JPS61172388A - モニタ−用光検出器内蔵半導体レ−ザ素子 - Google Patents
モニタ−用光検出器内蔵半導体レ−ザ素子Info
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- JPS61172388A JPS61172388A JP1264785A JP1264785A JPS61172388A JP S61172388 A JPS61172388 A JP S61172388A JP 1264785 A JP1264785 A JP 1264785A JP 1264785 A JP1264785 A JP 1264785A JP S61172388 A JPS61172388 A JP S61172388A
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- Japan
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- multilayer thin
- semiconductor laser
- photodetector
- light
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信用に適したモニター用光検出器内蔵半導
体レーザ素子に関する。
体レーザ素子に関する。
従来、半導体レーザ素子とレーザ光モニター用光検出器
をモノリシックに製作する場合、その構成は大半が半導
体レーザ素子と光検出器が並置されることとなる。
をモノリシックに製作する場合、その構成は大半が半導
体レーザ素子と光検出器が並置されることとなる。
半導体レーザ素子の共振器に直列に光検出器を設置する
と、光検出器にはレーザ光発光部から横方向へ入射する
ため、レーザ光の拡がシと光検出器側の光吸収層厚の関
係から光検出器の光検出効率は著じるしく低くなる。さ
らに、光検出器にょシ吸収されず、逆に反射してきた戻
シ光にょシ半導体レーザ素子の動作特性を不安定にする
欠点を生じる。また、このように設置した場合にはレー
ザ共振器として臂開面が作製できず、ファブリペロ−形
共振器は形成できないので、他の形態の共振器を形成早
なくてはならず、その結果として半導体レーザ素子と光
検出器のモノリシックな作製は難しくなるという問題点
があった。
と、光検出器にはレーザ光発光部から横方向へ入射する
ため、レーザ光の拡がシと光検出器側の光吸収層厚の関
係から光検出器の光検出効率は著じるしく低くなる。さ
らに、光検出器にょシ吸収されず、逆に反射してきた戻
シ光にょシ半導体レーザ素子の動作特性を不安定にする
欠点を生じる。また、このように設置した場合にはレー
ザ共振器として臂開面が作製できず、ファブリペロ−形
共振器は形成できないので、他の形態の共振器を形成早
なくてはならず、その結果として半導体レーザ素子と光
検出器のモノリシックな作製は難しくなるという問題点
があった。
一方、前述の配置とは異なシ、共振器方向と並列方向に
光検出器を設置した場合、前述した欠点の検出器端面に
よる戻シ光による動作の不安定性や共振器ミラーとして
の臂開面の形成が出来ないといったような問題は解決さ
れる。しかしこの並列方向に光検出器を設置した場合光
検出器に入射する光は、レーザ発光部からの散乱光と自
然放出光との和しかな（、その光エネルギーは小さい。
光検出器を設置した場合、前述した欠点の検出器端面に
よる戻シ光による動作の不安定性や共振器ミラーとして
の臂開面の形成が出来ないといったような問題は解決さ
れる。しかしこの並列方向に光検出器を設置した場合光
検出器に入射する光は、レーザ発光部からの散乱光と自
然放出光との和しかな（、その光エネルギーは小さい。
さらに、これらの光は指向性がないため光検出器で横方
向より効率良く受光する事は極めて難かしい。さらに、
これらの光が自然放出光とレーザ光の散乱成分の和であ
るためにレーザ発振の閾値とはかなシの誤差があるとい
う問題点がある。
向より効率良く受光する事は極めて難かしい。さらに、
これらの光が自然放出光とレーザ光の散乱成分の和であ
るためにレーザ発振の閾値とはかなシの誤差があるとい
う問題点がある。
本発明の目的は、光検出器による効率を高（し、正確な
発振閾値条件をモニターできると同時に、レーザ発振部
に基板の微小な凸凹の影響を与えないような構造のモニ
ター用光検出器内蔵半導体レーザ素子を提供することで
ある。
発振閾値条件をモニターできると同時に、レーザ発振部
に基板の微小な凸凹の影響を与えないような構造のモニ
ター用光検出器内蔵半導体レーザ素子を提供することで
ある。
本発明のモニター用光検出器内蔵半導体レーザ素子は、
半導体基板と活性層の間に禁制帯幅の異なる２種類以上
の半導体を周期的に積層することにより、この半導体レ
ーザ光発光素子からのレーザ光の一部が周期構造を有す
る多層薄膜により反射又は偏光されて光検出素子に受光
されるように配置されたことを特徴とする。
半導体基板と活性層の間に禁制帯幅の異なる２種類以上
の半導体を周期的に積層することにより、この半導体レ
ーザ光発光素子からのレーザ光の一部が周期構造を有す
る多層薄膜により反射又は偏光されて光検出素子に受光
されるように配置されたことを特徴とする。
図面が参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明によるモニター用光検出器内蔵半導体レ
ーザ素子の一実施例の断面図である。本実施例は、Ｎ側
電極１、基板２、バッファ層３、多層薄膜４、Ｎ側クラ
ッド領域５、活性領域６ａおよび６ｂ、Ｐ側りラッド領
域７ａおよび７ｂ、電極コンタクト層８ａおよび８ｂ、
電極ストライプ用絶縁層９ａ％Ｐ側電極１０ａおよび１
０ｂ、電気的、光学的絶縁溝１１より構成されている。
ーザ素子の一実施例の断面図である。本実施例は、Ｎ側
電極１、基板２、バッファ層３、多層薄膜４、Ｎ側クラ
ッド領域５、活性領域６ａおよび６ｂ、Ｐ側りラッド領
域７ａおよび７ｂ、電極コンタクト層８ａおよび８ｂ、
電極ストライプ用絶縁層９ａ％Ｐ側電極１０ａおよび１
０ｂ、電気的、光学的絶縁溝１１より構成されている。
基板２は面方向（１００）のシリコンドープのＮ形Ｇ
ａ Ａ ｓ基板で厚さ約１００〜１５０μｍである。バ
ッファ層３はＧａＡｌをシリコイドープあるいはすずド
ープしたもので、厚みは２．０〜５．０μｍでする。多
層薄膜４はＧａＡｓとＧａＡＪＡｓ のシリコンドープ
あるいはすずドープしたものである。Ｎ側クラッド領域
５にはＧａ１−ｘＡＪｘＡｓ のシリコンあるいはすず
ドープし、厚みは１．０〜２．０μｍのものである。を
用いる。活性領域６ａ及び６ｂはノンドープのＧａＡｓ
あるいはノンドープのＧａＡｓ とＧａ １−７
Ａｌｙ Ａｓ の多重量子井戸構造、あるいはＧａＡ
ｌ とＧａ１−ｙＡＡ！ｙＡｓの単一量子井戸構造であ
シ、厚みは０．０５μｍ〜 ０．１μｍ である。ここ
で１．７の混晶比を表わす。Ｐ側りラッド領域７ａ及び
７ｂはＧａ１−ｘＡＪｘＡｓ のベリリウムドープした
もので厚さ１〜２μｍ１電極コンタクト層８ａ及び８ｂ
はベリリウムドープのＧａＡｓを用い、厚みは０．１μ
ｍ〜０．５μｍである。本実施例では、電極ストライプ
構造のため、レーザ発光部側には絶縁層９ａが用いられ
、紙面に垂直方向に約７〜１０μｍ幅のストライプが設
けられている。さらにその上部にＰ側電極１０ａ及び１
０ｂが形成されている。本実施例では、Ｎ側電極１は金
、ゲルマニウム−ニッケル合金、Ｐ形電極１０ａ及び１
０ｂは金−クロム合金より形成されている。電気的・光
学的絶縁溝１１は幅５μｍ、深さ約５μｍで、化学エツ
チング、イオンエツチング等により形成される。この絶
縁溝１ｉにより半導体レーザ素子として動作する発光領
域と、モニター用光検出器として動作する受光領域に分
離されている。
ａ Ａ ｓ基板で厚さ約１００〜１５０μｍである。バ
ッファ層３はＧａＡｌをシリコイドープあるいはすずド
ープしたもので、厚みは２．０〜５．０μｍでする。多
層薄膜４はＧａＡｓとＧａＡＪＡｓ のシリコンドープ
あるいはすずドープしたものである。Ｎ側クラッド領域
５にはＧａ１−ｘＡＪｘＡｓ のシリコンあるいはすず
ドープし、厚みは１．０〜２．０μｍのものである。を
用いる。活性領域６ａ及び６ｂはノンドープのＧａＡｓ
あるいはノンドープのＧａＡｓ とＧａ １−７
Ａｌｙ Ａｓ の多重量子井戸構造、あるいはＧａＡ
ｌ とＧａ１−ｙＡＡ！ｙＡｓの単一量子井戸構造であ
シ、厚みは０．０５μｍ〜 ０．１μｍ である。ここ
で１．７の混晶比を表わす。Ｐ側りラッド領域７ａ及び
７ｂはＧａ１−ｘＡＪｘＡｓ のベリリウムドープした
もので厚さ１〜２μｍ１電極コンタクト層８ａ及び８ｂ
はベリリウムドープのＧａＡｓを用い、厚みは０．１μ
ｍ〜０．５μｍである。本実施例では、電極ストライプ
構造のため、レーザ発光部側には絶縁層９ａが用いられ
、紙面に垂直方向に約７〜１０μｍ幅のストライプが設
けられている。さらにその上部にＰ側電極１０ａ及び１
０ｂが形成されている。本実施例では、Ｎ側電極１は金
、ゲルマニウム−ニッケル合金、Ｐ形電極１０ａ及び１
０ｂは金−クロム合金より形成されている。電気的・光
学的絶縁溝１１は幅５μｍ、深さ約５μｍで、化学エツ
チング、イオンエツチング等により形成される。この絶
縁溝１ｉにより半導体レーザ素子として動作する発光領
域と、モニター用光検出器として動作する受光領域に分
離されている。
動作時には、Ｎ側電・極１に接地電位、Ｐ側電極１０ａ
に適当な正電位、Ｐ側電極１０ｂＫ！ｉ当な負電位が加
えられる。したがって、活性領域６ａには順方向バイア
スが加わることで、半導体レーザ素子として動作する。
に適当な正電位、Ｐ側電極１０ｂＫ！ｉ当な負電位が加
えられる。したがって、活性領域６ａには順方向バイア
スが加わることで、半導体レーザ素子として動作する。
一方活性領域６ｂには逆方向バイアスが印加されること
になるので活性領域６ｂ内に空乏層が形成され、活性領
域６ｂは面受光形のモニター用光検出器として動作する
。第１図において活性領域６ａよシレーザ光は紙面に垂
直かつ手前方向に発光する。
になるので活性領域６ｂ内に空乏層が形成され、活性領
域６ｂは面受光形のモニター用光検出器として動作する
。第１図において活性領域６ａよシレーザ光は紙面に垂
直かつ手前方向に発光する。
第２図は、多層薄膜４のエネルギーバンド構造を示す図
である。本実施例では、バッファ層３とクラッド領域５
０間の多層薄膜４はＧａＡｓとＧａＡｌＡｓル積層する
ことにより形成されている。この多層薄膜４は高さＶＢ
Ｉの障壁を任意回数Ｎ回重畳することによりある特定の
波長の光に対して高い反射率を有することとなる。ここ
で、ＧａＡｓ の量子井戸の幅Ｌｚｘおよび障壁の幅
ＬＢＩおよび高さＶＢＩは、等測的に示したもので、こ
の第２図のＧａ ＡＪ Ａｓの各障壁は第３図のような
超格子構造となっておシ、この超格子構造から算出され
た実効的バンドギャップが第２図の障壁の高さＶＢＩで
あシ、超格子構造の周期幅が障壁の幅ＬＢＩに相当して
いる。
である。本実施例では、バッファ層３とクラッド領域５
０間の多層薄膜４はＧａＡｓとＧａＡｌＡｓル積層する
ことにより形成されている。この多層薄膜４は高さＶＢ
Ｉの障壁を任意回数Ｎ回重畳することによりある特定の
波長の光に対して高い反射率を有することとなる。ここ
で、ＧａＡｓ の量子井戸の幅Ｌｚｘおよび障壁の幅
ＬＢＩおよび高さＶＢＩは、等測的に示したもので、こ
の第２図のＧａ ＡＪ Ａｓの各障壁は第３図のような
超格子構造となっておシ、この超格子構造から算出され
た実効的バンドギャップが第２図の障壁の高さＶＢＩで
あシ、超格子構造の周期幅が障壁の幅ＬＢＩに相当して
いる。
いま、第３図においてＧａ ＡＡ！ Ａｓの障壁層の幅
ＬＢＯ＝ ８０Ａ 、混晶比Ｘを０，３６、ＧａＡ１層
の量子井戸幅１．ｚ□＝ １０λとすると、との層を等
測的にＧａ ＡＡ！ Ａｓ層と見做した場合、その組成
は！＝０．３となる。いま、半導体レーザ素子からの自
然放出光の波長を９００ｎｍと仮定すると、Ｇａ １−
Ｘ ＡＡｉｘ Ａｓ層（ｘ＝０．３）とＧ３Ａｓ層の
幅ＬＢｉ 、 ＬＺＩは、各々１／４媒質内波長に相当
するＬＢ１＝６６ｎｍ ｅＬｚ１＝ ９００Ｘ７ Ｘ丁
）。多層薄膜４の電界反射率は、薄膜の重畳回数Ｎの増
加に伴ない単調に増加し、Ｎ＝６０で０．９９６に達す
る。このときの多層薄膜４の厚みの合計は約８μｍと厚
いが、９９．６％という高い反射率を有する膜が得られ
る。
ＬＢＯ＝ ８０Ａ 、混晶比Ｘを０，３６、ＧａＡ１層
の量子井戸幅１．ｚ□＝ １０λとすると、との層を等
測的にＧａ ＡＡ！ Ａｓ層と見做した場合、その組成
は！＝０．３となる。いま、半導体レーザ素子からの自
然放出光の波長を９００ｎｍと仮定すると、Ｇａ １−
Ｘ ＡＡｉｘ Ａｓ層（ｘ＝０．３）とＧ３Ａｓ層の
幅ＬＢｉ 、 ＬＺＩは、各々１／４媒質内波長に相当
するＬＢ１＝６６ｎｍ ｅＬｚ１＝ ９００Ｘ７ Ｘ丁
）。多層薄膜４の電界反射率は、薄膜の重畳回数Ｎの増
加に伴ない単調に増加し、Ｎ＝６０で０．９９６に達す
る。このときの多層薄膜４の厚みの合計は約８μｍと厚
いが、９９．６％という高い反射率を有する膜が得られ
る。
本実施例の電極ストライプ形半導体レーザ素子の発光出
力には、自然放出発光成分と誘導放出発光成分がある。
力には、自然放出発光成分と誘導放出発光成分がある。
誘導放出成分はレーザ発振の閾値を超えると急激に増加
するが、自然放出光成分は、注入電流が閾値電流以上で
は反転状態にある注入キャリア濃度が一定に保たれるた
め、光出力の自然放出光成分は一定となシ得る。また、
この場合、モニタ一部には自然放出光成分のみが検出さ
れることが必要であるが、一般に半導体レーザ素子にお
いては、ストライプ方向に垂直でかつ活性層面外に放射
される発光成分は自然放出光成分のみから成っているの
で、この特性を利用すれば、半導体レーザ素子からの自
然発光成分は殆んど多層薄膜４で反射されて光検出器で
検出されることにょシ、半導体レーザ素子の発振閾値電
流条件を正確に検出することができる。
するが、自然放出光成分は、注入電流が閾値電流以上で
は反転状態にある注入キャリア濃度が一定に保たれるた
め、光出力の自然放出光成分は一定となシ得る。また、
この場合、モニタ一部には自然放出光成分のみが検出さ
れることが必要であるが、一般に半導体レーザ素子にお
いては、ストライプ方向に垂直でかつ活性層面外に放射
される発光成分は自然放出光成分のみから成っているの
で、この特性を利用すれば、半導体レーザ素子からの自
然発光成分は殆んど多層薄膜４で反射されて光検出器で
検出されることにょシ、半導体レーザ素子の発振閾値電
流条件を正確に検出することができる。
さらに、本実施例において、半導体レーザ素子からの自
然放出光成分の波長を９００ ｎｍとして多層薄膜４の
厚みを算出したが、一般にはレーザ光を短波長で発振す
るような構造にするため、その自然放出光成分も短波長
になる。本実施例に用いたＧａ Ａｓ ／ Ｇａ ＡＪ
Ａｓ系の半導体レーザにおいては、自然放出光成分は
最短波長側で６３００ｍ最長波長側で９００ ｎｍであ
るので、これらの自然放出光波長に合致する障壁幅ＬＢ
Ｉと量子井戸幅Ｌｚｔにすれば良い。この場合にもそれ
ぞれの幅ＬＢＩ、ＬＺＩは、本実施例で示したようにχ
／４ｎで与えられる値となる。ただし、λは自然放出光
成分波長、ｎは媒質内の屈折率を示す。
然放出光成分の波長を９００ ｎｍとして多層薄膜４の
厚みを算出したが、一般にはレーザ光を短波長で発振す
るような構造にするため、その自然放出光成分も短波長
になる。本実施例に用いたＧａ Ａｓ ／ Ｇａ ＡＪ
Ａｓ系の半導体レーザにおいては、自然放出光成分は
最短波長側で６３００ｍ最長波長側で９００ ｎｍであ
るので、これらの自然放出光波長に合致する障壁幅ＬＢ
Ｉと量子井戸幅Ｌｚｔにすれば良い。この場合にもそれ
ぞれの幅ＬＢＩ、ＬＺＩは、本実施例で示したようにχ
／４ｎで与えられる値となる。ただし、λは自然放出光
成分波長、ｎは媒質内の屈折率を示す。
本発明においては、本実施例に示した波長領域に限定す
る事はなく、０．４〜１．６μｍ帯の広い波長範囲に於
て適用可能であり、また、半導体レーザ素子の構造もプ
レーナ・ストライプ構造に限定する必要はなく埋込み型
構造を含むあらゆるストライプ構造に適用可能である。
る事はなく、０．４〜１．６μｍ帯の広い波長範囲に於
て適用可能であり、また、半導体レーザ素子の構造もプ
レーナ・ストライプ構造に限定する必要はなく埋込み型
構造を含むあらゆるストライプ構造に適用可能である。
第４図は本発明の他の実施例である。第１図に示す実施
例ではレーザ光が活性領域６ａよシ紙面に垂直な手前方
向に発光するものとしたが、これに限定する必要はなく
、レーザ光を活性領域６ａよシ紙面に水平に発光せしめ
ても差支えない。この場合には、半導体レーザ素子と光
検出器の間の分離溝１１に反射膜１２を蒸着す−ること
により誘導放出成分が光検出器に入射することを防ぎ、
さらに、この反射膜１２０反射率を制御することにより
、閾値以上でレーザ光が発振するときに反射膜１２の誘
過率に依存したレーザ光の出力を光検出器で検出するこ
とも可能である。
例ではレーザ光が活性領域６ａよシ紙面に垂直な手前方
向に発光するものとしたが、これに限定する必要はなく
、レーザ光を活性領域６ａよシ紙面に水平に発光せしめ
ても差支えない。この場合には、半導体レーザ素子と光
検出器の間の分離溝１１に反射膜１２を蒸着す−ること
により誘導放出成分が光検出器に入射することを防ぎ、
さらに、この反射膜１２０反射率を制御することにより
、閾値以上でレーザ光が発振するときに反射膜１２の誘
過率に依存したレーザ光の出力を光検出器で検出するこ
とも可能である。
以上説明したように、モノリシックに半導体レーザ素子
にモニター用光検出器を内蔵させることＫよシ、半導体
レーザ素子の自然放出光成分をモニター用光検出器に受
光させも光経路において、多層薄膜の光反射を有効に利
用した高効率かつ誘導放出発光成分を含まない正確な発
振閾値条件のモニターが可能であシ、多層薄膜内に超格
子構造を含める事で、半導体レーザ素子を形成する層の
結晶品質を向上させる事が出来るモニター用光検吊器内
蔵半導体レーザ素子を得ることができる。
にモニター用光検出器を内蔵させることＫよシ、半導体
レーザ素子の自然放出光成分をモニター用光検出器に受
光させも光経路において、多層薄膜の光反射を有効に利
用した高効率かつ誘導放出発光成分を含まない正確な発
振閾値条件のモニターが可能であシ、多層薄膜内に超格
子構造を含める事で、半導体レーザ素子を形成する層の
結晶品質を向上させる事が出来るモニター用光検吊器内
蔵半導体レーザ素子を得ることができる。
第１図は、本発明のモニター用光検出器内蔵半導体レー
ザ素子の一実施例の断面図、第２図は第１図の実施例に
おける多層薄膜構造のエネルギーバンド構造図、第３図
は第２図のエネルギーバンド構造の一部詳細図、第４図
は本発明の他の実施例である。 ２・・・基板、 ３・・・バッファ層、４・
・・多層薄膜、 ５ｔ７ａ、７ｂ・・・クラッド層、６
ａ 、６ｂ・・・活性層、 ８ａ 、８ｂ・・・電極
形成層、１１・・・絶縁溝。 第 １ ＠ 第 ２ 図
ザ素子の一実施例の断面図、第２図は第１図の実施例に
おける多層薄膜構造のエネルギーバンド構造図、第３図
は第２図のエネルギーバンド構造の一部詳細図、第４図
は本発明の他の実施例である。 ２・・・基板、 ３・・・バッファ層、４・
・・多層薄膜、 ５ｔ７ａ、７ｂ・・・クラッド層、６
ａ 、６ｂ・・・活性層、 ８ａ 、８ｂ・・・電極
形成層、１１・・・絶縁溝。 第 １ ＠ 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レーザ光発光素子と光検出素子がモノリシックに形
成された半導体レーザ素子において、半導体基板と活生
層の間に禁制帯幅の異なる２種類以上の半導体を周期的
に積層することにより、前記レーザ光発光素子からのレ
ーザ光の一部が前記の周期構造を有する多層薄膜により
反射または偏向され、前記光検出素子に受光されるよう
に配置されたことを特徴とする、モニター用光検出器内
蔵半導体レーザ素子。 ２、活性領域、クラッド領域および該クラッド領域上部
の電極が、発光領域と受光領域とに分離されている特許
請求の範囲第１項記載のモニター用光検出器内蔵半導体
レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1264785A JPH067625B2 (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | モニタ−用光検出器内蔵半導体レ−ザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1264785A JPH067625B2 (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | モニタ−用光検出器内蔵半導体レ−ザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61172388A true JPS61172388A (ja) | 1986-08-04 |
| JPH067625B2 JPH067625B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=11811155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1264785A Expired - Lifetime JPH067625B2 (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | モニタ−用光検出器内蔵半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067625B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9407063B2 (en) | 2007-12-21 | 2016-08-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laser light source and method for producing a laser light source |
-
1985
- 1985-01-28 JP JP1264785A patent/JPH067625B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9407063B2 (en) | 2007-12-21 | 2016-08-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laser light source and method for producing a laser light source |
| US9531158B2 (en) | 2007-12-21 | 2016-12-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laser light source |
| US9559496B2 (en) | 2007-12-21 | 2017-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laser light source |
| US9559497B2 (en) | 2007-12-21 | 2017-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laser light source |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH067625B2 (ja) | 1994-01-26 |
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