JPS6117094B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6117094B2 JPS6117094B2 JP5316776A JP5316776A JPS6117094B2 JP S6117094 B2 JPS6117094 B2 JP S6117094B2 JP 5316776 A JP5316776 A JP 5316776A JP 5316776 A JP5316776 A JP 5316776A JP S6117094 B2 JPS6117094 B2 JP S6117094B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deflection
- horizontal
- electron
- side beams
- sensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 22
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 241000226585 Antennaria plantaginifolia Species 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/70—Arrangements for deflecting ray or beam
- H01J29/701—Systems for correcting deviation or convergence of a plurality of beams by means of magnetic fields at least
- H01J29/707—Arrangements intimately associated with parts of the gun and co-operating with external magnetic excitation devices
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は中央ビームおよび一対のサイドビーム
を放出するカラー受像管装置に関する。
を放出するカラー受像管装置に関する。
中央ビームおよび１対のサイドビームを放出す
るカラー受像管装置は例えば第１図に示すように
管軸１を含む水平平面上に３個の単位電子銃２
Ｒ，２Ｇ，２Ｂを並列した三電子銃３を有する。
この３電子銃３から放出される電子ビームは電磁
偏向装置４により偏向され螢光面５を走査する。
また各電子ビームのラスタを一致させるためにコ
ンバーゼンス装置６が設けられている。
るカラー受像管装置は例えば第１図に示すように
管軸１を含む水平平面上に３個の単位電子銃２
Ｒ，２Ｇ，２Ｂを並列した三電子銃３を有する。
この３電子銃３から放出される電子ビームは電磁
偏向装置４により偏向され螢光面５を走査する。
また各電子ビームのラスタを一致させるためにコ
ンバーゼンス装置６が設けられている。
ところで前記カラー受像管装置は偏向装置４の
磁界分布を適正に設計することによりダイナミツ
クコンバーゼンスを省略することができる利点を
有する。例えば偏向装置４の水平偏向磁界を強い
ピンクツシヨンン形にし、垂直偏向磁界をバレル
形にすると第２図に示すように両サイドビームに
よるラスタ８Ｒ，８Ｂを略一致させることができ
る。さらに第３図に示すように電子ビーム放出端
９に、水平および垂直偏向磁界に関してサイドビ
ームの偏向感度を中央ビームのそれより低下させ
る制御素子１０Ａ，１０Ｂと垂直偏向磁界に関し
てサイドビームの偏向感度を中央ビームのそれよ
り相対的に低下させると共に水平偏向磁界に関し
てはサイドビームの偏向感度を中央ビームのそれ
より相対的に増加させる制御素子１１Ａ，１１Ｂ
を設けることにより第２図に示すように両サイド
ビームと中央ビームによるラスタ８Ｒ，８Ｂ，８
Ｇを略一致させることができる。
磁界分布を適正に設計することによりダイナミツ
クコンバーゼンスを省略することができる利点を
有する。例えば偏向装置４の水平偏向磁界を強い
ピンクツシヨンン形にし、垂直偏向磁界をバレル
形にすると第２図に示すように両サイドビームに
よるラスタ８Ｒ，８Ｂを略一致させることができ
る。さらに第３図に示すように電子ビーム放出端
９に、水平および垂直偏向磁界に関してサイドビ
ームの偏向感度を中央ビームのそれより低下させ
る制御素子１０Ａ，１０Ｂと垂直偏向磁界に関し
てサイドビームの偏向感度を中央ビームのそれよ
り相対的に低下させると共に水平偏向磁界に関し
てはサイドビームの偏向感度を中央ビームのそれ
より相対的に増加させる制御素子１１Ａ，１１Ｂ
を設けることにより第２図に示すように両サイド
ビームと中央ビームによるラスタ８Ｒ，８Ｂ，８
Ｇを略一致させることができる。
然るにこのようにして形成されたラスタは次に
述べる如き欠点を有する。すなわち第２図に示す
いわゆるＳイング（Ｓ−ing）と呼ばれるミスコ
ンバーゼンス１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄを
有すること。また偏向歪がダイナミツクコンバー
ゼンスを有するカラー受像管装置のラスタに比べ
て大きくなることである。
述べる如き欠点を有する。すなわち第２図に示す
いわゆるＳイング（Ｓ−ing）と呼ばれるミスコ
ンバーゼンス１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄを
有すること。また偏向歪がダイナミツクコンバー
ゼンスを有するカラー受像管装置のラスタに比べ
て大きくなることである。
最近、より高性能なカラー受像管装置を得るた
め上記Ｓイング（Ｓ−ing）を小さくすること、
および偏向歪、特に上下偏向歪を小さくし、上下
の偏向歪補正を省略することが強く要求されてい
る。
め上記Ｓイング（Ｓ−ing）を小さくすること、
および偏向歪、特に上下偏向歪を小さくし、上下
の偏向歪補正を省略することが強く要求されてい
る。
偏向装置の設計技術が進歩し、偏向装置の水平
および垂直磁界分布を適正に設計することにより
上記二つの要求を満足することが可能になつた。
および垂直磁界分布を適正に設計することにより
上記二つの要求を満足することが可能になつた。
しかし、このように設計された偏向装置により
偏向されたラスタは第４図に示すように、水平偏
向に関しては両サイドビームによるラスタ１４
Ｒ，１４Ｂが中央ビームによるラスタ１４Ｇより
小さくなり、垂直偏向に関しては両サイドビーム
によるラスタ１４Ｒ，１４Ｂが中央ビームによる
ラスタ１４Ｇより大きくなる。
偏向されたラスタは第４図に示すように、水平偏
向に関しては両サイドビームによるラスタ１４
Ｒ，１４Ｂが中央ビームによるラスタ１４Ｇより
小さくなり、垂直偏向に関しては両サイドビーム
によるラスタ１４Ｒ，１４Ｂが中央ビームによる
ラスタ１４Ｇより大きくなる。
上述のラスタは従来使用されていた第３図に示
すような制御素子１０Ａ，１０Ｂおよび１１Ａ，
１１Ｂでは、一致させることは不可能である。す
なわち前述の如く１０Ａ，１０Ｂは水平および垂
直偏向磁界に関してサイドビームの偏向感度を中
央ビームのそれより低下させ、１１Ａ，１１Ｂは
垂直偏向磁界に関してサイドビームの偏向感度を
中央ビームのそれより相対的に低下させると共に
水平偏向磁界に関してはサイドビームの偏向感度
を中央ビームのそれより相対的に増加させるから
である。
すような制御素子１０Ａ，１０Ｂおよび１１Ａ，
１１Ｂでは、一致させることは不可能である。す
なわち前述の如く１０Ａ，１０Ｂは水平および垂
直偏向磁界に関してサイドビームの偏向感度を中
央ビームのそれより低下させ、１１Ａ，１１Ｂは
垂直偏向磁界に関してサイドビームの偏向感度を
中央ビームのそれより相対的に低下させると共に
水平偏向磁界に関してはサイドビームの偏向感度
を中央ビームのそれより相対的に増加させるから
である。
本発明は、少なくとも、水平および垂直偏向磁
界に関してサイドビームの偏向感度を中央ビーム
のそれより低下させる第１制御素子と、水平偏向
磁界に関して中央ビームの偏向感度をサイドビー
ムのそれより相対的に低下させる第２制御素子を
設けることにより上記不可能を可能とするもので
ある。
界に関してサイドビームの偏向感度を中央ビーム
のそれより低下させる第１制御素子と、水平偏向
磁界に関して中央ビームの偏向感度をサイドビー
ムのそれより相対的に低下させる第２制御素子を
設けることにより上記不可能を可能とするもので
ある。
第５図は本発明の一実施例で、高透磁性材料で
形成された第１制御素子２１Ａ，２１Ｂと第２制
御素子２２Ａ，２２Ｂからできており、偏向装置
の後部磁界が及ぶ電子ビーム通過領域に設けられ
てている。第１制御素子２１Ａ，３１Ｂは中空の
円形板で、その中空部をサイドビームが通過する
よう配置される。また第２制御素子２２Ａ，２２
Ｂは円形板で、管軸と第１制御素子２１Ａ，２１
Ｂとの間に設けられる。すなわち中央ビームの左
右に配置される。
形成された第１制御素子２１Ａ，２１Ｂと第２制
御素子２２Ａ，２２Ｂからできており、偏向装置
の後部磁界が及ぶ電子ビーム通過領域に設けられ
てている。第１制御素子２１Ａ，３１Ｂは中空の
円形板で、その中空部をサイドビームが通過する
よう配置される。また第２制御素子２２Ａ，２２
Ｂは円形板で、管軸と第１制御素子２１Ａ，２１
Ｂとの間に設けられる。すなわち中央ビームの左
右に配置される。
上記制御素子の作用を述べると、その構造から
明らかなように第１制御素子２１Ａ，２１Ｂは偏
向装置の水平および垂直偏向磁界に対して特にサ
イドビーム２３Ｒ，２３Ｂの偏向感度を中央ビー
ム２３Ｇのそれより低下させる。また第２制御素
子２２Ａ，２２Ｂは偏向装置の水平偏向磁界に対
して特に中央ビーム２３Ｇの偏向感度をサイドビ
ーム２３Ｒ，２３Ｂのそれより低下させ、垂直偏
向磁界に対して特に中央ビーム２３Ｇの偏向感度
をサイドビーム２３Ｒ，２３Ｂのそれより向上さ
せる。その制御の程度は上記制御素子の内径、外
径、配置位置等により異なり、それ等を適切に設
計することにより第６図に示すように中央ビーム
のラスタ２４Ｇとサイドビームのラスタ２４Ｒ，
２４Ｂとの水平および垂直方向のずれを同時に無
くすることができる。すなわち第４図に示したラ
スタに対し、水平方向に関しては第１制御素子２
１Ａ，２１Ｂおよび第２制御素子２２Ａ，２２Ｂ
ともサイドビームの偏向感度を中央ビームの偏向
感度に対し低下させるため水平方向のラスタは一
致する。また垂直方向に関しては、第１制御素子
２１Ａ，２１Ｂはサイドビームの偏向感度を中央
ビームのそれに対し低下させるが、第２制御素子
２２Ａ，２２Ｂは中央ビームの偏向感度をサイド
ビームのそれより高上させるため、第２制御素子
２２Ａ，２２Ｂの作用を大きくすれば、垂直方向
の中央ビームとサイドビームのラスタは一致す
る。
明らかなように第１制御素子２１Ａ，２１Ｂは偏
向装置の水平および垂直偏向磁界に対して特にサ
イドビーム２３Ｒ，２３Ｂの偏向感度を中央ビー
ム２３Ｇのそれより低下させる。また第２制御素
子２２Ａ，２２Ｂは偏向装置の水平偏向磁界に対
して特に中央ビーム２３Ｇの偏向感度をサイドビ
ーム２３Ｒ，２３Ｂのそれより低下させ、垂直偏
向磁界に対して特に中央ビーム２３Ｇの偏向感度
をサイドビーム２３Ｒ，２３Ｂのそれより向上さ
せる。その制御の程度は上記制御素子の内径、外
径、配置位置等により異なり、それ等を適切に設
計することにより第６図に示すように中央ビーム
のラスタ２４Ｇとサイドビームのラスタ２４Ｒ，
２４Ｂとの水平および垂直方向のずれを同時に無
くすることができる。すなわち第４図に示したラ
スタに対し、水平方向に関しては第１制御素子２
１Ａ，２１Ｂおよび第２制御素子２２Ａ，２２Ｂ
ともサイドビームの偏向感度を中央ビームの偏向
感度に対し低下させるため水平方向のラスタは一
致する。また垂直方向に関しては、第１制御素子
２１Ａ，２１Ｂはサイドビームの偏向感度を中央
ビームのそれに対し低下させるが、第２制御素子
２２Ａ，２２Ｂは中央ビームの偏向感度をサイド
ビームのそれより高上させるため、第２制御素子
２２Ａ，２２Ｂの作用を大きくすれば、垂直方向
の中央ビームとサイドビームのラスタは一致す
る。
このように第１制御素子２１Ａ，２１Ｂと第２
制御素子２２Ａ，２２Ｂの形状、配置を適切に設
計することにより中央ビームとサイドビームによ
る各々のラスタを水平および垂直方向に関し、同
時に一致させることができる。
制御素子２２Ａ，２２Ｂの形状、配置を適切に設
計することにより中央ビームとサイドビームによ
る各々のラスタを水平および垂直方向に関し、同
時に一致させることができる。
第７図は本発明のカラー受像管装置の他の実施
例に適応するラスタ制御素子を示す図で、高透磁
性材料で形成された第１制御素子３１Ａ，３１Ｂ
と第２制御素子３２Ａ，３２Ｂと第３制御素子３
３Ａ，３３Ｂからできており、偏向装置の後部磁
界が及ぶ電子ビーム通過領域に設けられている。
例に適応するラスタ制御素子を示す図で、高透磁
性材料で形成された第１制御素子３１Ａ，３１Ｂ
と第２制御素子３２Ａ，３２Ｂと第３制御素子３
３Ａ，３３Ｂからできており、偏向装置の後部磁
界が及ぶ電子ビーム通過領域に設けられている。
第１制御素子と第２制御素子は前述の実施例と
同様の構造、作用を持有し、第３制御素子３３
Ａ，３３Ｂは円形板より成り、中央ビームの上下
にそれぞれ配置される。
同様の構造、作用を持有し、第３制御素子３３
Ａ，３３Ｂは円形板より成り、中央ビームの上下
にそれぞれ配置される。
第３制御素子の作用は偏向装置の水平偏向磁界
に対して特に中央ビーム３４Ｇの偏向感度をサイ
ドビーム３４Ｒ，３４Ｂのそれより高上させ、垂
直偏向磁界に対して特に中央ビーム３４Ｇの偏向
感度をサイドビーム３４Ｒ，３４Ｂのそれより低
下させる。このように第１制御素子３１Ａ，３１
Ｂ、第２制御素子３２Ａ，３２Ｂおよび第３制御
素子３３Ａ，３３Ｂを適切に設計することにより
中央ビームとサイドビームによる各々のラスタを
垂直および水平方向に関し、同時に一致させるこ
とができる。本実施例の場合は二つの要因すなわ
ち水平方向と垂直方向の中央ビームとサイドビー
ムによる各々のラスタを３組の制御素子すなわち
第１制御素子、第２制御素子、第３制御素子によ
り制御可能となるので設計が容易でかつ調整が早
く完了する。
に対して特に中央ビーム３４Ｇの偏向感度をサイ
ドビーム３４Ｒ，３４Ｂのそれより高上させ、垂
直偏向磁界に対して特に中央ビーム３４Ｇの偏向
感度をサイドビーム３４Ｒ，３４Ｂのそれより低
下させる。このように第１制御素子３１Ａ，３１
Ｂ、第２制御素子３２Ａ，３２Ｂおよび第３制御
素子３３Ａ，３３Ｂを適切に設計することにより
中央ビームとサイドビームによる各々のラスタを
垂直および水平方向に関し、同時に一致させるこ
とができる。本実施例の場合は二つの要因すなわ
ち水平方向と垂直方向の中央ビームとサイドビー
ムによる各々のラスタを３組の制御素子すなわち
第１制御素子、第２制御素子、第３制御素子によ
り制御可能となるので設計が容易でかつ調整が早
く完了する。
以上述べた如く本発明によればコンバーゼンス
品位が高く、上下偏向歪の小さな高性能なカラー
受像管装置が得られる。
品位が高く、上下偏向歪の小さな高性能なカラー
受像管装置が得られる。
第１図は中央ビームおよび一対のサイドビーム
を放出するカラー受像管装置の説明用簡略断面
図、第２図は上記カラー受像管装置の各電子ビー
ムが形成するラスタの説明図、第３図は従来のラ
スタ制御素子の簡略説明図、第４図は高性能な偏
向装置により偏向された各電子ビームが形成する
ラスタの関係を示す説明図、第５図は本発明のカ
ラー受像管装置の一実施例に適応するラスタ制御
素子の簡略説明図、第６図は第５図のラスタ制御
素子による各電子ビームが形成するラスタの関係
を示す説明図、第７図は本発明のカラー受像管装
置の他の実施例に適応するラスタ制御素子の簡略
説明図である。 ３……電子銃、６……コンバーゼンス装置、２
１Ａ，２１Ｂ……第１制御素子、２２Ａ，２２Ｂ
……第２制御素子、２３Ｇ……中央ビーム、２３
Ｒ，２３Ｂ……サイドビーム。
を放出するカラー受像管装置の説明用簡略断面
図、第２図は上記カラー受像管装置の各電子ビー
ムが形成するラスタの説明図、第３図は従来のラ
スタ制御素子の簡略説明図、第４図は高性能な偏
向装置により偏向された各電子ビームが形成する
ラスタの関係を示す説明図、第５図は本発明のカ
ラー受像管装置の一実施例に適応するラスタ制御
素子の簡略説明図、第６図は第５図のラスタ制御
素子による各電子ビームが形成するラスタの関係
を示す説明図、第７図は本発明のカラー受像管装
置の他の実施例に適応するラスタ制御素子の簡略
説明図である。 ３……電子銃、６……コンバーゼンス装置、２
１Ａ，２１Ｂ……第１制御素子、２２Ａ，２２Ｂ
……第２制御素子、２３Ｇ……中央ビーム、２３
Ｒ，２３Ｂ……サイドビーム。
Claims (1)
- １ インライン状に配列された中央電子ビーム及
び一対のサイド電子ビームを放出する電子銃と、
この電子銃の電子ビーム放出端側に配置され前記
電子ビームを集中させるコンバーゼンス装置と、
このコンバーゼンス装置の前方に配置され前記電
子ビームを水平及び垂直方向に偏向する電磁偏向
装置とを備えてなるカラー受像管装置において、
前記水平及び垂直偏向磁界によるサイドビームの
偏向感度を中央ビームの偏向感度より相対的に低
下させ、水平偏向磁界による中央ビームの偏向感
度をサイドビームの偏向感度より相対的に低下さ
せて中央及びサイドビームによるラスターサイズ
を水平、垂直方向共に略一致させるような複数の
磁界制御素子を有し、そのうち少なくとも一対が
中央ビームの垂直偏向磁界の偏向感度を増加させ
るように前記中央ビームの通路を挾む位置に設置
されていることを特徴とするカラー受像管装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5316776A JPS52137261A (en) | 1976-05-12 | 1976-05-12 | Color picture tube unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5316776A JPS52137261A (en) | 1976-05-12 | 1976-05-12 | Color picture tube unit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52137261A JPS52137261A (en) | 1977-11-16 |
| JPS6117094B2 true JPS6117094B2 (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=12935288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5316776A Granted JPS52137261A (en) | 1976-05-12 | 1976-05-12 | Color picture tube unit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS52137261A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63231848A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-27 | Hitachi Ltd | カラ−受像管 |
-
1976
- 1976-05-12 JP JP5316776A patent/JPS52137261A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52137261A (en) | 1977-11-16 |
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