JPS61180434A - 照明光学装置 - Google Patents

照明光学装置

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JPS61180434A
JPS61180434A JP60020156A JP2015685A JPS61180434A JP S61180434 A JPS61180434 A JP S61180434A JP 60020156 A JP60020156 A JP 60020156A JP 2015685 A JP2015685 A JP 2015685A JP S61180434 A JPS61180434 A JP S61180434A
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JP
Japan
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filter
optical device
illumination optical
cooling
wavelength
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Pending
Application number
JP60020156A
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English (en)
Inventor
Kazuhiro Takahashi
和弘 高橋
Toshio Matsuki
松木　敏雄
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
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    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の利用分野］ ｉｎロロは平す１イ＊曇〜Ｓｔ紅つｌ！Ｌ−ｈ７：ａｆ
−？昭ｎ日卑喫か孔装置に関する。
［従来技術］ 半導体露光装置、特に投影露光装置における単一波長の
露光光束を水銀ランプ等の多色光源から得る場合、照明
光学装置内に使用波長以外の波長光をカットするフィル
ターなどの波長選択手段を配置することは周知の通りで
ある。
通常、この種の波長選択にはシャープカットオフフィル
ターが用いられるが、光の吸収による熱が原因となって
その透過率特性が変化し、一般（−は透過率特性の長波
長側へのシフトとなって現われる。このため、露光用の
使用波長光に対する透過率の変化が生じ、例えばタイマ
ーなどを用いて一定時間だけシャッターを開けて露光す
る場合に、露光を繰り返すにつれて光の吸収による温度
上昇でフィルターの透過率特性が変化し、露光の最初の
ほうと最後のほうでは露光量に差を生じ、このような露
光量の不安定性は露光装置の解像力や線幅の再現性など
に重大な影響を与え、その解消が要望されている− ［発明の目的と概要１ 本発明は、前述の問題点を解決して安定な露光量を保証
できるようにしようとするもので、フィルターなどの波
長選択手段の温度上昇を抑制する冷却手段を装備するこ
とでその透過率特性の変化を防止し、一定した透過率特
性で目的波長の露光光束の温度特性を安定化した照明光
学装置を提供するものである。
本発明の照明光学装置では、不要波長光を吸収した波長
選択手段が、空冷装置などの冷却手段により冷却される
ので温度上昇が抑制され、従って波長選択手段の透過率
特性が温度の面で格段に安定化されるものである。
本発明の実施例を示せば以下の通りである。
［実施例］ 第１図において、水銀ランプの如き多色光源１は楕円ミ
ラー２の第１焦点上にその発光中心を合致させて配置さ
れている。光源１からの光は楕円ミラー２で集束光束と
なり、コールドミラー３で反射されてシャッター１０お
よびフィルター４を介して、オプティカルインテグレー
タ６により複数の光束に分けられ、ミラー７で反射され
たのち、コンデンサレンズ８によって照明面９上に集光
されている。
コールドミラー３は光源１からの集束光束のうちの長波
長成分を透過させて短波長成分のみの冷光を反射するが
、フィルター４はこの冷光のうちの特定波長成分のみを
オプティカルインテグレータ６に入射させ、他の不要波
長成分は吸収する。
この不要波長成分光の吸収によりフィルター４は加温さ
れるが、この実施例では本発明に従ってフィルター４の
周囲に空冷装置５が設けられており、空冷装置５からの
冷却気体の吹きつけによってフィルター４の全面を均一
に冷却するようになっている。空冷装置５は例えばフィ
ルター４の周囲からその表裏全面にノズルにより冷却空
気を吹きつけるものであるが、その具体的構成について
は特に限定ない。
例えば半導体露光装置などでは、露光に際してシャッタ
ー１０の開閉によるフィルター４の光の吸収量の変化に
よってフィルター４の温度が変化し、その透過特性が変
化するが、本実施例では、フィルター４が空冷装置５で
強制冷却されるので、フィルター４の温度上昇を抑制し
てその透過率変化が生じないようにすることができるも
のである。
従って空冷装置５の冷却コントロールをフィルターの温
度に関連して行なうようにすれば、フィルター４の温度
を一定に保つことができ、フィルター４の光吸収による
温度変化に対する透過率特性の変化を無くすことによっ
て、照明面９への照銅光吊、従って露光量をほぼ一定の
値に保つことが可能である。
［発明の効果］ 以上に述べた如く、本発明によれば、波長選択手段を冷
却することにより、不要光の吸収による温度上昇で波長
選択手段の透過率特性が変化するのを抑え、照明面への
露光量のバラツキを効果的に抑制することが可能となる
ものであり、また波長選択手段が本来有する使用波長で
の透過率を不正にも寄与するものである。
１：多色光源、２：楕円ミラー、 ３：コールドミラー、４：フィルター、５：空冷装置、
６：オプテイカルインテグレータ、７：ミラー、８：コ
ンデンサレンズ、９：照明面、１０：シャッター。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、多色光源からの光のうち特定波長領域の光束を選択
    して出射する波長選択手段を有する照明光学装置におい
    て、波長選択手段を冷却する冷却手段を備えたことを特
    徴とする照明光学装置。 ２、冷却手段が、波長選択手段に向けて冷却気体を流す
    空冷装置を含む特許請求の範囲第１項に記載の照明光学
    装置。 ３、多色光源が水銀ランプである特許請求の範囲第１項
    に記載の照明光学装置。 ４、波長選択手段が、極狭波長帯域の光束のみを通過さ
    せて出射するシャープカットオフフィルターを含む特許
    請求の範囲第１項に記載の照明光学装置。
JP60020156A 1985-02-06 1985-02-06 照明光学装置 Pending JPS61180434A (ja)

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JP60020156A JPS61180434A (ja) 1985-02-06 1985-02-06 照明光学装置

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JPS61180434A true JPS61180434A (ja) 1986-08-13

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5597670A (en) * 1990-03-09 1997-01-28 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5597670A (en) * 1990-03-09 1997-01-28 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus
US5661547A (en) * 1990-03-09 1997-08-26 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus and device produced thereby in which a stop includes an opening which is variable to substantially compensate for a change in bandwidth of a laser beam

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