JPS61168590A - 揮発性化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
揮発性化合物半導体単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPS61168590A JPS61168590A JP788685A JP788685A JPS61168590A JP S61168590 A JPS61168590 A JP S61168590A JP 788685 A JP788685 A JP 788685A JP 788685 A JP788685 A JP 788685A JP S61168590 A JPS61168590 A JP S61168590A
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、揮発性元素を成分とする化合物半導体の単結
晶生産方法に係り、例えばＧａ Ａｓ、 Ｇａ Ｐ。
晶生産方法に係り、例えばＧａ Ａｓ、 Ｇａ Ｐ。
エロＰなどの単結晶引上方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、揮発性元素を成分とする化合物半導体の単結晶引
上方法としては、例えば日経エレクトロニク′スＣに２
ふ２１１−”） Ｐ２１０−Ｐ２／弘に示されているよ
うに、ＬＥＯ法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔ
ｅｄ Ｃ！ｚｏｃｈｒａｌ−ｓｋｉ Ｍｅｔｈｏｄ）が
主として用いられている。これは第２図に示すように、
ルンボ１０に揮発性元素を成分とする化合物半導体原料
および封止剤１２を入れ、ヒータ１３で適当な温度に加
熱した後上部軸に装置した種結晶１４を原料融液１１に
接触させ、夫々を回転させ乍ら種結晶１４を上昇せしめ
、結晶１５を生長させる方法である。この際結晶１５の
成長状態を監視し、単結晶化状況や結晶外径の適正化を
保つには、結晶成長容器１６に押通して設けた透明石英
棒１７を介して結晶成長容器１６内の状況を４見き見る
ことにより成長状況を観察し、引上条件にフィードバッ
クすることによって達成している。
上方法としては、例えば日経エレクトロニク′スＣに２
ふ２１１−”） Ｐ２１０−Ｐ２／弘に示されているよ
うに、ＬＥＯ法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔ
ｅｄ Ｃ！ｚｏｃｈｒａｌ−ｓｋｉ Ｍｅｔｈｏｄ）が
主として用いられている。これは第２図に示すように、
ルンボ１０に揮発性元素を成分とする化合物半導体原料
および封止剤１２を入れ、ヒータ１３で適当な温度に加
熱した後上部軸に装置した種結晶１４を原料融液１１に
接触させ、夫々を回転させ乍ら種結晶１４を上昇せしめ
、結晶１５を生長させる方法である。この際結晶１５の
成長状態を監視し、単結晶化状況や結晶外径の適正化を
保つには、結晶成長容器１６に押通して設けた透明石英
棒１７を介して結晶成長容器１６内の状況を４見き見る
ことにより成長状況を観察し、引上条件にフィードバッ
クすることによって達成している。
（発明が解決しようとする問題点）
この結晶成長容器１６内の観察用の透明石英棒１７には
液体封止液１２を通過して揮発した結晶原料の揮発性元
素の成分蒸気が充満しており、結晶成長容器１６内の温
度の低い部分に析出する。透明石英棒１７は常温部分に
絶えず熱を奪われるため、高温雰囲気１８中の端面も雰
囲気温度よりは可成り低（ぐうその為内部観察用として
透明であるべき石英棒の端面に揮発性元素の成分の析出
が徐々におこり、結晶成長容器１６内が観察できなくな
る問題があった。
液体封止液１２を通過して揮発した結晶原料の揮発性元
素の成分蒸気が充満しており、結晶成長容器１６内の温
度の低い部分に析出する。透明石英棒１７は常温部分に
絶えず熱を奪われるため、高温雰囲気１８中の端面も雰
囲気温度よりは可成り低（ぐうその為内部観察用として
透明であるべき石英棒の端面に揮発性元素の成分の析出
が徐々におこり、結晶成長容器１６内が観察できなくな
る問題があった。
本発明は、透明石英棒１７の高温側端面に揮発性元素１
９の析出を防止するため、該部分に断熱材を介して透明
な石英窓を有するキャップを装着することにより、明瞭
に単結晶成長状況を観察し得るようにしたものである。
９の析出を防止するため、該部分に断熱材を介して透明
な石英窓を有するキャップを装着することにより、明瞭
に単結晶成長状況を観察し得るようにしたものである。
（問題点を解決するための手段）
第１図は本発明の実施例であって、第１図（イ）は結晶
成長状況観察用の窓部分の断面図、第１図（りは前記窓
部分を結晶成長容器１６に挿通して設置したＬＥＣ装置
の断面図である。
成長状況観察用の窓部分の断面図、第１図（りは前記窓
部分を結晶成長容器１６に挿通して設置したＬＥＣ装置
の断面図である。
第１図（イ）において、結晶成長容器１６内の結晶育成
状況を観察する透明石英棒１７の結晶成長容器１６に挿
入されている方の端面に透明石英棒１７と断熱材２０を
介して赤外線放射エネルギーの吸収が良く且つ透明な石
英製窓部分を持つキャップ２２を取りつけ、透明石英棒
１γの端面とキャップとの間のギャップ２１には結晶成
長容器内の雰囲気ガス１８が入らない気密構造とした。
状況を観察する透明石英棒１７の結晶成長容器１６に挿
入されている方の端面に透明石英棒１７と断熱材２０を
介して赤外線放射エネルギーの吸収が良く且つ透明な石
英製窓部分を持つキャップ２２を取りつけ、透明石英棒
１γの端面とキャップとの間のギャップ２１には結晶成
長容器内の雰囲気ガス１８が入らない気密構造とした。
（作用）
以上の構造の結晶成長容器内部観察用装置を第１図（嗜
の如く結晶成長容器１６に取付け、結晶育成を始めると
、高温雰囲気１８中には液体封止剤１２を通過して揮発
した結晶原料の揮発性元素の成分蒸気が充満しているが
、透明石英キャップは炉内の高温部分（結晶１５・加熱
ヒータ１３・ルツボ１０・原料融液１１・液体封止剤１
２等）から赤外線エネルギーを吸収し、且つ断熱材２０
を介して支持されているので、熱の逃げ場がなく、高温
となっており、前述の揮発性元素の成分蒸気が析出しな
い。また透明石英棒１７と透明石英キャップ２２との間
は雰囲気ガス１８が入らない構造であるから、ギャップ
２１に面する透明石英棒１７の端面及びキャップ２２の
内面も揮発性元素の成分蒸気が析出して曇ることがない
。
の如く結晶成長容器１６に取付け、結晶育成を始めると
、高温雰囲気１８中には液体封止剤１２を通過して揮発
した結晶原料の揮発性元素の成分蒸気が充満しているが
、透明石英キャップは炉内の高温部分（結晶１５・加熱
ヒータ１３・ルツボ１０・原料融液１１・液体封止剤１
２等）から赤外線エネルギーを吸収し、且つ断熱材２０
を介して支持されているので、熱の逃げ場がなく、高温
となっており、前述の揮発性元素の成分蒸気が析出しな
い。また透明石英棒１７と透明石英キャップ２２との間
は雰囲気ガス１８が入らない構造であるから、ギャップ
２１に面する透明石英棒１７の端面及びキャップ２２の
内面も揮発性元素の成分蒸気が析出して曇ることがない
。
以上の理由で本発明の結晶育成観察装置を用いれば、常
に安定して炉内状況を観察することができる。
に安定して炉内状況を観察することができる。
（実施例）
第１図は本発明の詳細な説明図で、（イ）は透明石英棒
１７の端面の一つ（炉内に挿入される方）に透明石英棒
１７とカーボンフェルトで断熱した透明石英キャップ２
２を適当なギャップ２１を介して取付けたものである。
１７の端面の一つ（炉内に挿入される方）に透明石英棒
１７とカーボンフェルトで断熱した透明石英キャップ２
２を適当なギャップ２１を介して取付けたものである。
この透明石英棒１７を第１図（嗜のように、高温Ａｓ雰
囲気１８中に結晶成長容器１６を挿通して設置し、Ｑａ
Ａｓの原料融液１１からＧａＡＳ単結晶１５を引き上
げに使用し、結晶育成状況を透明石英棒１７及び透明石
。
囲気１８中に結晶成長容器１６を挿通して設置し、Ｑａ
Ａｓの原料融液１１からＧａＡＳ単結晶１５を引き上
げに使用し、結晶育成状況を透明石英棒１７及び透明石
。
英キャップ２２を曇らせることなく観察することができ
た。
た。
以上はＱａ Ａｓ単結晶の引き上げに用いたものである
が、同様の効果がＧａＰ、 ＩｎＰにおいても確認でき
た。
が、同様の効果がＧａＰ、 ＩｎＰにおいても確認でき
た。
（発明の効果）
本発明の効果は、
ｔｌ＋ 揮発性成分を含む化合物半導体単結晶の引上
方法において、透明石英棒の端面に赤外線エネルギーの
吸収率の高い透明石英キャップが気密ギャップを介し断
熱されて取り付けられているため、炉内部からの赤外線
エネルギーによって透明石英キャップが加熱され、且つ
雰囲気ガスがギャップ中に入らないため、揮発性成分元
素のガスが透明石英棒端面及び透明石英キャップの内・
外面に析出しなくなり、曇ることなく結晶育成状況を観
察でき、ひいては単結晶成長歩留りも向上する。
方法において、透明石英棒の端面に赤外線エネルギーの
吸収率の高い透明石英キャップが気密ギャップを介し断
熱されて取り付けられているため、炉内部からの赤外線
エネルギーによって透明石英キャップが加熱され、且つ
雰囲気ガスがギャップ中に入らないため、揮発性成分元
素のガスが透明石英棒端面及び透明石英キャップの内・
外面に析出しなくなり、曇ることなく結晶育成状況を観
察でき、ひいては単結晶成長歩留りも向上する。
１２１ 透明石英棒の端面に透明石英キャップを取り
付けるだけでよいから、曇り防止のためにヒータ線を巻
く等の機械的改良を必要とせず簡単に設置できる。
付けるだけでよいから、曇り防止のためにヒータ線を巻
く等の機械的改良を必要とせず簡単に設置できる。
等である。
第１図は本発明の揮発性元素を成分とする化合物半導体
単結晶引上げ方法の実施例で、（イ）は透明石英棒の一
端面に透明石英キャップを取付けた断面図、（０）は揮
発性化合物半導体単結晶の成長状況を観察している簡略
説明図、第２図は従来の方法の簡略説明図である。 １５・・・揮発性化合物半導体単結晶 １６・・・結晶成長容器 １７・・・透明石英棒 １８・・・揮発性成分の算囲気 １９・・・揮発性元素 ２０・・・断熱材 ２２・・・透明石英キャップ 第１図
単結晶引上げ方法の実施例で、（イ）は透明石英棒の一
端面に透明石英キャップを取付けた断面図、（０）は揮
発性化合物半導体単結晶の成長状況を観察している簡略
説明図、第２図は従来の方法の簡略説明図である。 １５・・・揮発性化合物半導体単結晶 １６・・・結晶成長容器 １７・・・透明石英棒 １８・・・揮発性成分の算囲気 １９・・・揮発性元素 ２０・・・断熱材 ２２・・・透明石英キャップ 第１図
Claims (1)
- １．揮発性元素の高温ガス雰囲気の炉内状況の観察に透
明石英棒の端面の一方に石英棒と断熱材を介し透明石英
キヤツプを取り付け、その間のギヤップを気密にした状
態で、その端面を炉内に挿入し、他端面より曇りなく単
結晶育成状況を観察し乍ら引き上げることを特徴とする
揮発性化合物半導体単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60007886A JPH0688868B2 (ja) | 1985-01-19 | 1985-01-19 | 揮発性化合物半導体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60007886A JPH0688868B2 (ja) | 1985-01-19 | 1985-01-19 | 揮発性化合物半導体単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168590A true JPS61168590A (ja) | 1986-07-30 |
| JPH0688868B2 JPH0688868B2 (ja) | 1994-11-09 |
Family
ID=11678075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60007886A Expired - Lifetime JPH0688868B2 (ja) | 1985-01-19 | 1985-01-19 | 揮発性化合物半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0688868B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5065479A (ja) * | 1973-10-03 | 1975-06-03 | ||
| JPS57201509U (ja) * | 1981-06-19 | 1982-12-22 |
-
1985
- 1985-01-19 JP JP60007886A patent/JPH0688868B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5065479A (ja) * | 1973-10-03 | 1975-06-03 | ||
| JPS57201509U (ja) * | 1981-06-19 | 1982-12-22 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0688868B2 (ja) | 1994-11-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |