JPS59174598A - ３−５族化合物半導体単結晶の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は■−ｖ族化合物半導体の単結晶の製造法に関す
るものである。

Ｇａ　Ａｓのような■−Ｖ族化合物半導体の単結晶を引
き上げ成長法により製造することは従来よく知られてお
り、例えば特公昭５３−４６０７０号公報に開示されて
いる。

このような方法により製造する場合、従来引き上げる単
結晶の直径制御は引き上げ時の単結晶型Ｒを測定するこ
とによって間接的に行うことが多く、必ずしも正確な制
御ができていない。

これは単結晶製造用反応容器の内部が高温高圧となって
おり、しかも外気との接触を嫌うため、容易に単結晶の
成長状態を見ることができないことに由来している。

これまで、反応容器の内部を観察するため、容器の上部
にのぞき窓を設けたり、内部にモニターテレビのカメラ
を配置することが試みられてはいるが、Ｉ［［−Ｖ族化
合物半導体の場合、反応の過程で気化したＶ族元素がの
ぞき窓やテレビカメラに１１着し、反応開始後は見えな
くなって単結晶の観察はできない。

本発明は斯かる状況に鑑み、引き上げ成長過程における
単結晶の直径を測定し正確な制御を行うことができ、高
品質の単結晶を１ｑることのできるｎ＋−ｖｓ化合物半
導体単結晶の製造法を提供づることを目的とする。

本発明の構成を、一実施例を示づ図面を参照して具体的
に説明する。

図において、１は引き上げ成長中の単結晶であり、Ｓ　
Ｉ　０２もしくはＢＮのるつは３内において成長が進行
している。

２はＢ２Ｏ３の液体カプセルである。

るつぼ３を支えるるつぼ受け４はグラファイトで構成し
、ヒーター５も同様にグラファイトで構成（る。

高圧反応容器６の一部分でＩｌｌ　−Ｖ族化合物半導体
単結晶１の側方にあたる部分には石英製の窓７を設ＧＪ
、高圧反応容器６の一方にＸ線源８を、他方にＸ線検知
装Ｈ９をそれぞれ設け、Ｘ線が前記高圧反応容器の窓７
を通ってＸ線源８からＸ線検知装置に達するよう配置す
る。

ここでＸ線の最も大きな吸収材は単結晶１であり、るつ
ぼ３、るつぼ受け４及びヒーター５などはグラファイト
などのｘｉ吸収能の小さい材料を用いている。

特に高圧反応容器の窓７はＸ線吸収能が小さくかつ高温
高圧に耐える部材が吟味される必要がある。

この窓材としては、前）ホの石英の他、Ａｊ！、Ｔｉな
どが適用できる。

このように構成し、Ｘ線を照射するとｌ［［−Ｖ族化合
物半導体単結晶のＸ線画像が得られるので、画像モニタ
ー１０にこの画像を映し出すと共に、直径制御装置１１
にフィードバックし引き上げ速度や容器内温度をコント
ロールする。

以上説明したように、本発明の製造法であれば、Ｘ線画
像により直接単結晶の外形を観察することができるため
、単結晶の直径制御を正確に行うことができ、高品質の
Ｉ［［−Ｖ族化合物半導体単結晶を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例を示１説明図である。 １：単結晶、２：流体カプセル、３：るつぼ、４：るつ
ぼ受【）、５：ヒーター、６：高圧反応容器、７：窓、
８：ＸＩｍ油、９：Ｘ線検知装置、１０：画像モニター
、１１：直径制御装置。 ＝５４４

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 引き上げ成長法による■−ｖ族化合物半導体単結晶の製
   造法において、 単結晶１の成長に用いるるつぼ３、るつ′ぼ受け４及び
   ヒーター５を、前記単結晶１に比較してＸ線吸収能の小
   さい材料によって構成し、これらをｌ１ｆｌ　ＩＮ　？
   する高圧反応容器６の一部で前記単結晶１の側方にあた
   る部分に窓７を設り、該窓材を前記単結晶１に比較して
   Ｘ線吸収能の小さい材料によって構成し、 高圧反応容器６を挾／υで一方にＸ線源８を、他方にＸ
   線検知装置９を配置し、Ｘ線を照ｒＪＪづることにより
   単結晶１のＸ線画像を得、このＸ線画像に基づいて単結
   晶１の直径を制御づることを特徴とするＩ−Ｖ族化合物
   半導体単結晶の製造法。