JP2001168067A - Dicing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイシング装置に
関し、更に詳細には、スピンナー洗浄後の半導体チップ
に静電気不良（静電気痕）が発生するのを防止するよう
にした、スピンナー洗浄部を備えるダイシング装置に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing apparatus, and more particularly, to a dicing apparatus having a spinner cleaning section for preventing a semiconductor chip after a spinner cleaning from generating electrostatic defects (electrostatic traces). It concerns the device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＣＤ素子を形成する製造過程では、Ｔ
ＦＴ基板を構成するウエハのチップ領域にそれぞれＬＣ
Ｄ素子を構成する集積回路を形成した後、ウエハをダイ
シングして、ＬＣＤチップ毎に切断している。ウエハの
ダイシング工程では、先ず、ウエハの裏面にダイシング
テープを接着し、次いで、ダイシング装置を使って、ダ
イシングテープを残してウエハのみを切断し、切断した
ＬＣＤチップがダイシングテープに付着した状態にす
る。次いで、ダイシング装置の一部として設けられてい
るスピンナー洗浄部で、ダイシングテープに付着した多
数個のＬＣＤチップを純水で洗浄し、ダイシング屑等の
異物を除去している。2. Description of the Related Art In a manufacturing process for forming an LCD element, T
Each of the chip areas of the wafer constituting the FT substrate has an LC
After forming an integrated circuit constituting a D element, the wafer is diced and cut into LCD chips. In the wafer dicing process, first, a dicing tape is adhered to the back surface of the wafer, and then, using a dicing device, only the wafer is cut while leaving the dicing tape, so that the cut LCD chips adhere to the dicing tape. . Next, in a spinner cleaning section provided as a part of the dicing apparatus, a large number of LCD chips attached to the dicing tape are cleaned with pure water to remove foreign substances such as dicing debris.
【０００３】ここで、図５を参照して、ダイシング装置
の一部として設けられた従来のスピンナー洗浄部の構成
を説明する。図５は、従来のスピンナー洗浄部の構成を
示す模式的断面図である。従来のスピンナー洗浄部１０
は、図５に示すように、多数個のＬＣＤチップＣを付着
させたダイシングテープＴを真空吸着によって上面に保
持しつつ回転するターンテーブル１２と、ターンテーブ
ル１２を回転させる回転軸１４と、純水を噴出してＬＣ
ＤチップＣを洗浄する洗浄ノズル（図示せず）とを備え
ている。Here, the configuration of a conventional spinner cleaning unit provided as a part of a dicing apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic sectional view showing the configuration of a conventional spinner cleaning unit. Conventional spinner cleaning unit 10
As shown in FIG. 5, a turntable 12 that rotates while holding a dicing tape T to which a number of LCD chips C are attached on the upper surface by vacuum suction, a rotating shaft 14 that rotates the turntable 12, Spouting water and LC
A cleaning nozzle (not shown) for cleaning the D chip C.
【０００４】ターンテーブル１２は、多孔質部材で形成
されていて、上面を除く多孔質部材の全表面は、コーテ
ィング等によって機密に封止され、ターンテーブル１２
の下部には真空吸引管（図示せず）が接続されている。
ターンテーブル１２は、多孔質部材を介して真空吸引
し、上面全面を真空吸着面として機能させ、ダイシング
テープＴを真空吸着する。[0004] The turntable 12 is formed of a porous member, and the entire surface of the porous member except the upper surface is hermetically sealed by coating or the like.
A vacuum suction tube (not shown) is connected to a lower part of the.
The turntable 12 sucks vacuum through the porous member, makes the entire upper surface function as a vacuum suction surface, and sucks the dicing tape T in vacuum.
【０００５】ダイシングテープＴは、ＬＣＤチップＣの
配置の外側に付着されたリング状のリングフレームＦで
補強されている。そのダイシングテープＴをターンテー
ブル１２上に載せ、次いで真空吸着によって固定して、
ターンテーブル１２の回転に応じてダイシングテープＴ
を回転させつつ純水でＬＣＤチップＣを洗浄する。ＬＣ
ＤチップＣの純水洗浄が終了すると、ターンテーブル１
２の回転を停止し、次いで、真空吸着を停止した後、図
６に示すように、搬送アームＡによってリングフレーム
Ｆを真空吸着し、ダイシングテープＴを次の工程を実施
する装置に搬送する。[0005] The dicing tape T is reinforced by a ring-shaped ring frame F attached to the outside of the arrangement of the LCD chips C. The dicing tape T is placed on the turntable 12 and then fixed by vacuum suction.
Dicing tape T according to rotation of turntable 12
The LCD chip C is washed with pure water while rotating. LC
When the cleaning of the D chip C with pure water is completed, the turntable 1
After stopping the rotation of No. 2 and then stopping the vacuum suction, as shown in FIG. 6, the ring frame F is vacuum-sucked by the transfer arm A, and the dicing tape T is transferred to an apparatus for performing the next step.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したＴＦ
Ｔ基板ウエハ用のダイシング装置には、スピンナー洗浄
部１０で洗浄したＬＣＤチップＣに静電気不良（静電気
痕）が生じるという問題があった。静電気不良（静電気
痕）が生じているＬＣＤチップは、不良品として排除さ
れるので、ＬＣＤ製品の歩留りが低下する。以上の問題
は、ＴＦＴ基板ウエハ上に設けたＬＣＤチップに限る問
題では無く、半導体装置全般のウエハのダイシング装置
に関する問題である。However, the above-mentioned TF
The dicing apparatus for a T-substrate wafer has a problem that the LCD chips C cleaned by the spinner cleaning unit 10 are susceptible to static electricity defects (electrostatic traces). An LCD chip having an electrostatic defect (static mark) is eliminated as a defective product, and the yield of LCD products is reduced. The above problem is not limited to the LCD chip provided on the TFT substrate wafer, but a problem relating to a wafer dicing apparatus for semiconductor devices in general.
【０００７】そこで、本発明の目的は、スピンナー洗浄
後の半導体チップに静電気不良（静電気痕）が生じない
ようなスピンナー洗浄部を備えたダイシング装置を提供
することである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a dicing apparatus having a spinner cleaning unit that does not cause static electricity defects (static marks) on a semiconductor chip after spinner cleaning.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明者は、静電気不良
（静電気痕）がスピンナー洗浄後のチップに生じる原因
を追求した結果、次のことを見いだした。即ち、搬送ア
ームＡがリングフレームＦを介してダイシングテープＴ
を吸着してターンテーブル１２から解離する際、ダイシ
ングテープＴとターンテーブル１２との間で、図７に示
すように、剥離帯電が生じる。従来のターンテーブル１
２は、ターンテーブル面の全面がダイシングテープＴと
接触しているので、接触面積が広い。そのために、剥離
帯電の電荷量が多くなって、ダイシングテープＴに帯電
した静電気に起因して、ＬＣＤチップの集積回路がショ
ートし、静電気不良（静電気痕）を発生させることが判
った。そこで、本発明者は、静電気不良（静電気痕）の
発生を抑制するには、ダイシングテープとターンテーブ
ルとの接触面積を小さくすること、また、ダイシングテ
ープにイオンを照射して、ダイシングテープに帯電した
静電気を除電することを着想し、実験を重ねて、本発明
を発明するに到った。Means for Solving the Problems The present inventor has found the following as a result of pursuing the cause of static electricity defects (electrostatic traces) occurring on a chip after spinner cleaning. That is, the transfer arm A is connected to the dicing tape T via the ring frame F.
When the dicing tape T is dissociated from the turntable 12 by suction, a peeling charge is generated between the dicing tape T and the turntable 12, as shown in FIG. Conventional turntable 1
No. 2 has a large contact area because the entire surface of the turntable surface is in contact with the dicing tape T. For this reason, it has been found that the charge amount of the peeling charge increases, and the static electricity charged in the dicing tape T causes a short circuit of the integrated circuit of the LCD chip, thereby generating a static electricity defect (static mark). Therefore, the present inventor has proposed to reduce the contact area between the dicing tape and the turntable, and to irradiate the dicing tape with ions to charge the dicing tape in order to suppress the occurrence of static electricity defects (electrostatic traces). With the idea of eliminating the static electricity generated, the inventors repeated experiments to arrive at the present invention.
【０００９】上記目的を達成するために、上述の知見に
基づいて、本発明に係るダイシング装置は、ダイシング
テープに付着したウエハをダイシングして半導体チップ
毎に切断し、次いで切断された各半導体チップを付着さ
せたダイシングテープをスピンナー洗浄部のターンテー
ブル上に保持し、回転させつつ洗浄水を散水して、半導
体チップを洗浄するようにした、ダイシング装置におい
て、スピンナー洗浄部のターンテーブルが、その上面
に、イオンを同伴した気流を上方に向け噴出する開口を
備えたイオンブロー部と、イオンブロー部の周囲にイオ
ンブロー部より高い段差を成して形成された真空吸着部
とを備えることを特徴としている。In order to achieve the above object, based on the above knowledge, a dicing apparatus according to the present invention dices a wafer attached to a dicing tape, cuts the semiconductor chip into semiconductor chips, and then cuts each of the cut semiconductor chips. In a dicing apparatus, the dicing tape holding the dicing tape on which the spinner was washed was sprayed with washing water while rotating to wash the semiconductor chip. On the upper surface, there is provided an ion blow section having an opening for ejecting an air flow accompanied by ions upward, and a vacuum suction section formed around the ion blow section with a step higher than the ion blow section. Features.
【００１０】本発明では、スピンナー洗浄部のターンテ
ーブルの上面にイオンブロー部が形成され、その残部が
真空吸着部となっているので、ダイシングテープとター
ンテーブルとの接触面積が、従来のものよりイオンブロ
ー部の面積だけ少なくなっている。これにより、静電気
の帯電電荷を減少させ、加えて、正負の両イオンを同伴
した気流、例えばイオン空気流をイオンブロー部から噴
出させ、ダイシングテープに衝突させることにより、ダ
イシングテープに発生した静電気を除電することができ
る。正負の両イオンを同伴した空気流は、例えば既知の
構成のイオナイザー、例えばシムコ（株）製のイオンナ
イザを使って生成することができる。In the present invention, since the ion blow section is formed on the upper surface of the turntable of the spinner cleaning section and the remaining portion is a vacuum suction section, the contact area between the dicing tape and the turntable is smaller than that of the conventional one. The area of the ion blow section is reduced. As a result, the static charge generated by the dicing tape is reduced by reducing the electrostatic charge, and in addition, ejecting an air flow accompanied by both positive and negative ions, for example, an ion air flow, from the ion blow section and hitting the dicing tape. Static electricity can be removed. The air flow entrained by both positive and negative ions can be generated using, for example, an ionizer having a known configuration, for example, an ionizer manufactured by Simco Corporation.
【００１１】イオンブロー部及び真空吸着部の配置には
制約はなく、要は、ターンテーブルの上面を凹型と凸部
に区分し、凹部をイオンブロー部として、凸部を真空吸
着部として形成することにより、真空吸着部とダイシン
グテープとの接触面積を減少させることができる。例え
ば、１個のイオンブロー部をターンテーブルの上面の中
央領域に形成し、イオンブロー部の周囲にイオンブロー
部より高い段差を成してリング状に真空吸着部を形成し
ても良く、また、ターンテーブルの上面の複数箇所にイ
オンブロー部を形成し、各イオンブロー部の周囲にイオ
ンブロー部より高い段差を成して真空吸着部を形成する
ようにしても良い。There is no restriction on the arrangement of the ion blow section and the vacuum suction section. In short, the upper surface of the turntable is divided into a concave type and a convex section, the concave section is formed as an ion blow section, and the convex section is formed as a vacuum suction section. Thereby, the contact area between the vacuum suction part and the dicing tape can be reduced. For example, one ion blow portion may be formed in the center region of the upper surface of the turntable, and a vacuum suction portion may be formed in a ring shape around the ion blow portion with a higher step than the ion blow portion, Alternatively, an ion blow section may be formed at a plurality of locations on the upper surface of the turntable, and a vacuum suction section may be formed around each ion blow section with a higher step than the ion blow section.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係るダイシング装置の実施形
態の一例であって、図１は本実施形態例のダイシング装
置の一部として設けられたスピンナー洗浄部の要部、即
ちターンテーブルの構成を示す平面図、及び図２は図１
のターンテーブルの線Ｉ−Ｉでの縦断面図である。本実
施形態例のダイシング装置は、ＬＣＤチップを形成した
ＴＦＴ基板ウエハのダイシング装置であって、その一部
としてに設けられたスピンナー洗浄部２０は、要部とし
て、図１及び図２に示すように、ターンテーブル２２
と、ターンテーブル２２を回転させる回転軸２４と、洗
浄水、例えば純水をターンテーブル２２に向けて噴出す
る洗浄液ノズル管（図示せず）とを備えている。ターン
テーブル２２は、上面の中央領域に設けられたイオンブ
ロー部２６と、イオンブロー部２６の周囲にイオンブロ
ー部２６より１段高い段差を成してリング状に形成され
た真空吸着部２８とを備える。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Embodiment Example This embodiment is an example of an embodiment of a dicing apparatus according to the present invention, and FIG. 1 shows a main part of a spinner cleaning unit provided as a part of the dicing apparatus of this embodiment, that is, a turn. FIG. 2 is a plan view showing the structure of the table, and FIG.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the turntable taken along line II. The dicing apparatus according to the present embodiment is a dicing apparatus for a TFT substrate wafer on which an LCD chip is formed, and a spinner cleaning unit 20 provided as a part thereof is a main part as shown in FIGS. , Turntable 22
And a rotating shaft 24 for rotating the turntable 22, and a cleaning liquid nozzle tube (not shown) for jetting cleaning water, for example, pure water toward the turntable 22. The turntable 22 includes an ion blow portion 26 provided in a central region on the upper surface, and a vacuum suction portion 28 formed in a ring shape around the ion blow portion 26 at a step higher than the ion blow portion 26 by one step. Is provided.
【００１３】ターンテーブル２２は、無数の細い流路を
形成している多孔質部材、例えば発泡質ステンレス鋼材
で形成され、図２に示すように、真空吸着部２８によっ
て取り囲まれた中央領域に深い凹部３０を備えている。
真空吸着部２８のリング状の上面３１を除くターンテー
ブル２２の表面は、コーティング等によって機密に封
止、ないし被覆されており、また、ターンテーブル２２
の下面には、回転軸２４を貫通する真空吸引管３２が接
続され、真空吸引管３２を介して真空吸引装置（図示せ
ず）に接続されている。以上の構成により、真空吸引装
置を起動させると、真空吸引管３２及びターンテーブル
２２の多孔質流路を介して、真空吸着部２８のリング状
の上面が真空吸着面３１として機能し、ダイシングテー
プを真空吸着することができる。The turntable 22 is formed of a porous member forming an innumerable narrow flow path, for example, a foamed stainless steel material, and has a deep portion in a central region surrounded by a vacuum suction portion 28 as shown in FIG. A recess 30 is provided.
The surface of the turntable 22 other than the ring-shaped upper surface 31 of the vacuum suction unit 28 is secretly sealed or covered with a coating or the like.
Is connected to a vacuum suction device (not shown) via the vacuum suction tube 32. With the above configuration, when the vacuum suction device is started, the ring-shaped upper surface of the vacuum suction unit 28 functions as the vacuum suction surface 31 via the vacuum suction tube 32 and the porous flow path of the turntable 22, and the dicing tape Can be adsorbed in vacuum.
【００１４】イオンブロー部２６は、凹部３０の下半分
を埋めるように形成された、例えば中実のステンレス鋼
等の円板状部材３４と、円板状部材３４内を貫通し、上
面に複数個の開口３６を備えた多数の分岐管からなるイ
オン気流分散管３８とから構成されている。イオン気流
分散管３８は、回転軸２４及びターンテーブル２２の底
部を貫通して延在するイオン気流供給管４０に接続さ
れ、イオン気流供給管４０を介してイオン気流を発生さ
せるイオナイザー（図示せず）に接続されている。これ
により、正負のイオンを同伴した空気流が、開口３６か
ら上方に向けて噴出する。The ion blow portion 26 is formed so as to fill the lower half of the concave portion 30 and has a disk-shaped member 34 made of, for example, solid stainless steel. And an ion flow dispersion tube 38 composed of a large number of branch tubes having a plurality of openings 36. The ion airflow distribution pipe 38 is connected to an ion airflow supply pipe 40 extending through the rotating shaft 24 and the bottom of the turntable 22, and generates an ion airflow through the ion airflow supply pipe 40 (not shown). )It is connected to the. As a result, an airflow accompanied by positive and negative ions is ejected upward from the opening 36.
【００１５】図３を参照して、本実施形態例のスピンナ
ー洗浄部２０を使って、ＬＣＤチップを洗浄する方法を
説明する。図３（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、スピン
ナー洗浄部による洗浄の工程を示す模式図である。図３
（ａ）に示すように、ＬＣＤチップＣを付着させたダイ
シングテープＴをターンテーブル２２上に載せ、次いで
真空吸引装置を起動し、真空吸引管３２及びターンテー
ブル２２の多孔質流路を介して、真空吸着部２８のリン
グ状の上面を真空吸着面３１として機能させ、ダイシン
グテープＴを真空吸着して固定する。次いで、回転軸２
４を回転させて、ターンテーブル２２、従ってダイシン
グテープＴ上のＬＣＤチップＣを回転させつつ、純水を
ＬＣＤチップＣに向けて噴出して、ＬＣＤチップＣを洗
浄する。With reference to FIG. 3, a method for cleaning an LCD chip using the spinner cleaning section 20 of the embodiment will be described. FIGS. 3A and 3B are schematic diagrams illustrating a cleaning process by a spinner cleaning unit. FIG.
As shown in (a), the dicing tape T to which the LCD chip C is attached is placed on the turntable 22, and then the vacuum suction device is started, and the vacuum suction device 32 is turned on through the vacuum suction tube 32 and the porous channel of the turntable 22. Then, the ring-shaped upper surface of the vacuum suction unit 28 is made to function as the vacuum suction surface 31, and the dicing tape T is vacuum-adsorbed and fixed. Next, the rotating shaft 2
While rotating the LCD chip C on the dicing tape T by rotating the turntable 22, the pure water is spouted toward the LCD chip C to wash the LCD chip C.
【００１６】ＬＣＤチップＣの純水洗浄が終了すると、
ターンテーブル２２の回転を停止し、次いで、真空吸着
を停止した後、図３（ｂ）に示すように、搬送アームＡ
によってリングフレームＦを真空吸着して、ダイシング
テープＴを次の装置に搬送する。本実施形態例では、真
空吸着を停止して、ターンテーブル２２からダイシング
テープＴを解離する直前に、イオナイザーを起動させ、
イオン気流供給管４０及びイオン気流分散管３８を通っ
て、イオンブロー部２６の開口３６からイオン空気流を
噴出させ、ダイシングテープＴに衝突させて、帯電した
静電気を除電する。When the cleaning of the LCD chip C with pure water is completed,
After the rotation of the turntable 22 is stopped and then the vacuum suction is stopped, as shown in FIG.
Then, the ring frame F is vacuum-sucked, and the dicing tape T is transported to the next device. In this embodiment, the vacuum suction is stopped, and the ionizer is started immediately before the dicing tape T is released from the turntable 22,
An ion air flow is ejected from the opening 36 of the ion blow section 26 through the ion air flow supply pipe 40 and the ion air flow distribution pipe 38, and collides with the dicing tape T to remove the charged static electricity.
【００１７】また、本実施形態例では、ターンテーブル
２２の外周の真空吸着部２８の上面３１のみでダイシン
グテープＴと接触しているので、接触面積が従来のダイ
シング装置のスピンナー洗浄部に比べて著しく小さい。
従って、ダイシングテープＴに帯電する静電気の電荷量
も少ない。よって、イオンブローによる静電気の除電と
相まって、ダイシングテープＴの剥離帯電の電荷は極め
て微弱であって、静電気不良（静電気痕）がＬＣＤチッ
プに生じるようなことはない。In this embodiment, since only the upper surface 31 of the vacuum suction portion 28 on the outer periphery of the turntable 22 is in contact with the dicing tape T, the contact area is smaller than that of the spinner cleaning portion of the conventional dicing apparatus. Remarkably small.
Therefore, the amount of static electricity charged on the dicing tape T is also small. Accordingly, the charge of the peeling charge of the dicing tape T is extremely weak in combination with the static elimination by the ion blow, so that the defect of static electricity (static mark) does not occur on the LCD chip.
【００１８】具体的寸法例 １２インチのウエハ上に形成されたＬＣＤチップを洗浄
するスピンナー洗浄部に設けられた場合の以下の本実施
形態例のターンテーブル２２の具体的寸法例を示す。 ターンテーブル２２の外径ＤO ：２４０ｍｍ ターンテーブル２２の厚さｔ：２０ｍｍ イオンブロー部２６の外径ＤI ：１８０ｍｍ リング状の真空吸着部２８の上面３１の幅Ｗ：３０ｍｍ 開口３６の数：１３ 開口３６の口径ｄ：５ｍｍ 開口３６のピッチｐ：３５ｍｍ イオンブロー部２６と真空吸着部２８との段差ｈ：５ｍ
ｍ 以上の寸法のターンテーブル２２の真空吸着面３１は、
従来のターンテーブル１２の約４０％になり、ダイシン
グテープＴとの接触面積がそれだけ小さくなる。以上の
寸法のターンテーブル２２を有するスピンナー洗浄部２
０を使ってＴＦＴ基板ウエハをスピンナー洗浄したとき
の帯電量は５０Ｖ以下であって、従来の５００〜７００
Ｖから著しく低下していた。また、ＬＣＤチップには静
電気不良（静電気痕）は生じていなかった。 Specific Dimensions Examples of specific dimensions of the turntable 22 of the present embodiment below when provided in a spinner cleaning section for cleaning LCD chips formed on a 12-inch wafer are shown below. Outer diameter D O of the turntable 22: 240 mm thickness of the turntable 22 t: outer diameter of 20mm ion blow unit 26 D I: width W of the upper surface 31 of 180mm annular vacuum suction unit 28: Number of 30mm opening 36: 13 Diameter d of opening 36: 5 mm Pitch p of opening 36: 35 mm Step h between ion blow section 26 and vacuum suction section 28: 5 m
The vacuum suction surface 31 of the turntable 22 having a dimension of at least m
This is about 40% of the conventional turntable 12, and the contact area with the dicing tape T is reduced accordingly. Spinner cleaning unit 2 having turntable 22 having the above dimensions
0 is less than 50 V when the TFT substrate wafer is subjected to spinner cleaning by a conventional method.
From V. In addition, no electrostatic failure (electrostatic trace) occurred on the LCD chip.
【００１９】本実施形態例の改変例 本改変例は、上述の実施形態例の改変例であって、図４
は本改変例のターンテーブルの平面図である。本改変例
のターンテーブル４２は、イオンブロー部４４及び真空
吸着部４６の配置が異なることを除いて、実施形態例の
ターンテーブル２２と同じ構成を備えている。本改変例
では、少なくとも１個の開口４８を有する複数個（図４
では１３個図示）のイオンブロー部４４がターンテーブ
ル４２の上面に設けられ、イオンブロー部４４以外の上
面領域が真空吸着部４６となっている。本改変例でも、
ターンテーブル４２に設けられた真空吸着部４６の上面
の面積は、従来のダイシング装置のスピンナー洗浄部に
比べて小さいので、ダイシングテープＴに帯電する静電
気の電荷量も少ない。 Modification of this embodiment This modification is a modification of the above-described embodiment, and FIG.
FIG. 9 is a plan view of a turntable of the present modified example. The turntable 42 of the present modification has the same configuration as the turntable 22 of the embodiment except that the arrangement of the ion blow unit 44 and the vacuum suction unit 46 is different. In the present modified example, a plurality (FIG. 4) having at least one opening 48 is provided.
13 are provided on the upper surface of the turntable 42, and the upper surface area other than the ion blow unit 44 is a vacuum suction unit 46. In this modification,
Since the area of the upper surface of the vacuum suction unit 46 provided on the turntable 42 is smaller than that of the spinner cleaning unit of the conventional dicing apparatus, the amount of static electricity charged on the dicing tape T is also small.
【００２０】[0020]
【発明の効果】本発明によれば、スピンナー洗浄部のタ
ーンテーブルの上面のイオンブロー部の周囲に、イオン
ブロー部より一段高い段差を成した真空吸着部を形成
し、ダイシングテープとターンテーブルとの接触面積を
減少させることにより、剥離帯電の電荷量を大幅に低下
させることができる。また、イオンを同伴した気流を上
方に向け噴出する開口を備えたイオンブロー部をターン
テーブルの上面に備え、ターンテーブルからダイシング
テープを解離する直前に、イオンブロー部の開口からイ
オン気流を噴出させ、ダイシングテープに衝突させて、
帯電した静電気を除電することができる。これにより、
ダイシングテープに剥離帯電した電荷量が極めて微弱に
なり、スピンナー洗浄部による洗浄後の半導体チップに
従来生じていたような静電気不良（静電気痕）の発生を
防止することができる。According to the present invention, a vacuum suction part having a step higher than the ion blow part is formed around the ion blow part on the upper surface of the turntable of the spinner cleaning part, and the dicing tape and the turntable are formed. By reducing the contact area, the charge amount of the peeling charge can be significantly reduced. In addition, an ion blow section provided with an opening for ejecting an airflow accompanied by ions upward is provided on the upper surface of the turntable, and immediately before the dicing tape is disengaged from the turntable, an ion stream is ejected from the opening of the ion blow section. , Hit the dicing tape,
Charged static electricity can be eliminated. This allows
The amount of charge peeled off and charged on the dicing tape becomes extremely weak, so that it is possible to prevent the occurrence of static electricity defects (static marks) which have conventionally occurred on the semiconductor chip after being cleaned by the spinner cleaning unit.
【図１】実施形態例のダイシング装置の一部として設け
られたスピンナー洗浄部の要部、即ちターンテーブルの
構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration of a main part of a spinner cleaning unit, that is, a turntable provided as a part of a dicing apparatus according to an embodiment.
【図２】図１のターンテーブルの線Ｉ−Ｉでの縦断面図
である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the turntable of FIG. 1 taken along line II.
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、スピンナ
ー洗浄部による洗浄の工程を示す模式図である。FIGS. 3 (a) and 3 (b) are schematic diagrams illustrating a cleaning process by a spinner cleaning unit, respectively.
【図４】実施形態例の改変例のターンテーブルの平面図
である。FIG. 4 is a plan view of a turntable according to a modification of the embodiment.
【図５】従来のスピンナー洗浄部の構成を示す模式的断
面図である。FIG. 5 is a schematic sectional view showing a configuration of a conventional spinner cleaning unit.
【図６】スピンナー洗浄部による洗浄後のダイシングテ
ープの搬送を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating conveyance of a dicing tape after cleaning by a spinner cleaning unit.
【図７】従来のスピンナー洗浄部の問題を説明する図で
ある。FIG. 7 is a diagram illustrating a problem of a conventional spinner cleaning unit.
１０……従来のスピンナー洗浄部、１２……ターンテー
ブル、１４……回転軸、２０……実施形態例のダイシン
グ装置のスピンナー洗浄部、２２……ターンテーブル、
２４……回転軸、２６……イオンブロー部、２８……真
空吸着部、３０……凹部、３２……真空吸引管、３４…
…円板状部材、３６……開口、３８……イオン気流分散
管、４０……イオン気流供給管。10: a conventional spinner cleaning unit, 12: a turntable, 14: a rotating shaft, 20: a spinner cleaning unit of the dicing apparatus of the embodiment, 22: a turntable,
24 ... Rotating shaft, 26 ... Ion blow part, 28 ... Vacuum suction part, 30 ... Concave part, 32 ... Vacuum suction tube, 34 ...
.., A disk-shaped member, 36, an opening, 38, an ion air flow distribution pipe, 40, an ion air flow supply pipe.
Claims (3)
イシングして半導体チップ毎に切断し、次いで切断され
た各半導体チップを付着させたダイシングテープをスピ
ンナー洗浄部のターンテーブル上に保持し、回転させつ
つ洗浄水を散水して、半導体チップを洗浄するようにし
た、ダイシング装置において、 スピンナー洗浄部のターンテーブルが、その上面に、 イオンを同伴した気流を上方に向け噴出する開口を備え
たイオンブロー部と、 イオンブロー部の周囲にイオンブロー部より高い段差を
成して形成された真空吸着部とを備えることを特徴とす
るダイシング装置。1. A wafer attached to a dicing tape is diced and cut into semiconductor chips, and the dicing tape to which each of the cut semiconductor chips is attached is held on a turntable of a spinner cleaning unit and rotated. In a dicing apparatus in which washing water is sprinkled to wash a semiconductor chip, a turntable of a spinner washing section has an ion blow section provided on an upper surface thereof with an opening for ejecting an air flow accompanied by ions upward. And a vacuum suction part formed around the ion blow part with a step higher than the ion blow part.
の上面の中央領域に形成され、真空吸着部がイオンブロ
ー部の周囲にイオンブロー部より高い段差を成してリン
グ状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載
のダイシング装置。2. An ion blow section is formed in a central region on an upper surface of a turntable, and a vacuum suction section is formed in a ring shape around the ion blow section with a step higher than that of the ion blow section. The dicing apparatus according to claim 1, wherein:
の複数箇所に形成され、真空吸着部が各イオンブロー部
の周囲にイオンブロー部より高い段差を成して形成され
ていることを特徴とする請求項１に記載のダイシング装
置。3. An ion blow section is formed at a plurality of locations on an upper surface of a turntable, and a vacuum suction section is formed around each ion blow section with a step higher than the ion blow section. The dicing apparatus according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35070399A JP2001168067A (en) | 1999-12-09 | 1999-12-09 | Dicing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP35070399A JP2001168067A (en) | 1999-12-09 | 1999-12-09 | Dicing apparatus |
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|---|---|
| JP2001168067A true JP2001168067A (en) | 2001-06-22 |
Family
ID=18412284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35070399A Pending JP2001168067A (en) | 1999-12-09 | 1999-12-09 | Dicing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001168067A (en) |
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