JPS61171190A - 分布反射形レ−ザ - Google Patents
分布反射形レ−ザInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
分布反射形レーザにおいて、活性導波路領域を。
連続形成されている外部導波路領域中に埋め込み。
さらに活性導波路領域と外部導波路領域との間の整合を
とり、結合部でのレーザ光の反射を極低減化するもので
ある。
とり、結合部でのレーザ光の反射を極低減化するもので
ある。
（産業上の利用分野〕
本発明は９分布反射形半導体レーザに関するものである
。
。
長距離大容量光通信を実現する波長１．５５μｍ帯の光
源としては、現在、動的単一モードレーザの使用が不可
欠となっている。
源としては、現在、動的単一モードレーザの使用が不可
欠となっている。
動的単一モードレーザには９分布帰還形（ＤＦＢ）レー
ザ、分布反射形（Ｄ Ｂ Ｒ）レーザ、複合共振器レー
ザなど、各種のものがあるが、中でも回折格子を分布ブ
ラック反射器として用いた分布反射形（Ｄ Ｂ Ｒ）レ
ーザは、高速変調時に安定な単−縦モード動作を維持し
やすいこと、他の機能素子とのモノリシック集積が容易
であること、レーザ共振器の短共振化が可能であること
、などの利点をもっているために、特に有望視されてい
る。
ザ、分布反射形（Ｄ Ｂ Ｒ）レーザ、複合共振器レー
ザなど、各種のものがあるが、中でも回折格子を分布ブ
ラック反射器として用いた分布反射形（Ｄ Ｂ Ｒ）レ
ーザは、高速変調時に安定な単−縦モード動作を維持し
やすいこと、他の機能素子とのモノリシック集積が容易
であること、レーザ共振器の短共振化が可能であること
、などの利点をもっているために、特に有望視されてい
る。
次に９分布反射形レーザとして、従来提案されている集
積二重導波路構造をもつＤＢＲ−ＩＴＧ形レーザと、Ｂ
ＪＢ形と呼ばれる直接結合構造をもつＤＢＲ−ＢＪＢ形
レーザについて概要を説明する。
積二重導波路構造をもつＤＢＲ−ＩＴＧ形レーザと、Ｂ
ＪＢ形と呼ばれる直接結合構造をもつＤＢＲ−ＢＪＢ形
レーザについて概要を説明する。
第２図は、ＤＢＲ−ＩＴＧ形レーザの概略的な構造を示
す断面図である。図において、２１は活性導波路、２２
は外部導波路、２３および２４は分布ブラック反射器、
２５および２６はレーザ光の電界分布を表わしている。
す断面図である。図において、２１は活性導波路、２２
は外部導波路、２３および２４は分布ブラック反射器、
２５および２６はレーザ光の電界分布を表わしている。
図示のように、ＤＢＲ−ＩＴＧ形レーザの場合。
活性導波路２１は、外部導波路２２上に並行して形成さ
れている。したがって活性導波路２１と外部導波路２２
との間の結合は、矢線で示されているように上下の方向
となるから、活性導波路２１の中央位置における電界分
布２５と９分布ブラック反射器２４の位置における電界
分布２６との整合条件は、斜線で示した活性領域長に依
存し、この領域長と、各層間の制御が、従来技術では困
難なため、活性導波路２１と外部導波路２２との間に部
分的な反射が生じるという欠点があった。
れている。したがって活性導波路２１と外部導波路２２
との間の結合は、矢線で示されているように上下の方向
となるから、活性導波路２１の中央位置における電界分
布２５と９分布ブラック反射器２４の位置における電界
分布２６との整合条件は、斜線で示した活性領域長に依
存し、この領域長と、各層間の制御が、従来技術では困
難なため、活性導波路２１と外部導波路２２との間に部
分的な反射が生じるという欠点があった。
第３図は、ＤＢＲ−ＢＪＢ形レーザの概略的な構造を示
す断面図である０図において、３１は活性導波路、３２
および３３は外部導波路、３４および３５は分布ブラッ
ク反射器、３６および３７は電界分布を表わしている。
す断面図である０図において、３１は活性導波路、３２
および３３は外部導波路、３４および３５は分布ブラッ
ク反射器、３６および３７は電界分布を表わしている。
このＤＢＲ−ＢＪＢ形レーザは、ＤＢＲ−ＩＴＧ形レー
ザとは異なり、活性導波路３１と外部導波路３２．、％
３とは、はぼ直線的に配置されており、活性領域と外部
導波路領域の電界分布、及び。
ザとは異なり、活性導波路３１と外部導波路３２．、％
３とは、はぼ直線的に配置されており、活性領域と外部
導波路領域の電界分布、及び。
等価屈折率を等しく設計する事が可能である。
しかし、実際の作製工程上、このＤＢＲ−ＢＪＢ形レー
ザでは、結合部で外部導波路層の厚みが変化して１段差
が生じ易（、この段差により、活性導波路３１と、外部
導波路３２．３３の間に部分的な反射を生じる欠点があ
った。
ザでは、結合部で外部導波路層の厚みが変化して１段差
が生じ易（、この段差により、活性導波路３１と、外部
導波路３２．３３の間に部分的な反射を生じる欠点があ
った。
従来の分布反射形（ＤＢＲ）レーザは、活性導波路と外
部導波路との間の高効率結合の為の条件 Ｊ
が非常に実現困難であり、あるいは、これらの導波路間
に生じる段差のため、導波路結合部において２反射が生
じ、多モードのレーザ発振が起りやすく、また発振効率
を上げにくいという問題があった。
部導波路との間の高効率結合の為の条件 Ｊ
が非常に実現困難であり、あるいは、これらの導波路間
に生じる段差のため、導波路結合部において２反射が生
じ、多モードのレーザ発振が起りやすく、また発振効率
を上げにくいという問題があった。
本発明の原理は９分布反射形レーザの活性導波路を外部
導波路中に埋め込んだ構造をとり、さらに活性導波路と
外部導波路の両頭域における伝播定数と電界分布とを整
合させることにより、結合部における反射をなくすもの
である。
導波路中に埋め込んだ構造をとり、さらに活性導波路と
外部導波路の両頭域における伝播定数と電界分布とを整
合させることにより、結合部における反射をなくすもの
である。
第４図は２本発明による分布反射形レーザの典型例の構
造を示す断面図である。図において、４１は活性導波路
、４２は外部導波路、４３および４４は分布ブラック反
射器、４５および４６は電界分布を表わしている。
造を示す断面図である。図において、４１は活性導波路
、４２は外部導波路、４３および４４は分布ブラック反
射器、４５および４６は電界分布を表わしている。
図示のように、活性導波路４１の前後および、上部を取
り囲む形で外部導波路４２が形成されることにより、活
性導波路４１から出力されるレーザ光は、全て外部導波
路４２中に入射される。さらに分布ブラック反射器４３
．４４で反射された光は、主に低損失の外部導波路４２
中を伝播し、一部の光が外部へ放射される。
り囲む形で外部導波路４２が形成されることにより、活
性導波路４１から出力されるレーザ光は、全て外部導波
路４２中に入射される。さらに分布ブラック反射器４３
．４４で反射された光は、主に低損失の外部導波路４２
中を伝播し、一部の光が外部へ放射される。
第４図において９分布反射形レーザの活性導波路４１お
よび外部導波路４２等の物理的寸法および組成を適切に
設定すれば９両導波路領域の伝播定数をほぼ等しクシ、
また図示の電界分布４５゜４６で例示されるように、導
波路の各部における電界分布を整合させることができ、
またその設計の許容精度が大きく、活性導波路４１およ
び外部導波路４２との間の反射を容易に極低減化するこ
とが可能となる。
よび外部導波路４２等の物理的寸法および組成を適切に
設定すれば９両導波路領域の伝播定数をほぼ等しクシ、
また図示の電界分布４５゜４６で例示されるように、導
波路の各部における電界分布を整合させることができ、
またその設計の許容精度が大きく、活性導波路４１およ
び外部導波路４２との間の反射を容易に極低減化するこ
とが可能となる。
以下に９本発明の詳細を実施例にしたがって説明する。
（１）素子構造
第１図は１本発明による活性導波路埋め込み構造をもつ
分布反射形（Ｄ Ｂ Ｒ）レーザの１実施例の素子構造
を示す断面図である。
分布反射形（Ｄ Ｂ Ｒ）レーザの１実施例の素子構造
を示す断面図である。
図において、１はｎ−ＩｎＰ基板、２はλｇ＝１．５５
．ｕｍのＧａ１ｎＡｓＰ活性導波路層、３はλｇ＝１．
３５μｍのＧａＩｎＡｓＰ保護層、４はλｇ＝１．３５
μｍのＧａＩｎＡｓＰ外部導波路層、５はｐ−１ｎＰ層
、６はｐ−ＧａＩｎＡｓＰキＪｒｙブ層。
．ｕｍのＧａ１ｎＡｓＰ活性導波路層、３はλｇ＝１．
３５μｍのＧａＩｎＡｓＰ保護層、４はλｇ＝１．３５
μｍのＧａＩｎＡｓＰ外部導波路層、５はｐ−１ｎＰ層
、６はｐ−ＧａＩｎＡｓＰキＪｒｙブ層。
７はｐ−ＩｎＰ層、８はｎ−１ｎＰ層、９はｐ −Ｇａ
ＩｎＡｓＰ層、１０は分布ブラック反射器を形成する一
次のグレーティング、１１はＺｎ拡斂領域。
ＩｎＡｓＰ層、１０は分布ブラック反射器を形成する一
次のグレーティング、１１はＺｎ拡斂領域。
１２は金属電極、１３はＳｉｎ、絶縁層を示す。なお、
λｇはバンドギャップ波長である。
λｇはバンドギャップ波長である。
（２）製造方法
次に、第１図に示す素子構造を実現するための製造方法
について説明する。
について説明する。
第５図は、その製造方法の１例を示したものである。
はじめに、ＬＰＥ成長法により第５図（ａ）に示すよう
に、ｎ−ＩｎＰ基板１上にバンドギャップ波長λｇ（以
下省略）が１．５５μｍ組成のＧａＩｎＡｓＰ活性導波
路層２および１．３５μｍ組成のＧａＩｎＡｓＰ保護層
３を順次成長させ、ウェハ５１を作製する。
に、ｎ−ＩｎＰ基板１上にバンドギャップ波長λｇ（以
下省略）が１．５５μｍ組成のＧａＩｎＡｓＰ活性導波
路層２および１．３５μｍ組成のＧａＩｎＡｓＰ保護層
３を順次成長させ、ウェハ５１を作製する。
次に、 （０１１）方向に張ったストライプマスクを
用いて第５図（、ｂ）に示すように、活性導波路頭域５
２を残して、他の外部導波路領域５３゜５４をｎ−１ｎ
Ｐ基板上まで選択エンチングにより除去し、さらにｎ−
１ｎＰ基板上に分布ブラック反射器を構成する一次のグ
レーティング５５゜５６を形成する。
用いて第５図（、ｂ）に示すように、活性導波路頭域５
２を残して、他の外部導波路領域５３゜５４をｎ−１ｎ
Ｐ基板上まで選択エンチングにより除去し、さらにｎ−
１ｎＰ基板上に分布ブラック反射器を構成する一次のグ
レーティング５５゜５６を形成する。
次に、２回目の成長を行ない、第５図（Ｃ）に示すよう
に１．３５μｍ組成のＧａＩｎＡｓＰ外部導波路層４．
さらに図示省略したｐ−１ｎＰ層５゜ｐ−ＧａＩｎＡｓ
Ｐキャップ層６を全面に順次成長させる。
に１．３５μｍ組成のＧａＩｎＡｓＰ外部導波路層４．
さらに図示省略したｐ−１ｎＰ層５゜ｐ−ＧａＩｎＡｓ
Ｐキャップ層６を全面に順次成長させる。
この後、さらに埋め込み（Ｂ Ｈ）加工により。
第６図に示すように横方向に逆方向メサ選択エツチング
して、３回目の成長により−ｐ ＩｎＰ層７、ｎ−Ｉｎ
Ｐ層８． ｐ−ＣａＩｎＡｓＰ層９からなる電流狭窄層
を形成する（第１図参照）。
して、３回目の成長により−ｐ ＩｎＰ層７、ｎ−Ｉｎ
Ｐ層８． ｐ−ＣａＩｎＡｓＰ層９からなる電流狭窄層
を形成する（第１図参照）。
このようにして、活性導波路層２の上部および前後を囲
む外部導波路層４が、１回の工程で容易に形成できる。
む外部導波路層４が、１回の工程で容易に形成できる。
Ｊま
たこの方法では、基板上に活性導波路層および保護層を
成長させた段階で、活性導波路領域を形成するエツチン
グが行なわれるため、活性導波路領域が高精度で得られ
る利点がある。
たこの方法では、基板上に活性導波路層および保護層を
成長させた段階で、活性導波路領域を形成するエツチン
グが行なわれるため、活性導波路領域が高精度で得られ
る利点がある。
第７図は、他の製造方法の例を示したものである。この
例の場合、外部導波路層４は、２回の工程で分割形成さ
れる。
例の場合、外部導波路層４は、２回の工程で分割形成さ
れる。
まず第７図（ａ）に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板１上に
ＧａＩｎＡｓＰ活性導波路層２．Ｇａ１ｎＡｓＰ保護層
３．Ｇａ１ｎＡｓＰ外部導波路層４を順次成長させる。
ＧａＩｎＡｓＰ活性導波路層２．Ｇａ１ｎＡｓＰ保護層
３．Ｇａ１ｎＡｓＰ外部導波路層４を順次成長させる。
次に第７図（ｂ）に示すように、活性導波路領域７１を
残し、他の領域７２．７３をｎ−ＩｎＰ基板上部までエ
ツチングして除去し、さらに−次のグレーティング７４
．７５を形成する。
残し、他の領域７２．７３をｎ−ＩｎＰ基板上部までエ
ツチングして除去し、さらに−次のグレーティング７４
．７５を形成する。
次に第７図（ｃ）に示すように、２回目の成長を行ない
、Ｇａ１ｎＡｓＰ外部導波路層４’＋ ｐ Ｉｎ２層
５′等を形成する。
、Ｇａ１ｎＡｓＰ外部導波路層４’＋ ｐ Ｉｎ２層
５′等を形成する。
このようにして、一層に連結された外部導波路層４．４
′が得られる。
′が得られる。
（３）伝播定数および電界分布の整合
第８図は、第１図に示す実施例の素子構造の一部を拡大
して示したものである。
して示したものである。
図において。
ｎｓ：ｎ−１ｎＰ基板！およびｐ−１ｎＰ層５の屈折率
ｎａｃｔ ：活性導波路層２の屈折率
ｎｃｏｖ ：保護層３の屈折率
ｎｅｘｔ ：外部導波路層４の屈折率
ｔａｃｔ：活性導波路層２の厚さ
ｔｃｏν ：保護層３の厚さ
ｔｅｘｔ：外部導波路層４の厚さ
を表わしている。
外部導波路領域８１と活性導波路領域８２との間で、伝
播定°数と電界分布とを整合させるには。
播定°数と電界分布とを整合させるには。
外部導波路層４の屈折率ｎｅｘｔを、活性導波路層２の
屈折率ｎａｃｔと保護層３の屈折率ｎｃｏｖとの中間の
値とし、 ｎａｃｔおよびｎ ｃｏｖのある荷重平均
がｎｅｘｔに等しくできるようにすればよい。
屈折率ｎａｃｔと保護層３の屈折率ｎｃｏｖとの中間の
値とし、 ｎａｃｔおよびｎ ｃｏｖのある荷重平均
がｎｅｘｔに等しくできるようにすればよい。
またｎ−１ｎＰ基板１およびｐ−１ｎＰ層５の屈折率ｎ
ｓは、レーザ光を導波路内に閉じ込める必要から、
ｎｅｘｔおよびｎａｃｔのいずれよりも小さい値でなけ
ればならない。
ｓは、レーザ光を導波路内に閉じ込める必要から、
ｎｅｘｔおよびｎａｃｔのいずれよりも小さい値でなけ
ればならない。
したがって、各層を構成する物質の屈折率の間には。
ｎａｃｔ ＞ ｎｅｘｔ ＞ ｎｃｏｖ≧ｎｓの関係が
成り立っていることが１つの条件となる。
成り立っていることが１つの条件となる。
この条件のもとて各層の物質組成および厚さｔａｃＬ＋
ｔ ｃｏｖ、 ｔ ｅｘｔを適切に制御することにより
、伝播定数および電界分布の整合を得ることが可能とな
る。
ｔ ｃｏｖ、 ｔ ｅｘｔを適切に制御することにより
、伝播定数および電界分布の整合を得ることが可能とな
る。
第９図は、第８図において、活性導波路層２のバンドギ
ャップ波長λｇ＝１．６０μｍ、ｔａｃｔ＝０．１ ｐ
ｍ、 ｔｃｏｖ＝０．１ μｍ、 ｎｃｏｖ＝３．１６
．とじて、外部導波路層４のｎｅｘｔおよび２ｇがｎｅ
ｘｔ＝３．３０（λｇ＝１．１５μｍ）、３．３５（λ
ｇ＝１゜２５μｍ） 、 ３．４０ （λｇ＝１．３５
μｍ）のそれぞれの場合について、 ｔｅｘｔをほぼ
０．１−０．６μｍの範囲で変化させたときの、活性導
波路領域８１と、外部導波路領域８２との間の結合効率
Ｃｏｕｔの変化を示す実験データ例である。
ャップ波長λｇ＝１．６０μｍ、ｔａｃｔ＝０．１ ｐ
ｍ、 ｔｃｏｖ＝０．１ μｍ、 ｎｃｏｖ＝３．１６
．とじて、外部導波路層４のｎｅｘｔおよび２ｇがｎｅ
ｘｔ＝３．３０（λｇ＝１．１５μｍ）、３．３５（λ
ｇ＝１゜２５μｍ） 、 ３．４０ （λｇ＝１．３５
μｍ）のそれぞれの場合について、 ｔｅｘｔをほぼ
０．１−０．６μｍの範囲で変化させたときの、活性導
波路領域８１と、外部導波路領域８２との間の結合効率
Ｃｏｕｔの変化を示す実験データ例である。
図示のように、広い範囲で９０％以上、ｉｏ。
％近い高い結合効率が得られている。
（４）素子特性
第１０図は、第１図に示す実施例の素子構造を用いて得
られた発振特性のデータ例である０図示のように、パル
ス動作で閾値電流ｒｔｈ＝１８０ｍＡが得られ、そして
Ｉｔｈの１．１４倍のときに単一モード動作が確認され
ている。ただし、素子長は。
られた発振特性のデータ例である０図示のように、パル
ス動作で閾値電流ｒｔｈ＝１８０ｍＡが得られ、そして
Ｉｔｈの１．１４倍のときに単一モード動作が確認され
ている。ただし、素子長は。
活性導波路領域が１００μｍ９分布ブラック反射器領域
が両側にそれぞれ１７０μｍ、３０μｍであった。
が両側にそれぞれ１７０μｍ、３０μｍであった。
（５）他の実施例
第１図に示した実施例の素子構造は、ｎ−ＩｎＰ基板の
上面に一次のグレーティングを形成したものであるが、
これを第２図および第３図の従来例のように外部導波路
の上側対向面に形成した構造のものにおいても１本発明
は同様に適用されることができる。
上面に一次のグレーティングを形成したものであるが、
これを第２図および第３図の従来例のように外部導波路
の上側対向面に形成した構造のものにおいても１本発明
は同様に適用されることができる。
、１□４よ、。、）よう４実施例、）１つ４Ｅよ、え。
Ｊのである０図において、１１１は基板、１
１２は活性導波路層、１１３は保護層、１１４は外部導
波路層、１１５および１１６は分布ブラック反射器を形
成する一次のグレーティングである。
１２は活性導波路層、１１３は保護層、１１４は外部導
波路層、１１５および１１６は分布ブラック反射器を形
成する一次のグレーティングである。
このに月例では、グレーティング１１５，１１６は、外
部導波路層１１４を成長させた後に形成される。
部導波路層１１４を成長させた後に形成される。
また分布反射形レーザにおいて発生されるレーザ光には
、各種の偏波姿態をもったものが存在し得る。このよう
な場合、外部導波路の側面に金属膜を配設して姿態フィ
ルタを形成させることにより、金属膜に平行なＴＥ姿態
の偏波をもつレーザ光のみを通過させ、これと直角な７
Ｍ姿態の偏波のレーザ光を阻止することができる。すな
わち。
、各種の偏波姿態をもったものが存在し得る。このよう
な場合、外部導波路の側面に金属膜を配設して姿態フィ
ルタを形成させることにより、金属膜に平行なＴＥ姿態
の偏波をもつレーザ光のみを通過させ、これと直角な７
Ｍ姿態の偏波のレーザ光を阻止することができる。すな
わち。
偏波面をそろえることができる。
第１２図はそのような実施例の１つを示したものである
。図において、１２１は基板、１２２は活性導波路層、
１２３は保護層、１２４は外部導波路層、１２５および
１２６はグレーティング、１２７および１２８は姿態フ
ィルタを形成するＡｕ等の金属膜である。
。図において、１２１は基板、１２２は活性導波路層、
１２３は保護層、１２４は外部導波路層、１２５および
１２６はグレーティング、１２７および１２８は姿態フ
ィルタを形成するＡｕ等の金属膜である。
さらに他の実施例として、レーザ素子全体を埋め込み構
造とすることにより、へき開面における整合をよりシ９
９反射減らすことができる。
造とすることにより、へき開面における整合をよりシ９
９反射減らすことができる。
なお本発明は、上述した実施例に限定されるものではな
く、当該技術分野において自明な多くの変形構成も本発
明の範囲に含まれるものである。
く、当該技術分野において自明な多くの変形構成も本発
明の範囲に含まれるものである。
以上のように本発明によれば９分布反射形レーザにおけ
る活性導波路と外部導波路との間の結合を極めて良好に
行なうことができ１反射や散乱等の発生をほとんどな（
すことができるので、効率的で安定な単一モードのレー
ザ発振を行なう分布反射形レーザが実現できる。
る活性導波路と外部導波路との間の結合を極めて良好に
行なうことができ１反射や散乱等の発生をほとんどな（
すことができるので、効率的で安定な単一モードのレー
ザ発振を行なう分布反射形レーザが実現できる。
第１図は本発明の１実施例の素子構造を示す断面図、第
２図はＤＢＲ−ＩＴＧ形レーザの構造を示す断面図、第
３図はＤＢＲ−ＢＪＢ形レーザの構造を示す断面図、第
４図は本発明による分布反射形レーザの断面図、第５図
は第１図に示す実施例素子の製造方法を示す説明図、第
６図は埋め込み加工途中の状態を説明するための外観図
、第７図は第１図に示す実施例素子の他の製造方法を示
す説明図、第８図は本発明による伝播定数および電界分
布の整合についての説明図、第９図は結合効率特性を示
すグラフ、第１０図は実施例による素子の発振特性を示
すグラフ、第１１図は本発明の他の実施例による素子の
断面図、第１２図は本発明のさらに他の実施例による素
子の断面図である。 第１図において、１はｎ−ＩｎＰ基板、２はＧａＩｎＡ
ｓＰ活性導波路層、３はＧａＩｎＡｓＰ保護層。 ４はＧａＩｎＡｓＰ外部導波路層、１０はグレーティン
グを示す。
２図はＤＢＲ−ＩＴＧ形レーザの構造を示す断面図、第
３図はＤＢＲ−ＢＪＢ形レーザの構造を示す断面図、第
４図は本発明による分布反射形レーザの断面図、第５図
は第１図に示す実施例素子の製造方法を示す説明図、第
６図は埋め込み加工途中の状態を説明するための外観図
、第７図は第１図に示す実施例素子の他の製造方法を示
す説明図、第８図は本発明による伝播定数および電界分
布の整合についての説明図、第９図は結合効率特性を示
すグラフ、第１０図は実施例による素子の発振特性を示
すグラフ、第１１図は本発明の他の実施例による素子の
断面図、第１２図は本発明のさらに他の実施例による素
子の断面図である。 第１図において、１はｎ−ＩｎＰ基板、２はＧａＩｎＡ
ｓＰ活性導波路層、３はＧａＩｎＡｓＰ保護層。 ４はＧａＩｎＡｓＰ外部導波路層、１０はグレーティン
グを示す。
Claims (1)
- 基板（１）上の所定の領域に形成された活性導波路層（
２）と、活性導波路層（２）上に積層された保護層（３
）と、上記活性導波路層（２）および保護層（３）の前
後および上面に接してこれらを包むように形成された外
部導波路層（４）と、外部導波路層（４）の所定の部分
に沿って設けられた分布ブラック反射器とを有し、上記
活性導波路層（２）と外部導波路層（４）との間の結合
を整合させることを特徴とする分布反射形レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60012181A JPS61171190A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 分布反射形レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60012181A JPS61171190A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 分布反射形レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61171190A true JPS61171190A (ja) | 1986-08-01 |
| JPH0230195B2 JPH0230195B2 (ja) | 1990-07-04 |
Family
ID=11798249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60012181A Granted JPS61171190A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 分布反射形レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61171190A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4914670A (en) * | 1987-09-01 | 1990-04-03 | Hideaki Nishizawa | Distributed bragg reflector type semiconductor laser |
| US5321716A (en) * | 1991-12-17 | 1994-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Distributed Feedback semiconductor laser with controlled phase shift |
| JP2010251609A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53144693A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser |
| JPS5878792A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Sumitomo Chem Co Ltd | 記録紙 |
-
1985
- 1985-01-25 JP JP60012181A patent/JPS61171190A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53144693A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser |
| JPS5878792A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Sumitomo Chem Co Ltd | 記録紙 |
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| US5045499A (en) * | 1987-09-01 | 1991-09-03 | Research Development Corporation Of Japan | Method of manufacturing a distributed brass reflector type semiconductor laser |
| US5321716A (en) * | 1991-12-17 | 1994-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Distributed Feedback semiconductor laser with controlled phase shift |
| JP2010251609A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
| US8705583B2 (en) | 2009-04-17 | 2014-04-22 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0230195B2 (ja) | 1990-07-04 |
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Legal Events
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