JP3614672B2 - Wafer polishing equipment - Google Patents

Wafer polishing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP3614672B2
JP3614672B2 JP21837398A JP21837398A JP3614672B2 JP 3614672 B2 JP3614672 B2 JP 3614672B2 JP 21837398 A JP21837398 A JP 21837398A JP 21837398 A JP21837398 A JP 21837398A JP 3614672 B2 JP3614672 B2 JP 3614672B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
head
wafer holding
polishing
polishing pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP21837398A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2000052240A (en
Inventor
治郎 梶原
博志 柴谷
寛二 細木
憲司 藤本
仁 足立
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP21837398A priority Critical patent/JP3614672B2/en
Publication of JP2000052240A publication Critical patent/JP2000052240A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3614672B2 publication Critical patent/JP3614672B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積回路を形成する半導体ウェーハ等の表面を研磨するためのウェーハ研磨装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
この種のウェーハ研磨装置としては、表面に研磨パッドが貼付された円盤状のプラテンと、研磨すべきウェーハの一面を保持して研磨パッドにウェーハの他面を当接させる複数のウェーハ保持ヘッドとを具備し、これらウェーハ保持ヘッドと前記プラテンとを相対運動させつつ研磨パッドとウェーハとの間に研磨砥粒を含むスラリーを供給することにより研磨を行うものが広く知られている。
【0003】
近年、この種のウェーハ研磨装置では、限られた設備で生産効率を上げ、製造コストを下げるために、単位時間あたりの研磨作業の処理量を増大する要求が高まっている。
【0004】
このような要求に基づき、複数のウェーハ保持ヘッドを同一のヘッド支持機構により支持し、このヘッド支持機構を同時に回転駆動させることにより、複数のウェーハを同時回転させて研磨を行うウェーハ研磨装置が用いられるようになってきている。
【0005】
図6は、このようなウェーハ研磨装置の要部を模式的に示した図であり、図中、符号1は、基台を、2は、基台1によって支持されたプラテンを、3は、プラテン2に貼付された研磨パッドを示す。
【0006】
基台1には、支柱5,…が設けられており、支柱5,…および支柱5,…により支持された上側取付板6によって、カルーセル(ヘッド回転機構)7が支持されている。そしてカルーセル7におけるプラテン2と対向する側の面には、ウェーハ保持ヘッド9,…が取り付けられている。
支柱5,…は、伸縮自在な構成となっており、支柱5,…を伸縮させることにより、ウェーハ保持ヘッド9,…を研磨パッド3に接近・離間させることが可能となっている。
【0007】
このウェーハ保持ヘッド9,…は、図7に示すようにカルーセル7の中心から同一距離においてカルーセル7の中心軸周りに60°ごとに計6基取り付けられている。さらに、これらウェーハ保持ヘッド9は、その下面9aにウェーハを保持することが可能に形成されている(図6参照)。
【0008】
このようなウェーハ研磨装置を用いてウェーハ研磨を行うには、図示しない回転機構によりカルーセル7をその中心軸線周りに回転させ、これにより、カルーセル7に取り付けられたウェーハ保持ヘッド9,…を遊星回転させる。また、これとは別に、ウェーハを保持したウェーハ保持ヘッド9,…およびプラテン2を、図示しない別の回転機構によりそれぞれの中心軸周りに回転させる。これらの回転運動により、研磨パッド3およびウェーハ間において研磨に必要な相対運動を実現する。
【0009】
さらに、この状態で、支柱5,…を縮退させることによってウェーハ保持ヘッド9により保持されたウェーハと研磨パッド3とを当接させ研磨を行う。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のウェーハ研磨装置においては、研磨終了時に、プラテン2、ウェーハ保持ヘッド9、および、カルーセル7の回転駆動が停止され、ウェーハ保持ヘッド9,…からウェーハが取り外されて、順次、次の工程に搬送されることとなる。このため、その後の検査段階でウェーハの研磨不良が発見された場合に、カルーセル7の停止時のウェーハ保持ヘッド9,…の位置が一定していないことから、研磨不良のウェーハが、どのウェーハ保持ヘッドから取り外されたものであるかを特定することが不可能であり、このことが、研磨不良発生時の対応を困難なものとしていた。
【0011】
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、製造されたウェーハがどのウェーハ保持ヘッドにおいて研磨されたか容易にチェックすることを可能とすることによって、研磨不良発生時の対応の容易化を図ることを課題とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
請求項1記載のウェーハ研磨装置は、表面に研磨パッドが貼付されたプラテンと、該プラテンの前記表面に対向配置されて、前記研磨パッドと直交する回転軸を中心として回転可能なヘッド回転機構と、該ヘッド回転機構により支持されるとともに、研磨すべきウェーハの一面を前記研磨パッドと平行に保持し前記研磨パッドに該ウェーハの他面を当接させることが可能な複数のウェーハ保持ヘッドとを備えてなるウェーハ研磨装置であって、前記ウェーハ保持ヘッドは、前記ヘッド回転機構における前記プラテンの表面と対向する位置に設けられて、前記研磨パッドと平行に、なおかつ、前記回転軸の周囲に互いに間隔をおいて配置され、前記ヘッド回転機構には、前記各ウェーハ保持ヘッドの前記回転軸に対する位置を検出するための回転位置検出手段が備えられ、前記回転位置検出手段および前記ヘッド回転機構には、前記ヘッド回転機構の回転および停止を制御する制御装置が接続され、前記ウェーハ保持ヘッドが所定の位置に停止した後に前記ウェーハをウェーハ保持ヘッドから次工程に搬送する移載ロボットが備えられるとともに、前記制御装置は前記回転位置検出手段からの信号により前記ウェーハ保持ヘッドを所定の位置にて停止し、前記移載ロボットがあらかじめ決定された順序にて研磨終了後のウェーハを取り外すことによってウェーハがどのヘッドから取外されたかを把握することを特徴としている。
【0013】
このような構成とされるために、このウェーハ研磨装置においては、研磨終了後、ヘッド回転機構の回転軸に対するウェーハ保持ヘッドの位置が常に一定となるように、ヘッド回転機構を所定の状態に停止させることができる。
【0015】
このような構成とされるために、このウェーハ研磨装置においては、研磨終了後にヘッド回転機構を停止させた場合、研磨終了後のウェーハ保持ヘッドの停止位置が常に一定となっていることから、その回転軸に対する各ウェーハ保持ヘッドの位置を回転位置検出手段により把握することができる。その結果、移載ロボットによる研磨終了後のウェーハの取り外し動作をあらかじめ所定の動作に決定しておけば、移載ロボットは、ウェーハ保持ヘッドから常に一定の順序でウェーハを取り外すように作動することとなる。この場合、移載ロボットにより、次工程に輸送されるウェーハの順番と、ウェーハ保持ヘッドからウェーハが取り外される順序とが常に対応することとなる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて説明する。
図2に示すものは、本発明の一実施の形態であるウェーハ研磨装置11を適用した半導体ウェーハの製造工程の一部の概略構成である。
この図に示す半導体ウェーハの製造工程においては、カセット13,…に収納されて搬送されてきた一枚または複数枚のウェーハが、ストッカ14においてカセット13から取り出されて、搬送ロボット15により、搬送され、また、必要に応じてバッファ16に一時的に収納されて、搬送ロボット17により一枚ずつ受け渡される。さらに、ウェーハは、搬送ロボット17から、移載ロボット18Aにより移載されて、ウェーハ研磨装置11にまで搬送される。ここで、ウェーハは、研磨され、さらに、移載ロボット18Bによりロボット19に受け渡され、さらに、洗浄ロボット20Aに受け渡され洗浄層において洗浄される。さらに、ウェーハは、ロボット20Bに受け渡された後、乾燥装置21により乾燥され、再び、搬送ロボット15に受け渡され、カセット13内に収納されることとなる。
【0017】
図3は、ウェーハ研磨装置11の概略構成を示す図である。
図中に示すように、ウェーハ研磨装置11は、基台22と、基台22により支持された支柱23,…とを有する構成とされ、基台22には、プラテン駆動機構25を介してプラテン26が取り付けられ、また、支柱23,…には、ヘッド回転機構28を介してウェーハ保持ヘッド29,…が取り付けられた構成となっている。
【0018】
プラテン26は、プラテン駆動機構25により、軸線周りに回転されるようになっており、また、その上面26aには、全面にわたって研磨パッド30が貼付されている。
【0019】
一方、ヘッド回転機構28は、支柱23,…に設けられた昇降装置31により支柱23に沿って昇降可能な構成とされた上側取付板32と、上側取付板32によって支持されたモータ33と、モータ33の回転軸33aにより支持されたカルーセル34とを備えた構成となっている。
【0020】
カルーセル34は、モータ33により、その中心軸線周りに回転されるようになっている。また、ウェーハ保持ヘッド29,…は、図4に示すように、カルーセル34のプラテン26と対向する下面34aにおいて、カルーセル34の中心軸線周りに60°ごとに、No.1からNo.6まで計6基設けられた構成となっている。
【0021】
これら6基のウェーハ保持ヘッド29,…は、カルーセル34に設けられた図示しない駆動機構と連結されており、この駆動機構を駆動することにより、同時に同一方向へ回転可能な構成とされている。
【0022】
図1は、ウェーハ保持ヘッド29の要部の構成を示す図である。ウェーハ保持ヘッド29は、カルーセル34に固定された軸受36,36と、これら軸受36,36により支持されたスピンドル37と、スピンドル37の下端に固定されたヘッド本体38とを備えて構成されている。
【0023】
スピンドル37は、主軸部40と、主軸部40の外側に固定されて、軸受36,36と係合する外周部41と、外周部41の上端の外周に固定されたスプロケット42とを備えた構成とされている。スプロケット42は、カルーセル34の他の部分に設けられた図示しない駆動機構とチェーン44と介して連結されており、駆動機構から回転力が付与される構成となっている。これにより、スピンドル37がその軸線周りに回転することが可能となる。
【0024】
また、スピンドル37においては、主軸部40の中心に第一の流路45が、外周部41と主軸部40との間に、第二の流路46が形成された構成となっている。第一の流路45は、その上端部45aが、第一の接続ノズル47と接続されており、その下端部45bが、ヘッド本体38に設けられた流体室(後述)と接続されている。また、第二の流路46は、その上端部46aが、第二の接続ノズル48に接続され、その下端部46bが、ヘッド本体38に設けられた吸着孔(後述)に接続されている。
【0025】
また、第一の流路45は、第一の接続ノズル47を介して図示しない圧力調整機構と接続されており、第二の流路46は、第二の接続ノズル48を介して真空ポンプ等の図示しない吸引手段と接続されている。
【0026】
さらに、図1中に示すように、スプロケット42およびその上方には、回転位置検出手段49が設けられている。この回転位置検出手段49は、スプロケット42に設けられた位置センサ50と、位置センサ50の上方における位置センサ50と対向する位置に設けられて、図示しない制御装置に接続された位置センサ検出部51とから構成されている。この位置センサ検出部51は、上側取付板32(図3参照)側に固定されるとともに、位置センサ50と光学的に対応して検出信号を制御装置に送信する機能を有している。また、この制御装置は、モータ33(図3参照)に対しても接続されており、これにより、モータ33の回転を制御できる構成となっている。
【0027】
ここに、位置センサ検出部51は、上側取付板32に取り付けられているために、カルーセル34が回転した場合にも回転することがない。一方、位置センサ50が設けられたウェーハ保持ヘッド29は、カルーセル34とともに回転するため、位置センサ検出部51は、ウェーハ保持ヘッド29がカルーセル34の回転軸に対して所定の箇所に位置したときのみに位置センサ50と対応して検出信号を制御装置に送信することとなる。なお、位置センサ50は、計6基あるウェーハ保持ヘッド29のうちのいずれか1基にのみ設けられている。
【0028】
図5は、ヘッド本体38の構成の詳細を示す図である。図中に示すように、ヘッド本体38の内部には、ダイヤフラム53が張られており、また、ダイヤフラム53の下面には、円盤状のキャリア54が固定されている。さらに、キャリア54の外周には円環状のリテーナリング55が同心状に配置されている。
【0029】
ヘッド本体38は、円盤状の天板部57と、天板部57の外周に固定された円筒状の周壁部58とから構成され、天板部57は、スピンドル37に同軸に固定されている。周壁部58の内周壁には、水平な段部58Aが形成され、ここに、円盤状のダイヤフラム53の外周部が載置されて固定リング59により複数のボルトで固定されている。また、ダイヤフラム53は、各種ゴムなどの弾性材料により形成されている。
【0030】
キャリア54は、セラミック等の高い剛性を有する材料で成型された一定厚さのものであり、弾性変形はしない。また、キャリア54は、ダイヤフラム53の上面に同軸に配置された固定リング60に対して複数のボルトにより固定されている。
【0031】
また、キャリア54には、第二の流路46(図1参照)を介して図示しない吸引手段に接続された吸着孔62が設けられている。これにより、研磨時には、ウェーハWをキャリア54の下面に吸着固定できるようになっている。さらに、ウェーハWは、キャリア54の下面に円形のウェーハ付着シートSを介して貼り付けられる。ウェーハ吸着シートSは、例えば吸水性を有する材質で形成されたもので、水分を吸収すると表面張力でウェーハを吸着するようになっている。
【0032】
一方、ヘッド本体38とダイヤフラム53との間には流体室63が画成されており、この流体室63は、第三の流路64に接続された構成とされている。また、第三の流路64は、第一の流路45(図1参照)を介して、図示しない圧力調整機構に接続されている。これにより、流体室63においては、圧力調整機構により内部の流体圧力を調整できるようになっている。また、このように流体室63内部の流体圧力を調整することによって、ダイヤフラム53を上下に変位させて研磨パッド30(図3参照)へのキャリア54およびリテーナリング55の押圧圧力を同時に変化させることが可能となっている。
【0033】
このウェーハ研磨装置11によりウェーハ研磨を行うには、まず、研磨パッド30と各キャリア54,…の間にウェーハWを配置するとともに、リテーナリング55を研磨パッド30に当接させ、ウェーハWの外周をリテーナリング55で支持する。
【0034】
そして、研磨パッド30に対するウェーハWの当接圧力(キャリア54による押圧圧力)が所望値になるように、圧力調整機構により流体室63内の流体圧を調整しつつ、プラテン26およびカルーセル34を回転させ、ウェーハ保持ヘッド29をプラテン26に対し遊星回転させる。
【0035】
そしてウェーハWの研磨が終了した後に、ウェーハ保持ヘッド29,プラテン26およびカルーセル34の回転を停止させ、ウェーハWをウェーハ保持ヘッド29から取り外すわけであるが、この際、位置センサ検出部51が位置センサ50と対応して、制御装置に検出信号を送信するような位置で丁度カルーセル34が停止するように、モータ33の回転を制御する。これにより、カルーセル34は、常に所定の回転角で停止することとなり、したがって、カルーセル34に固定されたNo.1からNo.6までのウェーハ保持ヘッド29,…のそれぞれの停止位置も、カルーセル34の中心軸線に対して一定となる。
【0036】
このように、研磨終了後のウェーハ保持ヘッド29,…の停止位置が常に一定となっていることから、移載ロボット18Bによる研磨終了後のウェーハWの取り外し動作をあらかじめ所定の動作に決定しておけば、移載ロボット18Bは、No.1から6までのウェーハ保持ヘッド29,…から常に一定の順序でウェーハWを取り外すように作動することとなる。この場合、移載ロボット18Bにより、次工程に輸送されるウェーハWの順番と、No.1から6までのウェーハ保持ヘッド29,…からウェーハWが取り外される順序とが常に対応するようになる。
【0037】
具体的には、移載ロボット18Bが、No.1,2,3,4,5,6の順番にウェーハ保持ヘッド29,…からウェーハWを取り外したとすると、次工程に搬送されるウェーハWの順番も、No.1のウェーハ保持ヘッドから取り外されたウェーハW,No.2のウェーハ保持ヘッドから取り外されたウェーハW,…,No.6のウェーハ保持ヘッドから取り外されたウェーハ、といった順番となる。したがって、搬送中のウェーハWの順番から、そのウェーハWが取り外されたウェーハ保持ヘッドの番号を特定することができる。
【0038】
したがって、その後、ウェーハWが他の工程を経て検査される際に、研磨不良が発見された場合には、ウェーハWの順番から、研磨不良のウェーハWがどのウェーハ保持ヘッドにおいて研磨されたかが容易に特定できることとなり、これにより、研磨不良発生時の対応を従来に比較して容易化することができる。
【0039】
さらに、この場合、モータ33の回転が位置センサ検出部51に接続された図示しない制御装置によって制御されることから、カルーセル34を所定の位置に容易に停止させることができ、これにより、作業効率の向上を図ることができる。
【0040】
なお、上記実施の形態において、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で他の構成を採用するようにしてもよい。例えば、上記実施の形態における回転位置検出手段49には光学的手段が用いられているが、そのかわりに、磁気的手段、あるいは、機械的手段を採用するようにしてもよい。
【0041】
また、上記実施の形態においては、回転位置検出手段49は、ウェーハ保持ヘッド29のスピンドル37に設けられたスプロケット42と上側取付板32とに設けられていたが、この箇所に限らず、カルーセル34の中心軸に対する各ウェーハ保持ヘッド29,…の位置を特定できるような箇所であれば、いずれの箇所に設けるようにしてもよい。
【0042】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のウェーハ研磨装置においては、回転位置検出手段により、ヘッド回転機構の回転軸に対する各ウェーハ保持ヘッドの位置を把握することができるために、ウェーハをウェーハ保持ヘッドから取り外す際に、ウェーハがどのヘッドから取り外されたものであるかを把握することができる。したがって、研磨不良発見時の対応を容易なものとすることができる。また、この場合、回転位置検出手段を、ヘッド回転機構の駆動を制御する制御装置と接続するようにすれば、ヘッド回転機構を所定の位置に停止させることができ、これにより、ウェーハがどのヘッドから取り外されたものであるのかについての特定をより一層容易なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態を模式的に示すウェーハ研磨装置の要部の拡大断面図である。
【図2】図1に示したウェーハ研磨装置を含むウェーハの製造工程の要部の概略を示す平面図である。
【図3】図1,2に示したウェーハ研磨装置の正面図である。
【図4】図1から3に示したウェーハ研磨装置におけるウェーハ保持ヘッドとカルーセルとの配置状態を示した平面図である。
【図5】図1から3に示したウェーハ研磨装置におけるウェーハ保持ヘッドのヘッド本体の構成の詳細を示す立断面図である。
【図6】従来のウェーハ研磨装置の要部を模式的に示す正面図である。
【図7】図6に示したウェーハ研磨装置におけるウェーハ保持ヘッドとカルーセルとの配置状態を示した平面図である。
【符号の説明】
11 ウェーハ研磨装置
26 プラテン
26a 上面
28 ヘッド回転機構
29 ウェーハ保持ヘッド
30 研磨パッド
49 回転位置検出手段
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a wafer polishing apparatus for polishing the surface of a semiconductor wafer or the like forming an integrated circuit.
[0002]
[Prior art]
As this type of wafer polishing apparatus, a disk-shaped platen having a polishing pad affixed to the surface, and a plurality of wafer holding heads that hold one surface of the wafer to be polished and abut the other surface of the wafer against the polishing pad It is widely known that polishing is performed by supplying a slurry containing abrasive grains between a polishing pad and a wafer while relatively moving the wafer holding head and the platen.
[0003]
In recent years, in this type of wafer polishing apparatus, there is an increasing demand for increasing the amount of polishing work per unit time in order to increase production efficiency with limited facilities and reduce manufacturing costs.
[0004]
Based on such requirements, a wafer polishing apparatus is used that supports a plurality of wafer holding heads by the same head support mechanism, and simultaneously rotates the head support mechanism to rotate a plurality of wafers at the same time for polishing. It is getting to be.
[0005]
FIG. 6 is a diagram schematically showing the main part of such a wafer polishing apparatus. In the figure, reference numeral 1 is a base, 2 is a platen supported by the base 1, and 3 is The polishing pad affixed to the platen 2 is shown.
[0006]
The base 1 is provided with columns 5,... And a carousel (head rotation mechanism) 7 is supported by the upper mounting plate 6 supported by the columns 5,. Wafer holding heads 9 are attached to the surface of the carousel 7 facing the platen 2.
The struts 5,... Can be extended and contracted, and the wafer holding heads 9,... Can be moved closer to and away from the polishing pad 3 by expanding / contracting the struts 5,.
[0007]
As shown in FIG. 7, a total of six wafer holding heads 9,... Are mounted around the central axis of the carousel 7 every 60 ° at the same distance from the center of the carousel 7. Further, these wafer holding heads 9 are formed so as to be able to hold the wafer on the lower surface 9a (see FIG. 6).
[0008]
In order to perform wafer polishing using such a wafer polishing apparatus, the carousel 7 is rotated around its central axis by a rotation mechanism (not shown), thereby rotating the wafer holding heads 9 attached to the carousel 7 to planetary rotation. Let In addition to this, the wafer holding heads 9,... Holding the wafer and the platen 2 are rotated around their respective central axes by another rotating mechanism (not shown). By these rotational movements, a relative movement necessary for polishing is realized between the polishing pad 3 and the wafer.
[0009]
Further, in this state, the support 5 is retracted to bring the wafer held by the wafer holding head 9 into contact with the polishing pad 3 for polishing.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the above-described wafer polishing apparatus, at the end of polishing, the rotational drive of the platen 2, the wafer holding head 9, and the carousel 7 is stopped, the wafer is removed from the wafer holding head 9,. It will be conveyed to the process. For this reason, when a polishing failure of a wafer is discovered in a subsequent inspection stage, the position of the wafer holding heads 9 when the carousel 7 is stopped is not constant. It is impossible to specify whether the head is removed from the head, and this makes it difficult to cope with occurrence of defective polishing.
[0011]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and by making it possible to easily check in which wafer holding head the manufactured wafer is polished, it is possible to facilitate the handling when a polishing defect occurs. This is the issue.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems.
The wafer polishing apparatus according to claim 1, a platen having a polishing pad affixed to a surface thereof, a head rotating mechanism that is disposed opposite to the surface of the platen and is rotatable about a rotation axis orthogonal to the polishing pad. A plurality of wafer holding heads supported by the head rotating mechanism and capable of holding one surface of the wafer to be polished in parallel with the polishing pad and bringing the other surface of the wafer into contact with the polishing pad. The wafer polishing apparatus is provided, wherein the wafer holding head is provided at a position facing the surface of the platen in the head rotation mechanism, and is parallel to the polishing pad and around the rotation axis. Arranged at intervals, the head rotation mechanism has a rotation for detecting the position of each wafer holding head relative to the rotation axis. A position detection unit is provided, and a control device for controlling rotation and stop of the head rotation mechanism is connected to the rotation position detection unit and the head rotation mechanism, and the wafer holding head is stopped at a predetermined position after the wafer holding head is stopped at a predetermined position. A transfer robot for transporting the wafer from the wafer holding head to the next process is provided, and the control device stops the wafer holding head at a predetermined position by a signal from the rotational position detecting means, and the transfer robot It is characterized by grasping from which head the wafer has been removed by removing the wafer after completion of polishing in a predetermined order.
[0013]
Because of this configuration, in this wafer polishing apparatus, after the polishing is completed, the head rotation mechanism is stopped in a predetermined state so that the position of the wafer holding head with respect to the rotation axis of the head rotation mechanism is always constant. Can be made.
[0015]
Because of this configuration, in this wafer polishing apparatus, when the head rotation mechanism is stopped after polishing, the stop position of the wafer holding head after polishing is always constant, so that The position of each wafer holding head with respect to the rotation axis can be grasped by the rotation position detecting means. As a result, if the wafer removal operation after completion of polishing by the transfer robot is determined in advance as a predetermined operation, the transfer robot operates to always remove the wafer from the wafer holding head in a certain order. Become. In this case, the order of the wafers transported to the next process by the transfer robot always corresponds to the order in which the wafers are removed from the wafer holding head.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
2 shows a schematic configuration of a part of a semiconductor wafer manufacturing process to which a wafer polishing apparatus 11 according to an embodiment of the present invention is applied.
In the semiconductor wafer manufacturing process shown in this figure, one or a plurality of wafers housed and transported in cassettes 13,... Are taken out from cassette 13 by stocker 14 and transported by transport robot 15. Further, it is temporarily stored in the buffer 16 as needed, and is transferred one by one by the transfer robot 17. Further, the wafer is transferred from the transfer robot 17 by the transfer robot 18A and transferred to the wafer polishing apparatus 11. Here, the wafer is polished, further transferred to the robot 19 by the transfer robot 18B, and further transferred to the cleaning robot 20A and cleaned in the cleaning layer. Further, after the wafer is delivered to the robot 20B, the wafer is dried by the drying device 21, is delivered again to the transfer robot 15, and is stored in the cassette 13.
[0017]
FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of the wafer polishing apparatus 11.
As shown in the figure, the wafer polishing apparatus 11 includes a base 22 and support columns 23 supported by the base 22. The base 22 is connected to a platen via a platen drive mechanism 25. 26 is attached, and the wafer holding heads 29,... Are attached to the pillars 23,.
[0018]
The platen 26 is rotated around the axis by the platen drive mechanism 25, and the polishing pad 30 is stuck on the entire upper surface 26a.
[0019]
On the other hand, the head rotating mechanism 28 includes an upper mounting plate 32 that can be moved up and down along the column 23 by a lifting device 31 provided on the column 23,..., A motor 33 supported by the upper mounting plate 32, The configuration includes a carousel 34 supported by a rotation shaft 33 a of the motor 33.
[0020]
The carousel 34 is rotated around its central axis by a motor 33. Further, as shown in FIG. 4, the wafer holding heads 29,... 1 to No. A total of six units are provided up to six.
[0021]
These six wafer holding heads 29,... Are connected to a driving mechanism (not shown) provided in the carousel 34, and are configured to be simultaneously rotatable in the same direction by driving the driving mechanism.
[0022]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a main part of the wafer holding head 29. The wafer holding head 29 includes bearings 36 and 36 fixed to the carousel 34, a spindle 37 supported by the bearings 36 and 36, and a head body 38 fixed to the lower end of the spindle 37. .
[0023]
The spindle 37 includes a main shaft portion 40, an outer peripheral portion 41 that is fixed to the outside of the main shaft portion 40 and engages with the bearings 36 and 36, and a sprocket 42 that is fixed to the outer periphery of the upper end of the outer peripheral portion 41. It is said that. The sprocket 42 is connected to a drive mechanism (not shown) provided in the other part of the carousel 34 via a chain 44, and is configured to receive a rotational force from the drive mechanism. As a result, the spindle 37 can rotate around its axis.
[0024]
In the spindle 37, the first flow path 45 is formed at the center of the main shaft portion 40, and the second flow path 46 is formed between the outer peripheral portion 41 and the main shaft portion 40. The first channel 45 has an upper end 45 a connected to the first connection nozzle 47 and a lower end 45 b connected to a fluid chamber (described later) provided in the head body 38. Further, the upper end portion 46 a of the second flow path 46 is connected to the second connection nozzle 48, and the lower end portion 46 b is connected to a suction hole (described later) provided in the head main body 38.
[0025]
The first channel 45 is connected to a pressure adjusting mechanism (not shown) via a first connection nozzle 47, and the second channel 46 is connected to a vacuum pump or the like via a second connection nozzle 48. Is connected to a suction means (not shown).
[0026]
Further, as shown in FIG. 1, a rotational position detecting means 49 is provided above the sprocket 42. This rotational position detecting means 49 is provided at a position sensor 50 provided on the sprocket 42, and at a position facing the position sensor 50 above the position sensor 50, and a position sensor detector 51 connected to a control device (not shown). It consists of and. The position sensor detection unit 51 is fixed to the upper mounting plate 32 (see FIG. 3) side and has a function of transmitting a detection signal to the control device in optical correspondence with the position sensor 50. In addition, this control device is also connected to the motor 33 (see FIG. 3), and thereby, the rotation of the motor 33 can be controlled.
[0027]
Here, since the position sensor detection unit 51 is attached to the upper attachment plate 32, it does not rotate even when the carousel 34 rotates. On the other hand, since the wafer holding head 29 provided with the position sensor 50 rotates together with the carousel 34, the position sensor detection unit 51 is only when the wafer holding head 29 is positioned at a predetermined position with respect to the rotation axis of the carousel 34. In response to the position sensor 50, a detection signal is transmitted to the control device. The position sensor 50 is provided only in any one of the six wafer holding heads 29 in total.
[0028]
FIG. 5 is a diagram showing details of the configuration of the head main body 38. As shown in the drawing, a diaphragm 53 is stretched inside the head main body 38, and a disk-shaped carrier 54 is fixed to the lower surface of the diaphragm 53. Further, an annular retainer ring 55 is concentrically disposed on the outer periphery of the carrier 54.
[0029]
The head main body 38 includes a disk-shaped top plate portion 57 and a cylindrical peripheral wall portion 58 fixed to the outer periphery of the top plate portion 57, and the top plate portion 57 is fixed coaxially to the spindle 37. . A horizontal stepped portion 58 </ b> A is formed on the inner peripheral wall of the peripheral wall portion 58, and the outer peripheral portion of the disk-shaped diaphragm 53 is placed thereon and fixed by a plurality of bolts by a fixing ring 59. The diaphragm 53 is formed of an elastic material such as various rubbers.
[0030]
The carrier 54 is a constant thickness molded of a material having high rigidity such as ceramic and does not elastically deform. The carrier 54 is fixed to the fixing ring 60 that is coaxially disposed on the upper surface of the diaphragm 53 by a plurality of bolts.
[0031]
The carrier 54 is provided with a suction hole 62 connected to a suction means (not shown) via the second flow path 46 (see FIG. 1). Thereby, the wafer W can be attracted and fixed to the lower surface of the carrier 54 at the time of polishing. Further, the wafer W is attached to the lower surface of the carrier 54 via a circular wafer adhesion sheet S. The wafer adsorbing sheet S is formed of, for example, a material having water absorption, and adsorbs the wafer with surface tension when absorbing moisture.
[0032]
On the other hand, a fluid chamber 63 is defined between the head main body 38 and the diaphragm 53, and the fluid chamber 63 is configured to be connected to the third flow path 64. The third channel 64 is connected to a pressure adjusting mechanism (not shown) via the first channel 45 (see FIG. 1). Thereby, in the fluid chamber 63, the internal fluid pressure can be adjusted by the pressure adjusting mechanism. Further, by adjusting the fluid pressure inside the fluid chamber 63 in this manner, the diaphragm 53 is displaced up and down to simultaneously change the pressing pressure of the carrier 54 and the retainer ring 55 against the polishing pad 30 (see FIG. 3). Is possible.
[0033]
In order to perform wafer polishing by the wafer polishing apparatus 11, first, the wafer W is disposed between the polishing pad 30 and each of the carriers 54, and the retainer ring 55 is brought into contact with the polishing pad 30, so that the outer periphery of the wafer W is Is supported by a retainer ring 55.
[0034]
Then, the platen 26 and the carousel 34 are rotated while adjusting the fluid pressure in the fluid chamber 63 by the pressure adjusting mechanism so that the contact pressure of the wafer W against the polishing pad 30 (pressing pressure by the carrier 54) becomes a desired value. Then, the wafer holding head 29 is rotated planetarily with respect to the platen 26.
[0035]
Then, after the polishing of the wafer W is completed, the rotation of the wafer holding head 29, the platen 26, and the carousel 34 is stopped, and the wafer W is removed from the wafer holding head 29. At this time, the position sensor detection unit 51 is positioned. Corresponding to the sensor 50, the rotation of the motor 33 is controlled so that the carousel 34 stops just at the position where the detection signal is transmitted to the control device. As a result, the carousel 34 always stops at a predetermined rotation angle. 1 to No. The stop positions of the wafer holding heads 29,... Up to 6 are also constant with respect to the central axis of the carousel 34.
[0036]
As described above, since the stop position of the wafer holding heads 29,... After the polishing is always constant, the removal operation of the wafer W after the polishing by the transfer robot 18B is determined in advance as a predetermined operation. If this is the case, the transfer robot 18B is no. The wafer holding heads 29,... 1 to 6 are always operated so as to remove the wafers W in a certain order. In this case, the order of the wafers W transported to the next process by the transfer robot 18B, The order in which the wafers W are removed from the wafer holding heads 29,.
[0037]
Specifically, the transfer robot 18B has a No. If the wafers W are removed from the wafer holding heads 29,... In the order of 1, 2, 3, 4, 5, 6, the order of the wafers W transferred to the next process is No. 1 is removed from the wafer holding head of No. 1. No. 2 wafer W removed from the wafer holding head 2. The wafers are removed from the wafer holding head 6. Therefore, the number of the wafer holding head from which the wafer W is removed can be identified from the order of the wafers W being transferred.
[0038]
Therefore, when a defective polishing is found after the wafer W is inspected through other processes, it is easy to determine in which wafer holding head the defective wafer W is polished in the order of the wafers W. As a result, it is possible to make it easier to deal with the occurrence of defective polishing as compared to the conventional case.
[0039]
Further, in this case, since the rotation of the motor 33 is controlled by a control device (not shown) connected to the position sensor detection unit 51, the carousel 34 can be easily stopped at a predetermined position, thereby improving work efficiency. Can be improved.
[0040]
In the above embodiment, other configurations may be adopted without departing from the spirit of the present invention. For example, although the optical means is used for the rotational position detecting means 49 in the above embodiment, a magnetic means or a mechanical means may be adopted instead.
[0041]
In the above embodiment, the rotational position detecting means 49 is provided on the sprocket 42 and the upper mounting plate 32 provided on the spindle 37 of the wafer holding head 29. As long as the position of each of the wafer holding heads 29,.
[0042]
【The invention's effect】
As described above, in the wafer polishing apparatus of the present invention, since the position of each wafer holding head with respect to the rotation axis of the head rotation mechanism can be grasped by the rotation position detecting means, the wafer is removed from the wafer holding head. At this time, it is possible to grasp from which head the wafer is removed. Therefore, it is possible to easily deal with a defective polishing. Further, in this case, if the rotational position detecting means is connected to a control device that controls the driving of the head rotating mechanism, the head rotating mechanism can be stopped at a predetermined position. It is possible to make it easier to specify whether or not it has been removed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a wafer polishing apparatus schematically showing an embodiment of the present invention.
2 is a plan view showing an outline of a main part of a wafer manufacturing process including the wafer polishing apparatus shown in FIG. 1; FIG.
FIG. 3 is a front view of the wafer polishing apparatus shown in FIGS.
4 is a plan view showing an arrangement state of a wafer holding head and a carousel in the wafer polishing apparatus shown in FIGS. 1 to 3. FIG.
5 is an elevational sectional view showing details of the configuration of the head main body of the wafer holding head in the wafer polishing apparatus shown in FIGS. 1 to 3. FIG.
FIG. 6 is a front view schematically showing a main part of a conventional wafer polishing apparatus.
7 is a plan view showing an arrangement state of a wafer holding head and a carousel in the wafer polishing apparatus shown in FIG. 6;
[Explanation of symbols]
11 Wafer polishing device 26 Platen 26a Upper surface 28 Head rotation mechanism 29 Wafer holding head 30 Polishing pad 49 Rotation position detection means

Claims (1)

表面に研磨パッドが貼付されたプラテンと、該プラテンの前記表面に対向配置されて、前記研磨パッドと直交する回転軸を中心として回転可能なヘッド回転機構と、該ヘッド回転機構により支持されるとともに、研磨すべきウェーハの一面を前記研磨パッドと平行に保持し前記研磨パッドに該ウェーハの他面を当接させることが可能な複数のウェーハ保持ヘッドとを備えてなるウェーハ研磨装置であって、
前記ウェーハ保持ヘッドは、前記ヘッド回転機構における前記プラテンの表面と対向する位置に設けられて、前記研磨パッドと平行に、なおかつ、前記回転軸の周囲に互いに間隔をおいて配置され、前記ヘッド回転機構には、前記各ウェーハ保持ヘッドの前記回転軸に対する位置を検出するための回転位置検出手段が備えられ、
前記回転位置検出手段および前記ヘッド回転機構には、前記ヘッド回転機構の回転および停止を制御する制御装置が接続され、
前記ウェーハ保持ヘッドが所定の位置に停止した後に前記ウェーハをウェーハ保持ヘッドから次工程に搬送する移載ロボットが備えられるとともに、
前記制御装置は前記回転位置検出手段からの信号により前記ウェーハ保持ヘッドを所定の位置にて停止し、前記移載ロボットがあらかじめ決定された順序にて研磨終了後のウェーハを取り外すことによってウェーハがどのヘッドから取外されたかを把握することを特徴とするウェーハ研磨装置。
A platen having a polishing pad affixed to the surface, a head rotation mechanism that is disposed opposite to the surface of the platen and is rotatable about a rotation axis orthogonal to the polishing pad, and supported by the head rotation mechanism A wafer polishing apparatus comprising a plurality of wafer holding heads capable of holding one surface of a wafer to be polished in parallel with the polishing pad and bringing the other surface of the wafer into contact with the polishing pad,
The wafer holding head is provided at a position facing the surface of the platen in the head rotation mechanism, and is arranged in parallel to the polishing pad and spaced from each other around the rotation axis. The mechanism includes a rotational position detecting means for detecting the position of each wafer holding head with respect to the rotational axis,
A control device for controlling rotation and stop of the head rotation mechanism is connected to the rotation position detection means and the head rotation mechanism,
A transfer robot is provided that transports the wafer from the wafer holding head to the next process after the wafer holding head stops at a predetermined position.
The control device stops the wafer holding head at a predetermined position in response to a signal from the rotational position detecting means, and the transfer robot removes the polished wafer in a predetermined order to determine which wafer is A wafer polishing apparatus characterized by grasping whether it has been removed from the head .
JP21837398A 1998-07-31 1998-07-31 Wafer polishing equipment Expired - Fee Related JP3614672B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21837398A JP3614672B2 (en) 1998-07-31 1998-07-31 Wafer polishing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21837398A JP3614672B2 (en) 1998-07-31 1998-07-31 Wafer polishing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000052240A JP2000052240A (en) 2000-02-22
JP3614672B2 true JP3614672B2 (en) 2005-01-26

Family

ID=16718888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21837398A Expired - Fee Related JP3614672B2 (en) 1998-07-31 1998-07-31 Wafer polishing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3614672B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110977772A (en) * 2019-06-28 2020-04-10 天津华海清科机电科技有限公司 Trimming head

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000052240A (en) 2000-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100550314C (en) The lapping device of peripheral edge of semiconductor wafer and method
JPH0615565A (en) Automatic wafer lapping machine
US6439962B1 (en) Cleaning apparatus
CN112008595A (en) Wafer grinding device and grinding method
JP2001326201A (en) Polishing device
JPH10230449A (en) Method and device for automatically changing grinding pad for chemical machine grinding device
TWI765125B (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium storing program
KR20180008315A (en) Apparatus and method for polishing a surface of a substrate
US20050242063A1 (en) Method and device for the chemical mechanical polishing of workpieces
JP3614672B2 (en) Wafer polishing equipment
JP4471747B2 (en) Semiconductor device manufacturing equipment
JP4824883B2 (en) Substrate polishing apparatus and substrate polishing / cleaning / drying method
JP4308778B2 (en) Wafer cleaning equipment
KR100470230B1 (en) Chemical Mechanical Polishing Apparatus
JP2585647B2 (en) Flat polishing machine
JP4037511B2 (en) Wafer polishing apparatus and system
JPH11188615A (en) Wafer polishing device and wafer transferring device
JP2021074787A (en) Machining device
JPH08153694A (en) Polishing device
JP2002321132A (en) Workpiece transfer device
JP4620898B2 (en) Polishing equipment system
JP4773650B2 (en) Wafer spin cleaning / drying method and cleaning / drying apparatus
JPH11195690A (en) Wafer transfer device
JP2002151450A (en) In-line wafer carriage system
JP2024049780A (en) Edge clamp carrier device

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20040326

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040601

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040723

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041019

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041027

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121112

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees