JPS61174687A - 面発光型半導体レ−ザ - Google Patents
面発光型半導体レ−ザInfo
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- JPS61174687A JPS61174687A JP60014693A JP1469385A JPS61174687A JP S61174687 A JPS61174687 A JP S61174687A JP 60014693 A JP60014693 A JP 60014693A JP 1469385 A JP1469385 A JP 1469385A JP S61174687 A JPS61174687 A JP S61174687A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は面発光型半導体レーザに関し、特に共振器の反
射面を改良した面発光型半導体レーザに係わる。
射面を改良した面発光型半導体レーザに係わる。
半導体レーザは、小形、高効率、軽量、機械的振動に強
い等半導体発光素子に共通な特長の他に、高速の直接変
調が可能、光ファイバとの高効率結合が可能等の特長を
持つことから、近年、オプトエレクトロニクス用光源と
して実用化が進んできているが、その利用分野を更に拡
大するためには、発光出力の向上や大幅なコストダウン
が必要である。
い等半導体発光素子に共通な特長の他に、高速の直接変
調が可能、光ファイバとの高効率結合が可能等の特長を
持つことから、近年、オプトエレクトロニクス用光源と
して実用化が進んできているが、その利用分野を更に拡
大するためには、発光出力の向上や大幅なコストダウン
が必要である。
ところで、従来の半導体レーザとしては、■−Ｖ族化合
物半導体の結晶でダブルへテロ接合構造を作り、その結
晶を男開して得られる接合面に対して垂直な男開面を反
射面とするものが知られている。その−例として、第４
図の拡散ストライブ型レーザを示す。図中の１は、■−
ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体基板であり、２．
３．４は該基板１に順次積層されたダブルへテロ接合を
形成するためのｎ型クラッド層、活性層、ｎ型クラッド
層である。５は、前記ｎ型クラッド層４上にに設けられ
た電流を限定するためのＺｎ拡敢ストラ１゛ブ、６は同
ｐ型クラッド層４上に設けられた正電極層、７は前記基
板１の裏面に設けられた負電極層である。また、図中の
８ａ、８ｂは夫々前記■−Ｖ族化合物の半導体結晶１〜
４を結晶面に沿って男開することにより形成された男開
面であり、これら男開面゛８ａ、８ｂはダブルへテロ接
合面に垂直で、かつ極めて平坦であることから、これら
が反射面となってファブリ−ベロー型共振器を構成する
。こうした構造の半導体レーザにおいて、電極６．７間
に順方向バイアスの直流電流を印加すると、活性層３に
キャリアが注入されて発光する。この時、活性層３はク
ラッド層２及び４に比べて屈折率が高いために、光は活
性層３で閉込められ、勇開面（反射面）８ａ、８ｂで反
射を繰返してレーザ発掘が起こる。発生したレーザ光は
、その一部が男開面８ａ又は８ｂを通過して外部に放射
される。
物半導体の結晶でダブルへテロ接合構造を作り、その結
晶を男開して得られる接合面に対して垂直な男開面を反
射面とするものが知られている。その−例として、第４
図の拡散ストライブ型レーザを示す。図中の１は、■−
ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体基板であり、２．
３．４は該基板１に順次積層されたダブルへテロ接合を
形成するためのｎ型クラッド層、活性層、ｎ型クラッド
層である。５は、前記ｎ型クラッド層４上にに設けられ
た電流を限定するためのＺｎ拡敢ストラ１゛ブ、６は同
ｐ型クラッド層４上に設けられた正電極層、７は前記基
板１の裏面に設けられた負電極層である。また、図中の
８ａ、８ｂは夫々前記■−Ｖ族化合物の半導体結晶１〜
４を結晶面に沿って男開することにより形成された男開
面であり、これら男開面゛８ａ、８ｂはダブルへテロ接
合面に垂直で、かつ極めて平坦であることから、これら
が反射面となってファブリ−ベロー型共振器を構成する
。こうした構造の半導体レーザにおいて、電極６．７間
に順方向バイアスの直流電流を印加すると、活性層３に
キャリアが注入されて発光する。この時、活性層３はク
ラッド層２及び４に比べて屈折率が高いために、光は活
性層３で閉込められ、勇開面（反射面）８ａ、８ｂで反
射を繰返してレーザ発掘が起こる。発生したレーザ光は
、その一部が男開面８ａ又は８ｂを通過して外部に放射
される。
しかしながら、上述した半導体レーザは反射面を半導体
結晶の男開という極めてその性能の制御が困難、つまり
再現性の低い工程を経て形成しているため、良好な性能
を有する反射面が得られる割合が低く、製造歩留りが悪
いという問題があった。また、男開面の反射率は約３０
％程度と低く、半導体レーザの出力が反射面の反射率に
依存することを考えると、出力の向上の面でも問題があ
った。
結晶の男開という極めてその性能の制御が困難、つまり
再現性の低い工程を経て形成しているため、良好な性能
を有する反射面が得られる割合が低く、製造歩留りが悪
いという問題があった。また、男開面の反射率は約３０
％程度と低く、半導体レーザの出力が反射面の反射率に
依存することを考えると、出力の向上の面でも問題があ
った。
一方、最近ではダブルへテロ接合面に対して垂直方向に
レーザ光を発振させる面発光型半導体レーザの研究が一
部で進められているが、かかる構造の半導体レーザでは
反射面を男開によって形成することが不可能である。こ
のため、面発光型半導体レーザはエピタキシャル成長技
術により製造されている。しかしながら、この方法では
反射面の平坦性を充分に出せない問題と、共振器長をせ
いぜい０．１μｍ程度でしか制御できないという問題が
ある。面発光型半導体レーザは、反射面の間隔が例えば
１０μｍ程度と狭いため、反射面の位置を１０人のオー
ダで制御できなければ量産は不可能であり、従来の技術
では前記オーダを満足する反射面の形成手段は開発され
ていない。また、従来の面発光型半導体レーザは共振器
が極めて短いため、通常の半導体レーザに比べ、閾値電
流密度が高く、高出力動作が難しいこと、或いは出力時
の信頼性が低いこと等の問題があった。
レーザ光を発振させる面発光型半導体レーザの研究が一
部で進められているが、かかる構造の半導体レーザでは
反射面を男開によって形成することが不可能である。こ
のため、面発光型半導体レーザはエピタキシャル成長技
術により製造されている。しかしながら、この方法では
反射面の平坦性を充分に出せない問題と、共振器長をせ
いぜい０．１μｍ程度でしか制御できないという問題が
ある。面発光型半導体レーザは、反射面の間隔が例えば
１０μｍ程度と狭いため、反射面の位置を１０人のオー
ダで制御できなければ量産は不可能であり、従来の技術
では前記オーダを満足する反射面の形成手段は開発され
ていない。また、従来の面発光型半導体レーザは共振器
が極めて短いため、通常の半導体レーザに比べ、閾値電
流密度が高く、高出力動作が難しいこと、或いは出力時
の信頼性が低いこと等の問題があった。
本発明は、内部に形成された反射率が略１の多層反射層
と、表面に形成された平坦性に優れ、かつ反射率の高い
と共に発振３長の制御が可能な反ｔ１４ＷＪとからなる
共振器を有し、＾信頼の出力動作と高効率かつ安定な発
振が可能で量産の容易な面発光型半導体レーザを提供し
ようとするものである。
と、表面に形成された平坦性に優れ、かつ反射率の高い
と共に発振３長の制御が可能な反ｔ１４ＷＪとからなる
共振器を有し、＾信頼の出力動作と高効率かつ安定な発
振が可能で量産の容易な面発光型半導体レーザを提供し
ようとするものである。
〔発明の概要）
本発明は、■−ｖ族化合物半導体基板上に配設され、光
屈折率の異なる２つの層を交互に複数層積層してなる共
振器の一方を構成する反射層と、この反射層上に配設さ
れ、活性層、該活性層を挟持し、該活性層よりバンドギ
ャップが大なる■−Ｖ族化合物半導体の第１、第２のク
ラッド層からなる発振器と、この発振器の第２のクラッ
ド層の少なくとも共振領域となる表面に配設され、■−
Ｖ族化合物半導体の■族又はＶ族の元素或いはその双方
と反応して化学当量組成を持つ化合物を生成する金属と
の固相反応生成物により形成された共振器の他方を構成
する反射層とを具備したことを特徴とするものである。
屈折率の異なる２つの層を交互に複数層積層してなる共
振器の一方を構成する反射層と、この反射層上に配設さ
れ、活性層、該活性層を挟持し、該活性層よりバンドギ
ャップが大なる■−Ｖ族化合物半導体の第１、第２のク
ラッド層からなる発振器と、この発振器の第２のクラッ
ド層の少なくとも共振領域となる表面に配設され、■−
Ｖ族化合物半導体の■族又はＶ族の元素或いはその双方
と反応して化学当量組成を持つ化合物を生成する金属と
の固相反応生成物により形成された共振器の他方を構成
する反射層とを具備したことを特徴とするものである。
上記■族又はＶ族の元素或いはその双方と反応して化学
当量組成を持つ化合物を生成する金属としては、例えば
Ｔ ｉ ％Ｆ ｅ Ｎ ＣＯ−Ｎ ＋ １Ｒｈ 。
当量組成を持つ化合物を生成する金属としては、例えば
Ｔ ｉ ％Ｆ ｅ Ｎ ＣＯ−Ｎ ＋ １Ｒｈ 。
Ｐｄ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びランタン系Ｓ土類元素
等が挙げられ、これらはいずれも遷移金属である。特に
、Ｎ１％Ｐｄ、Ｐｔが好適である。
等が挙げられ、これらはいずれも遷移金属である。特に
、Ｎ１％Ｐｄ、Ｐｔが好適である。
これらの金属の１種又は２種以上を■−ｖ族化合物半導
体表面に付着させ、固相反応を起こさせると、固相反応
生成物が得られる。この固相反応生成物の■−ｖ族化合
物半導体の面は、鏡面に近い極めて平坦性の優れた面と
なる。これは、前述した固相反応が■−ｖ族化合物半導
体の低指数面、例えば（１００）面に現われるように進
行し、化合物半導体と固相反応生成物の界面は、格子定
数のオーダで平坦になるからである。こうした様子を第
１図（ａ）〜（Ｃ）を参照して詳細に説明する。
体表面に付着させ、固相反応を起こさせると、固相反応
生成物が得られる。この固相反応生成物の■−ｖ族化合
物半導体の面は、鏡面に近い極めて平坦性の優れた面と
なる。これは、前述した固相反応が■−ｖ族化合物半導
体の低指数面、例えば（１００）面に現われるように進
行し、化合物半導体と固相反応生成物の界面は、格子定
数のオーダで平坦になるからである。こうした様子を第
１図（ａ）〜（Ｃ）を参照して詳細に説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように■−ｖ族半導体１１上
にＮ ｉ ＳＰ ｄ％Ｐｔ等の金属層１２を真空蒸着法
やスパッタリング法等により付着させる。
にＮ ｉ ＳＰ ｄ％Ｐｔ等の金属層１２を真空蒸着法
やスパッタリング法等により付着させる。
なお、１３は■−ｖ族化合物半導体１１の表面に通常形
成されている自然酸化物及び機械的破損層である。つづ
いて、加熱処理を施して化合物半導体１１と金属層１２
との固相反応を起こさせる。
成されている自然酸化物及び機械的破損層である。つづ
いて、加熱処理を施して化合物半導体１１と金属層１２
との固相反応を起こさせる。
この反応は、第１図（ｂ）に示すような中間過程を経て
進行する。即ち、両者の間には化合物半導体１１側に金
属層１２と化合物半一体のＶ族元素との化合物１４が、
金属層１２側にその金属と化合物半導体の■族元素との
化合物１５が夫々生成される。この反応は同第１図（ｂ
）図示の如く自然酸化物及び機械的破損層１３を浸蝕し
ながら進行し、平坦な界面が形成される。そして、前記
反応は最終的には第１図（Ｃ）に示すように付着された
金属層１２が消滅するまで進行する。したがって、最終
的には■−ｖ族化合物半導体１１に接してその半導体の
Ｖ族元素と前記金属との化合物１４が形成され、その外
側に半導体の■族元素と前記金属との化合物１５が形成
されたものとなる。
進行する。即ち、両者の間には化合物半導体１１側に金
属層１２と化合物半一体のＶ族元素との化合物１４が、
金属層１２側にその金属と化合物半導体の■族元素との
化合物１５が夫々生成される。この反応は同第１図（ｂ
）図示の如く自然酸化物及び機械的破損層１３を浸蝕し
ながら進行し、平坦な界面が形成される。そして、前記
反応は最終的には第１図（Ｃ）に示すように付着された
金属層１２が消滅するまで進行する。したがって、最終
的には■−ｖ族化合物半導体１１に接してその半導体の
Ｖ族元素と前記金属との化合物１４が形成され、その外
側に半導体の■族元素と前記金属との化合物１５が形成
されたものとなる。
上述した固相反応は、■−ｖ族化合物半導体の低指数面
が現われるように進行するから、同半導体１１と接する
化合物（反応生成物）１４界面は、格子定数のオーダで
平坦になる。
が現われるように進行するから、同半導体１１と接する
化合物（反応生成物）１４界面は、格子定数のオーダで
平坦になる。
上述した固相反応は、付着される金属と■−ｖ族化合物
半導体の種類によって反応速度が多少異なるものの、通
常、化合物半導体に熱変性を与えないような温度、例え
ば２５０〜４５０℃で進行させることができる。
半導体の種類によって反応速度が多少異なるものの、通
常、化合物半導体に熱変性を与えないような温度、例え
ば２５０〜４５０℃で進行させることができる。
以上が■−ｖ族化合物半導体と金属との固相反応によっ
て極めて平坦な面が得られる理由である。
て極めて平坦な面が得られる理由である。
このようにして得られた固相反応生成物は、光学的には
金属に近い性質を有するため、従来の男開面（反射率約
３０％）や化学エツチング面（同１５％）に比べると、
反射率は格段に向上する（少な（とも６０％以上）。こ
れは面発光型半導体レーザのａｍ電流を下げるために極
めて有効である。
金属に近い性質を有するため、従来の男開面（反射率約
３０％）や化学エツチング面（同１５％）に比べると、
反射率は格段に向上する（少な（とも６０％以上）。こ
れは面発光型半導体レーザのａｍ電流を下げるために極
めて有効である。
更に、前記固相反応生成物と化合物半導体の界面（第１
図（ｂ）、（Ｃ）のＡ面）の位置は、楊めて精度よく制
御することが可能である。第２図゛は、ＧａＡｓにＰｔ
を一定量付着させた後、固相反応によってＧａＡＳの表
面から一定の深さ位置に界面を形成するに製する加熱処
理時間と加熱処理温度との関係を示したものである。こ
の特性図から明らかなように、化合物半導体内部に形成
される固相反応生成物の面位置は、付着させる金属の膜
厚、加熱処理時間、加熱処理温度を制御することによっ
て、数１０人のオーダで極めて精度よく制御できること
がわかるわ このように■−ｖ族化合物半導体と、■族又はＶ族の元
素もしくはそれら双方と反応して化学当量組成を持つ化
合物を生成する金属との固相反応生成物は、■−ｖ族化
合物半導体との界面に極めて平坦な面を有し、しかもそ
の面は反射率が高く、面位置の制御も容易であり、面発
光型半導体レーザの反射面として極めて適している。
図（ｂ）、（Ｃ）のＡ面）の位置は、楊めて精度よく制
御することが可能である。第２図゛は、ＧａＡｓにＰｔ
を一定量付着させた後、固相反応によってＧａＡＳの表
面から一定の深さ位置に界面を形成するに製する加熱処
理時間と加熱処理温度との関係を示したものである。こ
の特性図から明らかなように、化合物半導体内部に形成
される固相反応生成物の面位置は、付着させる金属の膜
厚、加熱処理時間、加熱処理温度を制御することによっ
て、数１０人のオーダで極めて精度よく制御できること
がわかるわ このように■−ｖ族化合物半導体と、■族又はＶ族の元
素もしくはそれら双方と反応して化学当量組成を持つ化
合物を生成する金属との固相反応生成物は、■−ｖ族化
合物半導体との界面に極めて平坦な面を有し、しかもそ
の面は反射率が高く、面位置の制御も容易であり、面発
光型半導体レーザの反射面として極めて適している。
以下、本発明をＧａＡＳ系の面発光型半導体レーザに適
用した例について第３図を参照して詳細に説明する。
用した例について第３図を参照して詳細に説明する。
図中の２１は、ｎ型のＧａＡＳ基板である。この基板２
１上には、共振器の一方を構成する第１反射層１２Ｌが
配設されている。この反射層１ｉＬは、例えば厚さ６２
０人のｎ型Ｇａ Ａλ Ａｓからなる第１＠２３と厚
さ７００人のｎ型Ｇａ Ａｊ２Ａｓからなる第２層２
４を１組として、３０回積層（全体で６０層）した反射
率が略１のものより構成されている。また、前記第１反
射層１１における最上層の第２層２４上には発振器ＩＬ
が配設されている。この発振器２５は、前記第２層２４
上に積層された厚さ３μｍのｎ型Ｇａ ＡｆｆｉＡＳ
からなる第１クラッド層２６と、厚さ３μｍのＧａＡＳ
からなる活性層２７と、厚さ３μｍのｎ型Ｇａ Ａｎ
Ａｓからなる第２クラッド層２８とから構成されて
いる。この第２クラッド層２８の表面には、窓２９を開
口したＳｉＯ２膜３０が被覆されている。そして、前記
窓２９から露出した第２クラッド層２８上には、ｐｔか
らなる正電極３１が配設されていると共に、該正電極３
１と第２クラッド層２８との界面にはｐｔと■−ｖ族元
素との固相反応生成物３２が形成されている。
１上には、共振器の一方を構成する第１反射層１２Ｌが
配設されている。この反射層１ｉＬは、例えば厚さ６２
０人のｎ型Ｇａ Ａλ Ａｓからなる第１＠２３と厚
さ７００人のｎ型Ｇａ Ａｊ２Ａｓからなる第２層２
４を１組として、３０回積層（全体で６０層）した反射
率が略１のものより構成されている。また、前記第１反
射層１１における最上層の第２層２４上には発振器ＩＬ
が配設されている。この発振器２５は、前記第２層２４
上に積層された厚さ３μｍのｎ型Ｇａ ＡｆｆｉＡＳ
からなる第１クラッド層２６と、厚さ３μｍのＧａＡＳ
からなる活性層２７と、厚さ３μｍのｎ型Ｇａ Ａｎ
Ａｓからなる第２クラッド層２８とから構成されて
いる。この第２クラッド層２８の表面には、窓２９を開
口したＳｉＯ２膜３０が被覆されている。そして、前記
窓２９から露出した第２クラッド層２８上には、ｐｔか
らなる正電極３１が配設されていると共に、該正電極３
１と第２クラッド層２８との界面にはｐｔと■−ｖ族元
素との固相反応生成物３２が形成されている。
かかる固相反応生成物３２は、共振器の他方を構成する
第２反射層となる。レーザ光は前記固相反応生成物３２
及びＰｔからなる正電極３１を通して垂直な方向に取出
されるので、同固相反応生成物３２を形成するｐｔの正
電極３１の厚さは充分に薄くすることが必要である。な
お、図中の３３は前記基板２１の裏面に配設されたＡｕ
−Ｇｅ−Ｎｉからなる負電極である。
第２反射層となる。レーザ光は前記固相反応生成物３２
及びＰｔからなる正電極３１を通して垂直な方向に取出
されるので、同固相反応生成物３２を形成するｐｔの正
電極３１の厚さは充分に薄くすることが必要である。な
お、図中の３３は前記基板２１の裏面に配設されたＡｕ
−Ｇｅ−Ｎｉからなる負電極である。
このような構成によれば、正電極３１と負電極３３の間
に直流電圧を印加すると、第１、第２クラッド層２６．
２８及び活性層２７からなる発振器２５で光を発生する
。こうした光は、内部に配設された互いに屈折率の異な
る第１、第２層２３．２４の多層膜からなる第１反射層
１１と、第２クラツドＷ２８表面に形成された第２反射
層としての固相反応生成物３２とからなる共振器で反射
が繰返され、正電極３１側より垂直方向にレーザ光が放
射される。この際、多層反射層（第１反射層）１１の屈
折率は略１と高く、かつ第２反射層としての固相反応生
成物３２は平坦性の優れた反射率の高い反射面を形成で
きるため、高効率な発振が可能となる。しかも、第２反
射層としての固相反応生成物３２は、その生成条件であ
る処理時間、温度等によって共振器ｉｋの長さを精度よ
く制御できるため、高信頼性の出力動作と安定な発振が
可能となる。更に、内部に多層反射層Ｕを配設する構造
にすることによって、発振領域に対応する基板２１の箇
所に開口部を設けて、露出するクラット層に一方の反射
層（第１反射層）を設ける必要がないため、製造が極め
て簡単になる。
に直流電圧を印加すると、第１、第２クラッド層２６．
２８及び活性層２７からなる発振器２５で光を発生する
。こうした光は、内部に配設された互いに屈折率の異な
る第１、第２層２３．２４の多層膜からなる第１反射層
１１と、第２クラツドＷ２８表面に形成された第２反射
層としての固相反応生成物３２とからなる共振器で反射
が繰返され、正電極３１側より垂直方向にレーザ光が放
射される。この際、多層反射層（第１反射層）１１の屈
折率は略１と高く、かつ第２反射層としての固相反応生
成物３２は平坦性の優れた反射率の高い反射面を形成で
きるため、高効率な発振が可能となる。しかも、第２反
射層としての固相反応生成物３２は、その生成条件であ
る処理時間、温度等によって共振器ｉｋの長さを精度よ
く制御できるため、高信頼性の出力動作と安定な発振が
可能となる。更に、内部に多層反射層Ｕを配設する構造
にすることによって、発振領域に対応する基板２１の箇
所に開口部を設けて、露出するクラット層に一方の反射
層（第１反射層）を設ける必要がないため、製造が極め
て簡単になる。
なお、上記実施例ではＧａＡＳを活性層とする半導体レ
ーザについて説明したが、本発明は必ずしもこれに限定
されず、ＧａＡｌＡｓやＩ ｎＧａＡＳＰ等を活性層と
する半導体レーザににも同様に適用できる。
ーザについて説明したが、本発明は必ずしもこれに限定
されず、ＧａＡｌＡｓやＩ ｎＧａＡＳＰ等を活性層と
する半導体レーザににも同様に適用できる。
（発明の効果〕
以上詳述した如く、本発明によれば内部に形成された反
射率が略１の多層反射層と、表面に形成された平坦性に
優れ、かつ反射率の＾いと共に発′振器長の制御が可能
な反射層とからなる共振器を有し、高信頼の出力動作と
高効率かつ安定な発振を可能で量産が容易な面発光型半
導体レーザを提供できる。
射率が略１の多層反射層と、表面に形成された平坦性に
優れ、かつ反射率の＾いと共に発′振器長の制御が可能
な反射層とからなる共振器を有し、高信頼の出力動作と
高効率かつ安定な発振を可能で量産が容易な面発光型半
導体レーザを提供できる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は固相反応生成物の生成過程を示
す断面図、第２図は固相反応における処理温度、処理時
間、界面の侵入深さの関係を示す線図、第３図仲Ｆ井；
ヰ１ヰは本発明の実施例におけるＧａＡｓ系化合物半導
体を用いた面発光型半導体レーザを示す断面図、第４図
は従来の半導体レーザを示す斜視図である。 ２１・・・基板、２２・・・第１反射層、２３・・・第
１層、２４・・・第２層、２５・・・発振器、２６・・
・第１クラッド層、２７・・・活性層、２８・・・第２
クラッド層、２９・・・窓、３１・・・ｐｔからなる正
電極、３２・・・固相反応生成物（第２反射層）、３３
・・・負電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 １４ Ａ 第２図 忍王里温度（０ｃ）
す断面図、第２図は固相反応における処理温度、処理時
間、界面の侵入深さの関係を示す線図、第３図仲Ｆ井；
ヰ１ヰは本発明の実施例におけるＧａＡｓ系化合物半導
体を用いた面発光型半導体レーザを示す断面図、第４図
は従来の半導体レーザを示す斜視図である。 ２１・・・基板、２２・・・第１反射層、２３・・・第
１層、２４・・・第２層、２５・・・発振器、２６・・
・第１クラッド層、２７・・・活性層、２８・・・第２
クラッド層、２９・・・窓、３１・・・ｐｔからなる正
電極、３２・・・固相反応生成物（第２反射層）、３３
・・・負電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 １４ Ａ 第２図 忍王里温度（０ｃ）
Claims (3)
- （１）III−Ｖ族化合物半導体基板上に配設され、光屈
折率の異なる２つの層を交互に複数層積層してなる共振
器の一方を構成する反射層と、この反射層上に配設され
、活性層、該活性層を挟持し、該活性層よりバンドギャ
ップが大なるIII−Ｖ族化合物半導体の第１、第２のク
ラッド層からなる発振器と、この発振器の第２のクラッ
ド層の少なくとも共振領域となる表面に配設され、III
−Ｖ族化合物半導体のIII族又はＶ族の元素或いはその
双方と反応して化学当量組成を持つ化合物を生成する金
属との固相反応生成物により形成された共振器の他方を
構成する反射層とを具備したことを特徴とする面発光型
半導体レーザ。 - （２）金属が遷移金属であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の面発光型半導体レーザ。 - （３）金属が、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔのいずれかであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の面発光型半導
体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60014693A JPS61174687A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 面発光型半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60014693A JPS61174687A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 面発光型半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174687A true JPS61174687A (ja) | 1986-08-06 |
| JPH0582759B2 JPH0582759B2 (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=11868266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60014693A Granted JPS61174687A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 面発光型半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61174687A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4949350A (en) * | 1989-07-17 | 1990-08-14 | Bell Communications Research, Inc. | Surface emitting semiconductor laser |
| US5034344A (en) * | 1989-07-17 | 1991-07-23 | Bell Communications Research, Inc. | Method of making a surface emitting semiconductor laser |
| CN107207037A (zh) * | 2015-02-18 | 2017-09-26 | 日立汽车系统株式会社 | 动力转向装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4364720A1 (en) | 2022-11-07 | 2024-05-08 | Wella Germany GmbH | Oxidative hair treatment compositions |
-
1985
- 1985-01-29 JP JP60014693A patent/JPS61174687A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4949350A (en) * | 1989-07-17 | 1990-08-14 | Bell Communications Research, Inc. | Surface emitting semiconductor laser |
| US5034344A (en) * | 1989-07-17 | 1991-07-23 | Bell Communications Research, Inc. | Method of making a surface emitting semiconductor laser |
| CN107207037A (zh) * | 2015-02-18 | 2017-09-26 | 日立汽车系统株式会社 | 动力转向装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582759B2 (ja) | 1993-11-22 |
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