JPS61161040A - 光増幅装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光ＩＣ，光通信、光メモリの光検出部等の微
少光量を信号として扱う装置に適用され、その送信途上
で光増幅を行なう光増幅装置に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

光通信では、充分遠方に通信するために途中に中継点を
設けて光増幅することが行われている。しかしながら、
従来の中継点での光増幅は、一旦受光素子で光を受けて
光信号を電気信号に変換し、この電気信号を電気的に増
幅した後、発光素子で光信号に変換するようにしている
ため、中継装置が大きくなるだけでなく、応答速度が速
くできないという問題があった。

また、光ＩＣには光増幅器が必要なため、ファプリーベ
ロー共振器等数多くのものが提案されているが、装置が
大型化ばかシか、応答速度が遅く、しかも安定性および
信頼性に乏しい等の問題があった。

〔発明の目的〕

本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、その目
的とするところは、非常に小さく、かつ高速に応答し、
しかも、構造が簡単である光増幅装置を提供することに
ある。

〔発明の概要〕

本発明は、上記目的を達成するために、受光することに
より電流を流すとともにその電流の増幅作用を有する受
光素子と、電流を流すことにより発光する発光素子とを
少なくとも一部で電気的に直列に接続したことを特徴と
する特許である。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。

図中１は受光することにより電流を流すとともにその電
流の増幅作用を有するアバランシェフォトダイオード（
受光素子）、２は電流を流すことにより発光する半導体
レーザー（発光素子）、３は半導体レーザー２の破壊を
防止するための保護抵抗である。そして、これらアバラ
ンシェフォトダイオード１、半導体レーザー２、および
保護抵抗３はこの順に直列に接続され、さらに、保護抵
抗３側の端子４には図示しない電源より電圧が印加され
ているとともにアバランシェ７オトダイオード１側の端
子５は接地されている。

しかして、端子４，５間に所定の電圧が印加された状態
で、入力光６がアバランシェフォトダイオード１に照射
されると、その入力光６に対して遥かに大きな（量子効
率が１以上）電流がアバランシェフォトダイオード１内
に流れる。

すると、この電流によって半導体レーザー２が駆動され
、これにより増幅された出力光７が発生される。

以上の構成によれば、装置として非常に小さく、また、
アバランシェフォトダイオード１′ｆｔ用いているため
、高速に応答し、しかも、構造が簡単である。

なお、発光素子としては、超格子構造をもつ半導体レー
ザーを用いるのが好ましい。この超格子構造をもつ半導
体レーザーは、立上がり電流値（しきい値電流）が低い
ので、微少電流を用いても発光するからである。

また、発光素子は、半導体レーザーに限らず、ＬＥＤや
通常の電球等でも良い。

また、受光素子としては、超格子構造をもつアバランシ
ェフォトダイオードを用いるのが好ましい。この超格子
構造をもつアバランシェフォトダイオードを用いると、
電源の電圧は２００〜５００ｖと高くする必要がなく、
１０〜５ｖ程度で良いからである。

さらに、上記実施例ではアバランシェフォトダイオード
１を１個用いたが、本発明はこれに限ることはなく、半
導体レーザー２の駆動電流を上げるため、アバランシェ
フォトダイオードＪｔ−多数並列に接続し、同時に露光
するよう（してもよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、受光することＫよ
り電流を流すとともにその電流の増幅作用を有する受光
素子と、電流を流すことにより発光する発光素子とを具
備し、これら受光素子と発光素子とを少なくとも一部で
電気的に直列に接続したから、非常に小さく、かつ、高
速に応答し、しかも、構造が簡単である等の優れた効果
を奏する。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の一実施例を示す構成図である。 １・・・受光素子（アバランシェフォトダイオード、２
・・・発光素子（半導体レーデ−）。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 受光することにより電流を流すとともにその電流の増幅
   作用を有する受光素子と、電流を流すことにより発光す
   る発光素子とを具備し、これら受光素子と発光素子とを
   少なくとも一部で電気的に直列に接続したことを特徴と
   する光増幅装置。