JP2809754B2 - Developing device - Google Patents
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- liquid
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 現像装置、更に詳しく言えば、ウエハの現像面を反転
してウエハ保持体にウエハを保持し、現像液又はリンス
液にウエハを浮かばせるようにしてウエハ現像面を浸
し、現像を行う反転ディップ方式の現像装置に関し、 現像完了後、現像液又はリンス液からのウエハの剥離
を容易に行うことができる現像装置を提供することを目
的とし、 ウエハを保持・固定して回転が可能なウエハ保持体
と、前記ウエハの現像すべき面を浸すウエハ浸漬槽と、
前記ウエハ保持体あるいはウエハ浸漬槽を上下移動させ
る手段と、前記ウエハ浸漬槽に接続された現像液導入管
及びリンス液導入管と、前記現像液導入管及びリンス液
導入管から前記ウエハ浸漬槽に導入された現像液又はリ
ンス液を通して、前記処理液に浸されたウエハの表面に
噴出させるガスを導入するガス導入管とを有することを
含み構成する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Overview] Developing device, more specifically, a wafer held in a wafer holder by inverting a developing surface of the wafer and floating the wafer in a developing solution or rinsing liquid A reversing dip type developing device for immersing a developing surface and performing development. An object of the present invention is to provide a developing device capable of easily separating a wafer from a developing solution or a rinsing solution after completion of development. A fixed and rotatable wafer holder, a wafer immersion tank for immersing a surface of the wafer to be developed,
Means for moving the wafer holder or the wafer immersion tank up and down, a developer introduction pipe and a rinsing liquid introduction pipe connected to the wafer immersion tank, and the developer introduction pipe and the rinsing liquid introduction pipe to the wafer immersion tank. And a gas introduction pipe for introducing a gas to be ejected to the surface of the wafer immersed in the processing liquid through the introduced developer or rinsing liquid.
本発明は、現像装置、更に詳しく言えば、ウエハの現
像面を反転してウエハ保持体にウエハを保持し、現像液
又はリンス液にウエハ浮かばせるようにしてウエハ現像
面を浸し、現像を行う反転ディップ方式の現像装置に関
する。The present invention relates to a developing device, more specifically, a developing device in which a developing surface of a wafer is turned over, the wafer is held on a wafer holder, and the wafer is immersed in a developing solution or a rinsing liquid so that the wafer is immersed and developed. The present invention relates to a reversal dip type developing device.
第３図は、従来例の反転ディップ方式の現像装置の断
面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a conventional reverse dip type developing device.
同図において、１はウエハ浸漬槽、２はウエハ浸漬槽
１を支持する基体部で、基体部２内部にはノズル３を介
してウエハ浸漬槽１に連接されている輸送管４が設けら
れ、この輸送管４には現像液導入管５、リンス液導入管
６及び廃液導出管７が接続されている。また、現像液導
入管５、リンス液導入管６及び廃液導出管７には処理液
の流れを調節するバルブ8,9及び10がそれぞれ設けられ
ている。更に、11はウエハを現像中、真空チャッキング
法によりウエハを保持するウエハ保持体、12はウエハ保
持体11を回転させるスピンモータである。なお、13は現
像液又はリンス液からなる処理液、14はウエハである。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a wafer immersion tank, and 2 denotes a base unit for supporting the wafer immersion tank 1. A transport pipe 4 connected to the wafer immersion tank 1 via a nozzle 3 is provided inside the base unit 2. The transport pipe 4 is connected to a developer introducing pipe 5, a rinsing liquid introducing pipe 6, and a waste liquid outlet pipe 7. Further, valves 8, 9 and 10 for adjusting the flow of the processing liquid are provided in the developer introducing pipe 5, the rinsing liquid introducing pipe 6 and the waste liquid outlet pipe 7, respectively. Further, reference numeral 11 denotes a wafer holder for holding the wafer by a vacuum chucking method during development of the wafer, and reference numeral 12 denotes a spin motor for rotating the wafer holder 11. Reference numeral 13 denotes a processing liquid composed of a developer or a rinsing liquid, and reference numeral 14 denotes a wafer.
次に、この現像装置を用いてウエハの現像を行う場合
について説明する。Next, a case where a wafer is developed using this developing apparatus will be described.
まず、真空チャッキング法によりウエハ14をウエハ保
持体11に固定する。続いて、バルブ８を開けて現像液を
現像液導入管５から輸送管４に送り、ノズル３からウエ
ハ浸漬槽１に注入してウエハ浸漬槽１を満たす。その
後、バルブ８を閉じた後、スピンモータ12によりウエハ
を回転させながら現像液に浸す。その結果、ウエハの現
像面は常に新しい現像液と接触するので、切れがよく、
高精度の現像を行うことができる。First, the wafer 14 is fixed to the wafer holder 11 by a vacuum chucking method. Subsequently, the valve 8 is opened to send the developing solution from the developing solution introducing pipe 5 to the transport pipe 4, and is injected from the nozzle 3 into the wafer immersion tank 1 to fill the wafer immersion tank 1. Then, after closing the valve 8, the wafer is immersed in the developer while being rotated by the spin motor 12. As a result, the developing surface of the wafer is always in contact with fresh developer,
High-precision development can be performed.
次に、このようにして現像を完了した後、バルブ９を
開けてリンス液をウエハ浸漬槽１に導入し、ウエハ14の
表面をリンスする。Next, after the development is completed in this manner, the valve 9 is opened, a rinsing liquid is introduced into the wafer immersion tank 1, and the surface of the wafer 14 is rinsed.
その後、ウエハ保持体11とともにウエハ14を処理液13
から引き上げて剥離し、現像が完了する。Thereafter, the wafer 14 is processed with the processing liquid 13 together with the wafer holder 11.
, And peeled off to complete the development.
ところで、ウエハ保持体11とともにウエハ14を処理液
13から引き上げる際、第４図（ａ）に示すように、ウエ
ハ14と処理液13との間に陰圧部15が形成される。しかも
また、他の部分にも処理液の表面張力が働いている。従
って、ウエハ14は処理液13にしっかりと吸着されるよう
になる場合がある。By the way, the wafer 14 together with the wafer holder 11 is treated with a processing liquid.
When it is lifted from 13, a negative pressure portion 15 is formed between the wafer 14 and the processing liquid 13 as shown in FIG. Moreover, the surface tension of the processing liquid also acts on other parts. Therefore, the wafer 14 may be firmly adsorbed to the processing liquid 13 in some cases.
その結果、処理液13はウエハ14から容易に離れず、持
ち上げられる。そして、最後にウエハ14が処理液13から
離れた瞬間処理液13の飛沫が飛び散り、ウエハ14表面に
付着する。このため、処理液13がウエハ14表面に残り、
ウエハ14の現像面には現像ムラができてしまうという問
題がある。As a result, the processing liquid 13 is not easily separated from the wafer 14 and is lifted. Finally, the droplets of the processing liquid 13 that instantly separate the wafer 14 from the processing liquid 13 scatter and adhere to the surface of the wafer 14. Therefore, the processing liquid 13 remains on the surface of the wafer 14,
There is a problem that development unevenness occurs on the development surface of the wafer 14.
また、場合によっては処理液13のウエハ吸着力の方が
真空チャッキングのウエハ保持力に勝るようになり、同
図（ｂ）に示すように、ウエハ14がウエハ保持体11から
離れてしまう。このため、現像が正常に行われなかった
り、離れたウエハを正常な工程に戻すのに手間がかかっ
たりするという問題がある。In some cases, the wafer suction force of the processing liquid 13 exceeds the wafer holding force of the vacuum chucking, and the wafer 14 separates from the wafer holder 11 as shown in FIG. For this reason, there is a problem that development is not performed normally, and it takes time to return a separated wafer to a normal process.
そこで本発明は、このような従来の問題点に鑑みてな
されたものであって、現像完了後、現像液又はリンス液
からのウエハの剥離を容易に行うことができる現像装置
を提供することを目的とするものである。Therefore, the present invention has been made in view of such a conventional problem, and provides a developing device capable of easily peeling a wafer from a developing solution or a rinsing solution after completion of development. It is the purpose.
上記課題は、ウエハを保持・固定して回転が可能なウ
エハ保持体と、前記ウエハの現像すべき面を浸すウエハ
浸漬槽と、前記ウエハ保持体あるいはウエハ浸漬槽を上
下移動させる手段と、前記ウエハ浸漬槽に接続された現
像液導入管及びリンス液導入管と、前記現像液導入管及
びリンス液導入管から前記ウエハ浸漬槽に導入された現
像液又はリンス液を通して、前記処理液に浸されたウエ
ハの表面に噴出させるガスを導入するガス導入管とを有
することを特徴とする現像装置によって達成される。The object is to provide a wafer holder capable of holding and fixing a wafer and rotating, a wafer immersion tank for immersing a surface to be developed of the wafer, a means for vertically moving the wafer holder or the wafer immersion tank, The developer introducing pipe and the rinsing liquid introducing pipe connected to the wafer immersion tank, and the developing liquid or the rinsing liquid introduced into the wafer immersing tank from the developer introducing pipe and the rinsing liquid introducing pipe are immersed in the processing liquid. And a gas introduction pipe for introducing a gas to be ejected to the surface of the wafer.
本発明の現像装置によれば、現像液導入管及びリンス
液導入管からウエハ浸漬槽に導入された現像液又はリン
ス液を通してガスを噴出させるガス導入管を有してい
る。According to the developing device of the present invention, there is provided a gas introducing pipe for ejecting gas through the developing liquid or the rinsing liquid introduced from the developing liquid introducing pipe and the rinsing liquid introducing pipe into the wafer immersion tank.
このため、ウエハ保持体に保持されたウエハの現像処
理の完了後、ガス導入管よりガスをウエハ浸漬槽に注入
し、処理液を通して噴出させることにより、ウエハと処
理液との間にガス層を形成することができる。For this reason, after the completion of the development processing of the wafer held by the wafer holder, a gas is injected into the wafer immersion tank from the gas introduction pipe and jetted through the processing liquid, thereby forming a gas layer between the wafer and the processing liquid. Can be formed.
これにより、処理液の表面張力によるウエハ吸着力が
弱くなるため、ウエハ保持体のウエハ保持力によってウ
エハを処理液から容易に剥離することができる。As a result, the wafer suction force due to the surface tension of the processing liquid is weakened, so that the wafer can be easily separated from the processing liquid by the wafer holding force of the wafer holder.
以下、本発明の実施例について図を参照しながら具体
的に説明する。Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
第１図は、本発明の実施例の現像装置の断面図であ
る。FIG. 1 is a sectional view of a developing device according to an embodiment of the present invention.
同図において、16はウエハ浸漬槽、17はウエハ浸漬槽
16に固定されている基体部で、基体部17内部にはノズル
18を介してウエハ浸漬槽16に繋がっている輸送管19が設
けられ、この輸送管19には現像液導入管20、リンス液導
入管21、廃液導出管22及びガス導入管23が接続されてい
る。また、現像液導入管20、リンス液導入管21、廃液導
出管22及びガス導入管23にはそれぞれ処理液及びガスの
流れを調節するバルブ24,25,26及び27が設けられてい
る。更に、28はウエハを現像中、真空チャッキング法に
よりウエハを保持するウエハ保持体、29はウエハ保持体
28を回転させるスピンモータである。なお、30は現像液
又はリンス液からなる処理液、31はウエハ、33はウエハ
浸漬槽16を上下移動させるためのシリンダである。In the figure, 16 is a wafer immersion tank, 17 is a wafer immersion tank
The base part fixed to 16 and the nozzle inside the base part 17
A transport pipe 19 connected to the wafer immersion tank 16 via 18 is provided, and the transport pipe 19 is connected to a developer introducing pipe 20, a rinsing liquid introducing pipe 21, a waste liquid introducing pipe 22, and a gas introducing pipe 23. I have. Further, valves 24, 25, 26 and 27 for controlling the flows of the processing liquid and the gas are provided in the developer introducing pipe 20, the rinsing liquid introducing pipe 21, the waste liquid introducing pipe 22 and the gas introducing pipe 23, respectively. Further, reference numeral 28 denotes a wafer holder for holding the wafer by a vacuum chucking method while developing the wafer, and 29 denotes a wafer holder.
This is a spin motor that rotates 28. Reference numeral 30 denotes a processing liquid composed of a developing solution or a rinsing liquid, reference numeral 31 denotes a wafer, and reference numeral 33 denotes a cylinder for moving the wafer immersion tank 16 up and down.
次に、この現像装置を用いてウエハの現像を行う場合
について説明する。Next, a case where a wafer is developed using this developing apparatus will be described.
まず、真空チャッキング法によりウエハ31をウエハ保
持体28に固定する。続いて、バルブ24を開けて現像液を
現像液導入管20から輸送管19に送り、ノズル18からウエ
ハ浸漬槽16に注入してウエハ浸漬槽16を満たす。その
後、バルブ24を閉じた後、シリンダ33を動作してウエハ
浸漬槽16を上昇させ、スピンモータ29によりウエハ31を
回転させながら現像液に浸す。その結果、ウエハ31の現
像面は常に新しい現像液と接触するので、切れがよく、
高精度の現像を行うことができる。First, the wafer 31 is fixed to the wafer holder 28 by a vacuum chucking method. Subsequently, the valve 24 is opened to send the developing solution from the developing solution introduction pipe 20 to the transport pipe 19, and is injected from the nozzle 18 into the wafer immersion tank 16 to fill the wafer immersion tank 16. Thereafter, after closing the valve 24, the cylinder 33 is operated to raise the wafer immersion tank 16, and the wafer 31 is immersed in the developer while rotating the wafer 31 by the spin motor 29. As a result, the developing surface of the wafer 31 is always in contact with a new developing solution, so that the cutting is good,
High-precision development can be performed.
次に、このようにして現像を完了した後、バルブ25を
開けてリンス液をウエハ浸漬槽16に導入し、ウエハ31の
表面をリンスする。Next, after the development is completed in this manner, the valve 25 is opened, and a rinsing liquid is introduced into the wafer immersion tank 16 to rinse the surface of the wafer 31.
続いて、リンスが完了した後、ガス導入管23から圧力
0.1kg/cm2,流量150cc/分のN2ガスを0.1秒間導入して輸
送管19によりウエハ浸漬槽16に送る。その結果、N2ガス
はノズル18から勢いよくウエハ浸漬槽16に注入され、処
理液30を通してウエハ31の現像面に噴出する。このた
め、ウエハ31と処理液30との間にはN2ガスからなるガス
層12が形成される。従って、処理液30の表面張力による
ウエハ吸着力が弱くなるため、ウエハ保持体28の保持力
によって、ウエハ31を処理液30から容易に剥離すること
ができるようになる。Subsequently, after rinsing is completed, the pressure is
An N 2 gas of 0.1 kg / cm 2 and a flow rate of 150 cc / min is introduced for 0.1 second and sent to the wafer immersion tank 16 by the transport pipe 19. As a result, the N 2 gas is vigorously injected from the nozzle 18 into the wafer immersion tank 16, and is ejected through the processing liquid 30 onto the development surface of the wafer 31. Therefore, a gas layer 12 made of N 2 gas is formed between the wafer 31 and the processing liquid 30. Accordingly, the wafer suction force due to the surface tension of the processing liquid 30 is weakened, so that the wafer 31 can be easily separated from the processing liquid 30 by the holding force of the wafer holder 28.
その後、ウエハの回転を止め、ウエハ浸漬槽16を下降
させることによりウエハ31を処理液30から剥離し、現像
が完了する。Thereafter, the rotation of the wafer is stopped, and the wafer 31 is separated from the processing liquid 30 by lowering the wafer immersion tank 16, thereby completing the development.
なお、本発明の実施例においてはウエハ浸漬槽16を上
下移動させたが、ウエハ保持体28を上下移動させても良
い。Although the wafer immersion tank 16 is moved up and down in the embodiment of the present invention, the wafer holder 28 may be moved up and down.
以上のように、本発明の実施例によれば、ウエハ31を
処理液30から容易に剥離することができる。これによ
り、ウエハ31を処理液から剥離する際、従来の場合のよ
うに、処理液の飛沫が飛び散ってウエハ31表面に付着
し、このためウエハ31の現像面に現像ムラができたり、
また、最悪の場合ウエハ31がウエハ保持体28から離れて
しまい、このため、現像が正常に行われなかったり、ウ
エハを通常の工程に戻すのに手間がかかったりするとい
う問題を解決することが可能になる。As described above, according to the embodiment of the present invention, the wafer 31 can be easily separated from the processing liquid 30. As a result, when the wafer 31 is separated from the processing liquid, as in the conventional case, the droplets of the processing liquid scatter and adhere to the surface of the wafer 31, thereby causing uneven development on the development surface of the wafer 31,
Further, in the worst case, the wafer 31 is separated from the wafer holder 28, and therefore, it is possible to solve the problem that the development is not performed normally and it takes time to return the wafer to the normal process. Will be possible.
以上のように、本発明の現像装置によれば、ガス導入
管を備えているので、ウエハの現像の完了後、このガス
導入管からウエハ浸漬槽にガスを導入することによりウ
エハと処理液との間にガス層を形成することができる。
これにより、処理液の表面張力による吸着力が弱くなる
ので、ウエハを処理液から容易に剥離することができ
る。As described above, according to the developing device of the present invention, since the gas introduction pipe is provided, after the development of the wafer is completed, the gas is introduced from the gas introduction pipe into the wafer immersion tank, so that the wafer and the processing liquid are separated. A gas layer can be formed between them.
Thus, the suction force due to the surface tension of the processing liquid is weakened, so that the wafer can be easily separated from the processing liquid.
従って、ウエハを処理液から剥離する際、従来の場合
のように、処理液の飛沫が飛び散ってウエハ上に残り、
ウエハの現像面に現像ムラができたりするのを防止する
ことができる。また、最悪の場合愛、ウエハがウエハ保
持体から離れてしまい、このため、現像が正常に行われ
なかったり、離れたウエハを正常な工程に戻すのに手が
かかったりするという問題を解決することができる。Therefore, when the wafer is peeled from the processing liquid, the droplets of the processing liquid scatter and remain on the wafer as in the conventional case,
It is possible to prevent development unevenness on the development surface of the wafer. Also, in the worst case, the problem is that the wafer is separated from the wafer holder, so that the development is not performed normally and it takes time to return the separated wafer to a normal process. be able to.
第１図は、本発明の実施例の現像装置の断面図、 第２図は、本発明の実施例の現像装置を用いた現像方法
を説明する断面図、 第３図は、従来例の現像装置の断面図、 第４図は、従来例の問題点を説明する断面図である。 〔符号の説明〕 1,16……ウエハ浸漬槽、 2,17……基体部、 3,18……ノズル、 4,19……輸送管、 5,20……現像液導入管、 6,21……リンス液導入管、 7,22……廃液導出管、 8,9,10,24,25,26,27……バルブ、 11,28……ウエハ保持体、 12,29……スピンモータ、 13,30……処理液、 14,31……ウエハ、 15……陰圧部、 23……ガス導入管、 32……ガス層、 33……シリンダー。FIG. 1 is a cross-sectional view of a developing device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a developing method using the developing device of the embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view of the apparatus, illustrating a problem of the conventional example. [Description of symbols] 1,16: wafer immersion tank, 2,17: base part, 3,18 ... nozzle, 4,19 ... transport pipe, 5,20 ... developer inlet pipe, 6,21 … Rinse liquid inlet pipe, 7,22… Waste liquid outlet pipe, 8,9,10,24,25,26,27 …… Valve, 11,28 …… Wafer holder, 12,29 …… Spin motor, 13,30 treatment liquid, 14,31 wafer, 15 negative pressure section, 23 gas introduction tube, 32 gas layer, 33 cylinder.
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−183120（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−64032（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−189936（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−88944（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027Continuation of the front page (56) References JP-A-1-183120 (JP, A) JP-A-63-64032 (JP, A) JP-A-60-189936 (JP, A) JP-A-60-88944 (JP) , A) (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/027
Claims (1)
ハ保持体（28）と、 前記ウエハの現像すべき面を浸すウエハ浸漬槽（16）
と、 前記ウエハ保持体（28）あるいはウエハ浸漬槽（16）を
上下移動させる手段（33）と、 前記ウエハ浸漬槽（16）に接続された現像液導入管（2
0）及びリンス液導入管（21）と、 前記現像液導入管（20）及びリンス液導入管（21）から
前記ウエハ浸漬槽（16）に導入された現像液又はリンス
液を通して、前記処理液に浸されたウエハの表面に噴出
させるガスを導入するガス導入管（23）とを有すること
を特徴とする現像装置。1. A wafer holder (28) capable of holding and fixing and rotating a wafer, and a wafer immersion tank (16) for immersing a surface of the wafer to be developed.
Means (33) for vertically moving the wafer holder (28) or the wafer immersion tank (16); and a developer introduction pipe (2) connected to the wafer immersion tank (16).
0) and a rinsing liquid introduction pipe (21); and a developer or rinsing liquid introduced from the developer introduction pipe (20) and the rinsing liquid introduction pipe (21) into the wafer immersion tank (16). A gas introduction pipe (23) for introducing a gas to be ejected onto a surface of the wafer immersed in the developing device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27082389A JP2809754B2 (en) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | Developing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27082389A JP2809754B2 (en) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | Developing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03132013A JPH03132013A (en) | 1991-06-05 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP27082389A Expired - Lifetime JP2809754B2 (en) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | Developing device |
Country Status (1)
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Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
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1989
- 1989-10-18 JP JP27082389A patent/JP2809754B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH03132013A (en) | 1991-06-05 |
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