JPS61182612A

JPS61182612A - 横方向に記録するための書込み用磁気トランスデユ−サ

Info

Publication number: JPS61182612A
Application number: JP60280855A
Authority: JP
Inventors: ジヤツク・デツセール
Original assignee: Bull SA
Current assignee: Bull SA
Priority date: 1984-12-20
Filing date: 1985-12-13
Publication date: 1986-08-15
Also published as: EP0188943B1; US4737873A; DE3573185D1; FR2575314A1; FR2575314B1; EP0188943A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は横方向記録のための書込み用磁気トランスデユ
ーサに関する。本発明は４１ＰＫデイスク形記憶装置の
磁気ディスクに線密度及び半径方向密度の高い情報を記
録するに適用可能である。

磁気ディスクは、円形同心トラックの内部に書込まれた
情報を包含する。該情報は各トラックの全長に渡って分
布する一般に長さが可変の一連の小磁気セルの形式をと
る。２個の単位となる磁気セル内における励磁（又は磁
化）は、反対方向で一般に同一モジュールを有する。

磁気ディスクへの情報書込み又はそれらの読取シ、或い
は該２つの機能のいずれかを実施可能にする装置をトラ
ンスデユーサと称する。

巻線を周囲に設けた磁気回路を包含する磁気トランスデ
ユーサは、一般に書込み並びに読取りＩＣ使用される。

一般に磁気回路は媒体の面から極く僅かな距離だけ（０
または１０分の数ミクロン）離れて位置する磁極間隙に
よって隔設される２個の極片を包含する。該２個の極片
のうち、これまでは磁気媒体の情報を極片の前方へ繰り
出す第１極片を上流極片又は前方極片と称し、他方の極
片を下流極片又は後方極片と称する。

磁気ディスク開発の実際の傾向は、センナメートル当シ
数千のトラックに該当する半径方向密度と（ディスクの
直径に沿って測定）、センナメートル当シー万回以上の
磁化方向変化に相当する線密度を求める方向にある（ト
ラック周辺に沿って測定）。

このような記録密度を得ることを可能にする情報書込み
モードの１つは、単位セルの磁化がディスクの記録磁性
層の平面内に位置して（すなわちディスクに対して平行
）、情報繰り出し方向に対して垂直な（横方向記録モー
ドの名称の由来）いわゆる横方向書込みモードである。

このモードの場合、該層を構成する磁性媒体は、記録層
の平面内にあって、情報繰り出し方向に対して垂直な磁
化容易方向と称する磁化（又は励磁）のイ養シ方向を有
する異方性磁性媒体であることが望ましい。

磁気ディスクの場合、いかなる点においても、該方向は
半径方向であり、従ってセル内の磁化は該ディスクの直
径に沿って指向する。

記録媒体において、所与のトラックの各単位セルは磁気
移行部（実際、ブロッホ又はネール磁壁でｓｂ、各該セ
ル内の磁化方向の逆を示す磁化方向が反対の２個の単位
セル間を隔設する個所の幾何学的場所である）、すなわ
ちディスクの直径方向と同じ方向が情報繰り出し方向に
対して垂直な主要移行部によって、隣接する各トラック
から隔設される。媒体にて、各主要移行部は二元情報を
物理的に画定する。

一般に、反対に磁化される磁気セル相互間の地理的境界
部として磁気移行部を定義づける。

先行技術このようなモードにおいて情報を書込むために１磁極間
隙が情報の繰り出し方向に対して垂直に位置する磁気ト
ランスデユーサと、前記型式の記録媒体（例えば半径方
向の磁化容易の方向に対して異方性の磁気ディスク）と
で構成する記録システムを用いるのが一般的である。

使用される書込み磁界は、記録媒体に対して平行で情報
繰り出し方向に対して垂直な後方極片によって生じる磁
界によって構成される。

前記記録システム及びモードによって、極めて正確Ｋか
つ高い安定性を有するように決定される各トラックの連
続磁気セルを分離する磁気移行部を得ることが可能とな
る。更に１記録層の厚さが薄ければ薄い程、各移行部は
よシ微細になる（情報の繰り出し方向に対して平行に測
定した長さがよシ短かくなる）ことがわかる。

横方向モードによって記録される情報を読取り可能くす
るためＫは、読取り電子回路によって開発可能な信号を
読取り）ランスデューサが送ることが可能なだけ充分に
強力な漏洩磁界を各磁気セルが記録媒体との直接隣接部
に生じさせる必要がある。

ところで横方向記録の特性の故に、媒体表面との隣接部
においては主要移行部と直角を成して漏洩磁界が生じな
い。実際、該移行部周囲において、隣接する２個のセル
相互間の磁界線は、媒体の同一面にて再閉鎖し、それの
外部にて基閉鎖しない傾向にある。

トラックの磁気セルが、それらの位置を検出可能にする
漏洩磁界を媒体表面との隣接部に生じさせるために情報
繰り出し方向に平行な各セルの各側部に、側方向移行部
、すなわち情報繰り出し方向に対して平行な移行部を設
けなければならない。

すなわちこれは、所与のトラックのセルを、トラックの
両側においてそれと対向する方向に磁化される磁気セル
で包囲しなければならないことを意味する。

言い換えれば、前述のように配置された２個の側方向移
行部を備える磁気セルのみが、読取シ用磁気抵抗トラン
スデユーサの端子にて開発可能な読取シ信号を発するの
に充分な強度の漏洩磁界を記録媒体との直接隣接部に形
成する。

結論として、所与のトラックの磁気セルの場合、主要移
行部がディスクに二元情報の地理的位置を決定可能にす
る時、読取りトランスデユーサによる検出を可能ならし
めるのは側方向移行部である。

前記従来の記録システム及びモードの欠点は、記録情報
によって生じる漏洩磁界の製図法が、記録しようとする
トラックの最初の磁気状態と、直接的な磁気環境とＫよ
って著しく左右されることＫある（該磁気環境はトラッ
クの端子の両側に位置する限定幅の帯域によって決定さ
れる）。

実際、トラックの最初の磁気状態と直接的な磁気環境は
全く偶発的である故に次の３個の結論のうちの１つを伴
うことになる。

−ａ）　記録された磁気セルが、読取シトランスデュー
サの出発信号が開発可能な側方向移行部を、情報繰り出
し方向に対して平行な各側部に設ける。

−ｂ）　　記録された磁気セルの片側のみに、側方向移
行部を設ける。この場合、形成される漏洩磁界は比較的
弱く、読取シ用の磁気抵抗トランスデユーサの出発信号
は弱いので開発が困難である。

−ｃ）　　記録された磁区は各側部にいかなる側方向移
行部をも包含しない。この場合、形成される漏洩磁界は
ほとんどゼロに等しく、同じく読取シ用の磁気抵抗トラ
ンスデユーサの出発信号もゼロに等しい。

従って所与のトラックに相応する読取シ信号アンサンプ
ルは次の２種類の信号を包含する。

−１相応する情報値を決定するのに充分な振幅を有する
信号（前述の（ａ）の場合） −２ピツトの値の決定を不確定にしたシ、不能にしたシ
するゼロに近い僅かな振幅の信号（前記（ｂ）及び（ｃ
）の場合）問題を解決するための手段従って、所与のトラックに記録された磁区アンナンデル
に相応する信号の開発は極めて困難であ　゛る。本発明
は所与の磁化方向を有する所与のトラックの各セルが中
央極によって記録され、補助極が、該セルの両側に１同
一の磁化方向、すなわち中央極によって記録されるセル
の磁化方向と反対の方向を有する２個の側方向セルを記
録するように、２個の書込み用側補助極によって包囲さ
れかつ磁極間隙によって補助極と相互に隔設される書込
み用中央極を包含する記録磁気トランスデユーサを提供
することＫよって前記欠点を改良可能にすることである
。

かくて、中央極と２個の側補助極との間に２個の磁極間
隙を設けるととＫよって、各単位セルにおいて側方向磁
気移行部を画定可能であり、いかなる場合も読取り）ラ
ンスデューサ及びそれに接続する読取シミ子回路によっ
て開発可能な情報を各トラックに記録可能となる。

本発明によゐ磁気トランスデユーサは、繰夛出し方向に
垂直な磁化ベクトルを媒体の平面に有する複数個の磁化
セルの形に表わされる各トラックの情報を媒体の複数個
のトラックに横方向に記録するためのものであり、 −巻線と磁気連結する少なくとも１個の書込み極を備え
る磁気回路を包含し、該磁気回路は、磁極間隙によって
相互に隔設される書込み用側補助極で包囲される書込み
用中央極を包含し、該中央極は所与の磁化方向を有する
所与のトラックの各セルを記録し、該補助極は同一値と
同一方向を有し、該中央セルによって記録されたセルに
対向するように磁化された２個の側方向セルを該区域の
両側にて記録し、かくて該２個の磁極間隙はトラックの
各セルの両側にて、媒体の繰り出し方向く対して平行な
２個の側方向磁気移行部を画定することを特徴とする。

同様に本発明は媒体の複数個のトラックに情報を横方向
に記録するモードに関し、各トラックの情報は、媒体の
平面内にあって情報送シ出し方向に垂直な磁化ベクトル
を有する一連の単位セルの形をとるものである。本発明
による横方向記録モードの特徴は、同じに磁化されて、
所与のトラックに記録されたセルとは反対方向の２個の
側部セルを所与のトラックの各セルの両側に記録するこ
とであり、各側部セルと中央セルとの間の境界は、情報
繰り出し方向に対して平行な側方向磁気移行部を画定す
る。

媒体はその平面内に情報繰り出し方向く対して垂直な容
易磁化軸線を有することが望ましい。

本発明の他の特徴及び利点は、本発明の実施例を非制限
例としてのみ示す添附の図画を参照して以下に詳述する
。

本発明による書込み用磁気トランスデユーサの構造及び
機能をよシよく理解するために、従来技術による情報の
横方向書込み用磁気トランスデユーサの構造及び機能並
びに欠点を提起するのが有効である。これに関しては第
２ａ図、第２ｂ図及び第３図に図示する。第２ａ及び２
ｂ図は従来技術による２個の磁気トランスデユーサを包
含する２個の横方向記録システムを示し、第３図はかか
る記録システムの欠点を示す。

先ず先行技術による横方向記録システム５ＥＴＡ□を示
す第２ａ図について説明する。

該システムＳ　ＥＴＡ□は次のものを包含する−　磁気
トランスデユーサＴＭＡ□。

−矢印Ｆで示す方向にてトランスデユーサＴＭＡ□の前
方に繰り出す記録媒体ＳＭＡ□。

第２８図に示すトランスデユーサＴＭＡ　は、例えばフ
ェライト製の従来の型式の磁気トランスデユーサで、磁
極間隙ＧＡＩＫよって隔設される前方極ＰＡＶ□と後方
極ＰＡＲ□とを包含する。

単一トラックＰのみを示す記録媒体ＳＡＭ□は、情報繰
り出し方向Ｆに垂直で記録媒体ＳＭＡ□の平面内にある
磁化容易方向ＡＦＡ□を有する異方性磁性材料製である
。該記録媒体の磁性層厚さは２００オングストロームか
ら１ミクロンで極めて薄い。

トラックＰの情報を形成するために、後方磁極ＰＡＲＩ
Ｋよって生じる磁界Ｈｚの影響でトランスデユーサＴＭ
Ａ１の後方磁極ＰＡＲＩＫよって（第２ａ図及び第２ｂ
図に示す如く直角軸線Ｏｘ　＠　０）’　＊Ｏｚ　を有
する装置によって記録システム５ＥＴＡ工を位置決めす
る）一連の磁気セルを記録するが、ここでは図面を簡単
にするために３個のみ、すなわちＤＤ、Ｄ　　を示す。

ベクトルＭ１．Ｍ。

Ｍ３で示す各セル内の磁化は横方向、すなわち情報繰り
出し方向ＦＫ対して垂直（軸ＭＯｘＫ対して垂直）で軸
線ＯｚＫ対して平行である。記録媒体が磁気ディスクで
ある時、Ｄ　からＤ８の如く記録された各磁気セル内の
磁化は半径方向である。

各セルＤ　からＤ８は繰り出し方向ＰＫ垂直な主要移行
部によって隣接セルから分離される。主要移行部ＴＰ　
　はＤ　とＤ　を分離し、移行部ＴＰ　　けＤ　とＤ　
を分離し、移行部ＴＰ８はＤ８と　Ｄ４を分離する。デ
ィスクのトラックＰの二元情報の地理学的位置を画定す
るのは該主要移行部である。

トランクＰの縁Ｂ　及びＢ、の両側に位置するトラック
Ｐの周辺の磁気状態が、トラックＰＫ記録された磁気セ
ルの磁化に対向するようなものであれば、磁化セルは縁
Ｂ　及びＢ、　Ｋ位置する側方向移行部、すなわちセル
Ｄ　の場合はＴＬ□□及びＴＬ□、で、セルＤ８の場合
はＴＬ８ニーＴＬ３□を有する。

実験によれば、側方向移行部は鋸歯形状を有し、（以下
余白）第２ｂ図によれば先行技術による横方向記録システム８
ＥＴＡ２は、一集積磁気トランスデューサＴＭＡ２と、−記録媒体５
ＭＡ２とを包含する。

磁気トランスデユーサＴ　ＭＡ２は「集積磁気ヘッドと
該ヘラ１の製造方法」に関する情報国際カンパニー及び
原子エネルギー局による１９６９年１０月２８日付の仏
閣特許第２．０６３，６９３号と、「完全なる磁気トラ
ンスデユーサとそれらの製造方法」に関する核カンバー
−による１９７２年７月３日付の仏閣特許第２，２０９
，１５４号に記載されているような集積型磁気トランス
デユーサである。

従って該トランスデユーサは、前方磁極ＰＡｖ２と後方
磁極ＰＡＲ２ｆｔ−包含し、相互間に巻線ＢＯＢＡ２を
配置する。トランスデユーサＴＭＡ２は、磁極間隙ＧＡ
２を包含する。２極ＰＡＹ２とＰＡＲ２は薄い磁性層罠
なっており、巻線ＢＯＢＡ、は薄い伝導層と絶縁層とを
積み重ねた型式のものである。

記録媒体５ＭＡ２は記録媒体８ＭＡｌと全く同じであり
、情報繰り出し方向に垂直でかつ軸線０１に対して平行
な磁化容易軸を有する。

トランスデユーサＴＭＡ１と同様に、横方向に磁化した
磁気セルは、トランスデユーサＴＭＡ２の極ＰＡＲ２に
よって生じる磁力ＨｚＫよって記録される。

前述の如く、トラックＰの縁に一致する各側部に磁気セ
ルＤＩの場合は側方向転移部ＴＬ１１−　ＴＬ１２磁気
セルＤ８の場合にはＴＬ８１−ＴＬｕを設けるが、Ｄｌ
及びＤ３の如き磁気セルのみＫては読取シトランスデュ
ーサによって検出可能なだけの充分な漏洩磁界Ｈｆが生
じても、ＴＰｌ、ＴＰ２．ＴＰ８の如き主要移行部にお
いては媒体との隣接部に漏洩磁界が生じない。従って、
主要移行部によって情報の地理的位置を決定する場合、
それらを検出可能にするのは側方向移行部である。

記録システム５ＥＴＡ工（又は８ＥＴＡ２）の場合、磁
界が全くいずれのものでも任意であるような（実際の場
合がそうである）媒体８　ＭＡｌ又は媒体ＳＡＭ２の如
き記録磁気媒体の３個のトラックＰａ。

Ｐｂ、Ｐｃを示した第３図にて特に明らかな次の如き欠
点がおる。

側方向移行部の存在如何は記録媒体の先行する磁気状態
に左右される。ところで該記録媒体は、５ＥＴＡ１（又
はＳＥＴ人２）によって記録された横方向に磁化した磁
気セルが側方向移行部を有したシ有さないように全く不
安定である。

トラックＰａを考えれば、セルＤＡ１は側方向移行部を
包含せず、セルＤＡ２は２個の側方向移行部すなわちＴ
ＬＡ２、及びＴＬＡ２□を包含し、セルＤＡ、は２個の
側方向移行部すなわちＴＬＡ、ｌ及びＴ　ＬＡ８□を包
含し、セルＤＡ、は長さが２分の１しかない側方向移行
部ＴＬＡ、１及びＴＬＡ４２を有することがわかる（＃
長さは情報の繰り出し方向Ｆに対して平行に測定される
セルの寸法）。

同様にトラックｐｂの場合、セルＤＢ１は側方向移行部
を全く包含せず、セルＤＢ２はセルの長さの半分にしか
ならない単一の側方向移行部ＴＬＢ２１を包含し、最後
にセルＤＢ８は単一の側方性移行部、すなわちセルの長
さの半分にすぎないＴＬＢ３２のみを包含することがわ
かる。

最後にトラックＰｃのセルＤＣ１，ＤＣ２・・・・・・
等は全て側方向移行部を包含しないことがわかる。

従って、例えばトラックＰｃに関する限シ、第３図に示
したセルは全て漏洩磁界を生じないことがわかる。

トラックＰｂに関する限シ、情報開発は極めて困難とな
シセルＤＢ１の場合には不可能にさえなる。

トラックＰａに関する限りセルＤＡ２及びＤＡＢによっ
て構成される情報の開発のみが正確なものとなる。（本
発明による横方向記録用の書込みトランスデユーサに関
する説明）第１図と、第４図から第６図に示す本発明によるトラン
スデユーサＴＭＩＩは前記欠点を改良するものである。

該トランスデユーサは次のものを包含する。すなわち一中央極ＰＣＩｌ −２個の側補助極ＰＬ　１１□及びＰＬＩ、□−巻線Ｂ
ＯＢ　Ｉ、トランスデユーサＴＭ１１は中央極ＰＣ１と側補助極Ｐ
ＬＩＨとの間に位置する第１磁極間隙ＥＮＩ□と、中央
極ＰＣ工１と側補助極ＰＬＩ１２との間に位置する第２
磁極間隙ＥＮＩ２とを包含する。

トランスデユーサＴＭ１１は媒体ＳＭＡ工と８ＭＡ２（
ディスクと仮定する）に類似した記録媒体８ＭＩ、と協
働する。こうして前述の５ＥＴ１１と同様に本発明のシ
ステムを構成する。

該媒体に、Ｐｌｌの如きトラック上の情報を記録する（
第１図、７ａ及び７ｂ図参照）。

第１図において、記録媒体５Ｍｌ１は図の平面に対して
垂直Ｋｍ、出すように図示される。側補助極ＰＬＩＨ，
中央極ＰＣＩｌ、側補助極ＰＬＩ１２．磁極間隙”ＮＩ
ｔ　（ＴＷＬＩ　＝　ＴＷＬ２　ヲ（＋ｌｌｌエル）　
及ＣＦ１１１極間隙ＥＮＩ２　（ｇｌｌ　”：：　ｇ’
２を備える）の幅をそれぞれＴＷＬＩ　−ＴＷ、　ＴＷ
Ｌ２１ｇ１ｌ　１ｇ１２　トｆル。ｍ報繰、ａ出し方向
に対して千行く測定したトランスデユーサの厚さをｅと
し、記録媒体に垂直に測定した高さをｈとする。

ＴＷＬＩ　、　ｇｉ、　、　ＴＷ、　ｇｉ２　＃　ＴＷ
Ｌ２　ノ寸法が小さくなればなる程記録される情報の半
径方向密度が高くなるのは明らかである。

同様に、）ランスデューサの厚さｅが少なければ少ない
程、高い情報の長手方向密度を得る可能性は多くなる。

第４８，４ｂ、５及び６図は本発明によるトランスデユ
ーサの第１好適実施例ＴＭＩｌを示し、第４ｃＷＪは本
発明による横方向記録用の磁気トランスデユーサの第２
好適実施例ＴＭＩ、を示す。

かくて、第４３．４ｂ、５及び６図から分るように、巻
線ＢＯＢ１１は、先ず中央極ＰＣＩＩＫ配置される複数
個ｎの中央導体、すなわち導体ＣＣ１１１゜ＣＣｌ１２
．　ＣＣＩ□８．　ＣＣｌ１．°（すなわちζこではｎ
＝４）と、次に側補助極ＰＬ工ｌｌ及びＰＩ、Ｉ、にそ
れぞれ配置し走２個の側導体ＣＬ１１１及びＣＬ１１２
を包含する。該導体は記録媒体に垂直で、繰り出し方向
に垂直な極の面の１つに配置される。第４図から第６図
を明瞭にするために図示しない非磁性電気絶縁層を該導
体と中央及び偏極との間に配置する。

中央極内部において全長冑にわたる磁化及びそれに近接
して核種によって生じる励起磁界の均一化を可能にする
故に、中央導体を単数にしないで複数にすることが望ま
しい。中央導体ＣＣ工１１及びＣＣｌ１４は相互に等間
隔であり、￥ましくけ幅、厚さとも同一（従って同一断
面）である。該導体は並列に給電される。

第４ａ、５及び６図に示す如き側導体ＣＬＩＨ及びＣＬ
１１□は偏極と同一幅（すなわちＴＷＬｌ）を有するが
、当然のことながら側補助極の幅以下にしてもよい。更
に巻線ＢＯ３工１は、中央導体と側導体に共通の復行程
導体すなわちＣＲＩｌを包含する。

該復行程導体はトランスデユーサの下部に配置され、従
って記録媒体に向い合って位置する。該復行程導体の断
面は、書込み磁界を混乱−ｔｔｈつる可能性を最小限に
するために該導体によって生じる磁界が最小になるよう
なものである。第１実施例（トランスデユーサＴＭ１１
）において、４個の中央導体と２個の側導体は、トラン
スデユーサＴＭＩ、の３極と同一側面に配置される。す
なわち繰り出し方向と記録媒体とく垂直々同一面上にあ
る。これに反して、第２実施例の場合（トランスデユー
サＴＭＩ２）、繰り出し方向と記録媒体に垂直な中央及
び偏極の各面は、トランスデユーサＴＭ１１の構造の場
合と同じ方法で各面に同じに配置した中央及び側導体を
包含する。

中央導体及び側導体は並列に電気接続される。

トランスデユーサＴＭ１１とトランスデユーサＴＭＩ２
も集積型トランスデユーサであることが望ましく、特に
半導体の製造に使用される方法に従って製造可能である
。

本発明によるトランスデユーサの機能は第７ａ図及び第
７　ｂｌｇを参照すれば理解しやすい。

４個の中央導体ＣＣｌ１ｌからＣＣ１１，には、第４８
図に示す方向に流れる電流工を供給し、２個の側導体Ｃ
Ｌ工１１及びＣＬＩ１２１ｃは、電流工と反対方向の電
流Ｉ’（実際ＫＩ’＝−２Ｉ）を供給する。かくて、中
央極ＰＣ工ｌ内における磁化は、ベクトルＭによって実
施され（第７ａ図及び７ｂ図参照）、側補助極内の磁化
はベクトルーＭ′によって実施される（実際Ｋ　Ｉ　Ｍ
’　ｌ　＝　Ｉ　Ｍ　Ｉ　’）。従って、中央極内の磁
化と２個の側補助極内における磁化は逆平行であること
がわかる。記録媒体ｆ９ＭＩｌの高さにて中央極ＰＣＩ
、Ｋよって生じる磁界はＨｃであシ（第７ａ図参照）、
側補助極ＰＬＩ□、及びＰＬＩ、によってそれぞれ生じ
る磁界はＨＬＩ及びＨｌ、２である。磁界Ｈｃと偏磁界
ＨＬＩ及びＨＩ、２は逆平行である。

従って、トランスデユーサＴＭＩ、は第７ａ図及び７ｂ
図に示す方法で、Ｐ工１及びＰ工２の如きトラックの内
部に情報を書込む。中央極ＰＣＩｌは中央セルＤＣＩ□
０．ＤＣＩ、２．ＤＣＩ、、、ＤＣＩｏ、を書込む。

側補助極ＰＬ工１１は側セルＤＬＡＩｌ工、　ＤＬＡＩ
、２．　ＤＬＡＩ１８゜ＤＡＬＩ１４を書込み、側補助
極ＰＬＩｌ、は側セルＤＬＢ１１１゜ＤＬＢＩ、２．Ｄ
ＬＢＩ、８．ＤＬＢＩ１４を書込む。第７ａ図及び７ｂ
ｒＩ！ＪＫは、中央及び側セルの各々における磁化ベク
トルの方向を矢印で示した。かくて、同一の中央セルを
包囲する側セルの各々における磁化は同一方向に行なわ
れ、この方向は中央セル内の磁化方向とは対向する本の
であることがわかる。

かくて、中央セルＤＣＩｌｌを包囲する２個の側セルＤ
ＬＡ１１１及びＤＬＢＩ１２内の磁化は同一方向で、中
央セルＤＣＩ１１内の磁化方向に対向することがわかる
。側セルＤＬＡＩν及びＤＬＢ　１１２並びに中央セル
ＤＣＩ１２に関しても同じであシ以下同様である。同様
に、中央セルＤＣＩｌｌからＤＣＣｌ２Ｏ各々は鋸歯形
状の側方向移行部によって各々の側面にて限定されるこ
とがわかる。かくて、中央セルＤＣＩ、ｌは２個の側方
向移行部’Ｉ”ＬＡＨ及びＴＬＢ、□で包囲され、中央
区域ＤＣＩ、は鋸歯形状の側移行部ＴＬＡ１２及びＴＬ
Ｂｌ２によって、中央セルＤＣＩ１８は２個の側方向移
行部ＴＬＡ、８及びＴＬＢｌ、にょって、又中央セルＤ
Ｃ１１４は２個の側方向移行部ＴＬＡ１４及びＴＬＢｌ
４によって包囲される。

従って、該側方向移行部によって、中央セルＤＣＩ１４
の各々は、読取シト２ンスデユーサと協働する読取シミ
子回路によって開発可能な信号を該トランスデユーサの
端子に生じさせるのに充分な強度の漏洩愚弄を起すこと
がわかる。

かくて、＠７ｂ図かられかるように、）ラックＰ工ｌに
隣接するトラックＰＩ２に書込むためＫは、全長ＴＴＷ
ＩＣ等しい長さのトランスデユーサＴＭＩ□を転移させ
ればよい。トラックＰＩ２は中央セルＤＣＩ２１からＤ
ＣＩ、を包含する。各中央セルは側セルＤＬＡＩ２１か
らＤＬＡＩ、、及びＤＬＢ　Ｉ２□からＤＬＢＩ２゜Ｋ
よって包囲される。従って、各トラックは２組の側セル
によって隣接トラックから隔設されることがわかる。か
くて、トラックＰ１１は２組の側セルＤＬＢＩ０、から
ＤＬＢＩ、、及びＤＬＡＩ２□からＤＬＡＩあＫよって
トラックＰＩ２から隔設される。第７ｂ図においては中
央セルを長さが可変であるとして図示した。同様に、２
組の側セルＤＬＢＩ０、−ＤＬＡＩ２□からＤＬＢＩｏ
、−ＤＬＡＩ、６において、鋸歯形側方向移行部の配置
は偶然的であることがわかる。

第３図及び第７ｂ図を参照すれば、極めて高い半径方向
密度を望む場合、中央極ＰＣ１１の幅謂を僅かＫし、Ｔ
Ｗ／ＴＷＬｌ（及びＴＷ／ＴＷＬ２）の割合である他の
部分を大にしなければならないことがわかる。かくて、
ＴＴＷを約４ミクロンとして、最大値で’ｒＷ：ｌ：２
ミクロン及び’ｒｗＬ１＝　’ｒｗ、　＝−１ミクロン
にすることが可能であり、これはセンナメートル当シ最
小値２５００　）ラックの半径方向密度に相当し、通常
実際に得られる半径方向密度を実質的に上回る。

更に、ＤＬＢＩｏ、−ＤＬＡＩ２１ｔたはＤＬＢ　Ｉ□
、−ＤＬＡＩ、の如き側セルの組は、有益なる磁界（情
報に関する磁界）を起さずに有害な磁界を起すジェネレ
ータである。従ってそれらの幅を出来るだけ減少させな
ければならない。

同様に２個の磁極間隙ｈＮＩ工５及びＢＮＩ、の幅は鋸
歯形長手方向移行部の幅に影響を与えるので、得られる
半径方向密度に関係する役割を果す。従って、幅ｇ１１
及び幅ｇ１２を出来るだけ減少させるのが効果的である
。

第８ａ及び８ｂ図は本発明による複数個のトランスデユ
ーサを包含する２個のヘッドＭＴＭＩｌ及びＭＴＭＩ２
を示す。

第８ａ図に示すヘッドＭＴＭＩｌは、複数個のトランス
デユーサを包含するが、第８ａ図には、トランスデユー
サＴＭＩｌ又はＴＭＩ２に全く等しい本発明による３個
のトランスデユーサＴＭＩ、。、　ＴＭ１１１゜及びＴ
ＭＩＩ２のみを図示した。第８ａ図はヘッドＭＴＭＩｌ
の上面図である。トランスデユーサ’Ｉ’ＭＩｌ。

は中央極ＰＣＩ、と側補助極ＰＬ工ｌ。ｌ及びＰ　Ｌ　
Ｉ　、。。

を有シ、トランスデユーサＴＭ工ｌｌは中央極ＰＣＩ、
□と側補助極ＰＬＩｌｌｌ及びＰＬ工１１２を有し、又
トランスデユーサＴＭ工１２は側補助極ＰＬＩ１２１の
みを有し、前記トランスデユーサは全て軸線ＡＸＩ、に
涜って整合するように図示した。

簡単にするためにトランスデユーサＴＭＩｌｏからＴＭ
ＩＩ、の各々の中央及び側の導体は図示しなかった。

各トランスデユーサの幅はＴｆｆである。該トランスデ
ユーサは幅Ｔｆｆの非磁性電気絶縁体によって相互に隔
設される。かくて、トランスデユーサＴＭ１１ｏ及びＴ
ＭＩ、□は絶縁体ｌ８０ＬＩ、Ｋよって、又トランスデ
ユーサＴＭＩ１１及びＴＭＩｌ、は絶縁体ｌ８０ＩＪ２
によって隔設される。

該絶縁体によって、書込み磁界が書込み操作を実施する
時のあらゆる漏れ（異なるトランスデユーサの書込み磁
界相互間の干渉）が回避可能となる。多重ヘッドトラン
スデユーサＭＴＭＩｌは２個のトラックに同時に書込み
可能であることがわかる。

第８ｂ図に上面図で示すヘッドＭＴＭＩ、は、複数個の
トランスデユーサを包含するが、図面には４個のみすな
わちトランスデユーサＴＭＩ、からＴＭＩ篤のみを示す
。

トランスデユーサＴＭＩ、からＴＭＩッの中央極ｆ’ｃ
Ｉ、からＰＣＩッは、トランスデユーサＴＭＩｌの中央
極ＰＣ１１と同一であシ（第１図）同一軸線ＡＸＩ、に
整合する。

中央極ＰＣＩ、用の中央平屋導体ＣＣＩ、□からＣＣｌ
２０４、中央極ＰＣＩ２１用の導体ＣＣＩ、□、からＣ
ＣＩ、□４、中央極ＰＣＩ、用の導体ＰＣ工２２１から
ＣＣｌ２２４％中央極ＰＣＩ、用の導体ＣＣＩｎ１から
ＣＣｌ２８４は、第４図のトランスデユーサＴＭ１１の
巻線ＢＯＢＩＩの導体ＣＣＩ１１からＣＣｌ１４と同じ
方法で相応する極にそれぞれ配置される。

トランスデユーサＴＭＩ、及びＴＭＩ２２の側補助極Ｐ
ＬＩ２０、−　ＰＬＩｗ２及びＰＬＩ２２１−　ＰＬＩ
２２２　Ｂ、ＡＸＩ、と平行な同一軸線ＡＸＩＢ上に整
合し、トランスデユーサＴＭＩ、ｌ及びＴＭＩ、の側補
助極ＰＬＩ２□、−ＰＬＩ２１２及びＰＬＩい、−ＰＬ
Ｉ２８□はＡＸＩ２と平行な同一軸線ＡＸＩ４上にて整
合する。各側補助極はトランスデユーサＴＭＩｌの側補
助極ＰＬＩＨ及びＰＬ１１□と同一である。平型側導体
ＣＬＩ、、−ＣＬＩｗ２゜ＣＬＩ２１２．ＣＬＩ２２、
−ＣＬＩ２２２．ＣＬＩ、□−Ｃ：ＬＩ２１１２は、側
導体ＣＬＩ、、及びＣＬＩ、２がトランスデユーサＴＭ
ＩｌＯ側補助極ＰＬ　Ｉ、□及びＰＬＩ１２に配置され
るのと同じように側補助極ＰＬＩ２ｏｌ−ＰＬＩ２ｏ２
からＰＬＩ、、−ＰＬＩ２．□の各々に配置される。

トランスデユーサＴＭＩ２０から１ＭＩ２８の組立体は
絶縁材ＭＩＳＩに埋められる。

従って、トランスデユーサＴＭＩ、からＴＭＩ。

の各々相互間の差異は、中央極と側極相互間の不整合で
あり、軸線ＡＸＩ２とＡＸＩ、及びＡＸＩ２とバエ。

との間の距離は、各トランスデユーサの機能がトランス
デユーサＴＭ１１（又はＴＭＩ２）の機能に類似したも
のとなるように、実際にはミクロンのオーダの極めて僅
かな値であることがわかる。

中央及び何種の不整合及び絶縁材ＭＩ８Ｉの存在によっ
て、隣接するトランスデユーサが媒体に情報を書込む時
にトランスデユーサ相互間の漏れが著しく減少する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による横方向記録用の磁気トランスデ
ユーサを情報繰り出し方向と平行な方向において見た場
合の簡単な原理を示す概略図、第２ａ図は、７エライト
製の従来型磁気トランスデユーサを用いる記録システム
図、第２ｂ図は、記録磁気トランスデユーサが集積トラ
ン難点部分図、蘂→ａ芥４ａ、４ｂ及び４ａ図東＋動転
第４図に示す本発明による横方向記録用磁気トランスデ
ユーサの巻線を構成する各種導体の配置方法を示すもの
で、第４ａ図は、情報繰り出し方向に対し′て平行な正
面図、第４ｂ及び４０図は、本発明による横方向記録の
ためのトランスデユーサ用巻線を、記録媒体に垂直で情
報送シ出し方向に対して平行な平面において見た断面図
、第５図及び第６図け、本発明による横方向記録用磁気
トランスデユーサの好適実施例を示す斜視図であって、
第５図は、本発明によるトランスデユーサの中央及び何
種に対する巻線の相対位置を詳細に示す本の、第６図は
中央す本発明の磁気トランスデユーサによって記録媒に
示す如き複数個の本発明のトランスデユーサを包含する
２つの書込みヘッドを夫々示す上面図である。ＰＩ　　、ＰＩ、　　・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・　トラック、ＳＭＩ、　　・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・　記
録媒体、ＤＣＩ　　　、８う　ＤＣＩ□４　・・・・・
・・・・　磁気セル、ＤＣＩ　　　・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・　書込み
極、ＢＯＢＩ□・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・巻線、ＰＬＩ　　、ＰＬＩ□
２　・・・・・・・・・・・・・・・　側補助極、ＥＮ
Ｉ□　、ＥＮＩ、　　・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・磁極間隙、ＰＣＩ　　・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・中央極、ＣＣＩ　　からＣＣＩ□４・・・・・・・
・・・・・・・・・・・導体、！ＩＣＬＩ　　　、ＣＬＩ、、　　・・・・・・・・・・・
・・・・・・・側補助極、ＴＭＩ　　　　・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・　トランスデユーサ、！Ｐｌ、ＰＩ　　・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・　トラック、ｔＤＣＩ　　、ＤＣＩ□４　・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・中央セル、ＩＤＬＡＩ　　−ＤＬＢＩ　　からＤＬＡＩ　　　−ＤＬ
ＢＩ□４・・・・・・側セル、ＡＦＩ　　　・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・磁化容易軸。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）媒体のトラックの少なくとも１個に情報を横方向
に記録するための磁気トランスデューサであつて、各ト
ラックの情報が複数個の磁気セルの形状をとり、該セル
の磁化ベクトルが媒体の平面に対して実質的に平行でか
つ該媒体の繰り出し方向に対して垂直であり、巻線と磁
気的一体化する少なくとも１個の書込み極で形成される
磁気回路を包含し、中央極が所与の磁化方向を有する所
与のトラックの該各中央セルを記録するように磁極間隙
だけ相互に分離される２個の側補助極で包囲される中央
極で構成され、該補的極が該セルの両側に、平行かつ同
一方向でしかも該中央セルとは反対であるように磁化さ
れる２個の側セルを記録し、かくて該２個の磁極間隙が
、該中央セルの両端部に配置される情報の繰り出し方向
に対して平行な２個の側方向磁気移行部を画定すること
を特徴とする該磁気トランスデューサ。
（２）各極が平面で、該媒体に対して及び情報繰り出し
方向に対して垂直であり、該側補助極内の磁化が同一方
向でかつ中央極の磁化と反対である、集積型であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のトランスデ
ューサ。
（３）該巻線が、 −１相互間にて平行で、該媒体に対して及び該情報の繰
り出し方向に対して垂直であり、かつ中央極に配置され
た複数個の平面状中央導体と、 −２該媒体に対して及び情報の繰り出し方向に対して垂
直であり、各側補助極に配置がなされた少なくとも１個の平面状側方導体とを包含する
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載のトラン
スデューサ。
（４）トランスデューサによる媒体の少なくとも１個の
トラックにおける情報の横方向記録モードにして、各ト
ラックの情報が一連の単位セルの形態をとり、その磁化
ベクトルが該媒体に対して実質的に平行で該媒体の繰り
出し方向に対して垂直で、所与のトラックの該各中央セ
ルの両側に、平行かつ同一方向で該中央セルとは反対で
あるように磁化される２個の側セルを記録することより
成り、各側セルと該中央セルとの間の境界が、繰り出し
方向に対して平行な側方向磁気移行部を画定することを
特徴とする該記録モード。
（５）該媒体が、該トランスデューサ前方の該媒体の繰
り出し方向に対して垂直な磁化容易軸を平面に有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の記録モー
ド。
（６）−巻線と磁気的一体化する少なくとも１個の書込
み極で形成される磁気回路を包含するトランスデューサ
と、 −少なくとも１個のトラックを記録する媒体にして、各
トラックの情報が複数個の磁気セルの形式をとり、その
磁気ベクトルが媒体の平面に対して実質的に平行で、媒
体の繰り出し方向に対して垂直であるようにしたものと
を包含し、該媒体が繰り出し方向に垂直な磁化容易方向
を平面内に有し、該中央極が所与の磁化方向を有する所
与のトラックの該中央セルを記録するように、該書込み
極が磁極間隙によつて相互に隔設される２個の書込み用
側補助極で包囲される中央書込み極であり、該補助極が
該セルの両側に２個の側セルを記録し、該セルの磁化が
平行で同一方向であり、かつ該中央セルの磁化には反対
であるものであり、かくて該２個の磁極間隙が、該中央
セルの両端部に位置する情報繰り出し方向に対して平行
な２個の側方向磁気移行部を画定することを特徴とする
情報の横方向記録装置。