JPS61163338A - 記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、キレート錯体の単分子膜、乃至単分子層累積
膜の化学変化若しくは物理変化を利用して記録を行なう
記録方法に関する。

［従来の技術］ 従来、有機化合物を記録層とする記録媒体としては種々
のものが知られている。

例えば、有機化合物を薄膜にして記録層として用いる光
記録媒体については１例えば特開昭５６−１８１３４８
号公報、特開昭５８−１２５２４８号公報にも開示され
ている。いずれも有機色素を記録層とし、レーザビーム
により記録再生を行なうレーザ記録媒体に関するもので
ある。特に、特開昭５８−１２５２４Ｅ１号公報に開示
された媒体は、で表わされるシアニン系色素の９１１９
を記録層とするものである。一般式（Ｉ）で表わされる
シアニン系色素溶液を回転塗布機などを用いて、１００
０Å以下の厚さ、例えば約３００Ａの厚さにプラスチッ
ク基板上に塗布し＠膜を形成する。膜内の分子分布配向
がランダムであると、光照射に伴って膜内で光の散乱が
生じ、微視的にみた場合各光照射の度に生ずる化学反応
の度合が異なってくる。そこで記録媒体としては、膜内
の分子分布、配向が一様になっていることが望ましく、
またできる限り膜厚が薄いことが、記録の高密度化のた
めに要請される。しかしながら、塗布法による場合、膜
厚においては３００人程度が限界であり、校内の分子分
布、配向がランダムであることは解決しがたいことであ
った・ レジスト材料の一つとして光量子効率が大でかつ優れた
解像力を有するものとして提案されていたジアセチレン
化合物累積膜が、レジスト材料のみならず、薄膜電気−
光学デバイス、電気−音響デバイス、圧・焦電デバイス
等にも応用されることが、特開昭５８−４２２２９号公
報、特開昭５６−４３２２０号公報などに示されている
。

近時においては、ジアセチレン化合物累積膜の製造方法
の改良について特開昭５８−１１１０２９号公報に示さ
れている。かかる発明にて製造された基板上のジアセチ
レン化合物累積膜は紫外線を照射することにより重合さ
せてジアセチレン化合物重合体膜ヲ作り、或いはマスキ
ングして紫外線を照射し部分的に重合させ、未重合部分
を除去して図形を作り、薄膜光学デバイスや集積回路素
子として使用される。

しかし、これらはいずれもジアセチレン化合物に限るも
のであった。

一方、上述欠点を解決すべく、分子内に親木基、疎水基
及び少なくとも１個の不飽和結合を有する１種類の光重
合性モノマーの単分子膜又は単分子層累積膜を基板上に
形成して記録層としたことを特徴とする、反復使用可能
な光記録媒体が特願昭５８−１！３０９３２号の光記録
媒体に示されている。

これらのジアセチレン化合物累積膜にしても、光重合性
オレフィンモノマーの単分子膜若しくは単分子層累積膜
にしても、光反応性化合物に親木基、疎水基を導入して
、直接基板上に担持させる製法を採用している。従って
、種々の機能性膜を簡単に作製することが困難なのに加
えて、親木基、疎水基の導入に伴う光反応性の低下の恐
れがあった。更には、非常に高度な高密度記録を行う際
に重要となる、膜面内の分子配向の制御についても、極
めて複雑な操作が要求される問題があった。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明者は、かかる従来例の欠点を解消し、１）各種の
機俺性膜を比較的簡単に作製する方法、２）その際、ｅ
ｔｔ＠性分子の持つ各種機能が、薄膜化した場合に於い
ても、損失若しくは低下されることなく発現する方法、
３）上記のＳ膜化に於いて、特別な操作を行うことなし
に、膜構成分子が膜面内方向に対して、高度の秩序構造
を持って配向される方法、更には記録した情報を正確に
読み出し。

かつ安定に保存する方法を種々検討した結果１本発明を
成すに至った。又、かかる成膜法及び記録可成法を用い
て、高感度、高解像度の記録方法を提供できるに至った
。

本発明の目的は、外因により分子単位での化学変化を起
こす様な高密度記録方法を提供することにある。

また、この様な分子単位での高密度記録を行うのに際し
て、媒体面内での分子配向のすぐれた記録媒体を用い、
記録再生に於いては、分子単位での記録情報を正確に再
生し、かつ長期保存可能な画像を提供する事にある。

［問題点を解決するための手段］及び［作用］本発明の
上記目的は、以下の本発明によって達成される。

即ち、本発明は光を当てると異性化し、金属イオン又は
金属原子を放出する金属キレート化合物からなる単分子
膜又はその累積膜から成る記録媒体上に、画情報に対応
する光を照射し金属イオン又は金属原子を放出させた後
、前記記録媒体を化学反応により発色させて記録を読み
出す事を特徴とする記録方法である。さらに具体的に説
明すると、 ｌ）光を当てるとシス−トランス異性化し、金属イオン
又は金属原子を放出する金属キレート化合物の単分子膜
又はその累ｂ（膜及びそれを保持する担体から成る記録
媒体を用いる事、２）光を照射する恵で、照射部位の金
属イオン又は金属原子を放出させ、これを単分子膜ある
いは累積膜中より除去し、３）単分子膜あるいはその累
積膜中の光束照射部位に残存する金属イオン又は金属原
子を化学反応により無機顔料とすることを特徴とする記
録方法から成る。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明において、光を当てるとシス−トランス異性化し
、金属イオン又は金属原子を放出する金属キレート化合
物の単分子膜又はその累積膜から成る記録媒体には、以
下に説明するものが用いられる。

本発明に於ける記録層を構成する物質は分子内に親水性
部位、疎水性部位、キレート配位子、シス−トランス異
性化する部位をそれぞれ一ケ所有する分子から成る。こ
こにおいて、親水性部位、疎水性部位とは、一般に広く
知られる親木基、疎水基などが挙げられる。

キレート配位子は例えば水＃基、カルボニル基、エーテ
ル基、カルボキシル基、ニス７　／ｌ／　１５、アミ７
基、ニトリル基、チオアルコール基、イミノ基、スルホ
ン基、スルフィニル２！ｌｉ等の少なくとも２ヶ以上の
基の導入により形成され、その一般式は表１の（Ｑ−〜
（９）−などで示される。尚、キレート配位子、長鎖ア
ルキル基の置換部位は式に示した位置に限定されるもの
ではない。

又、一般式（リー〜Ｑリーにおいて、 （Ｅ、キレート配位子 Ｘ：　Ｏ，Ｎ、Ｓ、Ｓｅ ｙ：　Ｇａ４．ｃ＝。

Ｒ：長鎖アルキル基 を示す。

第１表 Ｒ’　　　　　　Ｒ− かかるキレート配位子分子の一例を示すと、下記の式（
ｌＯ）〜（２６）に示される化合物が挙げられる。

但し１式（１０）〜（２８）において。

φ：　ｃ６ｎ５−１ 口：　”２−ｃＨ２ヲ示ｔ。

第２表 Ｕ　　　　　　　　　Ｕ ＮｌｌＩｎ　　　　（しＨ２）１７’−’１１３以上挙
げた化合物はキレート配位子分子に疎水性部位を導入し
た点を除けばそれ自体既知の化合物であり、又、長鎖ア
ルキル基で修飾されていないキレート配位子分子に関し
ては、金属と錯体を形成する点も既知のものである。

これらキレート配位子分子とキレート錯体を形成し得る
金属イオンとしては一般にキレート配位子分子と配位結
合をし得るものが望ましく、例えばｋｇ”、Ｃｕ２°、
　Ｈｇ”　、　Ｐｂ”　、　　Ｋ”　、　Ｆｅ２°、　
Ｃｄ２°などが挙げられる。

このようなキレート配位子分子と金属イオンなどから成
るキレート錯体の単分子膜または単分子累積膜を形成す
る方法としては１例えば１、　Ｌａｎｇｍｕｉｒらの開
発したテングミュア・プロジェット法（ＬＢ法）を用い
る。　ＬＢ法は、例えば分子内に親木基と疎水基を有す
る構造の分子において１両者のバランス（両親媒性のバ
ランス）が適度に保たれているとき１分子は水面上で親
木基を下に向けて単分子の層になることを利用して単分
子膜または単分子層の累積膜を作成する方法である、水
面上の単分子層は、二次元系の特徴をもつ０分子がまば
らに散開しているときは、一分子当り面積Ａと表面圧■
との間に二次元理想気体の式、 ｎＡ＝ｋＴ が成り立ち、°“気体膜”となる、ここに、ｋはポルツ
マン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元固体の゛凝縮膜（または
固体Ｖ）″になる。凝縮膜はガラス基板などの種々の材
質や形状を有する担体の表面へ一層ずつ移すことができ
る。この方法を用いて、本発明の金属イオンを包接する
キレート配位子分子の単分子膜（これをキレート錯体分
子膜と呼ぶことにする）、若しくはキレ−）Ｍ体分子層
累積膜の具体的な製法としては、例えば以下に示す方法
を挙げることができる。

先ず、垂直浸漬法について成膜装置を用いて説明する。

第２図（ａ）及び（ｂ）に示されるように、純水が収容
された浅くて広い角型の水槽２０の内側に、例えばポリ
プロピレン製等の枠９が水平に釣ってあり、液面１７を
仕切っている。枠９の内側には、例えばやはりポリプロ
ピレン製等の浮子１０が浮かべられている。浮子１０は
、幅が枠９の内幅より僅かに短かい直方体で、図中左右
方向に二次元ピストン運動可能なものとなっている。浮
子１０には、浮子１０を図中右方に引張るための重り１
１が滑車１２を介して結び付けられている。また、浮子
１０上に固定された磁石１３と、浮子ＩＯの上方で図中
左右に移動可能で磁石１３に接近すると互に反撥し合う
対磁石１４とが設けられていて、これによって浮子ＩＯ
は図中左右への移動並びに停止が可能なものとなってい
る。このような重り１１や一組の磁石１３．１４の代り
に１回転モーターやプーリーを用いて直接浮子１０を移
動させるものもある。

枠９内の両側には、吸引パイプ１５を介して吸引ポンプ
（図示されていない）に接続された吸引ノズル１６が並
べられている。この吸引ノズル１６は。

単分子膜や単分子累積膜内に不純物が混入してしまうの
を防止するために、液面１７上の不要になった前工程の
単分子膜等を迅速に除去するのに用いられるものである
。尚、１８は基板上下腕１９に取付けられて垂直に上下
される基板である。

上記の成膜装置を用いて、まず金属イオンを水相中に溶
解させ、目的とするキレート配位子分子を溶剤に溶解さ
せる。キレート配位子分子溶液を水相上に展開させてキ
レート錯体を膜状に析出させる。

次にこの析出物が水相上を自由に拡散して広がりすぎな
いように仕切板（または浮子）を設けて展開面積を制限
して膜物質の集合状態を制御し、その集合状態に比例し
た表面圧■を得る。この仕切板を動かし、展開面積を縮
少して膜物質の集合状態を制御し、表面圧を徐々に上昇
させ、累積膜の製造に適する表面圧ｎを設定することが
できる。この表面圧を維持しながら静かに清浄な担体を
垂直に上下させることによりキレート錯体分子膜が担体
上に移しとられる。キレート錯体分子膜は以上で製造さ
れるが、キレート錯体分子層累積膜は前記の操作を繰り
返すことにより所望の累積度のキレート錯体分子層累ａ
ｔ膜が形成される。

キレ−１ｉ体分子層を担体上に移すには、上述した垂直
浸漬法の他、水平付着法、回転円筒法などの方法による
。水平付着法は担体を水面に水平に接触させて移しとる
方法で、回転円筒法は、円筒型の担体を水面上を回転さ
せてキレート錯体分子層を担体表面に移しとる方法であ
る。前述した垂直浸漬法では、表面が親水性である担体
を水面を横切る方向に水中から引き上げるとキレート錯
体分子の親木基が担体側に向いたキレート錯体分子層が
担体上に形成される。前述のように担体を上下させると
、各行程ごとに１枚ずつキレート錯体分子層が積み重な
っていく、成膜分子の向きが引上げ行程と浸漬行程で逆
になるので、この方法によると各層間はキレート錯体分
子の親水基と親水基、キレート錯体分子の疎水基と疎水
基が向かい合うＹ型膜が形成される。それに対し、水平
付着法は、担体を水面に水平に接触させて移しとる方法
で、キレート錯体分子の疎水基が担体側に向いたキレー
ト錯体分子層が担体上に形成される。

この方法では、累積しても、成膜分子の向きの交代はな
く全ての層において、疎水基が担体側に向いたＸ型膜が
形成される０反対に全ての層において親木基が担体側に
向いた累積膜はＺ型膜と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の担体を水面上を回転させて単分
子層を担体表面に移しとる方法である。

単分子層を担体上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積担体を用いる時には、担体ロールか
ら水相中に担体を押し出していく方法などもとり得る。

また、前述した親木基、疎水基の担体への向きは原則で
あり、担体の表面処理等によって変えることもできる。

上述の方法によって担体上に形成されるキレート錯体分
子膜及びキレート錯体分子層累積膜は高密度でしかも高
度の秩序性を有しており、これらの膜で記録層を構成す
ることによって、キレート錯体の機能に応じて光記録、
熱的記録、電気的記録あるいは磁気的記録等の可能な高
密度で高解像度の記録機能を有する記録媒体を得ること
ができる。

次に本発明に係わる記録媒体におけるキレート配位子分
Ｃの光によるシス−トランス異性化に伴う金属イオンの
放出及び除去について説明する。

第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明に係る記録媒体の１実施
例を示す縦断面図である。尚、各図は模式図であり、具
体的に分子の形状などを示すものではない、第１図（ａ
）は本発明に係る記録媒体の１例を示し、シス型キレー
ト配位子分子ｌと金属イオン（又は金属原子）３からな
る２層に累積したキレート錯体分子膜を基板５上に形成
してなるものである。

第１図（ｂ）に示すように容器に収容された液相６中に
前記記録媒体を浸漬した後、マスク７を介して、あるパ
ターンに従って、紫外線、可視光などの光異性化に必要
なエネルギーを供給し得る光からなる照射光８を照射す
ると照射部位において１式（Ｉ） ｃｉｓ型　　　　　　　　　　　ｔｒａｎｓ型に示すよ
うに光異性化反応が起き、トランス型キレート配位子分
子への転位が起こり、金属イオン３の放出が行われる０
次いで、金属イオン３を放出した記録媒体を液相中から
取り出し、乾燥すると連累性化が起きることがない、こ
のようにして第１図（Ｃ）に示す情報を記録した記録媒
体を得ることができる。

次に、前記記録媒体を化学反応により発色させた記録を
読み出す方法について説明する。

化学反応を用いた記録媒体の膜中残存金属イオンの発色
による、記録再生方法は第１図（ｄ）に示す様に単分子
膜あるいはその累積膜の光来照射部位に残存する金属イ
オン又は金属原子を化学反応により、有色の化合物、例
えば無機顔料４とし、かつ膜材料である有機物を取り去
る事で、記録された情報を読み出す。

金属イオン又は金属原子を有色の化合物とする反応とし
ては１例えば下記の式２〜５の様な反応が挙げら杵る。

［実施例］ 以下に本発明の実施例を示して、更に具体的に説明する
０式（１０）　−（２Ｂ）で示される化合物は表２に示
すものを使用した。

実施例１ キレート配位子分子として式ＵΩのチオインジゴ誘導体
をクロロホルムに５×１０−ＩＭの濃度で溶かした後、
ｐＨ５，２の塩化カドミニウム（Ｃｄ（４１２）４　Ｘ
　１０”　Ｍの水相上に展開した。溶媒のクロロホルム
を蒸発除去後５５０ｎｍの光を照射しながら表面圧を３
０ｄｙｎｅ／ｃｍまで高め、キレート錯体のｎシを水面
上に形成した。この後表面圧を一定に保ちながら表面が
十分に清浄で、かつ、親水性となっている石英基板を上
下速度３．５Ｏｍ／ｓｉｎにて水面を横切る方向に静か
に上下させ、キレー１４体分子膜を基板上に移し取り、
キレート錯体単分子膜及び５．１１．２１層に累積した
キレート錯体分子膜を記録層とする光記録媒体を製造し
た。この業績行程において基板を水相から引き上げる都
度に３０分間以上放置して、基板に付着している水分を
蒸発除去した。なお成膜装置としては英国ＪＯＹＣＥ社
製のＬａｎｇ＋ｍｕｉｒ−Ｔｒｏｕｇｈ　　（ラングミ
ュア−トラフ）を使用した０作成した光記録媒体を水溶
液に浸し、パターンに従って４５０ｎ層光を照射するこ
とによりシス−トランス異性化反応を行ない、情報を記
録した。光記録媒体を液相から引さＬげ、乾燥した後、
）１２Ｓ雰囲気中で７００℃で５分間加熱させた後、取
り出し放冷した処、黄色のＣｄＳによる画像が形成され
た。この方法により、分子オーダーでの高密度、高解像
度な画像の書き込み、読み出しができた。また、累積膜
においては、ハーフトーンの再現も可能であった。

実施例２ キレート配位子分子としてして式Ｎｂ（１１）のチオイ
ンジゴ誘導体をクロロホルムに５　Ｘ　１０−：ＩＮの
濃度で溶かした後、ｐＨ５，２塩化鉄（ＩＩ）　ＣＦｅ
Ｃ１２）　４Ｘ１０＝Ｎの濃度の水相上に展開した。溶
媒のクロロホルムを蒸発除去後、　　５５０ｎ層の光を
照射しながら表面圧を３０ｄｙｎｅ／ｃ腸まで高め、キ
レート錯体の膜を水面上に形成した。

この後表面圧を一定に保ちながら、表面が和分に清浄で
、かつ、親木性となっている石英基板を上下速度３．５
Ｏ層／ｓｉｎにて水面を横切る方向に静かに１丁させ、
キレート錯体分子膜を基板とに移し取りキレート１体単
分子膜及び５　、１１．２１層に累積したキレート錯体
分子膜を記録層とする光記録媒体を製造した。この累積
行程において基板を水相から引き上げる都度に３０分間
以上放置して、基板に付着している水分を蒸発除去した
。なお成膜’Ｊ　置トＬ　テハ英国ＪＯＹＧＥ社％　ｃ
ｙ）　Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｔｒｏｕｇｈ（ラングミュア
−トラフ）を使用した０作成した光記録媒体を水溶液に
浸し、パターンに従って、４５０ｎ＋ｓ光を照射するこ
とによりシス−トランス異性化反応を行ない、情報を記
録した。光記録媒体を液相から引き上げ、乾燥した後、
０２を通し。

６００℃で５分間加熱した後、取り出し、放冷した所、
黒色のＦｅ３Ｏ４による画像が形成された。

この方法により、分子オーダーでの高書度、高解像度な
画像の書き込み、読み出しができた。また累積膜におい
ては、ハーフトーンの再現も可能であった。

実施例３ キレート配位子分子として１式Ｎｏ　（１８）のアゾベ
ンセンａ［体をクロロホルムに５　Ｘ　１Ｏ−３Ｎの濃
度で溶かした後、ｐＨ５，２の塩化銅（ＣｕＣ見？）４
×１０　ＡＮの水相上に展開した。溶媒のクロロホルム
を蒸発除去後５５０ｎｍの光を照射しながら、表面圧を
３０ｄｙｎｅ／ｃｍまで高め、キレート錯体の膜を水面
上に形成した。この後、表面圧を一定に保ちながら、表
面が十分に清浄でかつ、親水性となっているガラス基板
を上下速度３．５Ｏｍ／ｓｉｎにて水面を横切る方向に
静かに上下させ、キレート錯体分子膜を基板上に移し取
り、キレート錯体単分子膜及び５．１１．２１層に累積
したキレート錯体分子膜を記録層とする光記録媒体を製
造した。

この累積工程において、基板を水和から引き上げる都度
に３０分間以上放置して基板に付着している水分を蒸発
除去した。なお、成膜装置としては、英国ＪＯＹＣＥ社
製のＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｔｒｏｕｇｈ　　（ラングミュ
ア−トラフ）を使用した０作製した光記録媒体を水溶液
に浸し、パターンに従って、　　４５０ｎ＋＋＋光を照
射することにより、シス−トランス異性化反応を行ない
、情報を記録した。光記録媒体を液相から引き上げ、乾
燥した後、希硫酸溶液中に静かに浸し５分間反応させた
。これを取り出し、空気中にて乾燥した所、硫酸銅５水
塩（Ｃｕ５Ｏａ　　・５）１２０）による青色の画像が
形成された。得られた画像は分子オーダーの高密度、高
解像度なものであった。また、累積膜においては、ハー
フトーンの再現も可能であった。

実施例４ キレート配位子分子として、式Ｎ０（ｔａ）のアゾベン
ゼン誘導体をクロロホルムに５　Ｘ　１０−３Ｍの濃度
で溶かした後、　ｐＨ５，２の塩化鉛（ＰｂＣ１２）　
４Ｘ１０４Ｎの水相上に展開した。溶媒のクロロホルム
を蒸発除去後５５０ｎｍの光を照射しながら、表面圧を
３０ｄ２ｎｅ／ｃｍまで高め、キレート錯体の膜を水面
上に形成した。この後、表面圧を一定に保ちながら、表
面が十分に清浄でかつ、親木性となっているガラス基板
を上下速度３．５Ｃ厘／■ｉｎにて水面を横切る方向に
静かに上下させ、キレート錯体分子膜を基板上に移し取
り、キレート錯体単分子膜及び５．１１．２１層に累積
したキレート錯体分子膜を記録層とする光記録媒体を製
造した。

この累積工程において、基板を水相から引き上げる都度
に３０分間以上放置して基板に付着している水分を蒸発
除去した。なお、成膜装置としては、英国ＪＯＹＧＥ社
製のＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｔｒｏｕｇｈ　　（ラングミュ
ア−トラフ）を使用した０作製した光記録媒体を水溶液
に浸し、パターンに従って、　４５Ｏｎｍ光を照射する
ことにより、シス−トランス異性化反応を行ない、情報
を記録した。光記録媒体を液相から引き上げ、乾燥した
後、希硫酸溶液中に静かに浸し５分間反応させた。これ
を取り出し、乾燥した所、硫酸鉛（Ｐｂ５Ｏａ　）から
成る白色画像が形成された。得られた画像は分子オーダ
ーの高密度、高解像度な物であった。また、累積膜にお
いては、ハーフトーンの再現も可能であった。

［発明の効果］ １、ラングミュア−プロジェット法により、単分子膜又
は累積膜を作成することにより、高密度。

高規則性のある膜を容易に作成する事ができるため１分
子オーダーで高密度、高解像度の記録ができる： ２、キレート配位子分子の異性化が、はぼ定量的である
ため、記録安定性に富む。

３、記録読み出し方法において、金属イオンを比較的簡
単な反応で、安定な無機顔料とする事ができる。

４、記録再生時の反応で、有機物はなくなり、無機顔料
のみの画像が形成されるため、安定で長期保存が可能で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）は１本発明に係る記録媒体の１実
施例を示す縦断面の模式図である。各々（ａ）は本発明
の記録媒体、（ｂ）は液相における記録過程、（Ｃ）液
相から取り出した、情報の記録された記録媒体、（ｄ）
は記録媒体に残存する金属イオンを化学反応にて、発色
させ、記録を再生した記録媒体である。 第２図（ａ）　、　（ｂ）は、従来の成膜装置の一例を
示す説明図である。 １・・・シス型キレート配位子分子 ２・・・トランス型キレート配位子分子３・・・金属イ
オン（又は金属原子） ４・・・無機顔料 ５・・・基板 ６・・・液相 ７・・・マスク ８・・・照射光 ９・・・枠 １０・・・浮子 １１・・・重り １２・・・滑車 １３・・・磁石 １４・・・対磁石 １５・・・吸引パイプ １６・・・吸引ノズル １７・・・液面 １８・・・基板 １１・・・基板上下腕 ２０・・・水槽

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）光を当てると異性化し、金属イオン又は金属原子
   を放出する金属キレート化合物からなる単分子膜又はそ
   の累積膜から成る記録媒体上に、画情報に対応する光を
   照射し金属イオン又は金属原子を放出させた後、前記記
   録媒体を化学反応により発色させて記録を読み出す事を
   特徴とする記録方法。
2. （２）記録読み出しにおける化学反応において、単分子
   膜あるいはその累積膜中の金属イオン又は金属原子を無
   機顔料とし、かつ膜材料である有機物を取り去る事を特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の記録方法。