JPS61190958A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPS61190958A
JPS61190958A JP60030297A JP3029785A JPS61190958A JP S61190958 A JPS61190958 A JP S61190958A JP 60030297 A JP60030297 A JP 60030297A JP 3029785 A JP3029785 A JP 3029785A JP S61190958 A JPS61190958 A JP S61190958A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit block
power supply
circuit
wiring group
switches
Prior art date
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Pending
Application number
JP60030297A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoyuki Hatanaka
畑中 直行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP60030297A priority Critical patent/JPS61190958A/ja
Publication of JPS61190958A publication Critical patent/JPS61190958A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Sources (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はチップの機能がプログラマブルな半導体集積回
路に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
近年、少量多品種の要求に伴ない次の様なL8Iが出現
している。
(1)標準セル方式 LSI内に使用される基本的な論理機能を有する回路ブ
ロックを予め計算機に登録しておき、計算機の自動処理
により、これらの回路ブロックを配置−配線し、所望の
最終製品を得る。
(2)ゲートアレイ方式 論理ゲートを構成する基本回路を予めウエノ1−上にア
レイ状に配置しておき、この上に標準セル方式と同じよ
うに自動配線によって配線パターンを決定し、所望のL
8If:得る。
これらは完全手設計のLSIに比べて開発期間が短いも
ののリングラフイー技術を用いt製造工場が必要であシ
、設計完了からLf9I完成まで数週間〜数カ月かかる
という問題がある。
これに対し本出願人は次の方法を検討した。
即ち、第3図に示す如く、1つ以上の論理機能素子によ
り構成されt複数の回路ブロック31m。
31b・・・31nが予め専用ICの手法によシ配線工
程を終了して基板に作シ込まれ、各回路ブロックの入力
信号及び出力信号が電気的にON 、 OFF状態を書
き込めるスイッチマトリクス上に導びかれ、各回路ブロ
ックの全ての出力信号が全ての入力信号にE”280M
や1ビ、トメモリ−を備えqMO8FI13T等のスイ
ッチ素子32を介して接続可能となっている。
33はT字状の信号出力用配線、34は信号入力用配線
である。
この方法によれば、フィールドプログラマブルであるた
め、ユーザーが自分の手で論理機能を書き込むことによ
シ、高い機能を備え比所望のL8Iを著るしく早く手に
する事ができる。しかも、ある定t−p7を論理機能を
有する回路ブロックの入力信号と出力信号を接続すると
いう形式でL8Iの設計を行なうことができ、ボード上
での論理設計に慣れた設計者にとっても理解し易い。
ところが、この方法においては、個々の回路ブロックが
基板に作り込まれた状態で設計者が所望のL8Iのシス
テムを設計するため、最終的に使用されない回路ブロッ
クが出現する場合がある。この場合、使用されない回路
ブロックは、静的に電力を消費する。従って、使用され
ない回路ブロックが多ければ多いほど消費される電力は
増大するという問題点がある。
〔発明の目的〕
本発明は上述した装置の欠点を改良しtもので、個々の
回路ブロックへのVDD(5v)電源の供給を夫々独立
にし、使用されな込回路ブロックに対してはVDD電源
の供給をし中断することにより、使用されない回路ブロ
ックでの電力消費を回避する装量を提供することを目的
とする。
〔発明の概要〕
本発明においては1回路ブロック領域もしくは回路ブロ
ック領域の周辺に1回路ブロック領域にVDD電源を供
給する六めの共通電源線、すなわち幹線電源線を設け、
各回路ブロックへは、夫々独立K VDD電源を供給す
る。さらに各回路ブロック内においては、回路ブロック
のVDD電源を共通の電源線、すなわち支線電源線から
供給されるようにし、支線電源線を回路ブロック内、も
しくはその周辺において幹線電源線と交差するように設
け、その交差部にはスイッチを設けることによシ、この
スイッチのON、OFF状態を制御するととKよυ、個
々の回路ブロックへのVDD電源の供給、もしくは供給
をし中断することを可能とする。
〔発明の効果〕
本発明によれば、最終的に使用されない回路プロ、りに
対してVDD電源の供給を断つことにより、装置の動作
時における使用されない回路ブロックによる静的消費電
力を容易に回避することができる。tt、特に困難な製
造過程を必要とせず、配線領域上にスイッチ素子を製造
する際、同時に製造することが可能である。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳述する。
先ず、レイアラトラ第3図を利用して説明する。
即ち、S1ウエハーの一辺に回路ブロック31a。
31b・・・31r1が作り込まれており、各回路ブロ
ックは、4インプツトNANDゲート等、論理機能素子
の1つ以上によシ構成されている。この論理機能素子は
MO8、CMO8或いはバイポーラ構成を為し、専用I
C即ち標準セル方式における手書きの標準セル或いは配
線済のゲートアレイである。
回路ブロックの構成は次の通υである。
■4インプットN入NDゲートt−2つもつブロック・
・・ 15個 ■2インプット   p     4つもつブロック・
・・ 14個 ■4つのインバータをもつブロック  ・・・100 
個■8ビットレジスタのブロック    ・・・19個
@3−8#    をもつブロック・・・ 3個@4−
1セレクタf:2つもつブロック ・・・ 5個@8−
11   t−もつブロック   ・・・ 4個@64
ピットRAMのブロック      ・・・ 3個04
ビツトコンパレータのブロック  ・・・ 3個@4ビ
ットバイナリ全加算器のブロック・・・ 2個@S−8
ラッテt−4つもつブロック  ・・・ 2個[株]人
LUのブロック          ・・・ 1個@)
8ビツトアドレサプルラツテの ブロック・・・ 1個 即ち、274個のMSIからなる回路ブロックが備見ら
れて種々の用途に対応できる様にされている。
そして各回路プロ、りの平均入力数は8、出力数は4で
ある。
論理機能素子の入力部、出力部は、回路プロ。
りの入力部、出力部を為している訳であるが、その出力
部には出力バッ7アが夫々設けられている(図示しない
)。そして出力部はT字状の信号出力用配線33、入力
部はこれと交わる信号入力用配@34に夫々接続されて
いる。そして、その交点にはスイッチ素子32が設けら
れている。このスイッチ素子32のON 、 0F1i
’を制御する事によシ回路ブロック間に所望の結線が実
現できる。従って、入出力部間の結線は基本的に1スイ
ツチで済み、1つの電流パスに伴なう等電位配線長は第
3図から判る様に、チップの辺の長さklとして平均λ
51に押えられ時定数による遅れが防止されている。
電源線の詳細を、第1図に示す図面によシ説明する。図
に示すようだ、幹線電源lIj!4は個々の回路ブロッ
ク1内において、支線電源線6と交差してシシ、交差部
にはスイッチ5を設ける。このスイッチは図に示すごと
く70−ティングゲート構造であるがヒユーズ等でもよ
い。″!tスイッチが回路ブロック内である必要はなく
、幹線電源線が回路ブロック領域上であるとは限らない
。te同一回路ブロック内に複数個のスイッチを介して
複数の支線電源線を設けてもよく、その際支線電源線は
t42図(1)に示すように合流してもよい。これらは
すべて本発明の他の実施例とする。この様に、電源線に
スイッチを設け、使用しない部分への電源供給を断つこ
とによシ低消費電力化が図れる。
尚、他方、接地@ vss (ov)の供給については
通常の構造とする。
第2図(b)に第3図の回路ブロック間の結線及び第1
図、第2図(a)の電源線に用いられるスイッチ(E”
FROM) t−示す。P型S1基板を例にとれば、ソ
ース(8)、ドレインCD)はn+拡散層で作られ、そ
の間にゲート絶縁膜を介してフローティングゲー) (
FG)が設けられている。FG上にはFGと容量結合す
る第1.第2のコントロールゲートCG1゜CG、含有
する。又、FGはトンネル絶縁膜を介して基板にS、D
とは別に設けられ7tn+拡散層(EG)ト対向スル。
例エバco1=CG2=2ov 、 EG=oVではF
Gに電子が注入され8.D間はOFF、  CG□=C
G2=OV、BG=20v”t”はfi子カ放出1.O
N状態となる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の実施例の平面図、第2図(a)は変
形例の平面図、第2図(b)はスイッチの等価回路図、
第3図は従来技術を説明する平面図である。 図において、 l・・・回路プロ、り、 2・・・入力用配線群、 3・・・出力用配線群、 4・・・幹線電源線、 5・・・スイッチ素子、 6・・・支線電源線。 代理人 弁理士 則 近憲佑 (ほか1名)第1図 第2図 CGt   CGz 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  基板に作り込まれた、それ自体論理機能を有し、かつ
    信号の入力部及び信号の出力部を有する複数の回路ブロ
    ックと、この複数の回路ブロックからなる回路ブロック
    領域に隣接し、前記基板上に形成された配線領域とを備
    え、前記回路ブロック領域は複数種の論理機能素子の集
    合から構成され、前記配線領域は互いに交わる信号入力
    用配線群及び信号出力用配線群から構成され、前記信号
    入力用配線群は各回路ブロックの信号入力部に夫々接続
    され、前記信号出力用配線群は各回路ブロックの信号の
    出力部に夫々接続され、かつこれら接続はその回路ブロ
    ックが隣接する前記配線領域において行なわれ、前記信
    号入力用配線群と前記信号出力用配線群との交差部には
    夫々スイッチ素子が設けられ、このスイッチ素子のON
    、OFF状態を制御することにより各回路ブロック間の
    信号の入出力関係が決定され所望の集積回路が構築され
    ると共に、個々の回路ブロックへの共通の電源としての
    幹線電源線を有し、個々の回路ブロックへは夫々独立に
    その電源線から電源の供給を受けるための支線電源線が
    スイッチを介して設けられ、このスイッチのON、OF
    F状態を制御することにより、各回路ブロックへの電源
    の供給もしくはしゃ断を実現しうることを特徴とする半
    導体集積回路。
JP60030297A 1985-02-20 1985-02-20 半導体集積回路 Pending JPS61190958A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5548765A (en) * 1990-08-28 1996-08-20 Seiko Epson Corporation Power saving display subsystem for portable computers
US5844263A (en) * 1997-01-06 1998-12-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor integrated device having independent circuit blocks and a power breaking means for selectively supplying power to the circuit blocks
JP2010532058A (ja) * 2007-06-27 2010-09-30 クゥアルコム・インコーポレイテッド マルチメディア処理電力管理のためのパワーゲーティング

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5844263A (en) * 1997-01-06 1998-12-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor integrated device having independent circuit blocks and a power breaking means for selectively supplying power to the circuit blocks
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