JPH0417334A - Wet treater of substrate - Google Patents
Wet treater of substrateInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要］
基板のウェット処理装置の改良、特に、基板の全面を均
一にウェット処理することができるようにする基板のウ
ェット処理装置の改良に関し、基板に接触する処理液の
組成が面内において均一になるようにし、また、表面に
付着する気泡等を除去するようにして、全面を均一にウ
ェット処理することができるように改良された基板のウ
ェット処理装置を提供することを目的とし、小さくとも
被処理基板と同じ大きさの開口を有し、底面に処理液送
入口が形成されてなるカップ状の処理槽と、この処理槽
に充満された処理液と前記の被処理基板の被処理面とが
接触するように前記の被処理基板を保持する被処理基板
保持手段と、前記の被処理基板に僅かの間隙を介して対
接し、前記の処理槽内に配設されてなる複数枚のフィン
と、前記の被処理基板の中心に処理液を噴射するノズル
とを有する基板のウェット処理装置帯もって構成される
。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding the improvement of a wet processing apparatus for a substrate, in particular, the improvement of a wet processing apparatus for a substrate that enables uniform wet processing of the entire surface of a substrate, the present invention relates to an improvement of a wet processing apparatus for a substrate that enables uniform wet processing of the entire surface of the substrate. To provide a wet processing device for a substrate, which is improved so that the composition of the substrate becomes uniform within the surface, and air bubbles etc. adhering to the surface are removed so that the entire surface can be uniformly wet-processed. For this purpose, a cup-shaped processing tank having an opening as small as the substrate to be processed and a processing liquid inlet formed at the bottom, a processing liquid filled in this processing tank, and the above-mentioned processing liquid are provided. A substrate holding means for holding the substrate to be processed so that the surface of the substrate to be processed is in contact with the substrate to be processed; The wet processing apparatus for substrates includes a plurality of fins and a nozzle for spraying a processing liquid onto the center of the substrate to be processed.
チャック等の基板保持手段２を使用して基板１を保持し
、ポンプ１４を使用してエツチング液、洗浄液等の処理
液を処理液送入口５を介して処理槽３内に送入し、基板
１に接触させて、エツチング、洗浄等を実行する。A substrate holding means 2 such as a chuck is used to hold the substrate 1, and a pump 14 is used to feed a processing liquid such as an etching liquid or a cleaning liquid into the processing tank 3 through the processing liquid inlet 5. 1 and perform etching, cleaning, etc.
本発明は、基板のウェット処理装置の改良、特に、基板
の全面を均一にウェット処理することができるようにす
る基板のウェット処理装置の改良に関する。The present invention relates to an improvement in a wet processing apparatus for a substrate, and more particularly, to an improvement in a wet processing apparatus for a substrate that enables uniform wet processing over the entire surface of a substrate.
基板のウェット処理装置は、半導体ウェーハ等の基板の
エツチング、洗浄等に使用される装置であり、従来技術
に係る基板のウェット処理装置の構成図を第２図に示す
、３は処理槽であり、５は処理液送入口であり、１５は
処理槽３をオーバーフローした処理液を回収するタンク
であり、１４は処理液を処理槽３内に送入するポンプで
ある。真空〔発明が解決しようとする課題〕
半導体ウェー八等の基板の面積が小さい場合は、全面か
は一均一にウェット処理されるが、基板の面積が太き（
なると、基板の周辺領域においては、中央領域において
すでに反応した処理液が混入するため、中央領域と周辺
領域とでは処理液の組成が異なり、また、基板の表面に
付着した気泡等も除去されにく−なるため、ウェット処
理が基板の面内において均一になされなくなるという欠
点がある。A wet substrate processing apparatus is an apparatus used for etching, cleaning, etc. of substrates such as semiconductor wafers, and a configuration diagram of a conventional wet substrate processing apparatus is shown in FIG. 2, where 3 is a processing tank. , 5 is a processing liquid inlet, 15 is a tank for recovering the processing liquid overflowing the processing tank 3, and 14 is a pump for feeding the processing liquid into the processing tank 3. Vacuum [Problem to be solved by the invention] When the area of a substrate such as a semiconductor wafer is small, the entire surface is wet-treated uniformly, but if the area of the substrate is large (
In this case, the processing liquid that has already reacted in the central area is mixed into the peripheral area of the substrate, so the composition of the processing liquid is different between the central area and the peripheral area, and air bubbles etc. attached to the surface of the substrate are not removed. Therefore, there is a disadvantage that wet processing cannot be performed uniformly within the surface of the substrate.
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、基板
に接触する処理液の組成が面内において均一になるよう
にし、また、表面に付着する気泡等を除去するようにし
て、全面を均一にウェット処理することができるように
改良された基板のウェット処理装置を提供することにあ
る。The purpose of the present invention is to eliminate this drawback by making the composition of the processing liquid that comes into contact with the substrate uniform within the surface, and by removing air bubbles etc. that adhere to the surface. An object of the present invention is to provide a wet processing apparatus for a substrate that is improved so as to be able to uniformly perform wet processing.
上記の目的は、小さくとも被処理基板（１）と同じ大き
さの開口を有し、底面に処理液送入口（５）が形成され
てなるカップ状の処理槽（３）と、この処理槽（３）に
充満された処理液と前記の被処理基板（１）の被処理面
とが接触するように前記の被処理基板（１）を保持する
被処理基板保持手段（２）と、前記の被処理基板（１）
に僅かの間隙を介して対接し、前記の処理槽（３）内に
配設されてなる複数枚のフィン（６）と、前記の被処理
基板（１）の中心に処理液を噴射するノズル（１１）と
を有する基板のウェット処理装置によって達成される。The above purpose is to provide a cup-shaped processing tank (3) having an opening at least as large as the substrate to be processed (1) and a processing liquid inlet (5) formed at the bottom, and this processing tank. (3) a substrate holding means (2) for holding the substrate (1) to be processed so that the processing liquid filled in the substrate (1) comes into contact with the surface to be processed of the substrate (1); Substrate to be processed (1)
a plurality of fins (6) disposed in the processing tank (3) and facing each other with a slight gap therebetween; and a nozzle for spraying a processing liquid onto the center of the substrate to be processed (1). (11) This is achieved by a substrate wet processing apparatus having the following.
なお、前記の複数枚のフィン（６）には、回転手段（９
） （１２） （１３）が具備されることが好適で
あり、また、前記のノズル（１１）には、処理液の噴射
を断続する制御弁（１８）が具備されることが好適であ
る。Note that the plurality of fins (6) are provided with rotation means (9).
) (12) (13) are preferably provided, and the nozzle (11) is preferably provided with a control valve (18) for intermittent injection of the processing liquid.
ウェット処理が均一になされない理由は、基板の各領域
に接触する処理液の流量、流速、衝突角度及び組成が不
均一であること一１基板表面に気泡等が付着するためで
あるから、基板の各領域に同一組成の処理液が同一の角
度をもって衝突・接触するようにし、また、気泡等を強
制的に除去するようにすればよいとの着想にもとづき、
この着想を実現するために以下に説明する手段を使用す
ること−した。The reason why wet processing is not uniform is that the flow rate, flow velocity, collision angle, and composition of the processing liquid that contacts each area of the substrate are nonuniform. Based on the idea that the treatment liquid of the same composition should collide and come into contact with each area at the same angle, and that air bubbles etc. should be forcibly removed.
In order to realize this idea, we used the means described below.
まず、処理槽３の内部にウェット処理される基板１と直
交する方向、または、傾斜する方向に複数枚のフィン６
を配設して処理槽の内部を分割することによって、処理
液がフィン６の壁面に沿って同一の角度をもって基板１
０表面に接触するようにした。さらに、上記のフィン６
を回転させることによって、処理液を撹拌し、反応前の
処理液と反応後の処理液とを混合させて均一化した処理
液を基板１の表面に接触させるようにした。なお、処理
液はフィン６の壁面に沿って流れるため、フィン６を回
転させることによって、基板１のすべての領域に処理液
が均一に接触するようになる。First, a plurality of fins 6 are installed inside the processing tank 3 in a direction perpendicular to the substrate 1 to be wet-processed or in an inclined direction.
By dividing the inside of the processing tank by arranging
0 surface. Furthermore, the above fin 6
By rotating the , the processing liquid was stirred, and the processing liquid before the reaction and the processing liquid after the reaction were mixed, and the uniform processing liquid was brought into contact with the surface of the substrate 1. Note that since the processing liquid flows along the wall surfaces of the fins 6, by rotating the fins 6, the processing liquid comes into uniform contact with all areas of the substrate 1.
また、フィン６の端面と基板１との間隙を０．５ｍｍ程
度と小さくすることによって、基板１に付着した気泡、
異物等をフィン６による物理的な力によって除去するよ
うにした。なお、基板１の中心部には気泡が特に付着し
易いので、ノズル１１から基板ｌの中心部に処理液を噴
射することによって、気泡を周辺領域に押し流して除去
するようにした。In addition, by reducing the gap between the end face of the fin 6 and the substrate 1 to about 0.5 mm, air bubbles attached to the substrate 1 can be removed.
Foreign matter and the like are removed by the physical force of the fins 6. Note that since air bubbles are particularly likely to adhere to the center of the substrate 1, by injecting the processing liquid from the nozzle 11 to the center of the substrate 1, the air bubbles are swept to the peripheral area and removed.
以下、図面を参照しつ一１本発明の一実施例に係る基板
のウェット処理装置について説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A wet substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図参照
第１図は、基板のウェット処理装置の構成を示す断面図
である０図において、１はウェット処理される基板であ
り、真空チャック等の基板保持手段２によって保持され
る。３は外槽４内に設けられたカップ状の処理槽であり
、開口部の口径は基板１の直径と同一か、または、それ
より大きく形成されている。なお、表面張力を利用して
開口部の処理液面を盛り上らせて、基板１の背面に処理
液が付着しないようにするため、関口部の縁部は鋭角を
なしていることが望ましい、処理槽３の底面には処理液
送入口５が形成されており、処理液が下から上へ通過し
うるようにしである。６は基板１の面に直角、または傾
斜して配設されている複数枚のフィンであり、軸７の上
端部に固着されている。軸７は軸受８によって水平方向
及び垂直方向に支持され、軸７の下端部には、羽根車９
が固着されており、軸７の中心部には、処理液の流路と
なる中心孔ＩＯが形成されている。ポンプ１４を使用し
て処理液をノズル１２またはノズル１３から羽根車９に
噴射させることによって軸７を回転することができる。Refer to FIG. 1 FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of a wet substrate processing apparatus. In FIG. 0, reference numeral 1 denotes a substrate to be wet processed, which is held by a substrate holding means 2 such as a vacuum chuck. Reference numeral 3 denotes a cup-shaped processing tank provided within the outer tank 4, and the diameter of the opening is the same as or larger than the diameter of the substrate 1. Note that in order to prevent the processing liquid from adhering to the back surface of the substrate 1 by using surface tension to raise the processing liquid level at the opening, it is desirable that the edge of the entrance part forms an acute angle. A processing liquid inlet 5 is formed at the bottom of the processing tank 3 so that the processing liquid can pass from the bottom to the top. A plurality of fins 6 are arranged perpendicularly or obliquely to the surface of the substrate 1, and are fixed to the upper end of the shaft 7. The shaft 7 is supported horizontally and vertically by a bearing 8, and an impeller 9 is provided at the lower end of the shaft 7.
is fixed thereto, and a center hole IO is formed in the center of the shaft 7 to serve as a flow path for the processing liquid. The shaft 7 can be rotated by injecting the treatment liquid from the nozzle 12 or 13 onto the impeller 9 using the pump 14 .
二つのノズル１２．１３のうち、一方のノズルは軸７を
正回転し、他方のノズルは軸７を逆回転するように装着
しておけば、二つのバルブ１６．１７のいずれかを開く
ことによって羽根車９をいずれの方向にも回転させるこ
とができる。なお、回転手段としては、この他に電動機
を使用することも可能であるが処理液のシール機構が複
雑になるという欠点を伴う。If one of the two nozzles 12.13 is installed so that the shaft 7 rotates in the forward direction and the other nozzle rotates the shaft 7 in the reverse direction, then either of the two valves 16.17 can be opened. The impeller 9 can be rotated in any direction. It is also possible to use an electric motor as the rotating means, but this has the drawback that the sealing mechanism for the processing liquid becomes complicated.
ノズル１２またはノズル１３から噴射され、羽根車９の
回転に使用された処理液は処理液送入口５を通って上昇
し、回転するフィン６によって撹拌され、組成が均一化
されて基板１の表面に接触して基板１をウェット処理す
る。処理槽３からオーバーフローした処理液は外槽４の
底面に形成された関口を介してタンク１５に回収され、
再びポンプ１４によって処理槽３内に送入される。また
、バルブ１８を周期的に開くことによって、処理液供給
口１９と僅かな間隙を介して対接する軸７の下端から処
理液が中心孔１０内に送入され、ノズル１１から基板１
の中心部に向けて噴射されて、基板１の中心部に付着し
た気泡を強制的に外周方向に移動させて除去する。なお
、基板の中心部に連続的に処理液を噴射すると、中心部
のウェット処理反応が他の領域より促進されて好ましく
ない、また、軸７は外槽４を貫通していないので、回転
部に対する処理液シール機構を必要としない。The processing liquid injected from the nozzle 12 or 13 and used to rotate the impeller 9 rises through the processing liquid inlet 5, is stirred by the rotating fins 6, and the composition is made uniform so that the surface of the substrate 1 is The substrate 1 is wet-processed by contacting the substrate. The processing liquid overflowing from the processing tank 3 is collected into the tank 15 through a gate formed on the bottom of the outer tank 4.
It is sent into the processing tank 3 again by the pump 14. Furthermore, by periodically opening the valve 18, the processing liquid is fed into the center hole 10 from the lower end of the shaft 7, which is in contact with the processing liquid supply port 19 through a small gap, and from the nozzle 11 to the substrate 1.
The air bubbles attached to the center of the substrate 1 are forcibly moved toward the outer circumference and removed. It should be noted that if the processing liquid is continuously injected into the center of the substrate, the wet processing reaction in the center will be accelerated more than in other areas, which is undesirable.Also, since the shaft 7 does not penetrate the outer tank 4, No processing liquid sealing mechanism is required.
以上説明せるとおり、本発明に係る基板のウェット処理
装置においては、処理槽の内部に複数枚のフィンを配設
して処理槽内部を分割することによって、処理液が基板
の各領域に同一の角度をもって接触するようになり、ま
た、フィンを回転することによって、基板に接触する処
理液の組成が均一化して、基板のすべての領域に均一に
処理液が接触するようになり、さらに、基板とフィンと
の間隙を僅かにすること一１基板中心部に処理液を周期
的に噴射すること−によって、気泡、異物等が物理的に
除去されるようになり、基板の全面が均一にウェット処
理されるようになった。As explained above, in the substrate wet processing apparatus according to the present invention, a plurality of fins are disposed inside the processing tank to divide the processing tank, so that the same processing liquid is applied to each area of the substrate. By rotating the fins, the composition of the processing liquid that comes into contact with the substrate becomes uniform, so that the processing liquid contacts all areas of the substrate uniformly. By reducing the gap between the fins and the fins, and by periodically spraying the processing liquid onto the center of the substrate, air bubbles, foreign matter, etc. can be physically removed, and the entire surface of the substrate can be evenly wetted. Now processed.
第１図は、本発明の一実施例に係る基板のウェット処理
装置の構成を示す断面図である。
第２図は、従来技術に係る基板のウェット処理装置の構
成を示す断面図である。
ｌ・・・被処理基板、
２・・・被処理基板保持手段、
３・・・処理槽、
４・・・外槽、
５・・・処理液送入口、
６・ ・ ・フィン、
７・・・軸、
８・・・軸受、
９・・・フィン、
１０・・・中心孔、
１１．１２．１３・・・ノズル、
１４・・・ポンプ、
１５・・・回収タンク、
１６．１７．１８・・・制御バルブ、
１９・・・処理液供給口。FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of a substrate wet processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of a wet substrate processing apparatus according to the prior art. 1... Substrate to be processed, 2... Substrate holding means, 3... Processing tank, 4... Outer tank, 5... Processing liquid inlet, 6... Fin, 7...・Shaft, 8...Bearing, 9...Fin, 10...Center hole, 11.12.13...Nozzle, 14...Pump, 15...Recovery tank, 16.17.18 ...Control valve, 19...Processing liquid supply port.
Claims (1)
を有し、底面に処理液送入口（５）が形成されてなるカ
ップ状の処理槽（３）と、 該処理槽（３）に充満された処理液と前記被処理基板（
１）の被処理面とが接触するように前記被処理基板（１
）を保持する被処理基板保持手段（２）と、 前記被処理基板（１）に僅かの間隙を介して対接し、前
記処理槽（３）内に配設されてなる複数枚のフィン（６
）と、 前記被処理基板（１）の中心に処理液を噴射するノズル
（１１）とを有する ことを特徴とする基板のウェット処理装置。 ［２］前記複数枚のフィン（６）には、回転手段（９）
（１２）（１３）が具備されてなることを特徴とする請
求項［１］記載の基板のウェット処理装置。 ［３］前記ノズル（１１）には、処理液の噴射を断続す
る制御弁（１８）が具備されてなることを特徴とする請
求項［１］または［２］記載の基板のウェット処理装置
。[Claims] [1] A cup-shaped processing tank (3) having an opening at least as large as the substrate to be processed (1) and a processing liquid inlet (5) formed at the bottom. , the processing liquid filled in the processing tank (3) and the substrate to be processed (
The substrate to be processed (1) is in contact with the surface to be processed of (1).
); and a plurality of fins (6) facing the substrate to be processed (1) with a slight gap and disposed in the processing tank (3).
); and a nozzle (11) that sprays a processing liquid onto the center of the substrate (1). [2] The plurality of fins (6) include rotating means (9).
(12) The wet processing apparatus for a substrate according to claim [1], further comprising: (12) and (13). [3] The wet substrate processing apparatus according to claim 1 or [2], wherein the nozzle (11) is equipped with a control valve (18) for intermittent spraying of the processing liquid.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2119900A JPH0810685B2 (en) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | Substrate wet processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2119900A JPH0810685B2 (en) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | Substrate wet processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0417334A true JPH0417334A (en) | 1992-01-22 |
| JPH0810685B2 JPH0810685B2 (en) | 1996-01-31 |
Family
ID=14773003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2119900A Expired - Fee Related JPH0810685B2 (en) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | Substrate wet processing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810685B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5489341A (en) * | 1993-08-23 | 1996-02-06 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array |
| CN100394554C (en) * | 2002-04-23 | 2008-06-11 | 显像制造服务株式会社 | Wet processing tank and fluid supply system for liquid crystal display production equipment |
| JP5493863B2 (en) * | 2007-11-08 | 2014-05-14 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | Epitaxial wafer manufacturing method |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP2119900A patent/JPH0810685B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5489341A (en) * | 1993-08-23 | 1996-02-06 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array |
| US5584310A (en) * | 1993-08-23 | 1996-12-17 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array |
| CN100394554C (en) * | 2002-04-23 | 2008-06-11 | 显像制造服务株式会社 | Wet processing tank and fluid supply system for liquid crystal display production equipment |
| JP5493863B2 (en) * | 2007-11-08 | 2014-05-14 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | Epitaxial wafer manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0810685B2 (en) | 1996-01-31 |
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