SU756517A1 - Способ детектирования оптических сигналов • 1 - Google Patents

Способ детектирования оптических сигналов • 1 Download PDF

Info

Publication number
SU756517A1
SU756517A1 SU772538356A SU2538356A SU756517A1 SU 756517 A1 SU756517 A1 SU 756517A1 SU 772538356 A SU772538356 A SU 772538356A SU 2538356 A SU2538356 A SU 2538356A SU 756517 A1 SU756517 A1 SU 756517A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
junction
optical signals
detecting optical
optical
voltage
Prior art date
Application number
SU772538356A
Other languages
English (en)
Inventor
Petr N Luskinovich
Original Assignee
Petr N Luskinovich
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Petr N Luskinovich filed Critical Petr N Luskinovich
Priority to SU772538356A priority Critical patent/SU756517A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU756517A1 publication Critical patent/SU756517A1/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

Изобретение относится к оптической связи и оптоэлектронике и может использоваться при детектировании оптического сигнала.
Известен способ детектирования оптических сигналов, заключающийся в использовании внешнего фотоэффекта, и приборы на его основе ФЭУ, ФЭУЛБВ и т.д. [1] .
Недостатками известного способа являются низкая квантовая эффективность, высокие питающие напряжения (тысячи вольт),.отсутствие спектральной и пространственной селективности принимаемых сигналов, малая величина средней выходной мощности, поглощение оптического сигнала при детектировании.
Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ детектирования оптических сигналов, при котором подают запирающее напряжение смещения на р-η переход вводят регистрирующее излучение в р-η переход и регистрируют изменение протекающего через него тока [2} .
Недостатками этого способа является то, что при детектировании в р-η переходе оптического сигнала происходит его поглощение причем, чем
2
выше квантовая эффективность фотодиода, тем большая часть света поглоща ется в нем, мощность электрических сигналов, возникающих при детектировании оптических импульсов, ограничена в быстродействующих фотодетекторах средней величиной протекающего тока, не превышающего несколько сот ΙΦ мкВт, это ограничение возникает г вследствие возникновения объемного пространственного заряда и возможное ти теплового пробоя, необходимость применять в быстродействующих приемниках высокие напряжения питания (несколько десятков и сотен вольт) ! из-за широкой полосы поглощения частот, составляющей тысячи ангстрем, отсутствует спектральная селекция принимаемых сигналов, обычно находяшихся в полосе, не превышающей нескольких ангстрем, фотоотклик в фотоприемникё возникает при попадании в него излучения, приходящего __ в большом диапазоне углов (обычно +80°) , поэтому для уменьшения влиянйя излучения, приходящего из направ лений, несовпадающих с направлением регистрируемого излучения, ( например рассеянное излучение в оптической ин· тегральной схеме), необходимо приЛ
шение падения напряжения на лазерном
диоде. Уменьшение напряжения на диоде приводит к увеличению тока,
протекающего в последовательной цепи.
756517
менять внешние диафрагмы или специальные фильтры мод. Кроме того, внутреннее сопротивление фотодиода, как источника тока, отдающего электрическую мощность во внешнюю цепь, велико (более нескольких мОм). Поэтому эффективность передачи энергии к низкоомным нагрузкам типа коаксиальный кабель, светодиод или полупроводниковый лазер мала.
Целью изобретения является устранение поглощения оптического сигнала при детектировании.
Поставленная цель достигаете^ тем, что в р-п переходе формируют инверсную населенность путем подачи отпирающего напряжения' на р-п переход.
Физика процессов, используемых в предлагаемом способе, заключается в том, что оптический сигнал при распространении в среде с инверсной населенностью вызывает индуцированную рекомбинацию.
Вследствие применения р-п перехода, смещенного в прямом направлении, , полное падение напряжения на нем обычно не превышает 2-3 В, что исключает необходимость применения высоковольтных источников питания.
Усиление оптических сигналов в р-п переходе происходит в ограниченном спектральном диапазоне, который может быть дополнительно сужен созданием регенеративного режима работы в естественном резонаторе ФабриПеро. Поэтому необходимость в применении дополнительных внешних оптических фильтров в данном способе отсутствует.
Оптический волновод р-п перехода, в котором распространяются оптические сигналы, является пространственным (модовым) фильтром, так как в нем могут распространяться лишь лучи, введенные под углом, меньшим критического, для данного волновода.
В результате этого процесса происходит усиление света (а не поглощение как в· известном способе). Кроме того, вследствие увеличения индуцированной рекомбинации уменьшается концентрация электродов и дырок в р-п переходе. Уменьшение концентрации электронов и дырок описывается уменьшением соответствующих квазиуровней Ферми и вызывает умень5 Величина изменения тока а I, протекающего через р-п переход,под действием входного сигнала с мощностью ДР, определяется по формуле
10
дЗ е-др
Ια-ο,
15 где 1 — заряд электрона,
Ь — постоянная Планка,
3 — частота излучения,
С — коэффициент усиления оптических сигналов, проходящих
„ по р-п переходу.
Изменение тока в цепи при мощности входного сигнала в единицы мВт, коэффициенте усиления, равным 100, может достигать сотен мА.
Вследствие малого внутреннего
25 сопротивления р-п перехода, работающего при прямом смещении, передача электрических сигналов от него к светодиодам, лазерным диодам и другим низкоомным нагрузкам происходит
30 с высокой эффективностью.

Claims (1)

  1. Формула изобретения
    35 Способ детектирования оптических сигналов, при котором подают запирающее напряжение смещения на р-п переход, вводят регистрирующее излучение в р-п переход и регистрируют
    ... изменение протекающего через него тока, отличающийся тем, что, с целью устранения поглощения оптического сигнала, при детектировании в р-п переходе формируют инверсную населенность путем подачи
    45 отпирающего напряжения на р-п переход.
SU772538356A 1977-11-01 1977-11-01 Способ детектирования оптических сигналов • 1 SU756517A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772538356A SU756517A1 (ru) 1977-11-01 1977-11-01 Способ детектирования оптических сигналов • 1

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772538356A SU756517A1 (ru) 1977-11-01 1977-11-01 Способ детектирования оптических сигналов • 1

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU756517A1 true SU756517A1 (ru) 1980-08-15

Family

ID=20730771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772538356A SU756517A1 (ru) 1977-11-01 1977-11-01 Способ детектирования оптических сигналов • 1

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU756517A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1142029B1 (en) Improvements in avalanche photo-diodes
US20030098463A1 (en) Avalanche photodiode for photon counting applications and method thereof
Tosi et al. InGaAs/InP single-photon avalanche diode with reduced afterpulsing and sharp timing response with 30 ps tail
KR20140018402A (ko) 양극성 구형 게이팅 신호와 함께 동작되는 InGaAs/InP 아발란치 포토 다이오드를 이용하는 근적외선에서의 단광자 검출기
De La Moneda et al. Noise in phototransistors
Alexandrou et al. A 75 GHz silicon metal‐semiconductor‐metal Schottky photodiode
WO2019084088A1 (en) SINGLE ELECTRON BIPOLAR AVALANCHE TRANSISTOR TRIGGERED BY A PHOTOVOLTAIC DIODE
Spillman Jr Optical detectors
US4316156A (en) Optical repeater integrated lasers
SU756517A1 (ru) Способ детектирования оптических сигналов • 1
Fu et al. Spatial audio acquisition using a dual-functioning MQW-diode with a three-stage amplifier circuit
Khanmohammadi et al. Monolithically integrated optical random pulse generator in high voltage CMOS technology
Kostov et al. High-speed bipolar phototransistors in a 180 nm CMOS process
Giuliani et al. Multifunctional characteristics of 1.5-μm two-section amplifier-modulator-detector SOA
US4555785A (en) Optical repeater integrated lasers
Itzler et al. High-rate photon counting with Geiger-mode APDs
Dey et al. A CMOS front-end interface ASIC for SiPM-based positron emission tomography imaging systems
KR930701836A (ko) 광자로 여기된 가변 캐패시턴스 효과 디바이스
Nadeev et al. Comparison of an avalanche photodiode and a photomultiplier tube as photodetectors of near-infrared radiation in the photon-counting mode
Hintikka et al. Time domain characterization of avalanche photo detectors for sub-ns optical pulses
Zebda et al. Frequency and time response of PIN photodiode
JP2006066910A (ja) 光検出方法およびその装置
Campbell et al. Optical AND gate
Hummel et al. Gated-and optical biasing for SNSPDs
RU2673424C1 (ru) Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами