JPS61196595A - 印刷配線板の製造法 - Google Patents
印刷配線板の製造法Info
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- JPS61196595A JPS61196595A JP3715285A JP3715285A JPS61196595A JP S61196595 A JPS61196595 A JP S61196595A JP 3715285 A JP3715285 A JP 3715285A JP 3715285 A JP3715285 A JP 3715285A JP S61196595 A JPS61196595 A JP S61196595A
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- JP
- Japan
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- copper
- plating
- resist
- holder
- printed wiring
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は印刷配線板の製造法に関する。
（従来の技術〉
印刷配線板の製造法としては、銅張９檀層板をエツチン
グしてパターンを形成するサブトラクト法、給線基板の
必要な部分のみにめっきにより回路を形成するアディテ
ィブ法、５〜９μｍの銅箔を用い次銅張り積層板をベー
スにし必セな部分にめっきをした後、ペースの薄い鋼箔
をクイックエツチングするセミアディティブ法がある。
グしてパターンを形成するサブトラクト法、給線基板の
必要な部分のみにめっきにより回路を形成するアディテ
ィブ法、５〜９μｍの銅箔を用い次銅張り積層板をベー
スにし必セな部分にめっきをした後、ペースの薄い鋼箔
をクイックエツチングするセミアディティブ法がある。
（発明が解決しようとする問題点）
配線板の線巾、線間隔はＬＳＩの高集積化にともないま
すます細（ｔｃっている。しかし、従来の製造方法では
例えば、銅張り積層板をエツチングしてパターンを形成
する場合、１００μｍ程度が加工限界となりこれ以下の
線巾では断線やシ冒−トが発生し易くなる。これはＡ張
り積層板製造工程において発生する銅箔のへこみ、キズ
などが原因である。また、線巾、線間隔が５０μｍ位に
なると銅張りｆＡ層板表面の微少な凹凸やうねりにより
線ｒｉミコ度が間粕となっ℃くる。また、通常鋼箔が１
８〜５５μｍと厚いため１００μｍ以下のエツチングが
非常に困難になる。５〜９μｍの銅箔を用いれば内層回
路用のエツチングは容易になるが表層部は、スルーホー
ル内のめっきか附加されるので全体の銅の厚さは３０〜
４０μｍとなり１００μｍ以下のエツチングは非常に困
難である。
すます細（ｔｃっている。しかし、従来の製造方法では
例えば、銅張り積層板をエツチングしてパターンを形成
する場合、１００μｍ程度が加工限界となりこれ以下の
線巾では断線やシ冒−トが発生し易くなる。これはＡ張
り積層板製造工程において発生する銅箔のへこみ、キズ
などが原因である。また、線巾、線間隔が５０μｍ位に
なると銅張りｆＡ層板表面の微少な凹凸やうねりにより
線ｒｉミコ度が間粕となっ℃くる。また、通常鋼箔が１
８〜５５μｍと厚いため１００μｍ以下のエツチングが
非常に困難になる。５〜９μｍの銅箔を用いれば内層回
路用のエツチングは容易になるが表層部は、スルーホー
ル内のめっきか附加されるので全体の銅の厚さは３０〜
４０μｍとなり１００μｍ以下のエツチングは非常に困
難である。
このような車から、エツチング法ではなく、必要な部分
にめっきにより回路を形成するアディティブ法が破細パ
ターンの形成に適するが現状では基板表面の粗度が大き
く、また、不必要な場所にもめりきが析出する銅フリ現
象があり、サブトラクト法以上の微細パターンの形成が
できない。そこで５〜９μｍの銅箔を用いた鋼張り積層
板をペースにめっきにより必要な部分にめっきをしｔ後
、ベースの薄い銅箔をクイックエツチングするセミアデ
ィティブ法が微細パターンに通し℃いる。しかし、この
方法においても、前記した銅張り積層板自体の欠陥や特
性に支配され、８０μｍ以下の微細パターンの形成は困
雉である。
にめっきにより回路を形成するアディティブ法が破細パ
ターンの形成に適するが現状では基板表面の粗度が大き
く、また、不必要な場所にもめりきが析出する銅フリ現
象があり、サブトラクト法以上の微細パターンの形成が
できない。そこで５〜９μｍの銅箔を用いた鋼張り積層
板をペースにめっきにより必要な部分にめっきをしｔ後
、ベースの薄い銅箔をクイックエツチングするセミアデ
ィティブ法が微細パターンに通し℃いる。しかし、この
方法においても、前記した銅張り積層板自体の欠陥や特
性に支配され、８０μｍ以下の微細パターンの形成は困
雉である。
本発明は微細パターンを容易に得ることが出来る印刷配
線板の製造法を提供するものである。
線板の製造法を提供するものである。
（間順点を解決するための手段）
本発明は導電性を有する保持体面上にめっきレジストを
形成し、一層以上の金橋めっきによシ回路パターンを形
成し、前記レジスト剥離後、前記回路パターンに面して
ＩＰ！縁基材を夏ね合わせ、加熱圧着し、前記回路パタ
ーンを絶縁基材に埋め込み、前記俟持体を除去する配線
板の製造法に於いて、前記保持体表面を、銅イオン、銅
イオンの錯化剤、銅イオンの還元剤 ＦｉＩ′１−整剤
、水、および１分子内に−Ｎ＝と、−Ｎ）１゜および／
または−ＯＨとをもつ有機化合物の少なくとも一種を含
む無電解鋼めっき液で銅めっきすることを特徴とするも
のである。
形成し、一層以上の金橋めっきによシ回路パターンを形
成し、前記レジスト剥離後、前記回路パターンに面して
ＩＰ！縁基材を夏ね合わせ、加熱圧着し、前記回路パタ
ーンを絶縁基材に埋め込み、前記俟持体を除去する配線
板の製造法に於いて、前記保持体表面を、銅イオン、銅
イオンの錯化剤、銅イオンの還元剤 ＦｉＩ′１−整剤
、水、および１分子内に−Ｎ＝と、−Ｎ）１゜および／
または−ＯＨとをもつ有機化合物の少なくとも一種を含
む無電解鋼めっき液で銅めっきすることを特徴とするも
のである。
第１図に基いて本発明の詳細な説明する。保持体１はス
テンレス板２等に剥離可能なようにめっきしｆｃＭ箔で
も良いし、すでに引きはがされた銅箔あるいは圧延され
た銅箔でも良い。３はめつきレジストである。回路パタ
ーン金属４゜４′は金、ニッケル、半田、あるいは金と
鋼、ニッケルと銅等で単独の場合はそれ自身、２種以上
の場合は金属５に面している金属４の除去条件が金属５
と異なる必要かある。
テンレス板２等に剥離可能なようにめっきしｆｃＭ箔で
も良いし、すでに引きはがされた銅箔あるいは圧延され
た銅箔でも良い。３はめつきレジストである。回路パタ
ーン金属４゜４′は金、ニッケル、半田、あるいは金と
鋼、ニッケルと銅等で単独の場合はそれ自身、２種以上
の場合は金属５に面している金属４の除去条件が金属５
と異なる必要かある。
次にレジスト剥離し、金属４表面の圧着処理を行い絶縁
樹脂と加熱圧着後、表面パターンが残るようにして保持
体２と金属５をエツチング除去すると、あらかじめ形成
された回路が基板内に埋め込まれた形で臓出する。保持
板２は一部が残される場付もある。
樹脂と加熱圧着後、表面パターンが残るようにして保持
体２と金属５をエツチング除去すると、あらかじめ形成
された回路が基板内に埋め込まれた形で臓出する。保持
板２は一部が残される場付もある。
本発明に於ては、導電性を有する保持体面上に、めっき
レジストを形成する前の処理として鋼イオン、銅イオン
の錯化剤、銅イオンの還元剤、Ｆ４−１調整剤、水、お
よび分子内に−Ｎ＝と、−Ｎ Ｈ２および／または−Ｏ
Ｈとをもつ有機化合物の少なくとも一種を含む無電解銅
めっき液で銅めっきを行う。５が銅めっき層である。
レジストを形成する前の処理として鋼イオン、銅イオン
の錯化剤、銅イオンの還元剤、Ｆ４−１調整剤、水、お
よび分子内に−Ｎ＝と、−Ｎ Ｈ２および／または−Ｏ
Ｈとをもつ有機化合物の少なくとも一種を含む無電解銅
めっき液で銅めっきを行う。５が銅めっき層である。
銅イオンは銅イオン源とし１：健酸銅、硝酸銅、塩化第
２銅など通常の銅塩が用いられる。錯化剤としては上記
の鋼イオンと錯体を形成しアルカリ水溶液に可溶とする
ものでエチレンジアミン四酢酸、クアドロール（アデカ
製商品名）、酒石酸などが用いられる。還元剤としては
、ホルマリン、次亜リン酸塩などがある。また水酸イオ
ンはこの処塀液の…ヲ鯛整する目的で添加するもので水
酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどが使用できる。水
としてはイオン交換水が望ましい。これらの成分から成
るめっき液の基本組成としては、例えは硫酸鋼２ ｇ／
ｌ〜２０ｗ ／ ｌ 、…１１．０〜１五５、錯化剤と
してエチレンジアミン四酢酸の場合では硫酸銅襄度の１
゜０〜５．０倍モル濃度、また還元剤としての３７％ホ
ルマリンは２ａ＋ｌ／ ｌ 〜２０ｏＩｌ／ ｌが好ま
しい。
２銅など通常の銅塩が用いられる。錯化剤としては上記
の鋼イオンと錯体を形成しアルカリ水溶液に可溶とする
ものでエチレンジアミン四酢酸、クアドロール（アデカ
製商品名）、酒石酸などが用いられる。還元剤としては
、ホルマリン、次亜リン酸塩などがある。また水酸イオ
ンはこの処塀液の…ヲ鯛整する目的で添加するもので水
酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどが使用できる。水
としてはイオン交換水が望ましい。これらの成分から成
るめっき液の基本組成としては、例えは硫酸鋼２ ｇ／
ｌ〜２０ｗ ／ ｌ 、…１１．０〜１五５、錯化剤と
してエチレンジアミン四酢酸の場合では硫酸銅襄度の１
゜０〜５．０倍モル濃度、また還元剤としての３７％ホ
ルマリンは２ａ＋ｌ／ ｌ 〜２０ｏＩｌ／ ｌが好ま
しい。
より一般的には鋼イオンは０．００４〜Ｇ、２モル／１
％銅イオンの錯化剤は０．００４〜０．１モル／ｌ、銅
イオンの還元剤はＱ、０１〜Ｑ、２５モル／１％田調整
剤は州を１１．０〜１＆４にする量使用される。
％銅イオンの錯化剤は０．００４〜０．１モル／ｌ、銅
イオンの還元剤はＱ、０１〜Ｑ、２５モル／１％田調整
剤は州を１１．０〜１＆４にする量使用される。
分子内に−Ｎ＝と、−ＮＨ２および／または−ＯＨとを
もつ有機化合物としては、８−アザグアニン、キサント
プテリン、５−アミノインダゾール、２−アミノペリミ
ジン塩酸ｔｍ、２−アミノペリミジン臭化水素酸塩、ベ
ンゾグアナミン、アクリフラビン塩酸塩、５−アミノ−
■Ｈ−テトラシル、６〜アミノ−２−フェニル−４−キ
ノリル、２−アミノ−６，８−ジヒドロキシプリン、２
−アミノピリミジン、６−ヒドロキシ−乙４．５−トリ
アミノピリミジン硫酸塩、２．４−ジアミノ−６−ヒド
ロキシピリジン、２−アミノ−４−ヒドロキシ−６−メ
チルピリミジン、４．６−シヒドロキシピリミジン、ニ
トログアニジン％ １−ヒドロキシ−ＩＨ−ベンゾトリ
アゾール１水塩、２−ヒドロキシベンズイミダゾール、
３−アミノ−３−ヒドロキシピリジンなど及びこれらの
混合物がある。
もつ有機化合物としては、８−アザグアニン、キサント
プテリン、５−アミノインダゾール、２−アミノペリミ
ジン塩酸ｔｍ、２−アミノペリミジン臭化水素酸塩、ベ
ンゾグアナミン、アクリフラビン塩酸塩、５−アミノ−
■Ｈ−テトラシル、６〜アミノ−２−フェニル−４−キ
ノリル、２−アミノ−６，８−ジヒドロキシプリン、２
−アミノピリミジン、６−ヒドロキシ−乙４．５−トリ
アミノピリミジン硫酸塩、２．４−ジアミノ−６−ヒド
ロキシピリジン、２−アミノ−４−ヒドロキシ−６−メ
チルピリミジン、４．６−シヒドロキシピリミジン、ニ
トログアニジン％ １−ヒドロキシ−ＩＨ−ベンゾトリ
アゾール１水塩、２−ヒドロキシベンズイミダゾール、
３−アミノ−３−ヒドロキシピリジンなど及びこれらの
混合物がある。
添加量としてはＱ、１ｒｎｇ／１以上で良い。これらの
薬品は比較的高価なものが多いため、多量に添加するこ
とはコストの点から好ましくはない。一般的には１ｍｇ
／ｌから５００■／ｌの範囲が奸才しい。
薬品は比較的高価なものが多いため、多量に添加するこ
とはコストの点から好ましくはない。一般的には１ｍｇ
／ｌから５００■／ｌの範囲が奸才しい。
これらの薬品類／ｒｉ−同仁化学研究所や東京化成工業
■、アルドリッチ社などから市販薬品として入手できる
。
■、アルドリッチ社などから市販薬品として入手できる
。
温度は…や還元剤の濃度と主に関係しており、田や還元
剤濃度が高い場合には低温でも処理可能になる。したが
って、液の組成により工室温から９０℃までの範囲で選
ぶことができる。
剤濃度が高い場合には低温でも処理可能になる。したが
って、液の組成により工室温から９０℃までの範囲で選
ぶことができる。
前処坤銅めっきの厚さは、１〜５μｍがＩＩｆましい。
この前処理鋼めっ＠け、無光沢で暗色のもので、太陽光
の５００〜８００ ｎｍに於ける平均吸収率で０．５以
上、好ましくは［Ｌ７以上である。
の５００〜８００ ｎｍに於ける平均吸収率で０．５以
上、好ましくは［Ｌ７以上である。
このように本発明では８ｇ１図に示すように保持体表面
レジストとの密着力を増加させ、かつ、露光時の紫外光
を吸収するため乱反射が軽減され高解像化に有利な微細
形状を有する無電擲鋼めっき６を施したものである。レ
ジスト形成の前処理として保持体表面を粗化処理する場
合は通常はレジスト形成後第２図に示すようにレジスト
３と保持体１間にキズ、あるいは空隙６が生じ、そこか
ら回路パターンぬっき４′がしみ込み、ショートとなる
可能性があった。更にｔレジスト露光時に保持体２表面
での乱反射のため例えば元硬化型レジストの場合、焼き
太り等の現象がありライン積度が低下する問題が生じる
。
レジストとの密着力を増加させ、かつ、露光時の紫外光
を吸収するため乱反射が軽減され高解像化に有利な微細
形状を有する無電擲鋼めっき６を施したものである。レ
ジスト形成の前処理として保持体表面を粗化処理する場
合は通常はレジスト形成後第２図に示すようにレジスト
３と保持体１間にキズ、あるいは空隙６が生じ、そこか
ら回路パターンぬっき４′がしみ込み、ショートとなる
可能性があった。更にｔレジスト露光時に保持体２表面
での乱反射のため例えば元硬化型レジストの場合、焼き
太り等の現象がありライン積度が低下する問題が生じる
。
これに対する解決策としては、第３図に示すように前記
キズや空隙６を埋めるに足る厚さくこれは３μｍ位であ
る）の前処理めっき７をすれば良い。しかしながらこの
方法はのめつき厚コントロールが困難である、０５〜１
５８ｍ８＃の薄膜レジストを使用１−て高解像化を図る
場合、３ ａｍの厚さは全体の６０〜２０％に相当し必
要とする導体厚が得られない。等の欠点がある。
キズや空隙６を埋めるに足る厚さくこれは３μｍ位であ
る）の前処理めっき７をすれば良い。しかしながらこの
方法はのめつき厚コントロールが困難である、０５〜１
５８ｍ８＃の薄膜レジストを使用１−て高解像化を図る
場合、３ ａｍの厚さは全体の６０〜２０％に相当し必
要とする導体厚が得られない。等の欠点がある。
また、黒色酸化銅また、銅箔あるいは、ステンレス板な
どにめっきで形成した＠を保持体として採用する場合、
表面に酸化処理をほどこして１μｍ厚程度の酸化銅皮ｐ
Ａを形成し、その上にレジストパターンを形成する方法
かある。この方法は密層力や′Ｍ憧度の点でも優れてい
るが、■前記回路パターンぬっき（例えば硫＃？銅めっ
き等の酸性めっき）時にめっき液がレジスト下部にしみ
込みレジストが保持体がら利離して１゜まう、０表面の
酸化銅皮膜はＰ！縁物のため、回路ハターンメっきをほ
どこすためには、レジストパターン下部以外にある酸化
銅皮膜を除去しなくてはならない。等の間馳がある。
どにめっきで形成した＠を保持体として採用する場合、
表面に酸化処理をほどこして１μｍ厚程度の酸化銅皮ｐ
Ａを形成し、その上にレジストパターンを形成する方法
かある。この方法は密層力や′Ｍ憧度の点でも優れてい
るが、■前記回路パターンぬっき（例えば硫＃？銅めっ
き等の酸性めっき）時にめっき液がレジスト下部にしみ
込みレジストが保持体がら利離して１゜まう、０表面の
酸化銅皮膜はＰ！縁物のため、回路ハターンメっきをほ
どこすためには、レジストパターン下部以外にある酸化
銅皮膜を除去しなくてはならない。等の間馳がある。
本発明ではこｎらの間踊か解決出来る。。
笑施秒１１
ステンレス表面全研談後、全面に２５ ｔｔｍ ）￥の
硫酸鋼めっきを行った。次に壇硫１虐アンモニウムで粗
化処理後、表１に示した浴組成の処理液（７０±２℃）
に５分間浸漬Ｌ ２ ａｍ ＃Ｌの無電解銅めっき金行
った。この場合２−アミノペリミジン塩酸塩の代わりに
、そｎぞれベンゾグアナミン、８−アザグアニン、キサ
ントブテン、２−アミノピリミジン、６−ヒドロキシ−
２，４゜５−トリアミノピリミジン硫ｒｑ＃！塩、ニト
ログアニジン等を単独で同量添加した処理欣でも良い。
硫酸鋼めっきを行った。次に壇硫１虐アンモニウムで粗
化処理後、表１に示した浴組成の処理液（７０±２℃）
に５分間浸漬Ｌ ２ ａｍ ＃Ｌの無電解銅めっき金行
った。この場合２−アミノペリミジン塩酸塩の代わりに
、そｎぞれベンゾグアナミン、８−アザグアニン、キサ
ントブテン、２−アミノピリミジン、６−ヒドロキシ−
２，４゜５−トリアミノピリミジン硫ｒｑ＃！塩、ニト
ログアニジン等を単独で同量添加した処理欣でも良い。
また、晧加量は一般的には１ｆｆＩｇ／ｌから５００■
／ｌの範囲が好ましい。次に液状フォトレジスト（シッ
プレイ社裂簡品名ＴＦ−２０）’ｅスピンコーターで７
０ Ｏｒｐｍの回転速度で塗布した（レジスト厚１２μ
ｍ）。９０℃、２０分間で前加熱し、室温でフォトマス
クを当て紫外線を照射した。アルカリ現像後、１００℃
、２０分間で後加熱めっき用微細レジスト像を形成した
。
／ｌの範囲が好ましい。次に液状フォトレジスト（シッ
プレイ社裂簡品名ＴＦ−２０）’ｅスピンコーターで７
０ Ｏｒｐｍの回転速度で塗布した（レジスト厚１２μ
ｍ）。９０℃、２０分間で前加熱し、室温でフォトマス
クを当て紫外線を照射した。アルカリ現像後、１００℃
、２０分間で後加熱めっき用微細レジスト像を形成した
。
１０％に酸に１分間浸漬後、金めつきを１μｍ。
さらに硫酸鋼めっきを１０μｍ行い、回路パターンを形
成した。レジスト剥離液に浸漬し、レジストを剥離し、
再度前記無電解銅めっき処理を６分間はどこした。次に
鋼箔をステンレス板よ＃）はがし取っ念。この銅箔をあ
らかじめエツチング法で作成した内層板と接着用プリプ
レグと位置決めビンにより位置決めできる金型にセット
し、１７０℃％２時間４０ ｋＪ’ ／ ｏｙＦの圧力
で加熱圧着した。続いて穴あけし、所望する部分にめっ
き層を形成した後、公知のエツチング法で必要以外の部
分を除去し℃所望する配線板を製作した。この自己線板
は線巾、＃！間隔３０μｍのい１路パターンを有するも
のである。
成した。レジスト剥離液に浸漬し、レジストを剥離し、
再度前記無電解銅めっき処理を６分間はどこした。次に
鋼箔をステンレス板よ＃）はがし取っ念。この銅箔をあ
らかじめエツチング法で作成した内層板と接着用プリプ
レグと位置決めビンにより位置決めできる金型にセット
し、１７０℃％２時間４０ ｋＪ’ ／ ｏｙＦの圧力
で加熱圧着した。続いて穴あけし、所望する部分にめっ
き層を形成した後、公知のエツチング法で必要以外の部
分を除去し℃所望する配線板を製作した。この自己線板
は線巾、＃！間隔３０μｍのい１路パターンを有するも
のである。
表１ 浴組成例
（発明の効果）
以上説明した本発明により次の効果か達成された。
（１） 従来工程で発生したショートが激減し、歩留
りが向上した。
りが向上した。
（２）従来はパターン表面に研磨キズが転写されていた
が、より平滑でキズの無いパターン面が得られた。
が、より平滑でキズの無いパターン面が得られた。
（３） ＩＷ、光時に保持体表面での乱反射か少ない
ため、レジストの解像度が向上した。
ため、レジストの解像度が向上した。
（４）従来は保持体（硫酸鋼めっき層）エツチング後、
絶縁樹脂表面の黒色酸化銅皮膜を除去する工程？別に設
けていたが、無１！解銅めつき層は保持体と四条性で除
去できるため、工程的に簡便になった。
絶縁樹脂表面の黒色酸化銅皮膜を除去する工程？別に設
けていたが、無１！解銅めつき層は保持体と四条性で除
去できるため、工程的に簡便になった。
（５）酸化銅皮膜の除去工程が無くなったので、毒性の
価い処堆液′ｆＩ：便用することがなく１作業環境の改
胃廃液処理費の軽減があった。
価い処堆液′ｆＩ：便用することがなく１作業環境の改
胃廃液処理費の軽減があった。
（６）前処理めっきが不必要になシ、導体厚の許容量が
増加した。
増加した。
舅１図は１本発明を説明するための断面図、第２図、第
３図は断面図である。 符号の説明 １、保持体 五 レジストパターン ４．４′ 回路パターン 第１図 σ 第３図
３図は断面図である。 符号の説明 １、保持体 五 レジストパターン ４．４′ 回路パターン 第１図 σ 第３図
Claims (1)
- １、導電性を有する保持体面上を、銅イオン、銅イオン
の錯化剤、銅イオンの還元剤、ｐＨ調整剤、水、および
、分子内に−Ｎ＝と、−ＮＨ＿２および／または−ＯＨ
とをもつ有機化合物の少なくとも一種を含む無電解銅め
っき液で銅めっきした後、導電性を有する保持体面上に
めっきレジストを形成し、一層以上の金属めっきにより
回路パターンを形成し、前記レジスト剥離後、前記回路
パターンに面して絶縁基材を重ね合わせ、加熱圧着し、
前記回路パターンを絶縁基材に埋め込み、前記保持体を
除去することを特徴とする印刷配線板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3715285A JPS61196595A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 印刷配線板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3715285A JPS61196595A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 印刷配線板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61196595A true JPS61196595A (ja) | 1986-08-30 |
Family
ID=12489633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3715285A Pending JPS61196595A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 印刷配線板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61196595A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6421232B1 (ja) * | 2017-12-07 | 2018-11-07 | 国立大学法人宇都宮大学 | 電気銅亜鉛合金めっき膜の形成方法 |
-
1985
- 1985-02-26 JP JP3715285A patent/JPS61196595A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6421232B1 (ja) * | 2017-12-07 | 2018-11-07 | 国立大学法人宇都宮大学 | 電気銅亜鉛合金めっき膜の形成方法 |
| JP2019099895A (ja) * | 2017-12-07 | 2019-06-24 | 国立大学法人宇都宮大学 | 電気銅亜鉛合金めっき膜の形成方法 |
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