JP2004119716A - Mechanism and method of holding substrate - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板を搬送する基板搬送ハンドや基板処理中に基板を保持するための処理用チャックなどに適用される基板保持機構および基板保持方法に関する。保持対象の基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイパネル用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板およびフォトマスク用基板等の各種の基板が含まれる。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)の表面および周端面(場合によってはさらに裏面)の全域に銅薄膜などの金属薄膜を形成した後、この金属薄膜の不要部分をエッチング除去する処理が行われる場合がある。たとえば、配線形成のための銅薄膜は、ウエハの表面のデバイス形成領域に形成されていればよいから、ウエハの表面の周縁部(たとえば、ウエハの周端から幅5mm程度の部分)、裏面および周端面に形成された銅薄膜は不要となる。そればかりでなく、周縁部、裏面および周端面の銅または銅イオンは、基板処理装置に備えられた基板搬送ロボットのハンドを汚染し、さらにこの汚染が当該ハンドによって保持される別の基板へと転移するという問題を引き起こす。
【0003】
同様の理由から、基板周縁に形成された金属膜以外の膜(酸化膜や窒化膜など)を薄くエッチングすることによって、その表面の金属汚染物(金属イオンを含む)を除去するための処理が行われることがある。
ウエハの周縁部および周端部の薄膜を選択的にエッチングするための基板周縁処理装置は、たとえば、ウエハを水平に保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックの上方においてウエハ上の空間を制限する遮断板と、ウエハの下面にエッチング液を供給するエッチング液供給ノズルとを含む。ウエハの下面に供給されたエッチング液は、遠心力によってウエハの下面を伝わってその回転半径方向外方へと向かい、ウエハの周端面を伝ってその上面に回り込み、このウエハの上面の周縁部の不要物をエッチングする。このとき、遮断板は、ウエハの上面に近接して配置され、この遮断板とウエハとの間には、窒素ガス等の不活性ガスが供給される。
【0004】
この不活性ガスの流量、遮断板とウエハとの距離およびスピンチャックの回転数を適切に調整することによって、エッチング液の回り込み量を調整できるので、ウエハ上面の周縁部の所定幅(たとえば1〜7mm)の領域を選択的にエッチング処理することができる(いわゆるベベルエッチング処理)。
ウエハの下面からエッチング液を供給する関係で、スピンチャックには、複数の挟持ピンでウエハの周縁部を挟持する構成のメカニカルチャックが用いられる。しかし、挟持ピンがウエハの周縁部の同一箇所に終始接触していると、挟持ピンの陰になる箇所についてはウエハの周縁部の処理を行うことができない。
【0005】
そこで、下記特許文献1に開示されているように、スピンチャックを回転している途中で挟持ピンによる挟持を一時的に緩和または解除し、スピンチャックとウエハとの相対回転を生じさせることにより、挟持ピンによる挟持位置をずらす構成が提案されている。
【0006】
【特許文献1】
特開2001−118824号公報
【特許文献2】
特開平11−26540号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のような構成では、スピンチャックに対してウエハを相対回転させるときに、挟持ピンとウエハの周端面とが擦れ合うから、挟持ピンの摩耗が生じるという問題がある。
また、処理中に挟持ピンによるウエハの挟持を解除すると、ウエハと遮断板との間の微小な間隙を一定に保持することができず、これにより、ウエハの裏面からのエッチング液の回り込み量を正確に制御することができなくなる。
【0008】
さらに、デバイス形成領域へのエッチング液の跳ね返りを防止する目的と、エッチング液の回り込みの制御の目的とのために、ウエハの上面に窒素ガスを供給し続ける構成であるため、窒素ガスの消費量が多いという問題もある。
そこで、この発明の目的は、部品の摩耗の問題を軽減でき、基板を安定に保持することができる基板保持装置および基板保持方法を提供することである。
また、この発明の他の目的は、基板の周縁部に対する処理を良好に行うことができるように基板を保持できる基板保持機構および基板保持方法を提供することである。
【0009】
この発明のさらに他の目的は、基板の処理中、基板を終始安定に保持することができる基板保持機構および基板保持方法を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、液体を静止させた状態で保持しつつ、この液体と基板(W)の一主面とを密着させた状態で当該基板を保持する基板保持部材(11,40,80)と、この基板保持部材に保持されている基板の移動(とくに上記一主面に沿う方向の移動)を規制する規制部材(25,55,83)とを含むことを特徴とする基板保持機構である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【0011】
より具体的には、上記基板保持部材は、静止状態の液体が形成する液膜(5,58)を介在させた状態で上記基板の一主面を大気圧等の作用により密着保持するものである。すなわち、液膜を介在させた状態で基板の一主面を基板保持部材に密接させると、基板の上記一主面とは反対側の主面に作用する大気圧(処理チャンバ内の減圧雰囲気または加圧雰囲気からの気圧を含む)の作用によって、基板保持部材上に基板が強力に保持される。基板と基板保持部材との間の液膜は、液膜の表面張力の作用によって保持され、液膜を構成する液体がこぼれおちることはないから、基板は基板保持部材上に安定に保持されることになる。
【0012】
このような構成によって、基板が基板保持部材上に保持され、かつ、その基板の移動(とくに上記基板の一主面に沿う方向の移動。基板保持部材に対する相対的な平行移動)が規制部材によって規制されるから、基板を確実に保持できる。また、規制部材は、基板の周端面に隙間なく接触して基板を挟持するようになっていてもよいが、必ずしも基板の周端面に終始接触している必要がなく、基板の飛び出しを防止できればよいので、基板の周端面に対して微小な間隔を有する状態で設けることができる。したがって、基板の周端面がいずれかの部材によって陰になったりすることのない状態で基板を保持できるから、基板の周端面の全周に渡る良好な処理が可能であり、基板を挟持する挟持ピンを基板の回転中に開閉させたりするための複雑な機構は、必ずしも設ける必要がない。
【0013】
また、挟持ピンによる挟持を緩和または解除して基板の挟持位置を変更したりする必要もない。たとえば、規制部材を、基板の周端面に対して間隙を有する状態で配置する場合、規制部材は、基板の周端面の同一位置に終始対向していても差し支えないから、基板の挟持位置を変更する場合における部品の摩耗の問題を回避または抑制できる。
なお、上述の基板の「一主面」とは、基板の両面のうちの少なくともいずれか一方の面をいい、デバイスが形成される基板の面(デバイス形成面)であってもよいし、これとは反対面のデバイスが形成されない面(非デバイス形成面)であってもよい。
【0014】
請求項2記載の発明は、上記基板保持部材と基板との間に液体を導入する液体導入手段(15,16,17,18)をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の基板保持機構である。
上記液体導入手段は、基板保持部材の基板保持面に液体を介して基板が保持されている状態で、基板と基板保持面との間にさらに液体を導入するものであってもよい。この場合、基板が基板保持面に保持されている状態で、基板と基板保持面との間に液体(多量の液体)を導入することにより、基板保持面上で基板を浮遊状態とすることができ、基板保持部材による基板の保持を解除することができる。この場合には、液体導入手段は、基板保持面に形成された液体導入口(15)から液体を供給するものであることが好ましい。
【0015】
また、基板の一主面を基板保持面に接触させる前に、液体導入手段によって基板保持面上に液体を供給すれば、この供給された液体によって、基板と基板保持面との間の液膜を形成することができる。あるいは、基板の一主面を一時的に基板保持面に接触させた後に、液体導入手段によって基板保持面上に液体を供給しても同様に、この供給された液体によって、基板と基板保持面との間の液膜を形成することができる。
【0016】
請求項3記載の発明は、上記基板保持部材と基板との間に気体を導入する気体導入手段(15,16,17,19)をさらに含むことを特徴とする請求項1または2記載の基板保持機構である。
気体導入手段は、基板保持部材の基板保持面に形成された気体導入口(15)から気体を供給するものであることが好ましい。
この構成によれば、基板保持部材の基板保持面に液体を介して基板が保持されている状態で、基板保持部材の基板保持面と基板との間に気体を導入することにより、基板の両面に等しく大気圧を作用させることができるから、基板保持部材における基板の保持を解除することができる。
【0017】
請求項4記載の発明は、上記基板保持部材に保持された上記基板の上記一主面に対して進退可能に設けられ、上記基板の一主面に向かって進出することによって、上記基板を上記基板保持部材から離間させる基板保持解除部材(35)をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の基板保持機構である。
この構成によれば、基板保持解除部材によって、基板を基板保持部材から剥離して、その保持を確実に解除できる。とくに、請求項2の液体導入手段または請求項3の気体導入手段と組み合わせることで、さらに確実の基板の保持を解除することができる。
【0018】
請求項5記載の発明は、上記基板保持部材と基板との間の液体の液面の大きさが、基板の大きさよりも小さいことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置である。
より具体的には、たとえば、保持対象の基板が半導体ウエハ等の円形基板の場合には、液面の直径が基板の直径よりも小さくされていればよい。
この構成によれば、保持対象の基板の上記一主面において、周縁部が液面に接触していないため、この周縁部に対して処理流体(とくにエッチング液など)による処理を施すことができる。すなわち、たとえば、半導体ウエハ等のデバイス形成面を上記液体に接触させて保持した状態で、その周縁部に対する処理を施すことができる。
【0019】
また、基板の少なくとも一部(たとえば周縁部)に、液面に接していない部分が存在するので、基板保持部材から基板を引き離しやすいという利点もある。
上記基板保持機構は、請求項6に記載のように、基板を保持して搬送する基板搬送ハンド(80)に適用することができる。この場合、ハンド上での基板の移動を規制しつつ、基板を安定に保持できるから、搬送不良を抑制できる。また、基板搬送時のハンドの加減速によってハンド上で基板がずれたとしても、基板とハンドとの間の直接的な摩擦がほとんど生じないので、パーティクルが発生することを防止できる。
【0020】
また、請求項7に記載のように、上記基板保持機構は、基板に対して処理を施している期間中(とくに処理液または処理ガスによる処理中)に基板を保持する処理用チャック(1,50)に適用することができる。
請求項8記載の発明は、上記基板保持機構は、基板を(たとえば、その中心を通る回転軸線まわりに)回転させる基板回転機構(13,53)を含むことを特徴とする請求項7記載の基板保持機構である。
【0021】
大気圧の作用による基板保持部材への基板の密着保持は、十分に強力であるので、基板を回転させても、基板保持部材から基板が脱落したりするおそれはない。すなわち、基板を保持して回転するスピンチャックに対して、この発明の基板保持機構を適用することができる。
請求項9記載の発明は、上記規制部材は、基板を挟持する挟持状態と、基板の挟持を解除した解除状態とに切り換え可能なものであることを特徴とする請求項7または8記載の基板保持機構である。
【0022】
上記基板保持機構は、たとえば、基板を回転させる場合に、回転の加減速時において、上記規制部材を上記挟持状態に制御する制御手段(30)をさらに含むことが好ましい。基板保持部材が等速回転しているときには、基板保持部材と基板との相対回転はほとんど生じないが、基板の回転が加速または減速されるときには、基板に働く慣性力のため、基板は基板保持部材に対して相対回転しようとし、基板保持部材に対する基板の保持が不安定になるおそれがある。そこで、このようなときに、規制部材を基板の周端面に接触させて基板を挟持するようにすれば、基板が飛び出したりすることを確実に防止できる。
【0023】
上記基板保持機構は、請求項10に記載のように、上記基板保持機構が、基板の周縁部を処理する基板処理装置において用いられるものであることを特徴とする請求項7ないし9のいずれかに記載の基板保持機構であってもよい。
すなわち、たとえば、上記のような基板保持機構と、この基板保持機構によって保持された基板の周縁部に対して処理流体(処理液または処理ガス)を供給する処理流体供給手段(2,71)とを有する基板処理装置を構成することができる。
【0024】
この発明の基板保持機構では、基板に処理流体を供給して基板表面の処理を行うときに、基板を挟持することなく基板を保持することができるから、基板の周縁部の全周に対する処理を良好に行うことができる。
処理流体供給手段は、たとえば、基板保持部材の基板保持面に対向する上記一主面とは異なる他の主面に向けて処理流体(主に液体)を供給するものであってもよい。この場合、処理流体は、その粘性により、基板の周端面を回り込んで上記一主面の周縁部に達し、この領域に対して処理を施すことになる。
【0025】
なお、この場合、さらに、基板の上記一主面をデバイス形成面とするのが好ましい。そうすれば、デバイス形成面に処理流体が侵入してデバイス形成面が処理されてしまうのを効果的に防止することができる。
請求項11記載の発明は、基板保持部材(11,40,80)によって液体を静止させた状態で保持しつつ、この液体と基板(W)の一主面とを密着させた状態で当該基板を保持する基板保持工程と、上記基板保持部材に保持されている基板の移動を規制する移動規制工程とを含むことを特徴とする基板保持方法である。
【0026】
この発明により、請求項1記載の発明と同様な効果を奏することができる。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板保持機構を適用した基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。この基板処理装置は、円形の基板の一例である半導体ウエハ(以下単に「ウエハ」という。)Wの一主面であるデバイス形成面の周縁部の不要物(薄膜、パーティクル、金属イオンなど)を除去するための、いわゆるベベルエッチング処理またはベベル洗浄処理を行うための装置である。
【0028】
この基板処理装置は、基板保持機構としてのスピンチャック1と、このスピンチャック1に保持されたウエハWにエッチング液または純水(リンス液)等の処理液(薬液または純水)を供給する処理液供給ノズル2とを備えている。
スピンチャック1は、ウエハWをほぼ水平に保持し、その中心を通る鉛直な回転軸線まわりに回転するものであり、上面に基板保持面11aを備えたスピンベース11と、このスピンベース11の下面に鉛直方向に沿って設けられた中空の回転軸12と、この回転軸12を鉛直な回転軸線まわりに回転駆動する回転駆動機構13とを備えている。
【0029】
スピンベース11は、円盤状に形成されており、基板保持面11aは、スピンベース11の上面の中央領域において扁平な円柱状に突出した突出部の頂面をなしている。基板保持面11aは、この実施形態では、ほぼ水平であり、ウエハWよりも半径の小さな円形に形成されている。この基板保持面11a上に、静止状態の純水が形成する水膜5を挟んで、ウエハWが保持される。水膜5の水面は、ウエハWのよりも半径の小さな円形となる。そのため、ウエハWの下面の周縁部は、水膜5に覆われることなく露出する。ウエハWは、そのデバイス形成面(活性面)が基板保持面11aに対向するようにされ、デバイス形成面とは反対側の非活性面が、上方に向けられる。したがって、ウエハWの活性面は、デバイス形成面側の中央のデバイス形成領域が水膜5に覆われ、デバイス形成領域の外側の周縁部は露出した状態となる。
【0030】
水膜5を挟んで基板保持面11a上に置かれたウエハWは、その活性面(下面)の中央領域には大気圧を受けないのに対して、非活性面(上面)には、大気圧を受ける。これにより、ウエハWは、水膜5を介して基板保持面11aに強固に密着保持される。
一方、水膜5の周縁部において、ウエハWと基板保持面11aとの間の水面には、表面張力が働き、この表面張力の作用によって、水膜5はウエハWと基板保持面11aとの間に保持される。その結果、ウエハWは、基板保持面11a上に水膜5を挟んで安定に保持されることになる。
【0031】
基板保持面11aの中央には、液体/気体導入口15が形成されている。この液体/気体導入口15には、回転軸12内を挿通する液体/気体供給管16と、スピンベース11を貫通して形成され、液体/気体導入口15と連通した液体/気体供給路17とを介して、液体の一例である純水または窒素ガスや空気などの不活性ガスを供給できるようになっている。純水は、純水供給源から純水供給バルブ18を介して液体/気体供給管16に供給され、不活性ガスは、不活性ガス供給源から、不活性ガス供給バルブ19を介して液体/気体供給管16に供給されるようになっている。
【0032】
スピンベース11において、基板保持面11aの周囲のドーナツ状の領域は、基板保持面11aよりも若干低い座繰り部11bをなしており、この座繰り部11bには、周方向に間隔を開けて複数本(たとえば、等角度間隔で3本)の規制ピン25が鉛直上方(スピンベース11と垂直な方向)に向けて立設されている。この規制ピン25は、ウエハWの水平方向移動(基板保持面11aに平行な方向の移動)を規制するための規制部材であり、ほぼ円柱形状を有しており、その軸線とは偏心した鉛直方向に沿う回転軸線25aまわりに回転可能に設けられている。
【0033】
規制ピン25を回転軸線25aまわりに回転させるために、規制ピン駆動機構20が設けられている。規制ピン駆動機構20は、たとえば、スピンベース11の内部空間に収容されたリンク機構21と、このリンク機構21を駆動する駆動機構22とを含む。この駆動機構22は、回転軸12とともに回転する回転側駆動力伝達部材23と、この回転側駆動力伝達部材23の外周側に軸受け24を介して結合された固定側駆動力伝達部材26と、この固定側駆動力伝達部材26を昇降させるための規制ピン駆動用昇降駆動機構27とを備えている。
【0034】
規制ピン駆動用昇降駆動機構27によって固定側駆動力伝達部材26を昇降させると、これとともに回転側駆動力伝達部材23が昇降し、この昇降運動がリンク機構21に伝達されて、規制ピン25の回転軸線25aまわりの回転動作(一定角度範囲内での回転)に変換される。
回転軸線25aは、規制ピン25の中心軸から偏心しているため、規制ピン駆動用昇降駆動機構27を作動させることによって、規制ピン25の表面をウエハWの周端面に当接させてウエハWを挟持させたり、規制ピン25の表面をウエハWの周端面から微小距離だけ退避させて、ウエハWの水平方向への飛び出しを規制する状態としたりすることができる。固定側駆動力伝達部材26と回転側駆動力伝達部材23とが軸受け24を介して結合されているので、スピンチャック1の回転中であっても、規制ピン25によるウエハWの挟持/解放を切り換えることができる。
【0035】
処理液供給ノズル2は、スピンチャック1に保持されたウエハWの上面(非活性面)のほぼ中央に向けて処理液を供給できるように設けられている。この処理液供給ノズル2には、エッチング液供給源からエッチング液供給バルブ31を介してエッチング液を供給することができ、純水供給源から純水供給バルブ32を介して純水を供給することができる。
バルブ31,32,18,19の開閉、ならびに回転駆動機構13および規制ピン駆動用昇降駆動機構27の動作は、制御部30によって制御される。
【0036】
未処理のウエハWは、搬送ロボット(図示せず)によって搬送され、スピンチャック1の基板保持面11a上へと受け渡される。このウエハWの搬入に先だって、基板保持面11a上には、全面に行き渡るように純水が供給される。この純水の供給は、制御部30の制御により、純水供給バルブ18を開いて、液体/気体導入口15から行ってもよいし、純水供給バルブ32を開いて、処理液供給ノズル2から行ってもよい。このとき、バルブ19,31は閉成状態である。
【0037】
基板保持面11a上に水膜5を形成するための純水の供給は、液体/気体導入口15および処理液供給ノズル2以外のノズルから行ってもよい。
基板保持面11aの全面に行き渡るように純水が供給された後、制御部30の制御によって、バルブ18,32を閉じて、純水の供給を停止する。この状態で、搬送ロボットは、基板保持面11a上にウエハWを載置する。これにより、ウエハWは、基板保持面11a上に、水膜5を挟んで保持される。ウエハWの活性面は、基板保持面11aに対向するように下向きとされる。
【0038】
次に、制御部30の制御によって、規制ピン駆動用昇降駆動機構27が作動させられ、規制ピン25によって、ウエハWが挟持される。この状態で、制御部30の制御により、回転駆動機構13がスピンチャック1の回転を始動する。
スピンチャック1の回転が加速され、所定の等速回転状態に至ると、制御部30の制御により、規制ピン駆動用昇降駆動機構27が作動させられ、規制ピン25によるウエハWの挟持が解放される。これにより、ウエハWの周端面は、全周に渡って露出し、いずれの部分もいずれかの部材の陰になったりしていない状態となる。しかも、ウエハWは、基板保持面11a上に強固に保持されており、水平方向への移動は、ウエハWの周端面から微小距離だけ退避した規制ピン25によって規制されるから、ウエハWが飛び出したりすることもない。
【0039】
このような状態で、制御部30の制御により、エッチング液供給バルブ31が開成され、処理液供給ノズル2からエッチング液Eが吐出される。回転中のウエハWの上面中央に供給されたエッチング液Eは、遠心力を受けることにより、ウエハWの上面を伝って、その回転半径方向外方側へと広がる。このエッチング液Eは、ウエハWの周端面に達した後、さらに、その下面(活性面)へと回り込む。このようにして、ウエハWの上面(非活性面)および周端面の不要物をエッチング除去することができるとともに、ウエハWの下面(活性面)周縁部の不要物をエッチング除去することができる。
【0040】
ウエハWの下面へのエッチング液Eの回り込み量は、ウエハWの回転速度を制御することによって、制御することができる。この回り込み量は、たとえば、ウエハWの下面に回り込んだエッチング液が、ウエハWと基板保持面11aとの間の水膜5に達しないように制御されることが好ましい。すなわち、このような回り込み量が達成されるように、制御部30によって、回転駆動機構13を制御すればよい。
【0041】
ウエハWに対してエッチング液Eによる処理を行った後には、制御部30の制御によって、エッチング液供給バルブ31が閉成され、代わって、純水供給バルブ32が開成されて、リンス処理が行われる。すなわち、ウエハWの上面の中央に向けて純水が供給され、ウエハWの上面、周端面および下面の周縁部が、純水によってリンスされる。
このリンス工程の後、スピンチャック1の回転を停止する。この回転停止に先だって、制御部30は、規制ピン駆動用昇降駆動機構27を作動させ、規制ピン25を、ウエハWの周端面に接触した挟持状態とする。規制ピン25を挟持状態とした後に、制御部30は、回転駆動機構13を制御し、等速回転しているスピンチャック1を減速させて、停止状態に導く。その後、制御部30は、規制ピン駆動用昇降駆動機構27を作動させて規制ピン25を解除状態とする。
【0042】
この状態で、搬送ロボットによって、基板保持面11a上のウエハWが搬出されることになる。このウエハWの搬出に先だって、制御部30の制御により、純水供給バルブ18が開成されることにより、液体/気体導入口15から、ウエハWの下面と基板保持面11aとの間に純水が供給される。これにより、ウエハWは基板保持面11a上で浮遊状態となって、保持力が弱められるから、搬送ロボットは、基板保持面11a上のウエハWを搬出することができる。
【0043】
ウエハWの搬出時には、液体/気体導入口15から純水を供給する代わりに、不活性ガスを供給してもよい。すなわち、純水供給バルブ18ではなく、不活性ガス供給バルブ19を開成することにより、ウエハWの下面と基板保持面11aとの間に、不活性ガスを供給してもよい。これにより、ウエハWは上下面のいずれからも大気圧を受ける状態となるから、保持力が弱められ、搬送ロボットによるウエハWの搬出が可能になる。基板保持面11aにおけるウエハWの保持を解除する目的のためには、液体/気体導入口15から、純水または不活性ガスのいずれかが、ウエハWと基板保持面11aとの間に導入されればよいから、純水または不活性ガスのいずれか一方を液体/気体導入口15に供給できるように構成して足りる。
【0044】
以上のようにこの実施形態の構成によれば、ウエハWは、水膜5を介して基板保持面11a上に保持された状態で回転され、この状態で、ウエハWの活性面の周縁部に対してエッチング処理または洗浄処理(ベベルエッチング処理またはベベル洗浄処理)を施すことができる。
ウエハWの活性面のデバイス形成領域は、薄い水膜5によって保護されているから、この領域にエッチング液の跳ね返りやミストが到達することがない。しかも、ウエハWを等速回転させて処理している期間中は、ウエハWの周端面は全周に渡って露出しているから、ウエハWの全周に渡って良好な処理を施すことができ、エッチング処理中に、ウエハWの挟持位置を変更したりする必要がない。したがって、ウエハをスピンベースに対して相対回転させてウエハの挟持位置を変更する必要のあった上述の先行技術に比較して、部品の摩耗を少なくすることができる。
【0045】
スピンチャック1の回転を加速または減速するときには、規制ピン25によってウエハWが挟持されるが、規制ピン25は、スピンチャック1を等速回転させているときに挟持状態と解放状態とで切り換えられ。したがって、規制ピン25とウエハWの周端面との間の擦れはほとんど生じないから、これに伴う摩耗は少ない。
さらに、ウエハWの周縁部の処理幅(エッチング液の回り込み量)は、スピンチャック1の回転速度を制御することによって制御できるから、スピンチャックの回転速度に加えて、遮断板とウエハとの距離および不活性ガスの流量の制御が必要であった上述の先行技術に比較して、処理幅を正確に制御することができる。
【0046】
しかも、上述の先行技術では、ウエハの挟持位置の変更時に遮断板とウエハとの距離が変動し、これに伴ってウエハの周縁部の処理幅が不安定になっていたのに対して、この実施形態の構成では、このような問題がなく、ウエハWの周縁部の処理幅を、処理期間中、終始、正確に制御できる。
また、ウエハのデバイス形成領域へのエッチング液の跳ね返りを防止したり、エッチング液の回り込み量の制御のためにウエハの活性面に不活性ガスを常時供給し続けることが必要な上述の先行技術と比較して不活性ガスの消費量を格段に低減できるから、基板処理装置のランニングコストを低減できる。
【0047】
図2は、この発明の第2の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。この図2において、図1に示された各部に対応する部分には、図1の場合と同一の参照符号を付して示す。
この実施形態では、スピンベース11において、ドーナツ状の座繰り部11bには、上下方向(基板保持面11aにほぼ垂直な方向)に貫通した貫通孔34が形成されており、この貫通孔34を挿通して、その軸方向に進退可能なロッド状の昇降ピン35が設けられている。この昇降ピン35は、たとえば、座繰り部11bの周方向に沿って間隔を開けて複数本(少なくとも3本。たとえば、等角度間隔で3本。)設けられている。各昇降ピン35は、他の昇降ピン35から独立して昇降可能であり、個々の昇降ピン35毎に昇降ピン駆動機構36が設けられていて、これらが制御部30によって制御されるようになっている。
【0048】
搬送ロボットがスピンチャック1にウエハWを受け渡すときには、制御部30が昇降ピン駆動機構36を制御することによって、少なくとも3本の昇降ピン35が、スピンベース11を貫通し、基板保持面11aよりも高い位置に頭部が位置した上昇位置に制御される。そして、基板保持面11aに水膜5を形成するための純水が形成された後に、搬送ロボットは、上昇位置にある昇降ピン35上にウエハWをほぼ水平に載置する。
【0049】
次いで、制御部30が昇降ピン駆動機構36を制御することにより、ウエハWを支持している複数本の昇降ピン35が同時に下降され、全ての昇降ピン35は、それら頭部がスピンベース11の下面よりも下方の退避位置(スピンベース11の回転時に干渉しない位置)に導かれる。この過程で、ウエハWは基板保持面11a上に載置され、基板保持面11a上に水膜5を介して強固に密着保持されることになる。
【0050】
その後は、上述の第1の実施形態の場合と同様にして、スピンベース11が回転されて、ベベルエッチングまたはベベル洗浄処理工程およびリンス工程が行われる。
リンス工程を終えると、制御部30による回転駆動機構13の制御によって、スピンチャック1の回転が停止されるが、このときの回転停止位置は、スピンベース11の座繰り部11bに形成された貫通孔34と昇降ピン35とが平面視において重なり合うように制御される。
【0051】
この状態で、制御部30は、昇降ピン駆動機構36を制御して、少なくとも3本の昇降ピン35を上昇させる。このとき、上昇させられる全ての昇降ピン35を完全に同期して上昇させるのではなく、たとえば、ウエハWの下面の周縁部に当接する時間に差が生じるように、昇降ピン35の上昇が制御される。これにより、ウエハWは、周縁部の一部が先に水膜5から上昇させられ、水膜5からのウエハWの剥離が一方向から生じる。こうして、ウエハWに過大な力を加えることなく、水膜5から剥離し、この剥離されたウエハWを基板保持面11aの上方の位置に導くことができる。その後は、搬送ロボットによって、処理済みのウエハWが搬出される。
【0052】
その後、次のウエハWを処理するときには、基板保持面11aに水膜5を形成するための純水を供給した後に、搬送ロボットによって、上昇位置にある昇降ピン35に対して、未処理のウエハWが受け渡されることになる。
このように、この実施形態では、基板保持面11aからのウエハWの剥離を、昇降ピン35を進退させることによって行っているから、スピンベース11には、液体/気体導入口15を設ける必要がなく、スピンベース11の構成を簡単にすることができる。この場合、基板保持面11aへの純水の供給は、処理液供給ノズル2から行えばよい。
【0053】
この他の構成および動作は、規制ピン駆動機構20の構成やその動作も含めて、上述の第1の実施形態の場合と同様である。
図3は、この発明の第3の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。この基板処理装置は、上述の第1および第2の実施形態の場合と同じく、水膜を介して基板保持面上にウエハWを保持した状態でウエハWの非活性面側からエッチング液を供給し、このエッチング液をウエハWの周端面から活性面側に回り込ませて、ウエハWの周縁部の不要物を除去するベベルエッチングまたはベベル洗浄処理を行うものであるが、ウエハWを活性面を上向きにして保持する点が大きく異なる。
【0054】
具体的に説明すると、この基板処理装置は、スピンチャック50と、このスピンチャック50によって保持可能な基板保持板40とを備えている。スピンチャック50は、ほぼ水平に配置された円盤状のスピンベース51と、このスピンベース51の下面から鉛直下方に延びるように設けられた中空の回転軸52と、この回転軸52を鉛直軸線まわりに回転駆動する回転駆動機構53とを備えている。
【0055】
スピンベース51の周縁部には、周方向に間隔を開けて複数本(たとえば、等角度間隔で3本)のチャックピン55が鉛直上方に向けて立設されている。チャックピン55は、丸棒状の軸部55Aと、この軸部55Aの上端に設けられた挟持部55Bとを有し、この挟持部55Bによって、基板保持板40を保持する構成となっている。
チャックピン55は、軸部55Aの中心軸を通る回転軸線55aまわりに回転可能である。このチャックピン55を、回転軸線55aまわりに回転させるために、チャックピン駆動機構60が設けられている。このチャックピン駆動機構60の構成は、上述の図1に示された規制ピン駆動機構20の構成と同様である。すなわち、チャックピン駆動機構60は、たとえば、スピンベース51の内部空間に収容されたリンク機構61と、このリンク機構61を駆動する駆動機構62とを含む。駆動機構62は、回転軸52とともに回転する回転側駆動力伝達部材63と、この回転側駆動力伝達部材63の外周側に軸受け64を介して結合された固定側駆動力伝達部材66と、この固定側駆動力伝達部材66を昇降させるためのチャックピン駆動用昇降駆動機構67とを備えている。
【0056】
チャックピン駆動用昇降駆動機構67によって固定側駆動力伝達部材66を昇降させると、これとともに回転側駆動力伝達部材63が昇降し、この昇降運動がリンク機構61に伝達されて、チャックピン55の回転軸線55aまわりの回転動作(一定角度範囲内での回転)に変換される。これによって、チャックピン55の頭部の挟持部55Bが基板保持板40を挟持した状態と、この挟持を解除した状態とで切り換えることができる。
【0057】
基板保持板40は、図4に示すように、円盤状に形成されており、その一方表面の中央領域において扁平な円柱状に突出した突出部の頂面が基板保持面40aをなしている。この基板保持面40aは、ウエハWよりも半径の小さな円形に形成されている。基板保持面40aの周囲のドーナツ状の領域は、基板保持面40aよりも後退した座繰り部40bとなっている。
基板保持面40aには、ウエハWを保持させるよりも前に、純水が供給される。その状態で、ウエハWを基板保持面40aと密着させると、ウエハWは、静止状態の純水が形成する水膜58(図3参照)を挟んで基板保持面40aに密着保持される。このとき、ウエハWの活性面は、基板保持面40aに対向させられる。
【0058】
水膜58を挟んで基板保持面40aに密接させられたウエハWは、その活性面には大気圧を受けないのに対して、非活性面には、大気圧を受ける。これにより、ウエハWは、水膜58を介して基板保持面40aに強固に密着保持される。その一方、水膜58の周縁部において、ウエハWと基板保持面40aとの間の水面には表面張力が働き、この表面張力の作用によって、水膜58は、ウエハWと基板保持面11aとの間に保持される。その結果、ウエハWは、基板保持面40a上に水膜58を挟んで安定に保持されることになる。
【0059】
基板保持面40aはウエハWよりも半径が小さい円形なので、水膜58がウエハWに接している水面は、ウエハWよりも半径の小さい円形となっており、ウエハWの活性面の周縁部は水膜58に覆われることなく露出した状態となる。
このようにして基板保持面40aにウエハWが保持された状態で、基板保持板40は、搬送ロボット(図示せず)によって、スピンチャック50に受け渡され、チャックピン55によってほぼ水平に保持されることになる。この状態が図3に示されている。
【0060】
基板保持板40がスピンチャック50に保持された状態では、ウエハWは、ほぼ水平な姿勢となり、その活性面が上向きとなり、非活性面はその下方のスピンベース51の上面に対向することになる。また、ウエハWの周端面は、チャックピン55の軸部55Aとの間に微小な間隙を有する状態となる。したがって、軸部55Aは、ウエハWが基板保持面40a上で水平方向に相対移動したときに、このような水平移動を規制する規制部材として作用する。
【0061】
スピンベース51の回転軸線上には、上下に貫通する貫通孔56が形成されており、この貫通孔56と回転軸52の内部を挿通して、処理液供給管70が配置されている。この処理液供給管70の先端は、ウエハWの下面(非活性面)の中央(ほぼ回転軸線上に位置する)に向けて、エッチング液または純水を供給する処理液供給ノズル71となっている。また、処理液供給管70には、エッチング液供給源からのエッチング液をエッチング液供給バルブ72を介して供給することができ、純水供給源からの純水を純水供給バルブ73を介して供給することができるようになっている。
【0062】
このような構成によって、ウエハWを基板保持板40を介してスピンチャック50に保持させた状態で、このスピンチャック50が回転駆動される。その一方で、エッチング液供給バルブ72が開かれて、ウエハWの下面に対して、処理液供給ノズル71からエッチング液Eが供給される。このエッチング液Eは、遠心力を受けて、ウエハWの下面に沿ってその半径方向外方側に向かい、周端面を回り込んで、ウエハWの上面(活性面)の周縁部に至る。このようにして、ウエハWの周端面および周縁部の不要物を除去するベベルエッチング処理またはベベル洗浄処理が行われる。
【0063】
エッチング液Eの回り込み量は、スピンチャック50の回転速度を制御することによって、最適に制御することができる。たとえば、ウエハWの上面に回り込んだエッチング液Eが、水膜58に達することがないように、エッチング液Eの回り込み量が制御されることが好ましい。
ベベルエッチング処理またはベベル洗浄処理が終了した後には、エッチング液供給バルブ72が閉成され、代わって、純水供給バルブ73が開かれる。これにより、ウエハWの下面、周端面および上面の周縁部に純水が供給されて、それらの表面のエッチング液を洗い流すためのリンス処理が行われる。
【0064】
こうして、ウエハWに対する処理が終了すると、搬送ロボットによって、水膜58を介してウエハWを密着保持した状態の基板保持板40が搬出される。
このように、この実施形態においても、ウエハWを水膜58を介して基板保持面40a上に保持した状態でウエハWに対するベベルエッチング処理またはベベル洗浄処理を行うことができ、上述の第1または第2の実施形態の場合と同様な効果を奏することができる。
【0065】
図5は、この発明の第4の実施形態に係る基板搬送ハンドの構成を説明するための図である。この基板搬送ハンド80は、ウエハWを保持して搬送するためのものであり、水膜を介してウエハWを保持する基板保持面80aを有している。ウエハWは、必要により、活性面を基板保持面80aに対向させて保持されてもよいし、非活性面を基板保持面80aに対向させて保持されてもよい。
基板保持面80aは、この実施形態では、平坦面であり、ウエハWの半径よりも小さな半径の円形に形成されていて、ハンド本体81の一方表面上にわずかに突出した円柱状の突出部82の頂面をなしている。
【0066】
基板保持面80aの周囲には、ウエハWの周端面に対向する複数の位置(たとえば等角度間隔で3カ所)に、基板保持面80aに沿うウエハWの移動を規制するための規制部材83が設けられている。規制部材83は、たとえば、丸棒状のピンをハンド本体81の基板保持面80a側の表面に立設したものであってもよい。
ウエハWと基板保持面80aとの間に静止した純水からなる水膜を形成するための純水の供給は、基板保持面80aにおいて開口した液体/気体導入口85を介して行ってもよいし、基板搬送ハンド80とは別に設けた純水供給ノズルから、基板保持面80aに純水を供給するようにして行ってもよい。
【0067】
液体/気体導入口85は、ハンド本体81の内部に形成された液体/気体導入路86に連通している。この液体/気体導入路86には、純水供給源からの純水を純水供給バルブ87を介して供給でき、また、不活性ガス供給源からの不活性ガス(たとえば、窒素ガスまたは空気)を不活性ガス供給バルブ88を介して供給することができる。
静止した水膜を介して保持されたウエハWを基板保持面80aから引き離すときには、ウエハWと基板保持面80aとの間に、液体/気体導入口85から純水または不活性ガスを供給すればよい。純水の供給によってウエハWの保持を解除するのであれば、不活性ガスを供給するための構成は不要である。
【0068】
この実施形態によれば、静止した水膜を利用したウエハWの保持は安定しているので、ウエハWの搬送を確実に行うことができる。
以上、この発明の4つの実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することも可能である。たとえば、上記の実施形態では、ウエハWと基板保持面11a,40a,80aとの間に静止した純水の膜を形成するようにしているが、純水の代わりに、アルコール系溶剤(たとえば、イソプロピルアルコール)等の有機溶剤の液膜や、アンモニア水の液膜など、ウエハWに対する影響の少ない他の種類の液体の液膜を用いてもよい。また、ウエハWに密着する液体の形態は必ずしも液膜状態である必要はなく、所定の凹部や槽に貯留されるような比較的多量の液体であってもよい。この場合、貯留された液体の液面(上面)にウエハWを密着保持させることができる。
【0069】
また、上記の第1ないし第3の実施形態では、ベベルエッチング処理またはベベル洗浄処理が行われる基板処理装置の例について説明したが、この発明は、基板の全面に対してエッチング処理または洗浄処理を行うエッチング処理装置や洗浄処理装置、レジストなどの塗布膜を基板上に形成するコータ処理装置、露光後基板上の感光性膜(レジスト膜など)に対して現像処理を施す現像処理装置、ドライエッチング後などの基板上に残留する残渣物(ポリマー)を除去するポリマー除去装置などにも適用することができる。これらの装置にこの発明が適用される場合には、処理対象の基板は、処理対象面(主としてデバイス等が形成された活性面)とは反対の面を基板保持面に対向させた状態で保持されることが好ましい。
【0070】
さらに、上記の第1および第2の実施形態において、規制ピン25を挟持状態と解放状態とで切り換えるための駆動機構は、スピンベース11内に、エアシリンダと、このエアシリンダからの駆動力を得て作動し、規制ピン25を回転軸線25aまわりに回転させるリンク機構とを含む構成によって実現することもできる(たとえば、上記特許文献1参照)。
また、上記の第4の実施形態では、基板保持面80aからウエハWを剥離させるために、基板保持面80aに純水または不活性ガスを供給するようにしているが、これに代えて、第2の実施形態で示したような進退ピンによって、基板保持面80aによるウエハWの保持を解除させる構成を採用することもできる。
【0071】
さらに、上記の実施形態では、ウエハに対する処理を行う構成について説明したが、処理対象または搬送対象の基板は、ウエハ以外の円形基板であってもよいし、液晶表示装置用ガラス基板等の角形基板であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る基板保持機構を適用した基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。
【図2】この発明の第2の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。
【図3】この発明の第3の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。
【図4】基板保持板の構成を説明するための斜視図である。
【図5】この発明の第4の実施形態に係る基板搬送ハンドの構成を説明するための図である。
【符号の説明】
1 スピンチャック
2 処理液供給ノズル
5 水膜
11 スピンベース
11a 基板保持面
11b 座繰り部
12 回転軸
13 回転駆動機構
15 液体/気体導入口
16 液体/気体供給管
17 液体/気体供給路
18 純水供給バルブ
19 不活性ガス供給バルブ
20 規制ピン駆動機構
21 リンク機構
22 駆動機構
23 回転側駆動力伝達部材
24 軸受け
25 規制ピン
25a 回転軸線
26 固定側駆動力伝達部材
27 規制ピン駆動用昇降駆動機構
30 制御部
31 エッチング液供給バルブ
32 純水供給バルブ
34 貫通孔
35 昇降ピン
36 昇降ピン駆動機構
40 基板保持板
40a 基板保持面
40b 座繰り部
50 スピンチャック
51 スピンベース
52 回転軸
53 回転駆動機構
55 チャックピン
55a 回転軸線
55A 軸部
55B 挟持部
56 貫通孔
58 水膜
60 チャックピン駆動機構
61 リンク機構
62 駆動機構
63 回転側駆動力伝達部材
64 軸受け
66 固定側駆動力伝達部材
67 チャックピン駆動用昇降駆動機構
70 処理液供給管
71 処理液供給ノズル
72 エッチング液供給バルブ
73 純水供給バルブ
80 基板搬送ハンド
80a 基板保持面
81 ハンド本体
82 突出部
83 規制部材
85 液体/気体導入口
86 液体/気体導入路
87 純水供給バルブ
88 不活性ガス供給バルブ
E エッチング液
W ウエハ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate holding mechanism and a substrate holding method applied to a substrate transfer hand for transferring a substrate, a processing chuck for holding a substrate during substrate processing, and the like. Substrates to be held include various substrates such as semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for plasma display panels, substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, substrates for magneto-optical disks, and substrates for photomasks. It is.
[0002]
[Prior art]
In a manufacturing process of a semiconductor device, a metal thin film such as a copper thin film is formed on the entire surface of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as a “wafer”) and a peripheral end surface (and, in some cases, a back surface). In some cases, a process of removing unnecessary portions by etching is performed. For example, the copper thin film for forming the wiring only needs to be formed in the device forming region on the front surface of the wafer, and therefore, the peripheral portion of the front surface of the wafer (for example, a portion having a width of about 5 mm from the peripheral end of the wafer), the back surface, The copper thin film formed on the peripheral end surface becomes unnecessary. In addition, the copper or copper ions on the peripheral portion, the back surface, and the peripheral end surface contaminate the hand of the substrate transfer robot provided in the substrate processing apparatus, and the contamination is transferred to another substrate held by the hand. Causes the problem of metastasis.
[0003]
For the same reason, a process for removing metal contaminants (including metal ions) on the surface by etching a thin film (such as an oxide film or a nitride film) other than the metal film formed on the periphery of the substrate is required. May be done.
A substrate peripheral processing apparatus for selectively etching a thin film at a peripheral portion and a peripheral end portion of a wafer includes, for example, a spin chuck that rotates while holding the wafer horizontally, and a space on the wafer above the spin chuck. A limiting plate; and an etchant supply nozzle for supplying an etchant to the lower surface of the wafer. The etchant supplied to the lower surface of the wafer travels on the lower surface of the wafer due to centrifugal force, moves outward in the radial direction of rotation, travels along the peripheral end surface of the wafer, and wraps around the upper surface thereof. Etch unnecessary objects. At this time, the blocking plate is arranged close to the upper surface of the wafer, and an inert gas such as nitrogen gas is supplied between the blocking plate and the wafer.
[0004]
By appropriately adjusting the flow rate of the inert gas, the distance between the shut-off plate and the wafer, and the number of revolutions of the spin chuck, the amount of wraparound of the etching solution can be adjusted. 7 mm) can be selectively etched (so-called bevel etching).
In order to supply the etching liquid from the lower surface of the wafer, a mechanical chuck having a configuration in which a peripheral portion of the wafer is held by a plurality of holding pins is used as the spin chuck. However, if the pin is in constant contact with the same portion of the peripheral portion of the wafer, the process of the peripheral portion of the wafer cannot be performed in a portion that is shaded by the pin.
[0005]
Therefore, as disclosed in Patent Document 1 below, by temporarily relaxing or canceling the holding by the holding pins while rotating the spin chuck, the relative rotation between the spin chuck and the wafer is caused to occur, A configuration has been proposed in which a holding position by a holding pin is shifted.
[0006]
[Patent Document 1]
JP 2001-118824 A
[Patent Document 2]
JP-A-11-26540
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described configuration, when the wafer is relatively rotated with respect to the spin chuck, the pin and the peripheral end surface of the wafer rub against each other, so that there is a problem that the pin is worn.
Also, if the pinching of the wafer by the pin is released during the processing, the minute gap between the wafer and the blocking plate cannot be kept constant, thereby reducing the amount of the etchant spilling from the back surface of the wafer. It cannot be controlled accurately.
[0008]
Furthermore, since the configuration is such that nitrogen gas is continuously supplied to the upper surface of the wafer for the purpose of preventing splash of the etchant into the device formation region and for the purpose of controlling the flow of the etchant, the consumption of nitrogen gas is reduced. There is also a problem that there are many.
Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate holding device and a substrate holding method that can reduce the problem of wear of components and stably hold a substrate.
It is another object of the present invention to provide a substrate holding mechanism and a substrate holding method capable of holding a substrate so that a peripheral portion of the substrate can be favorably processed.
[0009]
Still another object of the present invention is to provide a substrate holding mechanism and a substrate holding method which can stably hold a substrate throughout the processing of the substrate.
[0010]
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention
According to the first aspect of the present invention, the substrate is held in a state in which the liquid is kept stationary and the liquid and one main surface of the substrate (W) are in close contact with each other. A substrate holding member (11, 40, 80) and a regulating member (25, 55, 83) for regulating movement of the substrate held by the substrate holding member (in particular, movement in a direction along the one main surface). A substrate holding mechanism comprising: It should be noted that the alphanumeric characters in parentheses indicate corresponding components and the like in embodiments described later. Hereinafter, the same applies in this section.
[0011]
More specifically, the substrate holding member tightly holds one main surface of the substrate by the action of atmospheric pressure or the like with a liquid film (5, 58) formed by a stationary liquid interposed therebetween. is there. That is, when one main surface of the substrate is brought into close contact with the substrate holding member with the liquid film interposed therebetween, the atmospheric pressure acting on the main surface of the substrate opposite to the one main surface (the reduced pressure atmosphere or the reduced pressure atmosphere in the processing chamber). (Including pressure from a pressurized atmosphere), the substrate is strongly held on the substrate holding member. The liquid film between the substrate and the substrate holding member is held by the action of the surface tension of the liquid film, and the liquid constituting the liquid film does not spill, so that the substrate is stably held on the substrate holding member. become.
[0012]
With such a configuration, the substrate is held on the substrate holding member, and the movement of the substrate (in particular, the movement in the direction along one main surface of the substrate; the parallel movement relative to the substrate holding member) is controlled by the regulating member. Since the substrate is regulated, the substrate can be reliably held. In addition, the regulating member may be configured to contact the peripheral end surface of the substrate without any gap and to sandwich the substrate, but it is not necessary to necessarily contact the peripheral end surface of the substrate all the time, as long as the substrate can be prevented from jumping out. Since it is good, it can be provided in a state having a minute interval with respect to the peripheral end surface of the substrate. Therefore, the substrate can be held in a state where the peripheral end surface of the substrate is not shaded by any member, so that good processing can be performed over the entire peripheral end surface of the substrate, and the substrate can be clamped. It is not always necessary to provide a complicated mechanism for opening and closing the pins during rotation of the substrate.
[0013]
Also, there is no need to change or release the holding position of the substrate by relaxing or releasing the holding by the holding pins. For example, when the regulating member is arranged in a state having a gap with respect to the peripheral end surface of the substrate, the regulating member may be opposed to the same position on the peripheral end surface of the substrate from beginning to end. In this case, it is possible to avoid or suppress the problem of wear of parts.
The “one main surface” of the substrate described above refers to at least one of the two surfaces of the substrate, and may be a surface of a substrate on which devices are formed (device formation surface), The surface on which the device is not formed on the opposite side (non-device formation surface) may be used.
[0014]
The invention according to
The liquid introducing means may further introduce liquid between the substrate and the substrate holding surface while the substrate is held on the substrate holding surface of the substrate holding member via the liquid. In this case, by introducing a liquid (a large amount of liquid) between the substrate and the substrate holding surface while the substrate is held on the substrate holding surface, the substrate can be brought into a floating state on the substrate holding surface. Thus, the holding of the substrate by the substrate holding member can be released. In this case, it is preferable that the liquid introduction means supplies the liquid from a liquid introduction port (15) formed in the substrate holding surface.
[0015]
Further, if the liquid is supplied onto the substrate holding surface by the liquid introducing means before the one main surface of the substrate is brought into contact with the substrate holding surface, the supplied liquid causes a liquid film between the substrate and the substrate holding surface. Can be formed. Alternatively, even if one main surface of the substrate is temporarily brought into contact with the substrate holding surface and then liquid is supplied onto the substrate holding surface by the liquid introducing means, the substrate and the substrate holding surface are similarly supplied by the supplied liquid. And a liquid film between them can be formed.
[0016]
The invention according to claim 3 further comprises gas introducing means (15, 16, 17, 19) for introducing gas between the substrate holding member and the substrate. It is a holding mechanism.
It is preferable that the gas introduction means supplies gas from a gas introduction port (15) formed in the substrate holding surface of the substrate holding member.
According to this configuration, in a state where the substrate is held on the substrate holding surface of the substrate holding member via the liquid, a gas is introduced between the substrate holding surface of the substrate holding member and the substrate, so that both surfaces of the substrate are held. Since the atmospheric pressure can be applied equally to the above, the holding of the substrate by the substrate holding member can be released.
[0017]
The invention according to claim 4 is provided so as to be able to advance and retreat with respect to the one main surface of the substrate held by the substrate holding member, and to advance toward the one main surface of the substrate, thereby allowing the substrate to move toward the one main surface. The substrate holding mechanism according to any one of claims 1 to 3, further comprising a substrate holding release member (35) separated from the substrate holding member.
According to this configuration, the substrate can be peeled from the substrate holding member by the substrate holding release member, and the holding can be reliably released. In particular, by combining with the liquid introducing means of
[0018]
According to a fifth aspect of the present invention, the size of the liquid surface between the substrate holding member and the substrate is smaller than the size of the substrate. Processing device.
More specifically, for example, when the substrate to be held is a circular substrate such as a semiconductor wafer, the diameter of the liquid surface may be smaller than the diameter of the substrate.
According to this configuration, on the one main surface of the substrate to be held, since the peripheral portion is not in contact with the liquid surface, the peripheral portion can be treated with a processing fluid (especially, an etching solution). . That is, for example, while a device forming surface such as a semiconductor wafer is kept in contact with the liquid, the peripheral portion can be processed.
[0019]
In addition, at least a part (for example, a peripheral edge) of the substrate has a portion that is not in contact with the liquid surface, and thus has an advantage that the substrate can be easily separated from the substrate holding member.
The substrate holding mechanism can be applied to a substrate transfer hand (80) that holds and transfers a substrate. In this case, since the substrate can be stably held while restricting the movement of the substrate on the hand, it is possible to suppress the conveyance failure. Further, even if the substrate is displaced on the hand due to acceleration and deceleration of the hand during the transfer of the substrate, since direct friction between the substrate and the hand hardly occurs, generation of particles can be prevented.
[0020]
Further, as described in claim 7, the substrate holding mechanism holds the processing chuck (1, 1) for holding the substrate during a period in which the substrate is being processed (particularly during processing with a processing liquid or a processing gas). 50).
The invention according to claim 8 is characterized in that the substrate holding mechanism includes a substrate rotating mechanism (13, 53) for rotating the substrate (for example, around a rotation axis passing through the center thereof). This is a substrate holding mechanism.
[0021]
Since the close contact holding of the substrate to the substrate holding member by the action of the atmospheric pressure is sufficiently strong, even if the substrate is rotated, the substrate does not fall off the substrate holding member. That is, the substrate holding mechanism of the present invention can be applied to a spin chuck that rotates while holding a substrate.
According to a ninth aspect of the present invention, the regulating member is switchable between a clamping state in which the substrate is clamped and a release state in which the clamping of the substrate is released. It is a holding mechanism.
[0022]
It is preferable that the substrate holding mechanism further includes a control means (30) for controlling the regulating member to the sandwiched state when the rotation of the substrate is accelerated or decelerated, for example. When the substrate holding member is rotating at a constant speed, the relative rotation between the substrate holding member and the substrate hardly occurs, but when the rotation of the substrate is accelerated or decelerated, the substrate is held by the inertia force acting on the substrate. Attempts to rotate relative to the member may cause unstable holding of the substrate to the substrate holding member. Therefore, in such a case, if the regulating member is brought into contact with the peripheral end surface of the substrate so as to sandwich the substrate, it is possible to reliably prevent the substrate from jumping out.
[0023]
10. The substrate holding mechanism according to claim 10, wherein the substrate holding mechanism is used in a substrate processing apparatus that processes a peripheral portion of a substrate. May be used.
That is, for example, a substrate holding mechanism as described above, and processing fluid supply means (2, 71) for supplying a processing fluid (processing liquid or processing gas) to a peripheral portion of the substrate held by the substrate holding mechanism. Can be configured.
[0024]
According to the substrate holding mechanism of the present invention, when the processing fluid is supplied to the substrate and the substrate surface is processed, the substrate can be held without sandwiching the substrate. Can be performed well.
The processing fluid supply means may supply processing fluid (mainly liquid) to another main surface different from the one main surface facing the substrate holding surface of the substrate holding member. In this case, due to the viscosity of the processing fluid, the processing fluid wraps around the peripheral end surface of the substrate, reaches the peripheral portion of the one main surface, and performs processing on this region.
[0025]
In this case, it is preferable that the one main surface of the substrate is a device formation surface. Then, it is possible to effectively prevent the processing fluid from entering the device forming surface and processing the device forming surface.
According to the eleventh aspect of the present invention, the substrate is held in a state where the liquid is kept stationary by the substrate holding member (11, 40, 80), and the substrate is brought into close contact with one main surface of the substrate (W). And a movement regulating step of regulating movement of the substrate held by the substrate holding member.
[0026]
According to the present invention, the same effect as that of the first aspect can be obtained.
[0027]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is an illustrative sectional view for explaining a configuration of a substrate processing apparatus to which a substrate holding mechanism according to an embodiment of the present invention is applied. This substrate processing apparatus removes unnecessary substances (thin films, particles, metal ions, etc.) on the periphery of a device forming surface, which is one main surface of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as “wafer”) W, which is an example of a circular substrate. This is a device for performing a so-called bevel etching process or a bevel cleaning process for removal.
[0028]
The substrate processing apparatus includes a spin chuck 1 as a substrate holding mechanism, and a process of supplying a processing liquid (chemical solution or pure water) such as an etching liquid or pure water (rinse liquid) to a wafer W held by the spin chuck 1. And a
The spin chuck 1 holds the wafer W substantially horizontally and rotates around a vertical rotation axis passing through the center thereof. The
[0029]
The
[0030]
The wafer W placed on the
On the other hand, at the periphery of the
[0031]
A liquid /
[0032]
In the
[0033]
A regulation
[0034]
When the fixed driving
Since the
[0035]
The processing
The opening and closing of the
[0036]
The unprocessed wafer W is transferred by a transfer robot (not shown), and is transferred onto the
[0037]
Pure water for forming the
After the pure water is supplied so as to reach the entire surface of the
[0038]
Next, under the control of the
When the rotation of the spin chuck 1 is accelerated to reach a predetermined constant-speed rotation state, the
[0039]
In this state, under the control of the
[0040]
The amount of the etchant E flowing to the lower surface of the wafer W can be controlled by controlling the rotation speed of the wafer W. It is preferable that the amount of the wraparound is controlled, for example, so that the etchant wrapping around the lower surface of the wafer W does not reach the
[0041]
After the processing with the etching liquid E is performed on the wafer W, the etching
After the rinsing step, the rotation of the spin chuck 1 is stopped. Prior to the rotation stop, the
[0042]
In this state, the wafer W on the
[0043]
When unloading the wafer W, an inert gas may be supplied instead of supplying pure water from the liquid /
[0044]
As described above, according to the configuration of this embodiment, the wafer W is rotated while being held on the
Since the device formation region on the active surface of the wafer W is protected by the
[0045]
When the rotation of the spin chuck 1 is accelerated or decelerated, the wafer W is clamped by the regulating
Further, the processing width of the peripheral portion of the wafer W (the amount of the wraparound of the etching solution) can be controlled by controlling the rotation speed of the spin chuck 1, and therefore, in addition to the rotation speed of the spin chuck, the distance between the blocking plate and the wafer. As compared with the above-described prior art in which the flow rate of the inert gas is required to be controlled, the processing width can be accurately controlled.
[0046]
In addition, in the above-described prior art, the distance between the blocking plate and the wafer fluctuates when the wafer holding position is changed, and the processing width of the peripheral portion of the wafer becomes unstable with this. In the configuration of the embodiment, there is no such a problem, and the processing width of the peripheral portion of the wafer W can be accurately controlled throughout the processing period.
Further, it is necessary to prevent the etching liquid from splashing back to the device formation region of the wafer or to continuously supply an inert gas to the active surface of the wafer to control the amount of the etching liquid flowing around the wafer. Since the consumption of the inert gas can be significantly reduced as compared with the above, the running cost of the substrate processing apparatus can be reduced.
[0047]
FIG. 2 is an illustrative sectional view for explaining a configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. 2, parts corresponding to the respective parts shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as those in FIG.
In this embodiment, in the
[0048]
When the transfer robot transfers the wafer W to the spin chuck 1, the
[0049]
Next, the
[0050]
After that, the
When the rinsing process is completed, the rotation of the spin chuck 1 is stopped by the control of the
[0051]
In this state, the
[0052]
Thereafter, when processing the next wafer W, after supplying pure water for forming the
As described above, in this embodiment, since the separation of the wafer W from the
[0053]
Other configurations and operations are the same as those of the above-described first embodiment, including the configuration and operation of the restriction
FIG. 3 is an illustrative sectional view for explaining a configuration of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus supplies an etchant from the non-active surface side of the wafer W while holding the wafer W on the substrate holding surface via a water film, as in the first and second embodiments described above. Then, bevel etching or bevel cleaning processing for removing unnecessary substances from the peripheral portion of the wafer W by flowing this etching solution from the peripheral end surface of the wafer W to the active surface side is performed. The point of holding it upward is greatly different.
[0054]
More specifically, the substrate processing apparatus includes a
[0055]
A plurality of (for example, three at equal angular intervals) chuck pins 55 are provided at the peripheral edge of the
The
[0056]
When the fixed-side driving
[0057]
As shown in FIG. 4, the
Pure water is supplied to the
[0058]
The active surface of the wafer W that is in close contact with the
[0059]
Since the
With the wafer W held on the
[0060]
In a state where the
[0061]
A through
[0062]
With such a configuration, the
[0063]
The wraparound amount of the etchant E can be optimally controlled by controlling the rotation speed of the
After the bevel etching process or the bevel cleaning process is completed, the
[0064]
When the processing on the wafer W is completed in this way, the
As described above, also in this embodiment, the bevel etching process or the bevel cleaning process can be performed on the wafer W in a state where the wafer W is held on the
[0065]
FIG. 5 is a view for explaining a configuration of a substrate transfer hand according to the fourth embodiment of the present invention. The
In this embodiment, the
[0066]
Around the
The supply of pure water for forming a stationary pure water film between the wafer W and the
[0067]
The liquid /
When the wafer W held through the stationary water film is separated from the
[0068]
According to this embodiment, since the holding of the wafer W using the stationary water film is stable, the transfer of the wafer W can be reliably performed.
The four embodiments of the present invention have been described above, but the present invention can be embodied in other forms. For example, in the above embodiment, a film of stationary pure water is formed between the wafer W and the
[0069]
Further, in the above first to third embodiments, an example of the substrate processing apparatus in which the bevel etching process or the bevel cleaning process is performed has been described. However, in the present invention, the etching process or the cleaning process is performed on the entire surface of the substrate. Etching processing equipment and cleaning processing equipment, coater processing equipment for forming a coating film such as a resist on a substrate, development processing equipment for developing a photosensitive film (resist film, etc.) on a substrate after exposure, dry etching The present invention can also be applied to a polymer removing device that removes a residue (polymer) remaining on a substrate such as after. When the present invention is applied to these apparatuses, the substrate to be processed is held with the surface opposite to the surface to be processed (mainly the active surface on which devices and the like are formed) facing the substrate holding surface. Preferably.
[0070]
Further, in the first and second embodiments, the driving mechanism for switching the regulating
In the fourth embodiment, pure water or an inert gas is supplied to the
[0071]
Further, in the above-described embodiment, the configuration for performing the processing on the wafer has been described. However, the substrate to be processed or transferred may be a circular substrate other than the wafer, or a square substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device. It may be.
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an illustrative sectional view for explaining a configuration of a substrate processing apparatus to which a substrate holding mechanism according to an embodiment of the present invention is applied.
FIG. 2 is an illustrative sectional view for explaining a configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an illustrative sectional view for explaining a configuration of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a perspective view illustrating a configuration of a substrate holding plate.
FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of a substrate transfer hand according to a fourth embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Spin chuck
2 Processing liquid supply nozzle
5 Water film
11 Spin Base
11a Substrate holding surface
11b Counterbore
12 Rotary axis
13 Rotation drive mechanism
15 Liquid / gas inlet
16 Liquid / gas supply pipe
17 Liquid / gas supply path
18 Pure water supply valve
19 Inert gas supply valve
20 Regulation pin drive mechanism
21 Link mechanism
22 Drive mechanism
23 Rotation side driving force transmission member
24 bearing
25 Regulatory pin
25a Rotation axis
26 Fixed side driving force transmission member
27 Elevating drive mechanism for regulating pin drive
30 control unit
31 Etching liquid supply valve
32 Pure water supply valve
34 Through hole
35 lifting pins
36 Lifting pin drive mechanism
40 board holding plate
40a substrate holding surface
40b Counterbore
50 Spin chuck
51 Spin Base
52 Rotation axis
53 Rotation drive mechanism
55 chuck pin
55a Rotation axis
55A Shaft
55B clamping part
56 Through hole
58 Water film
60 Chuck pin drive mechanism
61 Link mechanism
62 drive mechanism
63 Rotation side driving force transmission member
64 bearing
66 Fixed side driving force transmission member
67 Elevating drive mechanism for driving chuck pin
70 Treatment liquid supply pipe
71 Processing liquid supply nozzle
72 Etching liquid supply valve
73 Pure water supply valve
80 Substrate transfer hand
80a Board holding surface
81 Hand body
82 Projection
83 Regulator
85 Liquid / gas inlet
86 Liquid / gas introduction path
87 Pure water supply valve
88 Inert gas supply valve
E Etching liquid
W wafer
Claims (11)
この基板保持部材に保持されている基板の移動を規制する規制部材とを含むことを特徴とする基板保持機構。While holding the liquid in a stationary state, a substrate holding member that holds the substrate in a state where the liquid and one main surface of the substrate are in close contact with each other,
A regulating member for regulating movement of the substrate held by the substrate holding member.
上記基板保持部材に保持されている基板の移動を規制する移動規制工程とを含むことを特徴とする基板保持方法。A substrate holding step of holding the substrate in a state in which the liquid and the one main surface of the substrate are in close contact with each other while holding the liquid stationary by the substrate holding member;
A movement regulating step of regulating movement of the substrate held by the substrate holding member.
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