JPS61198133A - 導波路型光スイツチ - Google Patents
導波路型光スイツチInfo
- Publication number
- JPS61198133A JPS61198133A JP3797885A JP3797885A JPS61198133A JP S61198133 A JPS61198133 A JP S61198133A JP 3797885 A JP3797885 A JP 3797885A JP 3797885 A JP3797885 A JP 3797885A JP S61198133 A JPS61198133 A JP S61198133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical switch
- type optical
- waveguide type
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信システムを構成するデバイスに係り、特
に電気光学基板に形成された光導波路と、光導波路に近
接して設けられた電極とで構成される導波路型光スイッ
チに関する。
に電気光学基板に形成された光導波路と、光導波路に近
接して設けられた電極とで構成される導波路型光スイッ
チに関する。
光通信技術の普及に伴って光通信システムを構成するデ
バイスの、信頼性向上や小形化、低価格化等に対する要
求が増大しており、それを実現するための手段として量
産性に冨んだデバイスの開発が望まれている。
バイスの、信頼性向上や小形化、低価格化等に対する要
求が増大しており、それを実現するための手段として量
産性に冨んだデバイスの開発が望まれている。
例えばリチュウムナイオベート（いＮｂ０３）等の電気
光学基板に、チタン（Ｔｉ）等を拡散して形成された光
導波路と、光導波路に近接して設けられた電極とで構成
される光スィッチは、小形で駆動電圧が低くしかも商速
動作が口」能で集積化が容易である。ｒＡＪち小形化、
低価格化等を実現できる量産性に富んだ光スィッチであ
り、信頼性の向上が期待されている。
光学基板に、チタン（Ｔｉ）等を拡散して形成された光
導波路と、光導波路に近接して設けられた電極とで構成
される光スィッチは、小形で駆動電圧が低くしかも商速
動作が口」能で集積化が容易である。ｒＡＪち小形化、
低価格化等を実現できる量産性に富んだ光スィッチであ
り、信頼性の向上が期待されている。
第２図は導波路型光スイッチの従来例を不す平向図であ
る。
る。
図においてＬｉＮｂＯ３からなる電気光学基＆１の片肉
に、Ｔｉを拡散せしめてＸ字状に交叉する光導波路２を
形成し、光導波路２に近接させて電ａ８３ａ、３ｂを設
けている。しかし光導波路２の上に直接電極３ａを形成
すると電極３ａによって光が吸収され、光スィッチにお
ける光の損失が増大するために、電気光学基＆１の表向
を絶縁性材料（Ａ１２１３３または５ｉｏ２）からなる
バッファ層４で被覆し、バッファ層４の上に電極３ａ、
３ｂを形成している。
に、Ｔｉを拡散せしめてＸ字状に交叉する光導波路２を
形成し、光導波路２に近接させて電ａ８３ａ、３ｂを設
けている。しかし光導波路２の上に直接電極３ａを形成
すると電極３ａによって光が吸収され、光スィッチにお
ける光の損失が増大するために、電気光学基＆１の表向
を絶縁性材料（Ａ１２１３３または５ｉｏ２）からなる
バッファ層４で被覆し、バッファ層４の上に電極３ａ、
３ｂを形成している。
かかる導波路型光スイッチにおいて光暉彼路２の入射端
２ａから入射した光は、光導波路２を通過する途中で分
岐され出射端２ｂまたは２ｃから出射するが、電極３ａ
と３ｂの間に駆動電圧が印加されている場合と印加され
ていない場合とでは、出射端２ｂまたは２ｃに分岐され
る分岐比が異なる。したがうて電Ｍ！３ ａと３ｂの間
に印加する駆動電化を投入・切断することによって、光
導波路２の入射端２ａから入射した光が出射する方向を
、出射端２ｂから出射端２ｃへ、或いは出射端２ｃから
出射端２ｂへ切り換えることができる。
２ａから入射した光は、光導波路２を通過する途中で分
岐され出射端２ｂまたは２ｃから出射するが、電極３ａ
と３ｂの間に駆動電圧が印加されている場合と印加され
ていない場合とでは、出射端２ｂまたは２ｃに分岐され
る分岐比が異なる。したがうて電Ｍ！３ ａと３ｂの間
に印加する駆動電化を投入・切断することによって、光
導波路２の入射端２ａから入射した光が出射する方向を
、出射端２ｂから出射端２ｃへ、或いは出射端２ｃから
出射端２ｂへ切り換えることができる。
バッファ層をＡｌ２Ｏ３，５ｉｔ）２等の絶縁性材料で
形成した上記の導波路型光スイッチにおいて、電気光学
基板と絶ｉｔ層との界面における絶縁性が、バッファ層
の絶縁性に比べて不十分な場合に電極に駆動電圧を印加
すると、当初は光の分岐比が変わり出射方向が切り換わ
るが、光の分岐比が時間の経過と共に元の状態に復旧す
る方向に移行する、１）ＣＦドリフトいう現象が発生し
やすいという問題がある。
形成した上記の導波路型光スイッチにおいて、電気光学
基板と絶ｉｔ層との界面における絶縁性が、バッファ層
の絶縁性に比べて不十分な場合に電極に駆動電圧を印加
すると、当初は光の分岐比が変わり出射方向が切り換わ
るが、光の分岐比が時間の経過と共に元の状態に復旧す
る方向に移行する、１）ＣＦドリフトいう現象が発生し
やすいという問題がある。
上記問題点は電気光学基板に形成された光導波路と、光
導波路に近接して設けられた複数個の電極と、電気光学
基板とそれぞれの電極との間に介在せしめるバッファ層
からなり、導電性材料と絶縁性材料を合成してなる材料
でバッファ層を形成した本発明になる導波路型光スイッ
チによって解決される。
導波路に近接して設けられた複数個の電極と、電気光学
基板とそれぞれの電極との間に介在せしめるバッファ層
からなり、導電性材料と絶縁性材料を合成してなる材料
でバッファ層を形成した本発明になる導波路型光スイッ
チによって解決される。
実験によれば電気光学基板の上に直接電極を形成すると
、光導波路の上にある電極によって光が吸収され光の損
失が増大する。しかし電気光学基板の上に直接電極を形
成した、導波路型光スイッチにおいてはｌ）Ｃドリフト
現象は発生しない。そこで光の吸収が増大しない範囲の
導電性材料と、絶縁性材料を合成してなる材料でバッフ
ァ層を形成することによって、光の損失を増大させるこ
となくＤＣドリフト現象の発生を抑制することがｌ１ｌ
ｌＪ能になり、導波路型光スイッチの信頼性を一層向上
させることができる。
、光導波路の上にある電極によって光が吸収され光の損
失が増大する。しかし電気光学基板の上に直接電極を形
成した、導波路型光スイッチにおいてはｌ）Ｃドリフト
現象は発生しない。そこで光の吸収が増大しない範囲の
導電性材料と、絶縁性材料を合成してなる材料でバッフ
ァ層を形成することによって、光の損失を増大させるこ
となくＤＣドリフト現象の発生を抑制することがｌ１ｌ
ｌＪ能になり、導波路型光スイッチの信頼性を一層向上
させることができる。
（実施例」
以下添付図により不発明の実施例について説明する。第
１図は本発明になる導波路型光スイッチの一実施例を示
す平面図であり、第２図と同し対象物は同一記号で表し
ている。
１図は本発明になる導波路型光スイッチの一実施例を示
す平面図であり、第２図と同し対象物は同一記号で表し
ている。
図においてＬｉＮｂＯ３からなる電気光学基板１の片面
に、Ｔｉを拡散せしめてＸ字状に交叉する光導波路２を
形成し、光４波路２に近接させて電極３ａ、３ｂを設け
ている。そして光の吸収を増大させない程度の導電性材
料（Ｓｎｌ１２）と、絶縁性材料（Ｓｉ０２）を合成し
てなる材料から形成された、バッファＦｉ５を電気光学
基板１と電極３ａの間、および電気光学基板１と電極３
ｂの間のそれぞれに介在させている。
に、Ｔｉを拡散せしめてＸ字状に交叉する光導波路２を
形成し、光４波路２に近接させて電極３ａ、３ｂを設け
ている。そして光の吸収を増大させない程度の導電性材
料（Ｓｎｌ１２）と、絶縁性材料（Ｓｉ０２）を合成し
てなる材料から形成された、バッファＦｉ５を電気光学
基板１と電極３ａの間、および電気光学基板１と電極３
ｂの間のそれぞれに介在させている。
このように光の吸収が増大しない範囲の導電性材料と、
絶縁性材料を合成してなる材料でバッファ層を形成する
ことによって、光の損失を増大させることなくＤＣドリ
フト現象の発生を抑制することが可能になり、導波路型
光スイッチの信頼性を一層向上させることができる。
絶縁性材料を合成してなる材料でバッファ層を形成する
ことによって、光の損失を増大させることなくＤＣドリ
フト現象の発生を抑制することが可能になり、導波路型
光スイッチの信頼性を一層向上させることができる。
上述の如く本発明によれば量産性に富み−ＦＲ伽頼性が
向上した導波路型光スイッチを提供することができる。
向上した導波路型光スイッチを提供することができる。
第１図は本発明になる導波路型光スイッチの一実施例を
示す平面図、 第２図は導波路型光スイッチの従来例を示す平面図、 である。図において ｌは電気光学基板、 ２は光導波路、 ３ａ、３ｂは電極、 ５はバッファ層、 をそれぞれ表す。
示す平面図、 第２図は導波路型光スイッチの従来例を示す平面図、 である。図において ｌは電気光学基板、 ２は光導波路、 ３ａ、３ｂは電極、 ５はバッファ層、 をそれぞれ表す。
Claims (1)
- 電気光学基板に形成された光導波路と、該光導波路に近
接して設けられた複数個の電極と、該電気光学基板とそ
れぞれの該電極との間に介在せしめるバッファ層からな
り、導電性材料と絶縁性材料を合成してなる材料で該バ
ッファ層を形成したことを特徴とする導波路型光スイッ
チ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3797885A JPH063507B2 (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 導波路型光スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3797885A JPH063507B2 (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 導波路型光スイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198133A true JPS61198133A (ja) | 1986-09-02 |
| JPH063507B2 JPH063507B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=12512654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3797885A Expired - Fee Related JPH063507B2 (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 導波路型光スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063507B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373162A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-02 | Nec Corp | 導波型光・音響スペクトラムアナライザの製造方法 |
| US5404412A (en) * | 1991-12-27 | 1995-04-04 | Fujitsu Limited | Optical waveguide device |
| US5653181A (en) * | 1991-08-26 | 1997-08-05 | Westinghouse Electric Corporation | Separation of particulate from flue gas of fossil fuel combustion and gasification |
| EP1109050A1 (en) * | 1999-12-15 | 2001-06-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Travelling wave optical modulators |
| WO2009022360A1 (en) | 2007-08-14 | 2009-02-19 | Selex Sistemi Integrati S.P.A. | Low switching voltage, fast time response digital optical switch |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP3797885A patent/JPH063507B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373162A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-02 | Nec Corp | 導波型光・音響スペクトラムアナライザの製造方法 |
| US5653181A (en) * | 1991-08-26 | 1997-08-05 | Westinghouse Electric Corporation | Separation of particulate from flue gas of fossil fuel combustion and gasification |
| US5404412A (en) * | 1991-12-27 | 1995-04-04 | Fujitsu Limited | Optical waveguide device |
| EP1109050A1 (en) * | 1999-12-15 | 2001-06-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Travelling wave optical modulators |
| US6539130B2 (en) | 1999-12-15 | 2003-03-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Traveling wave optical modulators |
| WO2009022360A1 (en) | 2007-08-14 | 2009-02-19 | Selex Sistemi Integrati S.P.A. | Low switching voltage, fast time response digital optical switch |
| US8326096B2 (en) | 2007-08-14 | 2012-12-04 | Selex Sistemi Integrati S.P.A. | Low switching voltage, fast time response digital optical switch |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH063507B2 (ja) | 1994-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2746216B2 (ja) | 光スイッチ | |
| JP2705664B2 (ja) | 光スイッチ | |
| JPS61198133A (ja) | 導波路型光スイツチ | |
| EP0105693B1 (en) | Bipolar voltage controlled optical switch using intersecting waveguide | |
| JPH05173099A (ja) | 光制御素子 | |
| JPH04172316A (ja) | 導波型光制御デバイス | |
| JPS6396626A (ja) | 導波型光制御素子 | |
| JPH0721597B2 (ja) | 光スイッチ | |
| JPH10142567A (ja) | 導波型光デバイス | |
| JPH01201628A (ja) | 光スイッチ | |
| JPS6097319A (ja) | 光導波路素子 | |
| JPH01128037A (ja) | 光スイッチ・変調器 | |
| JPH01128036A (ja) | 光スイッチ・変調器 | |
| JP4197316B2 (ja) | 光変調器 | |
| JPS62187310A (ja) | 回折格子型光結合装置の製造方法 | |
| JPH0361932B2 (ja) | ||
| JPS59214020A (ja) | 光スイツチ | |
| JPS58208727A (ja) | 光回路素子 | |
| JPH0324650B2 (ja) | ||
| JP3134298B2 (ja) | 光制御デバイスの製造方法 | |
| JPH055334B2 (ja) | ||
| JPH0352612B2 (ja) | ||
| JPS6218518A (ja) | 光変調素子 | |
| JPH0215245A (ja) | 光導波路型デバイス | |
| JPH0434419A (ja) | 光制御デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |