JPS6119110B2 - - Google Patents
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- JPS6119110B2 JPS6119110B2 JP5050881A JP5050881A JPS6119110B2 JP S6119110 B2 JPS6119110 B2 JP S6119110B2 JP 5050881 A JP5050881 A JP 5050881A JP 5050881 A JP5050881 A JP 5050881A JP S6119110 B2 JPS6119110 B2 JP S6119110B2
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Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 96
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 36
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 36
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 10
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000012840 feeding operation Methods 0.000 description 1
- ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N gallium;gadolinium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Gd+3] ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は結晶基板を接着板に高精度で接着し得
るようにしたウエハ接着装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a wafer bonding device that can bond a crystal substrate to an adhesive plate with high precision.
近年、シリコン基板を用いた集積回路やGGG
(ガドリニウム・ガリウム・ガーネツト)基板を
用いた磁気バブル回路は、益々微細化、高密度化
の方向に進歩しつつある。このために、高い平面
度を有する結晶基板を効率よく製作する加工技術
が要求されている。この結晶基板を加工する際
に、結晶基板を接着板に接着する方法が実施され
ているが、高い平面度に加工するためには接着層
の厚さを薄く且つ均一にする必要がある。そこ
で、本発明者らは既に特願昭51−75587号(特開
昭53−1464号公報)「結晶基板の接着方法」にお
いて、接着用ワツクスを有機溶剤に溶解した溶液
をウエハ面および接着板もしくはそのいずれか一
方に噴霧状に塗布したのち、ウエハを接着板上に
載せて加熱加圧することにより接着するようにし
た接着方法を提案した。 In recent years, integrated circuits using silicon substrates and GGG
Magnetic bubble circuits using (gadolinium gallium garnet) substrates are progressing in the direction of further miniaturization and higher density. For this reason, there is a need for processing techniques that efficiently produce crystal substrates with high flatness. When processing this crystal substrate, a method is used in which the crystal substrate is bonded to an adhesive plate, but in order to process the crystal substrate to a high degree of flatness, it is necessary to make the thickness of the adhesive layer thin and uniform. Therefore, the present inventors have already proposed in Japanese Patent Application No. 51-75587 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 53-1464) ``Method for bonding crystal substrates'' that a solution of adhesive wax dissolved in an organic solvent was applied to the wafer surface and the bonding plate. Alternatively, an adhesion method was proposed in which the wafer is applied in a spray form to either one of them, and then the wafer is placed on an adhesive plate and bonded by heating and pressing.
しかしながら、このような接着方法においても
ウエハのハンドリングを手作業で行つているた
め、ウエハが汚染されたり、接着層に塵埃が入る
機会が多く、接着の再現性、作業能率等に問題が
あり、また作業者の熟練を必要としていた。さら
に、結晶基板の接着では、ウエハのオリエンテー
シヨンフラツト(切り欠き)の向きを所定の方向
にそろえることが重要な課題である。 However, even with this bonding method, the wafers are handled manually, so there are many opportunities for the wafers to become contaminated or for dust to enter the adhesive layer, resulting in problems with bonding reproducibility, work efficiency, etc. It also required the skill of the operator. Furthermore, in bonding crystal substrates, it is an important issue to align the orientation flats (notches) of the wafer in a predetermined direction.
本発明は上述したような点に鑑みてなされたも
ので、接着剤の噴霧塗布−溶媒の乾燥蒸発−位置
決め接着の一連の工程を自動的に行うことによ
り、作業者のミスによる不良原因を排除すること
ができ、作業能率の向上を計ると共に接着層への
塵埃の混入が少なく高い精度で接着し得るように
したウエハ接着装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and eliminates the causes of defects caused by operator errors by automatically performing a series of processes: spraying adhesive, drying and evaporating solvent, and positioning and adhering. It is an object of the present invention to provide a wafer bonding device that can improve work efficiency, reduce dust intrusion into the adhesive layer, and bond with high precision.
この目的を達成するために、本発明のウエハ接
着装置は、チヤツキングステーシヨンに供給され
たウエハをウエハ吸着板で吸着保持して噴霧室に
移送し、この噴霧室でウエハ吸着板を回転させな
がらウエハの一面に接着剤を噴霧塗布し、接着剤
中の溶媒を乾燥室で乾燥蒸発させ、前記ウエハを
回転させ、所定の位置に停止させた後、前記ウエ
ハを割出板上の接着板に前記ウエハ吸着板で押付
けて接着するようにしたことを特徴としている。 To achieve this objective, the wafer bonding apparatus of the present invention suction-holds the wafer supplied to the chucking station with a wafer suction plate, transfers it to a spray chamber, and rotates the wafer suction plate in the spray chamber. The adhesive is sprayed onto one side of the wafer, the solvent in the adhesive is dried and evaporated in a drying chamber, the wafer is rotated and stopped at a predetermined position, and then the wafer is placed on an adhesive plate on an indexing plate. The wafer is bonded by pressing the wafer with the wafer suction plate.
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳
細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the drawings.
第1図は本発明に係るウエハ接着装置の一実施
例を示す一部破断全体斜視図、第2図は吸着機構
の断面図である。これらの図において、全体を符
号1で示すウエハ接着装置はウエハキヤリア2を
備えており、このウエハキヤリア2の内部には複
数枚のウエハ3が積層状態で収容されている。そ
して、このウエハキヤリア2の右方にはチヤツキ
ングステーシヨン4が、左方にはウエハ供給機構
Aが、そして下方にはエレベータ機構Bがそれぞ
れ配設されている。 FIG. 1 is a partially cutaway overall perspective view showing an embodiment of a wafer bonding apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of a suction mechanism. In these figures, the wafer bonding apparatus, generally designated by the reference numeral 1, includes a wafer carrier 2, and a plurality of wafers 3 are housed in a stacked state inside the wafer carrier 2. A chucking station 4 is disposed on the right side of this wafer carrier 2, a wafer supply mechanism A is disposed on the left side, and an elevator mechanism B is disposed below.
前記ウエハ供給機構Aは前記ウエハキヤリア2
内のウエハ3を1枚ずつ押し出して前記チヤツキ
ングステーシヨン4に供給するためのもので、例
えば軸5に摺動自在に保持されたプレート6に一
端が固定され、他端がウエハキヤリア2方向に延
在する押出板7と、複数個のプーリ8に張架さ
れ、両端が前記プレート6に固定されたベルト9
と、前記プーリ8の一つを回転駆動させる正逆回
転自在な駆動モータ(図示せず)とで構成されて
いる。したがつて、前記駆動モータの駆動により
ベルト9を矢印方向に走行させると、プレート6
が右方に移動するため、押出板7はウエハキヤリ
ア2を貫通して積載されている最下層のウエハ3
を1枚だけ前方に押出し、これによつてウエハ3
が前記チヤツキングステーシヨン4に供給され
る。そして、ウエハ3の供給動作が終了すると、
駆動モータの回転方向が自動的に切換られ、押出
板7をウエハキヤリア2から退出させる。なお、
このウエハ供給機構Aはこれに限らず従来周知の
適宜な供給機構を用いることが可能であることは
勿論である。 The wafer supply mechanism A is the wafer carrier 2.
The device is for pushing out the wafers 3 one by one and supplying them to the chucking station 4. For example, one end is fixed to a plate 6 that is slidably held on a shaft 5, and the other end is connected to the wafer carrier 2. a belt 9 stretched across a plurality of pulleys 8 and fixed at both ends to the plate 6;
and a drive motor (not shown) that rotates in forward and reverse directions and rotates one of the pulleys 8. Therefore, when the belt 9 is driven in the direction of the arrow by the drive motor, the plate 6
moves to the right, the pusher plate 7 penetrates the wafer carrier 2 and removes the lowermost layer of wafers 3 loaded.
By pushing forward only one wafer, wafer 3
is supplied to the chucking station 4. Then, when the feeding operation of wafer 3 is completed,
The direction of rotation of the drive motor is automatically switched to move the pusher plate 7 out of the wafer carrier 2. In addition,
Of course, the wafer supply mechanism A is not limited to this, and any conventionally known appropriate supply mechanism may be used.
前記エレベータ機構Bはウエハキヤリア2の高
さを調整するためのもので、例えば正逆回転自在
な駆動モータ10と、の駆動モータ10の駆動軸
に設けられたねじ軸11と、このねじ軸11に螺
装されたナツト12と、このナツト12に支柱1
3を介して固定されたキヤリア台14とで構成さ
れ、このキヤリア台14の上に前記ウエハキヤリ
ア2が配設されている。そして、前記駆動モータ
10の回転に伴いナツト12が上下移動すると、
前記ウエハキヤリア2はキヤリア台14と共に上
昇または下降してその高さが調整される。 The elevator mechanism B is for adjusting the height of the wafer carrier 2, and includes, for example, a drive motor 10 that can freely rotate in forward and reverse directions, a screw shaft 11 provided on the drive shaft of the drive motor 10, and this screw shaft 11. A nut 12 is screwed onto the
The wafer carrier 2 is constructed of a carrier table 14 fixed via a carrier plate 3, and the wafer carrier 2 is disposed on the carrier table 14. When the nut 12 moves up and down as the drive motor 10 rotates,
The wafer carrier 2 is raised or lowered together with the carrier table 14 to adjust its height.
前記チヤツキングステーシヨン4上のウエハ3
は吸着機構Cによつて吸着保持され、この吸着機
構Cを移送機構Dによつて右方に移動させること
により後述する噴霧器および乾燥室に移送され
る。前記移送機構Dは正逆回転自在な駆動モータ
15と、この駆動モータ15の軸に固定されたス
プロケツト16aおよび回転自在に軸支された4
個のスプロケツト16b〜16eと、これらスプ
ロケツト16a〜16eに張架され、両端がキヤ
リツジ17に固定されたチエイン18と、前記キ
ヤリツジ17に設けられた複数個のローラ19
と、これらローラ19が転動する上下一対のレー
ル20とで構成されている。そして、前記キヤリ
ツジ17の上端には略L字状に折曲されたアーム
21の基端が固定されており、このアーム21の
先端部には前記吸着機構Cを構成するエアシリン
ダ22が配設されている。 Wafer 3 on the chucking station 4
is adsorbed and held by an adsorption mechanism C, and by moving this adsorption mechanism C to the right by a transfer mechanism D, it is transferred to a sprayer and a drying chamber, which will be described later. The transfer mechanism D includes a drive motor 15 that can freely rotate in forward and reverse directions, a sprocket 16a fixed to the shaft of the drive motor 15, and a sprocket 4 that is rotatably supported.
sprockets 16b to 16e, a chain 18 stretched over these sprockets 16a to 16e and fixed at both ends to the carriage 17, and a plurality of rollers 19 provided on the carriage 17.
and a pair of upper and lower rails 20 on which these rollers 19 roll. The base end of an arm 21 bent into a substantially L-shape is fixed to the upper end of the carriage 17, and an air cylinder 22 constituting the suction mechanism C is disposed at the tip of the arm 21. has been done.
前記吸着機構Cは第2図に示すように上端にフ
ランジ24aを有する中空状の軸24にOリング
25を介して回転自在に軸支された回転板26
と、この回転板26の下面中央に固定され、中央
に小孔27が穿設さた吸着板28と、前記軸24
を収納し、該軸24の下端部がその下面中央に穿
設された孔29から外部に突出する円筒状のケー
ス30と、このケース30の上端開口部に螺合さ
れたナツト31と、前記ケース30内に収納され
て前記軸24を常時下方に付勢している圧縮ばね
32と、前記ナツト31の中央に形成されたねじ
孔33に下端ねじ部34aが螺入し、前記エアシ
リンダ22の作動によつて上下移動されるピスト
ン34とを備えており、前記ケース30の内部と
前記吸着板28の小孔27とは前記軸24の中心
孔35を介して連通されている。また、前記ケー
ス30の周面には排気チユーブ36の一端が接続
されており、この排気チユーブ36の他端は排気
ポンプ(図示せず)に接続されている。さらに、
前記吸着機構Cには前記回転板26、換言すれば
吸着板28を必要に応じて回転させ、かつケース
30に対して定められた所定位置に停止させるた
めの回転停止機構Eが配設されている。この回転
停止機構Eは同期モータと同様磁力の反撥力と吸
引力により回転板26を回転させるもので、前記
回転板26の上面に同心円上に配設された複数個
の永久磁石37と、前記ケース30の外周面に固
定され、先端面が前記永久磁石37と近接対向す
るように略L字状に折曲された鉄心38にコイル
39を巻回してなる電磁石40とで構成されてい
る。 As shown in FIG. 2, the suction mechanism C includes a rotating plate 26 rotatably supported via an O-ring 25 on a hollow shaft 24 having a flange 24a at the upper end.
, a suction plate 28 fixed to the center of the lower surface of the rotary plate 26 and having a small hole 27 bored in the center, and the shaft 24
a cylindrical case 30 in which the shaft 24 is housed, and the lower end of the shaft 24 projects outward from a hole 29 bored in the center of the lower surface; a nut 31 screwed into the upper end opening of the case 30; A compression spring 32 is housed in the case 30 and always urges the shaft 24 downward, and a lower end threaded portion 34a is screwed into a threaded hole 33 formed in the center of the nut 31, and the air cylinder 22 The inside of the case 30 and the small hole 27 of the suction plate 28 are communicated through the center hole 35 of the shaft 24. Further, one end of an exhaust tube 36 is connected to the circumferential surface of the case 30, and the other end of the exhaust tube 36 is connected to an exhaust pump (not shown). moreover,
The suction mechanism C is provided with a rotation stop mechanism E for rotating the rotating plate 26, in other words, the suction plate 28 as necessary, and stopping it at a predetermined position relative to the case 30. There is. This rotation stop mechanism E rotates a rotary plate 26 by the repulsion and attraction force of magnetic force, similar to a synchronous motor, and includes a plurality of permanent magnets 37 arranged concentrically on the upper surface of the rotary plate 26, and The electromagnet 40 is fixed to the outer peripheral surface of the case 30 and is formed by winding a coil 39 around an iron core 38 bent into a substantially L-shape so that the tip end face closely faces the permanent magnet 37.
加えて、前記回転板26の下面周縁部には複数
個の風車41が周方向に配設されている。 In addition, a plurality of windmills 41 are disposed circumferentially around the lower surface of the rotary plate 26 .
前記チヤツキングステーシヨン4の右方には噴
霧室42が配設されている。この噴霧室42は箱
体42Aによつて形成されるもので、この箱体4
2Aの上面には前記吸着機構Cを挿入し得る丸孔
が形成されて上部入口43を構成している。ま
た、上部入口43にはノズル44が多数形成さ
れ、このノズル44から窒素ガスが噴射されるこ
とによりエアカーテン45を形成している。前記
箱体42Aの下方には接着剤を噴霧するための噴
霧器46がプレート49に固定されて配設されて
いる。前記プレート49は、上端が開放して前記
箱体42A内に収納され、下端部が該箱体42A
の下方に突出する箱形の取付筒48に複数個のボ
ルト50およびナツト51によつて取付けられて
いる。したがつて、ナツト51を緩めてプレート
49を上下させると、噴霧器46の高さが調整さ
れる。また、ナツト51のいくつかを緩めてプレ
ート49を左右または前後方向に傾けると、噴霧
器46のノズル47の向きが変えられる。前記箱
体42Aの内部下方には排気口52を有する排気
管53が配管されており、この排気管53によつ
て噴霧室42内に噴射された接着剤およびエアカ
ーテン45のガスを外部に排気するようにしてい
る。 A spray chamber 42 is disposed to the right of the chucking station 4. This spray chamber 42 is formed by a box body 42A.
A round hole into which the suction mechanism C can be inserted is formed on the upper surface of 2A to constitute an upper entrance 43. Further, a large number of nozzles 44 are formed at the upper inlet 43, and nitrogen gas is injected from the nozzles 44 to form an air curtain 45. A sprayer 46 for spraying adhesive is fixed to a plate 49 and arranged below the box body 42A. The plate 49 is housed in the box body 42A with its upper end open, and its lower end is opened in the box body 42A.
It is attached to a box-shaped mounting tube 48 projecting downward by a plurality of bolts 50 and nuts 51. Therefore, by loosening the nut 51 and moving the plate 49 up and down, the height of the atomizer 46 can be adjusted. Further, by loosening some of the nuts 51 and tilting the plate 49 in the left-right or front-back direction, the direction of the nozzle 47 of the sprayer 46 can be changed. An exhaust pipe 53 having an exhaust port 52 is installed in the lower part of the inside of the box body 42A, and this exhaust pipe 53 exhausts the adhesive injected into the spray chamber 42 and the gas in the air curtain 45 to the outside. I try to do that.
なお、前記噴霧器46には接着剤容器54から
チユーブ55を通つて接着液が供給されると共に
パイプ56を通つて噴霧用窒素ガスが噴霧時に供
給される。 The sprayer 46 is supplied with an adhesive liquid from an adhesive container 54 through a tube 55, and is also supplied with atomizing nitrogen gas through a pipe 56 during spraying.
前記噴霧室42の右方には乾燥室57を形成す
る箱体58が配設されており、この箱体58は上
方が開放し、内部には赤外線ランプ59が収容さ
れている。そして、この箱体58の右方には割出
板60が基台61上に載置されて配設されてい
る。前記割出板60の上面にはクツシヨン材62
を介して接着板63が粘着テープ等で固定されて
いる。前記クツシヨン材62は接着時にウエハ3
がかたい接着板63に衝突して損傷するのを防止
するためのもので、発泡ポリウレタン等が用いら
れる。前記割出板60の割出しは、基台61の下
向に固定されたモータ65を図示しないタイマに
より設定された通電時間だけ回転させ、この回転
を例えばウオームギヤ等で減速して前記割出板6
0に伝えることにより行われる。 A box 58 forming a drying chamber 57 is disposed to the right of the spray chamber 42. The box 58 is open at the top and an infrared lamp 59 is housed inside. An index plate 60 is disposed on the right side of the box body 58 and placed on a base 61. A cushion material 62 is provided on the upper surface of the index plate 60.
An adhesive plate 63 is fixed with adhesive tape or the like via the. The cushion material 62 is attached to the wafer 3 during bonding.
This is to prevent damage caused by collision with the hard adhesive plate 63, and foamed polyurethane or the like is used. The indexing plate 60 is indexed by rotating a motor 65 fixed downwardly on the base 61 for an energizing time set by a timer (not shown), and decelerating this rotation with, for example, a worm gear. 6
This is done by telling 0.
次に、上記構成においてウエハの接着動作を説
明する。 Next, the wafer bonding operation in the above configuration will be explained.
先ずウエハキヤリア2に複数枚のウエハ3を装
填し、前記ウエハキヤリア2をキヤリア台14上
に載置固定する。この時、各ウエハ3はその一部
周縁に形成された切欠き3aを一致させて順次積
層され、前記ウエハキヤリア2に収容される。 First, a plurality of wafers 3 are loaded onto the wafer carrier 2, and the wafer carrier 2 is mounted and fixed on the carrier table 14. At this time, the wafers 3 are stacked one on top of the other with their notches 3a formed on their peripheries partially aligned, and then accommodated in the wafer carrier 2.
前記ウエハ3の装填が終了し、ボタン操作によ
りウエハ接着装置1を作動させると、ウエハ3の
接着動作が開始される。すなわち、駆動モータ1
0の駆動によつてウエハキヤリア2を上昇させ、
最下層のウエハ3を押出板7の高さと一致させ
る。吸着機構Cをチヤツキングステーシヨン4の
上方に位置させると共に電磁石40に通電して回
転板26を回転させ、吸着板28が所定の向きに
至つた時、停止させる。 When the loading of the wafer 3 is completed and the wafer bonding device 1 is operated by operating a button, the bonding operation of the wafer 3 is started. That is, drive motor 1
0 to raise the wafer carrier 2,
The height of the lowest layer wafer 3 is made to match the height of the extrusion plate 7. The suction mechanism C is positioned above the chucking station 4, and the electromagnet 40 is energized to rotate the rotating plate 26, and when the suction plate 28 reaches a predetermined orientation, it is stopped.
押出板7を一往復させてウエハキヤリア2内の
ウエハ3を一枚だけチヤツキングステーシヨン4
に押出す。このウエハ3の押出しが終了すると、
ウエハキヤリア2は一段降下し、次の押出し動作
に備える。前記チヤツキングステーシヨン4上の
ウエハ3は、エアシリンダ22の駆動による回転
板26の降下に伴い、吸着板28によつて吸着保
持され、前記回転板26の上昇により持ち上げら
れる。次いで、吸着機構Cは移送機構Dの駆動に
よつて箱体42A上に移動され、上部入口43か
らその内部、すなわち噴霧室42に挿入される。
ノズル44によつて窒素ガスを噴射し、上部入口
43にエアカーテン45を張つた後、スプレータ
イマの設定時間だけ噴霧器46のノズル47から
噴霧用窒素ガスと接着液を噴霧し、吸着板28に
吸着されているウエハ3の下面に接着剤を塗布す
る。この時、回転板26は電磁石40への通電に
より回転される。そのため、風車41も回転板2
6と一体に回転し、ウエハ3に塗布された接着剤
層の厚さを均一にする。接着剤のウエハ3に対す
る噴霧塗布が終了すると、エアカーテン45を切
ると共にエアシリンダ22を駆動して回転板26
を上昇させ噴霧室42から引き出す。噴霧室42
から抜き出された回転板26は移送機構Dの駆動
によつてさらに右方に移動されて箱体58上に位
置され、しかる後乾燥室57内に挿入される。こ
の挿入に伴つて赤外線ランプ59が点灯し、この
時の熱により吸着板28に吸着保持されているウ
エハ3に塗布された接着剤中の溶媒を乾燥蒸発さ
せる。溶媒の乾燥蒸発が終ると、回転板26は再
び上昇して乾燥室57から引き出され、接着板6
3の上方に移動される。この時、電磁石40への
通電により回転板26が回転されて吸着板28を
所定の向きに静止させる。接着板63は駆動モー
タ65の駆動によつて割出板60と共にタイマの
設定時間だけ回転され、これによつてウエハ3に
対する接着板63の割出しが行われる。次いで、
吸着機構Cが降下して吸着板28に吸着保持され
ているウエハ3を前記接着板63に押付けて接着
固定する。この時、ケース30内に収納されてい
る圧縮ばね32はウエハ3を接着板63に押付け
る際の衝撃を吸収緩和すると共にこのばね32の
弾撥力を軸24を介して吸着板28に作用させる
ことにより接着剤の粘着力でウエハ3が接着板6
3上で位置ずれを起すので防止する。 The extrusion plate 7 is moved back and forth once to transfer only one wafer 3 in the wafer carrier 2 to the chucking station 4.
Extrude to. When extrusion of this wafer 3 is completed,
The wafer carrier 2 descends one step and prepares for the next extrusion operation. The wafer 3 on the chucking station 4 is sucked and held by the suction plate 28 as the rotary plate 26 is lowered by the drive of the air cylinder 22, and is lifted as the rotary plate 26 rises. Next, the suction mechanism C is moved onto the box body 42A by the drive of the transfer mechanism D, and inserted into the interior of the box body 42A, that is, into the spray chamber 42 from the upper entrance 43.
After injecting nitrogen gas through the nozzle 44 and setting an air curtain 45 at the upper inlet 43, atomizing nitrogen gas and adhesive liquid are sprayed from the nozzle 47 of the sprayer 46 for the time set by the spray timer, and onto the suction plate 28. Adhesive is applied to the lower surface of the wafer 3 that is being sucked. At this time, the rotating plate 26 is rotated by energizing the electromagnet 40. Therefore, the wind turbine 41 also has the rotating plate 2.
6 to make the thickness of the adhesive layer applied to the wafer 3 uniform. When the spray application of the adhesive to the wafer 3 is completed, the air curtain 45 is cut and the air cylinder 22 is driven to remove the rotary plate 26.
is raised and pulled out from the spray chamber 42. Spray chamber 42
The rotary plate 26 extracted from the rotary plate 26 is further moved to the right by the drive of the transfer mechanism D, positioned on the box body 58, and then inserted into the drying chamber 57. In conjunction with this insertion, the infrared lamp 59 is turned on, and the heat generated at this time dries and evaporates the solvent in the adhesive applied to the wafer 3 held by the suction plate 28. When the drying and evaporation of the solvent is completed, the rotary plate 26 rises again and is pulled out from the drying chamber 57, and the adhesive plate 6
Moved above 3. At this time, the rotating plate 26 is rotated by energizing the electromagnet 40, and the suction plate 28 is held still in a predetermined direction. The adhesive plate 63 is rotated together with the indexing plate 60 by the time set by the timer by the driving of the drive motor 65, thereby indexing the adhesive plate 63 relative to the wafer 3. Then,
The suction mechanism C descends and presses the wafer 3, which is suctioned and held on the suction plate 28, against the adhesive plate 63 to adhesively fix it. At this time, the compression spring 32 housed in the case 30 absorbs and relieves the impact when the wafer 3 is pressed against the adhesive plate 63, and the elastic force of the spring 32 is applied to the suction plate 28 via the shaft 24. By doing so, the wafer 3 is attached to the adhesive plate 6 by the adhesive force of the adhesive.
3. Avoid this as it will cause misalignment.
接着板63への接着が終了すると、吸着板28
によるウエハ3の真空吸着を切り、吸着板28を
上昇させると共に吸着機構Cを移送機構Dの駆動
によつて元の位置、すなわちチヤツキングステー
シヨン4の上方に戻す。 When the adhesion to the adhesive plate 63 is completed, the suction plate 28
The vacuum suction of the wafer 3 is turned off, the suction plate 28 is raised, and the suction mechanism C is returned to its original position, that is, above the chucking station 4, by driving the transfer mechanism D.
以上の動作を繰返すことにより、例えば1枚の
接着板63に3枚のウエハ3が接着される。すな
わち、第3図aに示すように1回目で1枚のウエ
ハ3が接着板63上に接着され、2回目では同図
bに示すように割出板の割出しによつて接着板6
3を120度回転させて2枚目のウエハ3が接着さ
れ、さらに3回目では同図cに示すように接着板
63をさらに120度回転させて3枚目のウエハ3
が接着される。 By repeating the above operations, three wafers 3 are bonded to one bonding plate 63, for example. That is, as shown in FIG. 3a, one wafer 3 is bonded onto the adhesive plate 63 in the first time, and in the second time, as shown in FIG.
3 is rotated 120 degrees and the second wafer 3 is bonded.Furthermore, for the third time, as shown in FIG.
is glued.
なお、本装置において直径が異なるウエハ3を
接着板63に装着する場合には、ウエハキヤリア
2,キヤリア台14およびチヤツキングステーシ
ヨン4を適合するものに交換すると共に押出板7
の左右方向の移動範囲とキヤリツジ17の移動範
囲を規定するリミツトスイツチ(図示せず)の回
路を適合するものに切替えることにより可能であ
る。 In addition, when mounting wafers 3 with different diameters on the adhesive plate 63 in this apparatus, the wafer carrier 2, carrier table 14, and chucking station 4 must be replaced with suitable ones, and the extrusion plate 7 must be replaced.
This is possible by changing the circuit of a limit switch (not shown) that defines the horizontal movement range of the carriage 17 and the movement range of the carriage 17 to a suitable one.
また、前述した一連の接着工程の後接着をより
完全にするために、本装置で接着されたウエハ3
と接着板63は、加熱・加圧保持装置により接着
剤が溶融流動する温度以上に加熱され、ウエハ3
が接着板63に加圧保持される。これによつて接
着層の薄層化,均一化および接着力の強化が図ら
れる。 In addition, in order to achieve more complete adhesion after the series of adhesion steps described above, the wafer 3 bonded with this device
The adhesive plate 63 is heated by a heating/pressure holding device to a temperature higher than the temperature at which the adhesive melts and flows, and the wafer 3
is held under pressure by the adhesive plate 63. This makes it possible to make the adhesive layer thinner, more uniform, and strengthen the adhesive force.
以上説明したように本発明によるウエハ接着装
置は接着工程を自動化し、ウエハの手による取扱
い作業を一切排除したので、ハンドリングによる
ミスおよび塵埃の付着を防止することができ、ウ
エハを高精度に装着できる。そのため、接着層は
直径100mm程度の結晶基板に亘つて塵埃にない1
μm以下の均一厚さとなり、加工基板の形状精度
は平行度1μm,ウエハの相互間板厚差も±1μ
m以下に押えることができる。また従来の手作業
に比べて接着時間を短縮でき、生産性を向上させ
ることができると共に、熟練作業者に頼らなくと
も均一で高精度の接着を行うことができるなどそ
の効果は非常に大である。 As explained above, the wafer bonding apparatus according to the present invention automates the bonding process and eliminates any manual handling of wafers, making it possible to prevent handling errors and dust adhesion, and to mount wafers with high precision. can. Therefore, the adhesive layer covers the crystal substrate with a diameter of about 100 mm and is free from dust.
The uniform thickness is less than μm, the shape accuracy of the processed substrate is 1 μm in parallelism, and the thickness difference between wafers is ±1 μm.
It can be kept below m. In addition, compared to traditional manual methods, the gluing time can be shortened, productivity can be improved, and even and highly accurate gluing can be performed without relying on skilled workers. be.
第1図は本発明に係るウエハ接着装置の一実施
例を示す一部破断斜視図、第2図は吸着機構の断
面図、第3図a〜cはウエハの接着を説明するた
めの図である。
1……ウエハ接着装置、2……ウエハキヤリ
ア、3……ウエハ、3a……切欠き、4……チヤ
ツキングステーシヨン、24……軸、28……吸
着板、30……ケース、35……中心孔、37…
…永久磁石、40……電磁石、42……噴霧室、
43……上部入口、45……エアカーテン、46
……噴霧器、48……取付筒、57……乾燥室、
60……割出板、62……クツシヨン材、63…
…接着板、A……ウエハ供給機構、B……エレベ
ータ機構、C……吸着機構、D……移送機構、E
……回転停止機構。
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing an embodiment of a wafer bonding device according to the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of a suction mechanism, and FIGS. 3 a to 3 c are diagrams for explaining wafer bonding. be. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Wafer bonding device, 2... Wafer carrier, 3... Wafer, 3a... Notch, 4... Chucking station, 24... Shaft, 28... Adsorption plate, 30... Case, 35... ...Center hole, 37...
...Permanent magnet, 40...Electromagnet, 42...Spray chamber,
43... Upper entrance, 45... Air curtain, 46
... Sprayer, 48 ... Mounting cylinder, 57 ... Drying room,
60... Index plate, 62... Cushion material, 63...
...Adhesive plate, A...Wafer supply mechanism, B...Elevator mechanism, C...Adsorption mechanism, D...Transfer mechanism, E
...Rotation stop mechanism.
Claims (1)
キングステーシヨンに1枚ずつ供給するウエハ供
給機構と、前記チヤツキングステーシヨンに供給
されたウエハを吸着保持するウエハ吸着板を有す
る吸着機構と、前記吸着機構を移送する移送機構
と、前記移送機構によつて移送されてきたエウハ
の一面に接着剤を噴霧塗布する噴霧室と、前記接
着剤中の溶媒を乾燥蒸発させる乾燥室と、ウエハ
を接着板の所定位置に接着するための割出板とを
備え、前記吸着機構は、前記吸着板に設けられた
ウエハ吸引用の孔と連通する内孔を有し、前記吸
着板を回転自在に保持する中空状の軸と、この軸
を保持し、排気ポンプに接続されると共に上下動
されるケースと、このケースと前記吸着板に対向
して設けられた永久磁石と電磁石とからなり、前
記吸着板を回転させ所定位置に停止させる回転停
止機構とで構成されていることを特徴とするウエ
ハ接着装置。 2 噴霧室は上部入口にエアカーテンが設けら
れ、下部に噴霧気流を整えるための取付筒が設け
られていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のウエハ接着装置。 3 割出板はウエハを接着板へ接着する際の衝撃
を緩和するためのクツシヨン材を有することを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載のウエハ接着
装置。[Scope of Claims] 1. A suction device having a wafer supply mechanism that supplies wafers stored in a wafer carrier one by one to a chucking station, and a wafer suction plate that suctions and holds the wafers supplied to the chucking station. a mechanism, a transfer mechanism for transferring the adsorption mechanism, a spraying chamber for spraying an adhesive onto one surface of the wafer transferred by the transfer mechanism, and a drying chamber for drying and evaporating the solvent in the adhesive. , an indexing plate for adhering the wafer to a predetermined position on the adhesion plate, and the suction mechanism has an inner hole communicating with a wafer suction hole provided in the suction plate, and the suction mechanism A hollow shaft that is rotatably held, a case that holds this shaft and is connected to an exhaust pump and is moved up and down, and a permanent magnet and an electromagnet that are provided opposite the case and the adsorption plate. A wafer bonding apparatus comprising: a rotation stop mechanism for rotating the suction plate and stopping it at a predetermined position. 2. Claim 1, characterized in that the spray chamber is provided with an air curtain at the upper entrance and a mounting tube for adjusting the spray airflow at the lower part.
The wafer bonding device described in Section 1. 3. The wafer bonding apparatus according to claim 1, wherein the index plate has a cushion material for mitigating the impact when bonding the wafer to the bonding plate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5050881A JPS57166024A (en) | 1981-04-06 | 1981-04-06 | Bonding device for wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5050881A JPS57166024A (en) | 1981-04-06 | 1981-04-06 | Bonding device for wafer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57166024A JPS57166024A (en) | 1982-10-13 |
JPS6119110B2 true JPS6119110B2 (en) | 1986-05-15 |
Family
ID=12860894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5050881A Granted JPS57166024A (en) | 1981-04-06 | 1981-04-06 | Bonding device for wafer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57166024A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0429884B2 (en) * | 1984-07-14 | 1992-05-20 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59101849A (en) * | 1982-12-01 | 1984-06-12 | Tokyo Erekutoron Kk | Article carrier |
-
1981
- 1981-04-06 JP JP5050881A patent/JPS57166024A/en active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0429884B2 (en) * | 1984-07-14 | 1992-05-20 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57166024A (en) | 1982-10-13 |
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