JPS61196535A - Semiconductor manufacturing device - Google Patents
Semiconductor manufacturing deviceInfo
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- JPS61196535A JPS61196535A JP3708185A JP3708185A JPS61196535A JP S61196535 A JPS61196535 A JP S61196535A JP 3708185 A JP3708185 A JP 3708185A JP 3708185 A JP3708185 A JP 3708185A JP S61196535 A JPS61196535 A JP S61196535A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置に関し、特にそのポジ現像
処理時の改良に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and particularly to improvements in positive development processing thereof.
従来この種の装置として第2図に示すものかあった。 A conventional device of this type is shown in FIG.
図において、1はウェハ6を回転させるためのスピンモ
ータ、4は現像カップ、3は現像カップ4を支持する支
持台、2は現像カップ4を上下させるためのカップシリ
ンダ、5はウェハ6を載置するウェハチャック、6はウ
ェハチャック5に真空系により吸着されている処理ウェ
ハ、7は現像のため供給されたポジ現像液であり、これ
はウェハ面の表面張力により保持されている。8はウェ
ハ面上に現像液を供給するためのノズル、9は現像後の
リンスのためのリンス液を供給するためのノズル、10
は処理廃液のタンクである。In the figure, 1 is a spin motor for rotating the wafer 6, 4 is a developing cup, 3 is a support stand that supports the developing cup 4, 2 is a cup cylinder for raising and lowering the developing cup 4, and 5 is a cup cylinder on which the wafer 6 is placed. A wafer chuck 6 is placed on the wafer chuck, a processing wafer 6 is attracted by a vacuum system to the wafer chuck 5, and a positive developer 7 is supplied for development, which is held by the surface tension of the wafer surface. 8 is a nozzle for supplying a developing solution onto the wafer surface; 9 is a nozzle for supplying a rinsing solution for rinsing after development; 10
is a tank for processing waste liquid.
又、第2図(′b)は現像ノズル8からウェハ6上へ現
像液を供給する時の拡がりの様子を矢印11で示したも
のである。Further, FIG. 2('b) shows how the developer spreads when it is supplied from the developing nozzle 8 onto the wafer 6 by arrows 11.
次にこの装置によるウェハの現像工程の各工程を列挙す
る。Next, each step of the wafer development process using this apparatus will be listed.
(1)カップシリンダ2によりカップ4を下げる。(1) Lower the cup 4 using the cup cylinder 2.
(2)ウェハチャック5上にウェハ6を搬送する。(2) Transfer the wafer 6 onto the wafer chuck 5.
(ここでは搬送システムは図示を省略している。)(3
)ウェハチャック5上にウェハ6を搬送後、該ウェハ6
を真空吸着する。(The transport system is not shown here.) (3
) After the wafer 6 is transferred onto the wafer chuck 5, the wafer 6 is
Vacuum adsorption.
(4)カップシリンダ2によりカップ4を上げる。(4) Raise the cup 4 using the cup cylinder 2.
(5)スピンモータ1によりウェハ6を低速回転(50
〜100 rpm )させる。(5) The wafer 6 is rotated at low speed by the spin motor 1 (50
~100 rpm).
(6)現像ノズル8をオンし現像液をウェハ6上に供給
する。(6) Turn on the developing nozzle 8 and supply the developing solution onto the wafer 6.
(7)現像液7を第2図(a)のように表面張力により
保持できる程度供給し、その後現像液の供給を停止し、
同時にスピンモータ1を停止する。(7) Supply the developer 7 to the extent that it can be held by surface tension as shown in FIG. 2(a), then stop supplying the developer,
At the same time, the spin motor 1 is stopped.
(8)規定の時間、静止させる。(8) Let it stand still for a specified period of time.
(9)静止後スピンモータ1を回転(500〜1100
0rp )させ、同時にリンスノズル9をオンしてリン
ス液(水)を出し、ウェハ6のリンスを行なう。(9) Rotate the spin motor 1 after stopping (500 to 1100
0 rpm), and at the same time, the rinse nozzle 9 is turned on to dispense a rinse liquid (water) to rinse the wafer 6.
(10)リンス終了後リンスノズル9をオフし同時にス
ピンモータ1の回転数を上げ(3000〜5000rp
m ) 、ウェハ6を乾燥させる。(10) After rinsing, turn off the rinse nozzle 9 and increase the rotation speed of the spin motor 1 (3000 to 5000 rpm).
m), dry the wafer 6;
(11)その後カップ4をシリンダ2により下!7.[
送システムによりウェハ6を搬送し、次のウェハの処理
を行なうゆ
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体製造装置によるウェハの現像は以上のよう
な方法で行なわれていた。そのため、ポジ現像液の量は
ウェハ面上で表面張力により保持されるものだけとなり
、この量だけではパターンの微細化、ウェハの大口径化
に対して十分なパターン精度及び寸法精度を保持するこ
とが非常に困難であるという欠点があった。(11) Then lower cup 4 with cylinder 2! 7. [
The wafer 6 is transported by the transport system, and the next wafer is processed. [Problems to be Solved by the Invention] Wafer development using conventional semiconductor manufacturing equipment has been performed in the manner described above. Therefore, the amount of positive developer is limited to that which is held on the wafer surface by surface tension, and this amount alone is insufficient to maintain sufficient pattern accuracy and dimensional accuracy for finer patterns and larger diameter wafers. The disadvantage was that it was extremely difficult.
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、パターン精度及び寸法精度を大幅
に改善することのできる半導体製造装置を提供すること
を目的としている。The present invention was made to eliminate the above-mentioned drawbacks of the conventional method, and an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus that can significantly improve pattern accuracy and dimensional accuracy.
この発明に係る半導体製造装置は、ウェハを浸漬させる
ための現像液を収容する現像液槽と、ウェハを載置する
載置台を回転させろウェハ回転駆動手段とを設けたもの
である。A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is provided with a developer tank containing a developer for immersing a wafer, and a wafer rotation driving means for rotating a mounting table on which the wafer is placed.
この発明においては、ウェハは現像液に浸漬された状態
で回転するから、パターン精度2寸法精度の高いウェハ
を得ることができる。In this invention, since the wafer is rotated while immersed in the developer, a wafer with high pattern accuracy in two dimensions can be obtained.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図において、12はウェハ6を浸漬させるための現
像液7を収容する現像液槽である現像用カップ、16は
該カップ12と廃液タンク10とを接続するためのパイ
プ、13は該パイプ16に設けられた電磁弁↑あり、こ
れは現像液の充瞑及び廃水のタイミングを図るためのも
のである。14はカップ12内の現像液7を速く廃液で
きるよう廃液タンク10の内圧を下げるための排気ダク
ト、15はカップ12とウェハチャックシャフト5aと
の間を隙間なくシールするための真空シールである。他
は従来例と同様である。そして以上の13.14.15
.16によりカップ12への現像液の供給、排出を自動
的に制御するための現像液供給排出制御手段を構成して
いる。In FIG. 1, reference numeral 12 denotes a developing cup which is a developer tank containing a developer 7 for immersing the wafer 6, 16 a pipe for connecting the cup 12 and the waste liquid tank 10, and 13 the pipe. There is a solenoid valve ↑ installed at 16, which is used to control the timing of charging the developer and draining water. 14 is an exhaust duct for lowering the internal pressure of the waste liquid tank 10 so that the developer 7 in the cup 12 can be quickly drained, and 15 is a vacuum seal for sealing the gap between the cup 12 and the wafer chuck shaft 5a. The rest is the same as the conventional example. And above 13.14.15
.. 16 constitutes a developer supply and discharge control means for automatically controlling the supply and discharge of the developer to the cup 12.
次に本装置によるウェハの現像工程の各工程を列挙する
。Next, each step of the wafer development process using this apparatus will be listed.
(1)カップシリンダ2により現像用カップ(以下カッ
プと称す)12を下げる。この時電磁弁13は開いたま
まである。(1) Lower the developing cup (hereinafter referred to as cup) 12 using the cup cylinder 2. At this time, the solenoid valve 13 remains open.
(2)ウェハチャック5上にウェハ6を搬送する。(2) Transfer the wafer 6 onto the wafer chuck 5.
(3)ウェハチャック5上にウェハ6を搬送後、該ウェ
ハ6を真空吸着する。(3) After the wafer 6 is transferred onto the wafer chuck 5, the wafer 6 is vacuum-adsorbed.
(4)カップシリンダ2によりカップ12を上げ、同時
に電磁弁13を閉じる。(4) Raise the cup 12 using the cup cylinder 2 and close the solenoid valve 13 at the same time.
(5)スピンモータ1によりウェハ6を低速回転(50
〜100 rpm )させる。(5) The wafer 6 is rotated at low speed by the spin motor 1 (50
~100 rpm).
(6)現像ノズル8をオンし現像液をウェハ6上に現像
液がウェハ面上1cmぐらいの高さになるまで供給する
。(6) Turn on the developing nozzle 8 and supply the developer onto the wafer 6 until the developer reaches a height of about 1 cm above the wafer surface.
(7)規定の時間、ウェハ6の低速回転を続行する。(
なおこれはここでは低速回転させたが、これに限る必要
はない。)
(8)その後電磁弁13を開け、同時にリンスノズル9
をオンしてリンス液(水)を出し、ウェハ6のリンスを
行なう。(7) Continue to rotate the wafer 6 at low speed for a specified period of time. (
Note that although this is done here, the rotation speed is low, but there is no need to limit it to this. ) (8) After that, open the solenoid valve 13, and at the same time open the rinse nozzle 9.
Turn on the rinsing liquid (water) and rinse the wafer 6.
(9)リンス終了後リンスノズル9をオフし同時にスピ
ンモータlの回転数を上げ(3000〜5000 rp
m) 、ウェハ6を乾燥させる。(9) After rinsing, turn off the rinse nozzle 9 and increase the rotation speed of the spin motor l (3000 to 5000 rp).
m) Dry the wafer 6.
(10)その後カップ12をシリンダ2により下げ、搬
送システムによりウェハ6を搬送し、次のウェハの処理
を行なう。(10) After that, the cup 12 is lowered by the cylinder 2, the wafer 6 is transported by the transport system, and the next wafer is processed.
このように本実施例装置では、カップ内に現像液をため
、その中に処理ウェハを浸漬し同時に処理ウェハを回転
させながら現像するようにしたの果がある。As described above, in the apparatus of this embodiment, the developer is stored in the cup, the processing wafer is immersed therein, and the processing wafer is simultaneously rotated and developed.
なお、上記実施例ではウェハ搬送のためカップを上下さ
せたが、ウェハチャックを上下させてもよい。In the above embodiment, the cup is moved up and down to transport the wafer, but the wafer chuck may be moved up and down.
また、上記実施例ではウェハをウェハチャック上に載置
しながら現像液中に浸漬する場合を示したが、ウェハチ
ャックを用いずにウェハをその上面よりハンドラーでつ
かみ、これを現像液中に浸漬するようにしてもよく、上
記と同様の効果を奏する。In addition, in the above embodiment, the wafer is placed on a wafer chuck and immersed in the developer solution, but the wafer is grabbed from the upper surface by the handler without using the wafer chuck, and is immersed in the developer solution. Alternatively, the same effect as above can be achieved.
以上のように、この発明に係る半導体製造装置によれば
、ポジ現像液を収容したカップにウェハを浸漬して該ウ
ェハを回転させて現像するようにしたので、パターン精
度及び寸法精度の高いウェハが得られる効果がある。As described above, according to the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, since the wafer is immersed in a cup containing a positive developer and developed by rotating the wafer, a wafer with high pattern accuracy and dimensional accuracy can be produced. There is an effect that can be obtained.
第1図はこの発明の一実施例による半導体製造装置を示
す断面図、第2図(alは従来の半導体製造装置を示す
断面図、第2図山)は現像ノズルからウェハ上への現像
液を供給する時の拡がりの様子を示す状態図である。
1・・・スピンモータ(ウェハ回転駆動手段)、5・・
・ウェハチャック、6・・・ウェハ、7・・・現像液、
12・・・現像用カップ、13・・・電磁弁、14・・
・排気ダクト、15・・・真空シール、16・・・パイ
プ。
なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 (al is a cross-sectional view showing a conventional semiconductor manufacturing apparatus; the crest in FIG. 2) is a flow of developer from a developing nozzle onto a wafer. FIG. 1... Spin motor (wafer rotation drive means), 5...
・Wafer chuck, 6... wafer, 7... developer,
12...Developing cup, 13...Solenoid valve, 14...
・Exhaust duct, 15... Vacuum seal, 16... Pipe. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.
Claims (2)
半導体製造装置において、ウェハを浸漬させるための現
像液を収容する現像液槽と、上記ウェハを載置する載置
台を回転させるウェハ回転駆動手段とを備えたことを特
徴とする半導体製造装置。(1) A semiconductor manufacturing apparatus that develops a positive resist-coated wafer that has been exposed to light, including a developer tank containing a developer for immersing the wafer, and a wafer rotation drive means for rotating a mounting table on which the wafer is placed. A semiconductor manufacturing device characterized by comprising:
給、排出を自動的に制御するための現像液供給排出制御
手段を備えていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の半導体製造装置。(2) The developer tank is provided with a developer supply and discharge control means for automatically controlling the supply and discharge of the developer to the developer tank. 1
Semiconductor manufacturing equipment as described in .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3708185A JPS61196535A (en) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | Semiconductor manufacturing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3708185A JPS61196535A (en) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | Semiconductor manufacturing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61196535A true JPS61196535A (en) | 1986-08-30 |
Family
ID=12487598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3708185A Pending JPS61196535A (en) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | Semiconductor manufacturing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61196535A (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5655047A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method and device therefor |
JPS5745232A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device and method for developing |
-
1985
- 1985-02-26 JP JP3708185A patent/JPS61196535A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5655047A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method and device therefor |
JPS5745232A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device and method for developing |
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