 1 can use various semiconductor laser elements 9 from infrared type to ultraviolet type. In particular, it is preferable to use a red or blue type semiconductor laser element that has a poor heat dissipation characteristic as compared with the infrared type and requires a good heat dissipation environment, because the heat dissipation characteristic can be improved.

サブマウント１０は、放熱性の良い部材で構成され、例えばシリコンや窒化アルミニウムなどの半導体材料を用いることができる。半導体レーザ素子９の放熱性をより高める場合などには、半導体レーザ素子９をサブマウント１０を介在せずに直接ヒートシンク部４の取り付け面に取付けることもできる。 The submount 10 is composed of a member with good heat dissipation, and for example, a semiconductor material such as silicon or aluminum nitride can be used. When the heat dissipation of the semiconductor laser element 9 is further increased, the semiconductor laser element 9 can be directly attached to the attachment surface of the heat sink portion 4 without the submount 10 interposed.

半導体レーザ素子９は溝５内に配置され、半導体レーザ素子９の高さよりも十分に高い壁部７Ａ，７Ｂに挟まれた形態で配置されているので、この壁部が素子の保護機能を果たす。 Since the semiconductor laser element 9 is disposed in the groove 5 and is sandwiched between the walls 7A and 7B that are sufficiently higher than the height of the semiconductor laser element 9, the wall functions as a protection function for the element. .

半導体レーザ装置１は、複数のリードピン１１Ａ、１１Ｂをパッケージ２に固定して備えている。この実施形態では、２本のリードピン１１Ａ，１１Ｂをベース部３の中心Ｘを挟む様にして配置している。一方のリードピン１１Ａは、その一端がベース部３に溶接等によって接合されて、ベース部３に電気的に導通した状態で固定されている。他方のリードピン１１Ｂはその一端がベース部３の貫通孔１２に挿入され、この貫通孔１２に配置した絶縁材１３によってベース部３と絶縁された状態で固定されている。このリードピン１１Ｂの一端は、ベース部３を貫通して溝５の中に位置している。 The semiconductor laser device 1 includes a plurality of lead pins 11A and 11B fixed to the package 2. In this embodiment, the two lead pins 11A and 11B are arranged so as to sandwich the center X of the base portion 3. One lead pin 11 A is fixed in a state where one end thereof is joined to the base portion 3 by welding or the like and is electrically connected to the base portion 3. One end of the other lead pin 11 B is inserted into the through hole 12 of the base portion 3, and is fixed while being insulated from the base portion 3 by the insulating material 13 disposed in the through hole 12. One end of the lead pin 11B passes through the base portion 3 and is positioned in the groove 5.

一方のリードピン１１Ａは、ベース部３、ヒートシンク部４、ワイヤボンド線１４等を介して半導体レーザ素子９の一方の電極に接続される。他方のリードピン１１Ｂは、その一端に接続したワイヤボンド線１５、サブマウント１０上の配線等を介して半導体レーザ素子９の他方の電極に接続される。このリードピン１１Ａ，１１Ｂ間に半導体レーザ素子９の駆動に必要な電圧を与えると、半導体レーザ素子９が動作してレーザ光が軸Ｘ方向に出力される。 One lead pin 11A is connected to one electrode of the semiconductor laser element 9 through the base portion 3, the heat sink portion 4, the wire bond line 14, and the like. The other lead pin 11B is connected to the other electrode of the semiconductor laser element 9 via a wire bond line 15 connected to one end thereof, a wiring on the submount 10, and the like. When a voltage necessary for driving the semiconductor laser element 9 is applied between the lead pins 11A and 11B, the semiconductor laser element 9 operates and a laser beam is output in the axis X direction.

各ワイヤボンド線１４，１５は、側壁７Ａ，７Ｂによる保護を受けるために、溝５の上縁からはみ出さない様に、溝５内に配置するのが好ましい。すなわち、溝５は、半導体レーザ素子９、サブマウント１０、各ワイヤボンド線１４，１５を完全に収納するような形状に形成されている。 The wire bond lines 14 and 15 are preferably arranged in the groove 5 so as not to protrude from the upper edge of the groove 5 in order to receive protection by the side walls 7A and 7B. That is, the groove 5 is formed in a shape that completely accommodates the semiconductor laser element 9, the submount 10, and the wire bond lines 14 and 15.

半導体レーザ装置１は、従来と同様に、位置決め用の一対の三角形状の切り欠き１６Ａ，１６Ｂと、方向表示用の四角形状の切り欠き１７をベース部３に備えている。 The semiconductor laser device 1 is provided with a pair of triangular cutouts 16A and 16B for positioning and a square cutout 17 for indicating the direction in the base portion 3 as in the prior art.

この半導体レーザ装置１は、図１に示す状態が完成状態であり、光ピックアップ装置等にその光源として組み込まれて使用される。このとき、ヒートシンク部４の先端がテーパー面８となっているので、このレーザ装置１を装着個所にスムーズに差し込むことができる。また、テーパー面８を先端に形成することにより、通常アルミニウムなどで構成される光ピックアップ側のレーザ装置の受け入れ部分がエッジによって削られることを防止することができる。したがって、エッジによって削られて発生する金属粉が光学系に与える悪影響を未然に防止することができる。光ピックアップ装置等に組み込まれて使用されるとき、ベース部３のヒートシンク部４側の平坦面が、位置決め用の基準面として機能する。 The semiconductor laser device 1 is in a completed state shown in FIG. 1, and is used as a light source in an optical pickup device or the like. At this time, since the tip of the heat sink portion 4 is the tapered surface 8, the laser device 1 can be smoothly inserted into the mounting location. Further, by forming the tapered surface 8 at the tip, it is possible to prevent the receiving portion of the laser device on the optical pickup side, which is usually made of aluminum, from being scraped by the edge. Therefore, it is possible to prevent the adverse effect of the metal powder generated by being scraped by the edge on the optical system. When used by being incorporated in an optical pickup device or the like, the flat surface on the heat sink portion 4 side of the base portion 3 functions as a reference surface for positioning.

図１に示す実施形態において、ヒートシンク部４の体積は１１．１ｍｍ^３であり、図１０に示す従来タイプ（φ３．５ｍｍ）の１．１ｍｍ^３の約１０倍に増加することができた。パッケージ２の全体体積（ベース部３とヒートシンク部４の合計体積）は、２０．７ｍｍ^３であり、図１３に示す従来タイプの１０．７ｍｍ^３の約２倍に増加することができた。ヒートシンク部４のパッケージ２の全体積に占める体積割合は約５３％（１１．１／２０．７）で、図１３に示す従来タイプの約１０％（１．１／１０．７）に比べて約５倍に増加することができた。したがって、半導体レーザ素子９から発生する熱を効果的に放熱することができる。 In the embodiment shown in FIG. 1, the volume of the heat sink member 4 is 11.1 mm ^3, could be increased to approximately 10 times the 1.1 mm ³ prior type (.phi.3.5 mm) shown in FIG. 10. The total volume of the package 2 (the total volume of the base portion 3 and the heat sink portion 4) was 20.7 mm ³ and could be increased to about twice that of the conventional type 10.7 mm ³ shown in FIG. The volume ratio of the heat sink portion 4 to the total volume of the package 2 is about 53% (11.1 / 20.7), which is about 10% (1.1 / 10.7) of the conventional type shown in FIG. The increase was about 5 times. Therefore, the heat generated from the semiconductor laser element 9 can be effectively radiated.

図１２は、赤色半導体レーザ素子を有するＤＶＤ−Ｒ用の半導体レーザ装置において、７０℃の環境下で１００ｍＷのパルス試験を行なった場合の信頼性試験の結果を示す。横軸は時間、縦軸はＡＰＣ（オートパワーコントロール）下での動作電流を示す。この図から明らかなように、図１３に示す従来構造では１００時間前後で素子が動作不能な状態になるのに対して、第1の実施形態では、５００時間以上安定して動作することを確認できた。 FIG. 12 shows the results of a reliability test when a 100 mW pulse test is performed in a 70-degree C. environment in a DVD-R semiconductor laser device having a red semiconductor laser element. The horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the operating current under APC (auto power control). As is apparent from this figure, the device is inoperable after about 100 hours in the conventional structure shown in FIG. 13, whereas in the first embodiment, it is confirmed that it operates stably for over 500 hours. did it.

上記実施形態においては、従来のキャップによる気密構造は採用していないので部品点数、組立て工数を削減することができる。また、ヒートシンク部４が外気と触れる面積も増加させることができる。 In the above embodiment, since the conventional airtight structure using the cap is not employed, the number of parts and the number of assembling steps can be reduced. Moreover, the area which the heat sink part 4 contacts with external air can also be increased.

尚、図１に示す構造に加えて、従来のように窓付きのキャップを密閉状態で装着して半導体レーザ装置を構成することも可能である。 In addition to the structure shown in FIG. 1, a semiconductor laser device can be configured by attaching a cap with a window in a sealed state as in the prior art.

図１に示す半導体レーザ装置１は、受光素子を内臓していないので、半導体レーザ素子９の出力をモニターするためには、フロントモニター用の受光素子をレーザ装置１とは別個に配置することが好ましい。 Since the semiconductor laser device 1 shown in FIG. 1 does not include a light receiving element, in order to monitor the output of the semiconductor laser element 9, a light receiving element for front monitoring may be arranged separately from the laser device 1. preferable.

次に、改良された半導体レーザ装置の第２の実施形態（本発明の実施形態）を図２を参照して説明する。図１に示す実施形態と同一構成要素については同一の符号を示してその説明を省略し、相違点を中心に説明する。第１の実施形態と大きく相違するのは、サブマウント１０として受光素子１８を内臓したタイプのものを用いた点、その出力を取り出すために、リードピンを１本増加して３本とした点である。 Next, a second embodiment (embodiment of the present invention) of an improved semiconductor laser device will be described with reference to FIG. The same components as those in the embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, the description thereof will be omitted, and differences will be mainly described. The main difference from the first embodiment is that a submount 10 having a built-in light receiving element 18 is used, and that the number of lead pins is increased to 3 to extract the output. is there.

ベース部３には、２本のリードピン１１Ｂ，１１Ｃを貫通配置するに十分な大きさを有する横方向に長い１つの貫通孔１２が形成されている。この孔１２に２本のリードピン１１Ｂ，１１Ｃをそれらの一端が溝５内に位置するように、互いに離間して配置している。この２本のリードピン１１Ｂ，１１Ｃは、絶縁材１３によって互いに絶縁され、さらにベース部３とも絶縁されて固定されている。リードピン１１Ｂの一端は、先の実施形態と同様に、半導体レーザ素子９に対する配線に利用され、もう１つのリードピン１１Ｃは、サブマウント１０に内臓の受光素子１８に対する配線に利用される。受光素子１８は、ＰＩＮ型の受光素子で２端子構造とされ、一方の端子に接続した電極（この例では裏面電極）が、ヒートシンク部４に電気的に接続され、他方の電極（この例では表電極）が、リードピン１１Ｃにワイヤボンド線１９を介して接続される。 The base portion 3 is formed with one laterally long through-hole 12 that is large enough to pass through the two lead pins 11B and 11C. Two lead pins 11 B and 11 C are arranged in the hole 12 so as to be spaced apart from each other so that one end thereof is located in the groove 5. The two lead pins 11B and 11C are insulated from each other by an insulating material 13, and are also insulated and fixed to the base portion 3. One end of the lead pin 11B is used for wiring to the semiconductor laser element 9 as in the previous embodiment, and the other lead pin 11C is used for wiring to the light receiving element 18 incorporated in the submount 10. The light receiving element 18 is a PIN type light receiving element having a two-terminal structure, and an electrode (in this example, a back electrode) connected to one terminal is electrically connected to the heat sink portion 4 and the other electrode (in this example) Front electrode) is connected to the lead pin 11C through a wire bond line 19.

第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、受光素子内蔵型の半導体レーザ装置であっても、ベース部３を貫通するリードピン１１Ｂ、１１Ｃの先端を溝５内に配置し、溝５の中でワイヤボンド配線をすることができるので、受光素子１８に対する配線をヒートシンク部４によって確実に保護することができる。また、パッケージ２の小型化を図ることができる。 Also in the second embodiment, the same operational effects as in the first embodiment can be achieved. Further, even in the semiconductor laser device with a built-in light receiving element, the tips of the lead pins 11B and 11C penetrating the base portion 3 can be arranged in the groove 5, and wire bonding wiring can be performed in the groove 5. Wiring to the light receiving element 18 can be reliably protected by the heat sink portion 4. Further, the package 2 can be reduced in size.

次に、改良された半導体レーザ装置の第３の実施形態を図３を参照して説明する。図１に示す実施形態と同一構成要素については同一の符号を示してその説明を省略し、相違点を中心に説明する。第１の実施形態と大きく相違するのは、ヒートシンク部４の先端をテーパー面８から半球状の曲面２０にした点である。半導体レーザ素子９やサブマウント１０は、この曲面２０よりも前方に出ないように配置されている。このように曲面２０を形成することによって、半導体レーザ装置１の先端がボールペンの先端と同様の形態となり、ピックアップ装置等に組み込む際のあおり調整が行ないやすくなる。すなわち、レーザ装置の先端をピックアップ装置の半球状のくぼみに配置し、光軸が最適位置に来るようにリードピン側をＸ−Ｙ方向に移動しながら調整する、あおり調整と呼ばれる調整を容易にすることができる。 Next, a third embodiment of the improved semiconductor laser device will be described with reference to FIG. The same components as those in the embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, the description thereof will be omitted, and differences will be mainly described. A significant difference from the first embodiment is that the tip of the heat sink portion 4 is changed from a tapered surface 8 to a hemispherical curved surface 20. The semiconductor laser element 9 and the submount 10 are arranged so as not to protrude forward from the curved surface 20. By forming the curved surface 20 in this way, the tip of the semiconductor laser device 1 has the same form as the tip of the ballpoint pen, and tilt adjustment when incorporated in a pickup device or the like is facilitated. That is, the tip of the laser device is arranged in a hemispherical depression of the pickup device, and adjustment is performed while moving the lead pin in the X and Y directions so that the optical axis is at the optimum position, facilitating adjustment called tilt adjustment. be able to.

この第３の実施形態において、半導体レーザ素子９の位置を図３に示す状態から軸Ｘ方向に沿って前後（例えばベース部３側）に若干移動した状態に変更することもできる。例えば、半導体レーザ素子９をその光出射点が曲面２０から等距離になる様に配置することができる。すなわち、曲面２０を１つの球の一部とみなした時、その球の中心に半導体レーザ素子９の光出射点が位置するように、半導体レーザ素子９を配置する。このように配置することにより、前記あおり調整の際に、半導体レーザ素子９の光出射点が移動しなくなる。その結果、調整作業が容易になる。 In the third embodiment, the position of the semiconductor laser element 9 can be changed from the state shown in FIG. 3 to a state where it is slightly moved back and forth (for example, on the base part 3 side) along the axis X direction. For example, the semiconductor laser element 9 can be arranged so that its light emission point is equidistant from the curved surface 20. That is, when the curved surface 20 is regarded as a part of one sphere, the semiconductor laser element 9 is arranged so that the light emission point of the semiconductor laser element 9 is located at the center of the sphere. By arranging in this way, the light emission point of the semiconductor laser element 9 does not move during the tilt adjustment. As a result, adjustment work becomes easy.

この第３の実施形態は、第２の実施形態や後述するその他の実施形態に適用することができる。 This third embodiment can be applied to the second embodiment and other embodiments described later.

次に、改良された半導体レーザ装置の第４の実施形態を図４を参照して説明する。図１に示す実施形態と同一構成要素については同一の符号を示してその説明を省略し、相違点を中心に説明する。第１の実施形態と大きく相違するのは、ヒートシンク部４の形状を変更した点である。第１の変更点は、溝５の平坦面６先端に下向きに傾斜したテーパー面２１を形成した点である。このようなテーパー面２１を形成することにより、半導体レーザ素子９から出力される光が溝５の平坦面６によって遮られるのを防止することができる。テーパー面２１の角度は、半導体レーザ素子９の光の上下方向への広がり角度の半分よりも大きな角度に設定する。半導体レーザ素子９の光の上下方向への広がり角度は、通常３０度程度であるので、テーパー面２１の傾斜角度は、１５度以上に設定でき、例えば１５度から２０度の範囲の角度に設定される。 Next, a fourth embodiment of the improved semiconductor laser device will be described with reference to FIG. The same components as those in the embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, the description thereof will be omitted, and differences will be mainly described. A significant difference from the first embodiment is that the shape of the heat sink portion 4 is changed. The first change is that a tapered surface 21 inclined downward is formed at the tip of the flat surface 6 of the groove 5. By forming such a tapered surface 21, it is possible to prevent light output from the semiconductor laser element 9 from being blocked by the flat surface 6 of the groove 5. The angle of the taper surface 21 is set to an angle larger than half of the vertical spread angle of the light of the semiconductor laser element 9. Since the light spreading angle of the semiconductor laser element 9 in the vertical direction is usually about 30 degrees, the inclination angle of the tapered surface 21 can be set to 15 degrees or more, for example, an angle in the range of 15 degrees to 20 degrees. Is done.

素子９の位置を同じに保ったまま、ヒートシンク部４の長さを長くする場合などにおいて、素子の前方にテーパー面２１を形成しておくことにより、ヒートシンク部４の長さを長く設定し易くなる。したがって、ヒートシンク部４の体積を増加することができ、放熱面積を広くすることができる。 When the length of the heat sink portion 4 is increased while keeping the position of the element 9 the same, the length of the heat sink portion 4 can be easily set longer by forming the tapered surface 21 in front of the element. Become. Therefore, the volume of the heat sink part 4 can be increased and the heat radiation area can be increased.

第２の変更点は、ヒートシンク部５の円弧面であった底面を平坦な底面２２とした点である。この底面２２は、溝５の平坦面６と平行な平坦面で、平坦面６よりも大きな面積としている。このような平坦な底面２２としたことにより、半導体レーザ素子９等へのワイヤボンド作業時にパッケージ２を安定して支えることができるようになる。 The second change point is that the bottom surface which is the arc surface of the heat sink portion 5 is changed to a flat bottom surface 22. The bottom surface 22 is a flat surface parallel to the flat surface 6 of the groove 5 and has a larger area than the flat surface 6. By adopting such a flat bottom surface 22, the package 2 can be stably supported at the time of wire bonding work to the semiconductor laser element 9 or the like.

上記第１、第２の変更点は各々別々に行なっても良いし、同時に行なっても良い。 The first and second changes may be performed separately or simultaneously.

この第４の実施形態は、第２、第３の実施形態や後述するその他の実施形態に適用することができる。 The fourth embodiment can be applied to the second and third embodiments and other embodiments described later.

次に、改良された半導体レーザ装置の第５の実施形態を図５を参照して説明する。図１に示す実施形態と同一構成要素については同一の符号を示してその説明を省略し、相違点を中心に説明する。第１の実施形態と大きく相違するのは、ヒートシンク部４の形状を変更した点と、その先端に光学素子２３を付加した点である。 Next, a fifth embodiment of the improved semiconductor laser device will be described with reference to FIG. The same components as those in the embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, the description thereof will be omitted, and differences will be mainly described. The main difference from the first embodiment is that the shape of the heat sink portion 4 is changed and the optical element 23 is added to the tip of the heat sink portion 4.

第１の変更点は、ヒートシンク部４の先端に設けていたテーパー面８の形成を行なわないで、円柱状のままとした点、すなわち、ヒートシンク部４の先端面と後端面とを同一平面形状とした点である。このようにヒートシンク部４の先端形状を設定することにより、ヒートシンク部４の先端面２４の面積を広く確保することができる。したがって、ヒートシンク部４の先端面２４に光学要素２３を付加する際の取り付け代を広くすることができる。 The first change is that the tapered surface 8 provided at the front end of the heat sink portion 4 is not formed, but remains in a cylindrical shape, that is, the front end surface and the rear end surface of the heat sink portion 4 are the same plane shape. This is the point. By setting the tip shape of the heat sink part 4 in this way, a large area of the tip surface 24 of the heat sink part 4 can be secured. Therefore, it is possible to widen the mounting allowance when adding the optical element 23 to the front end surface 24 of the heat sink portion 4.

第２の変更点は、ヒートシンク部４の先端部に光学要素２３を付加した点である。この光学要素２３は、平板状をしているが、少なくともヒートシンク部４側の面が平坦な形状をしていればよい。例えば、光学要素２３のヒートシンク部４側の面と反対側の面に、前記テーパー面８に相当するようなテーパー面を形成しても良い。光学要素２３としては、ホログラム素子、１／４波長板、偏光板、板状レンズなどの中から選択した１つを用いることができる。半導体レーザ装置とは別個に設けていた光学要素２３を一体に設けたので、光ピックアップや光通信用の送信機などにおける光学的な調整が簡素化できる。 The second change is that an optical element 23 is added to the tip of the heat sink part 4. The optical element 23 has a flat plate shape, but it is sufficient that at least the surface on the heat sink portion 4 side has a flat shape. For example, a tapered surface corresponding to the tapered surface 8 may be formed on the surface of the optical element 23 opposite to the surface on the heat sink portion 4 side. As the optical element 23, one selected from a hologram element, a quarter wavelength plate, a polarizing plate, a plate lens, and the like can be used. Since the optical element 23 provided separately from the semiconductor laser device is integrally provided, optical adjustment in an optical pickup or a transmitter for optical communication can be simplified.

上記の第１、第２の変更点は各々別々に行なっても良いし、同時に行なっても良い。 The first and second changes described above may be performed separately or simultaneously.

この第５の実施形態は、第２、第４の実施形態や後述するその他の実施形態に適用することができる。 The fifth embodiment can be applied to the second and fourth embodiments and other embodiments described later.

次に、改良された半導体レーザ装置の第６の実施形態を図６を参照して説明する。図２に示す実施形態と同一構成要素については同一の符号を示してその説明を省略し、相違点を中心に説明する。第２の実施形態と大きく相違するのは、ヒートシンク部４の形状を変更した点と、その先端に光学素子２５を付加した点である。 Next, a sixth embodiment of the improved semiconductor laser device will be described with reference to FIG. The same components as those in the embodiment shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. The major difference from the second embodiment is that the shape of the heat sink portion 4 is changed and the optical element 25 is added to the tip of the heat sink portion 4.

第１の変更点は、ヒートシンク部４の先端にその外側に設けていたテーパー面８の形成を行なわないで、円柱状のままとし、溝５の先端に光学素子２５を受け入れるくぼみを設けた点である。このようにヒートシンク部４の先端形状を設定することにより、球状の光学要素２５を確実に取りつけることができる。 The first change is that the tapered surface 8 provided outside the heat sink portion 4 is not formed on the outside of the heat sink portion 4 but remains in a cylindrical shape, and a recess for receiving the optical element 25 is provided at the tip of the groove 5. It is. By setting the tip shape of the heat sink portion 4 in this way, the spherical optical element 25 can be securely attached.

第２の変更点は、ヒートシンク部４の先端部に球状の光学要素２５を付加した点である。この光学要素２５は、半導体レーザ素子９の発する光をコリメートし、あるいは集光するために用いられる。そして要素２５はヒートシンク部４の先端部に設けたくぼみに保持され、接着剤などによって固定される。半導体レーザ装置とは別個に設けていた光学要素２５を光学的な調整を行なって一体に設けたので、光ピックアップや光通信用の送信機、光ファイバーモジュールなどに適用する場合に、その光学的な調整が簡素化できる。 The second change is that a spherical optical element 25 is added to the tip of the heat sink portion 4. The optical element 25 is used for collimating or condensing light emitted from the semiconductor laser element 9. The element 25 is held in a recess provided at the tip of the heat sink portion 4 and is fixed by an adhesive or the like. Since the optical element 25 provided separately from the semiconductor laser device is optically adjusted and integrally provided, the optical element 25 can be applied to an optical pickup, a transmitter for optical communication, an optical fiber module, or the like. Adjustment can be simplified.

この第６の実施形態は、第１、第４の実施形態やその他の実施形態に適用することができる。 The sixth embodiment can be applied to the first and fourth embodiments and other embodiments.

次に、改良された半導体レーザ装置の第７の実施形態を図７を参照して説明する。図１に示す実施形態と同一構成要素については同一の符号を示してその説明を省略し、相違点を中心に説明する。第１の実施形態と大きく相違するのは、ヒートシンク部４の円弧状側面形状を多面形状に変更した点である。正面から見て、円弧部分を備えていたヒートシンク部４の外周部を、正面から見て多角形状に変更した。多角形に変更することによって、チャッキングが容易に行なえるようになる。ヒートシンク部４の円弧面であった底面は、第４の実施形態と同様に平坦な底面２２としている。この底面２２は、溝５の平坦面６と平行な平坦面で、平坦面６よりも大きな面積としている。このような平坦な底面２２としたことにより、半導体レーザ素子９等へのワイヤボンド作業時にパッケージ２を安定して支えることができるようになる。 Next, a seventh embodiment of the improved semiconductor laser device will be described with reference to FIG. The same components as those in the embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, the description thereof will be omitted, and differences will be mainly described. A significant difference from the first embodiment is that the arc-shaped side surface shape of the heat sink portion 4 is changed to a multi-surface shape. When viewed from the front, the outer peripheral portion of the heat sink portion 4 provided with the arc portion was changed to a polygonal shape when viewed from the front. By changing to a polygon, chucking can be easily performed. The bottom surface which was the circular arc surface of the heat sink portion 4 is a flat bottom surface 22 as in the fourth embodiment. The bottom surface 22 is a flat surface parallel to the flat surface 6 of the groove 5 and has a larger area than the flat surface 6. By adopting such a flat bottom surface 22, the package 2 can be stably supported at the time of wire bonding work to the semiconductor laser element 9 or the like.

ヒートシンク部４は、それを円筒状を成すくぼみの中に挿入した際、その取り付け安定性を高めるために、周囲の面の複数の角部分が仮想の円筒（図７に一点鎖線Ｃで示す）に内接するように形成している。この時、仮想の円筒Ｃの中心軸は前記軸Ｘと一致する。 When the heat sink portion 4 is inserted into a cylindrical recess, a plurality of corner portions of the surrounding surface are virtual cylinders (indicated by a one-dot chain line C in FIG. 7) in order to increase the mounting stability. It is formed so as to be inscribed in. At this time, the central axis of the virtual cylinder C coincides with the axis X.

この第７の実施形態は、第２の実施形態やその他の実施形態に適用することができる。 The seventh embodiment can be applied to the second embodiment and other embodiments.

次に、改良された半導体レーザ装置の第８の実施形態を図８を参照して説明する。図１に示す実施形態と同一構成要素については同一の符号を示してその説明を省略し、相違点を中心に説明する。第１の実施形態と大きく相違するのは、ベース部３とヒートシンク部４の形状を変更した点である。 Next, an eighth embodiment of the improved semiconductor laser device will be described with reference to FIG. The same components as those in the embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, the description thereof will be omitted, and differences will be mainly described. A significant difference from the first embodiment is that the shapes of the base portion 3 and the heat sink portion 4 are changed.

第１の変更点は、ベース部３とヒートシンク部４との外形寸法の相違によって形成され、位置決め基準面として用いられていた段差、すなわち、ヒートシンク部４の周囲からはみ出しているベース部３の外周部をなくした点である。このようにベース部３とヒートシンク部４を一体の円柱形状とし、その間の段差を無くしたことにより、半導体レーザ装置を軸Ｘ方向に移動させて取付け調整する際、前記段差によって受ける規制が無くなり、調整作業が容易になる。 The first change is the step used as the positioning reference surface formed by the difference in the external dimensions of the base portion 3 and the heat sink portion 4, that is, the outer periphery of the base portion 3 protruding from the periphery of the heat sink portion 4. This is the point where the part was lost. In this way, the base portion 3 and the heat sink portion 4 are formed into an integral columnar shape, and the step between them is eliminated, so that when the semiconductor laser device is moved and adjusted in the direction of the axis X, there is no restriction imposed by the step, Adjustment work becomes easy.

第２の変更点は、ワイヤボンドの作業性を高めるために、ヒートシンク部４の壁部７Ｂの一部を除去し、平坦面６Ｂを設けた点である。平坦面６Ｂは、溝５の平坦面６と同一平面としているが、溝５の底面５と段差を持った平坦面としても良い。このような平坦面６Ｂを形成することにより、素子９あるいはサブマウント１０に対してワイヤボンドを行なうためのキャピラリの形状が制約を受けにくくなり、製造時の作業性を良好にすることができる。 A second change is that a part of the wall portion 7B of the heat sink portion 4 is removed and a flat surface 6B is provided in order to improve workability of wire bonding. The flat surface 6B is flush with the flat surface 6 of the groove 5, but may be a flat surface having a step with the bottom surface 5 of the groove 5. By forming such a flat surface 6B, the shape of the capillary for wire bonding to the element 9 or the submount 10 is less likely to be restricted, and the workability during manufacturing can be improved.

この第８の実施形態は、第２から第７の何れかの実施形態やその他の実施形態に適用することができる。 The eighth embodiment can be applied to any of the second to seventh embodiments and other embodiments.

次に、改良された半導体レーザ装置の第９の実施形態を図９を参照して説明する。図１に示す実施形態と同一構成要素については同一の符号を示してその説明を省略し、相違点を中心に説明する。第１の実施形態と大きく相違するのは、ダミーのリードピン１１Ｄを設けて、一般的な３ピンの装置とピンコンパチブルにした点、溝５の左右に形成していた左右の壁部７Ａ，７Ｂの一方を削除して平坦な面６の左右の一方のみに壁部７Ｂを形成した点である。 Next, a ninth embodiment of the improved semiconductor laser device will be described with reference to FIG. The same components as those in the embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, the description thereof will be omitted, and differences will be mainly described. The main difference from the first embodiment is that dummy lead pins 11D are provided to make them compatible with a general 3-pin device, and the left and right wall portions 7A and 7B formed on the left and right sides of the groove 5 are different. One of these is deleted, and the wall portion 7B is formed only on one of the left and right sides of the flat surface 6.

ヒートシンク部４は、壁部７Ａ，７Ｂの一方を削除することによって、正面から見てＬ字形状としている。先の実施例では、溝５の底面を構成する平坦面６に半導体レーザ素子９を配置するとしたが、この実施例のように溝５の形状を扇型（Ｖ字状）と見なすことができる場合は、溝５の一方の内壁面に半導体レーザ素子９が配置されていると見なすこともできる。 The heat sink portion 4 has an L shape when viewed from the front by deleting one of the wall portions 7A and 7B. In the previous embodiment, the semiconductor laser element 9 is arranged on the flat surface 6 constituting the bottom surface of the groove 5. However, as in this embodiment, the shape of the groove 5 can be regarded as a fan shape (V-shape). In this case, it can be considered that the semiconductor laser element 9 is disposed on one inner wall surface of the groove 5.

リードピン１１Ｂは、溝５に完全に収容されるのではなく、一部が溝５からはみ出した状態でベース部３に絶縁されて固定されている。ダミーのリードピン１１Ｄは、リードピン１１Ａと同様に、その一端がベース部３に溶接などによって接合されて、ベース部３に電気的に導通した状態で固定されている。リードピン１１Ｄは、リードピン１１Ａと同様に軸Ｘ方向から見てヒートシンク部４と平面的に重なる位置に配置される。リードピン１１Ｄは、一般的な３ピンの装置において、モニター信号出力用のリードピンが配置される位置と同じ位置に配置される。したがって、一般的な３ピンの装置とピン配置がコンパチブルになり、共通の製造装置を利用して製造することが可能になる。 The lead pin 11 B is not completely accommodated in the groove 5, but is insulated and fixed to the base portion 3 with a part protruding from the groove 5. Similar to the lead pin 11A, the dummy lead pin 11D is bonded to the base portion 3 by welding or the like and fixed to the base portion 3 in an electrically conductive state. Similarly to the lead pin 11A, the lead pin 11D is disposed at a position where the lead pin 11D overlaps the heat sink portion 4 when viewed from the axis X direction. The lead pin 11D is disposed at the same position as the position where the monitor signal output lead pin is disposed in a general 3-pin device. Accordingly, the pin arrangement is compatible with a general 3-pin device, and it is possible to manufacture using a common manufacturing apparatus.

モニター機能内蔵型の装置は、モニター信号出力用のリードピンを、リードピン１１Ｂと同様に、ヒートシンク部４との平面的な重なりを避けて配置する必要があるので、ヒートシンク部４の設置個所が限定される。しかしながら、この実施例の場合は、リードピン１１Ｄがベース部３から突出しないダミーリードであるため、ヒートシンク部４の設置可能範囲を広く確保することができる。すなわち、本来ならモニター信号出力用のリードピンが位置する範囲にヒートシンク部４、この例では壁部７Ｂを突出して配置することができる。 In the monitor function built-in type device, it is necessary to arrange the lead pin for outputting the monitor signal so as to avoid the planar overlap with the heat sink part 4 like the lead pin 11B, so the installation location of the heat sink part 4 is limited. The However, in the case of this embodiment, since the lead pin 11D is a dummy lead that does not protrude from the base portion 3, a wide installation range of the heat sink portion 4 can be secured. In other words, the heat sink portion 4, in this example, the wall portion 7B, can be disposed so as to protrude within a range where the lead pin for outputting the monitor signal is located.

その結果、通常は面６と同じ位置であるヒートシンク部４の上端位置を、半導体レーザ素子９の発光点もしくは上面よりも上の位置まで突出して配置することができる。このように発光点もしくは上面よりも上の位置まで突出する壁部７Ｂの存在によって、放熱のための体積、あるいは表面積を増加させることができ、放熱性を良好にすることができる。 As a result, the upper end position of the heat sink portion 4 which is normally at the same position as the surface 6 can be arranged so as to protrude to a position above the light emitting point or the upper surface of the semiconductor laser element 9. Thus, the presence of the wall portion 7B protruding to a position above the light emitting point or the upper surface can increase the volume or surface area for heat dissipation, and can improve heat dissipation.

この第９の実施形態は、第２から第８の何れかの実施形態やその他の実施形態に適用することができる。 The ninth embodiment can be applied to any of the second to eighth embodiments and other embodiments.

次に、改良された半導体レーザ装置の第１０の実施形態を図１０を参照して説明する。図９に示す実施形態と同一構成要素については同一の符号を示してその説明を省略し、相違点を中心に説明する。第９の実施形態との相違点は、ヒートシンク部４の壁部７の形状を変更した点である。すなわち、鋭角であった壁部７の頂上部を面取りして平坦面７Ｃとした。このような構成によって、第９の実施形態よりも放熱性の点で若干劣るが、第９の実施形態と同様の効果を奏することができる。 Next, a tenth embodiment of the improved semiconductor laser device will be described with reference to FIG. Components that are the same as those in the embodiment shown in FIG. 9 are denoted by the same reference numerals, description thereof is omitted, and differences will be mainly described. The difference from the ninth embodiment is that the shape of the wall portion 7 of the heat sink portion 4 is changed. That is, the top of the wall portion 7 that had an acute angle was chamfered to form a flat surface 7C. With such a configuration, although the heat dissipation is slightly inferior to that of the ninth embodiment, the same effects as those of the ninth embodiment can be achieved.

次に、改良された半導体レーザ装置の第１１の実施形態を図１１を参照して説明する。この実施形態は、図８に示す実施形態をベースとして、図９、１０に示す実施形態を付加したものである。したがって、図８〜１０に示す実施形態と同一構成要素については同一の符号を示している。 Next, an eleventh embodiment of the improved semiconductor laser device will be described with reference to FIG. This embodiment is based on the embodiment shown in FIG. 8 and adds the embodiment shown in FIGS. Therefore, the same components as those in the embodiment shown in FIGS.

ベース部３とヒートシンク部４は、両者の間に段差が生じないように同一の直径とされている。円柱形状の一部が切り欠かれてヒートシンク部４とされ、切り欠かれなかった部分がベース部３とされている。このようにベース部３とヒートシンク部４を一体の円柱形状とし、その間の段差を無くしたことにより、半導体レーザ装置を軸Ｘ方向に移動させて取付け調整する際、前記段差によって受ける規制が無くなり、調整作業が容易になる。 The base portion 3 and the heat sink portion 4 have the same diameter so that no step is generated between them. A part of the cylindrical shape is cut out to be the heat sink portion 4, and the portion not cut out is the base portion 3. In this way, the base portion 3 and the heat sink portion 4 are formed into an integral columnar shape, and the step between them is eliminated, so that when the semiconductor laser device is moved and adjusted in the direction of the axis X, there is no restriction imposed by the step, Adjustment work becomes easy.

絶縁材によってベースに固定されたリードピン１１Ｂの一端は、ベース部３を貫通して平坦面６Ｂの上方まで延びている。リードピン１１Ｄは、リードピン１１Ａと同様に、その一端がベース部３に溶接などによって接合されて、ベース部３に電気的に導通した状態で固定されている。リードピン１１Ｄは、リードピン１１Ａと同様に軸Ｘ方向から見てヒートシンク部４と平面的に重なる位置に配置される。リードピン１１Ｄは、一般的な３ピンの装置において、モニター信号出力用のリードピンが配置される位置と同じ位置に配置される。したがって、一般的な３ピンの装置とピン配置がコンパチブルになり、共通の製造装置を利用して製造することが可能になる。壁部７は、頂上部を面取りして平坦面７Ｃを形成している。 One end of the lead pin 11B fixed to the base by an insulating material extends through the base portion 3 and above the flat surface 6B. Similarly to the lead pin 11A, the lead pin 11D is fixed in a state in which one end thereof is joined to the base portion 3 by welding or the like and is electrically connected to the base portion 3. Similarly to the lead pin 11A, the lead pin 11D is disposed at a position where the lead pin 11D overlaps the heat sink portion 4 when viewed from the axis X direction. The lead pin 11D is disposed at the same position as the position where the monitor signal output lead pin is disposed in a general 3-pin device. Accordingly, the pin arrangement is compatible with a general 3-pin device, and it is possible to manufacture using a common manufacturing apparatus. The wall portion 7 is chamfered at the top to form a flat surface 7C.

この第１１の実施形態によれば、第８〜１０の実施形態における効果と同様の効果を奏することができる。 According to the eleventh embodiment, the same effects as in the eighth to tenth embodiments can be achieved.

上記実施形態において、半導体レーザ素子９に代わる半導体発光素子として発光ダイオードを用いることもできる。それ以外にも、本発明の趣旨を変更しない範囲であれば、上記実施形態以外の変更を行なっても良い。 In the embodiment described above, a light emitting diode can be used as a semiconductor light emitting element instead of the semiconductor laser element 9. Other than that, as long as the gist of the present invention is not changed, changes other than the above embodiment may be made.

ＣＤ，ＣD−Ｒ／ＲＷ，ＤＶＤ，ＤＶD−Ｒ／ＲＷ，ＤＶD−ブルーレイディスク等の光ディスク用光源に使用することができる。 It can be used for a light source for optical discs such as CD, CD-R / RW, DVD, DVD-R / RW, DVD-Blu-ray disc.

改良された半導体レーザ装置の第１の実施形態を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は平面図である。1 shows a first embodiment of an improved semiconductor laser device, wherein (a) is a perspective view, (b) is a front view, and (c) is a plan view. 改良された半導体レーザ装置の第２の実施形態を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は平面図である。The 2nd Embodiment of the improved semiconductor laser apparatus is shown, (a) is a perspective view, (b) is a front view, (c) is a top view. 改良された半導体レーザ装置の第３の実施形態を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は平面図である。A third embodiment of the improved semiconductor laser device is shown, (a) is a perspective view, (b) is a front view, and (c) is a plan view. 改良された半導体レーザ装置の第４の実施形態を示し、（ａ）は一部切り欠き側面図、（ｂ）は正面図である。4 shows a fourth embodiment of an improved semiconductor laser device, in which (a) is a partially cutaway side view and (b) is a front view. 改良された半導体レーザ装置の第５の実施形態を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。The 5th Embodiment of the improved semiconductor laser apparatus is shown, (a) is a top view, (b) is a front view. 改良された半導体レーザ装置の第６の実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows 6th Embodiment of the improved semiconductor laser apparatus. 改良された半導体レーザ装置の第７の実施形態を示す正面図である。It is a front view which shows 7th Embodiment of the improved semiconductor laser apparatus. 改良された半導体レーザ装置の第８の実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows 8th Embodiment of the improved semiconductor laser apparatus. 改良された半導体レーザ装置の第９の実施形態を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は平面図である。9 shows a ninth embodiment of an improved semiconductor laser device, where (a) is a perspective view, (b) is a front view, and (c) is a plan view. 改良された半導体レーザ装置の第１０の実施形態を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は平面図である。The 10th Embodiment of the improved semiconductor laser apparatus is shown, (a) is a perspective view, (b) is a front view, (c) is a top view. 改良された半導体レーザ装置の第１１の実施形態を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は平面図である。An eleventh embodiment of an improved semiconductor laser device is shown, (a) is a perspective view, (b) is a front view, and (c) is a plan view. 信頼性試験のデータを示す特性図である。It is a characteristic view which shows the data of a reliability test. 従来例を示す一部切り欠き斜視図である。It is a partially cutaway perspective view showing a conventional example.

Explanation of symbols

１半導体レーザ装置
２パッケージ
３ベース部
４ヒートシンク部
５溝
９半導体レーザ素子（半導体発光素子）
１１リードピン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor laser apparatus 2 Package 3 Base part 4 Heat sink part 5 Groove 9 Semiconductor laser element (semiconductor light emitting element)
11 Lead pin

Claims

A groove is formed in the heat sink made of metal, and the semiconductor light emitting element and one end of the two lead pins are arranged in the groove so as not to protrude from the groove, and are wired to the semiconductor light emitting element. One end of the lead pin is connected by a wire bond line.

The semiconductor device according to claim 1, wherein the wire bond line connected to the semiconductor light emitting element is disposed so as not to protrude from the groove.

The semiconductor device according to claim 1, wherein the heat sink portion is provided on one surface of a metal base, and each lead pin is disposed in the groove through the base portion.

The semiconductor device according to claim 1, wherein the lead pins arranged in the groove are arranged at the same height.