SU756517A1 - Способ детектирования оптических сигналов • 1 - Google Patents
Способ детектирования оптических сигналов • 1 Download PDFInfo
- Publication number
- SU756517A1 SU756517A1 SU772538356A SU2538356A SU756517A1 SU 756517 A1 SU756517 A1 SU 756517A1 SU 772538356 A SU772538356 A SU 772538356A SU 2538356 A SU2538356 A SU 2538356A SU 756517 A1 SU756517 A1 SU 756517A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- junction
- optical signals
- detecting optical
- optical
- voltage
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
Изобретение относится к оптической связи и оптоэлектронике и может использоваться при детектировании оптического сигнала.
Известен способ детектирования оптических сигналов, заключающийся в использовании внешнего фотоэффекта, и приборы на его основе ФЭУ, ФЭУЛБВ и т.д. [1] .
Недостатками известного способа являются низкая квантовая эффективность, высокие питающие напряжения (тысячи вольт),.отсутствие спектральной и пространственной селективности принимаемых сигналов, малая величина средней выходной мощности, поглощение оптического сигнала при детектировании.
Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ детектирования оптических сигналов, при котором подают запирающее напряжение смещения на р-η переход вводят регистрирующее излучение в р-η переход и регистрируют изменение протекающего через него тока [2} .
Недостатками этого способа является то, что при детектировании в р-η переходе оптического сигнала происходит его поглощение причем, чем
2
выше квантовая эффективность фотодиода, тем большая часть света поглоща ется в нем, мощность электрических сигналов, возникающих при детектировании оптических импульсов, ограничена в быстродействующих фотодетекторах средней величиной протекающего тока, не превышающего несколько сот ΙΦ мкВт, это ограничение возникает г вследствие возникновения объемного пространственного заряда и возможное ти теплового пробоя, необходимость применять в быстродействующих приемниках высокие напряжения питания (несколько десятков и сотен вольт) ! из-за широкой полосы поглощения частот, составляющей тысячи ангстрем, отсутствует спектральная селекция принимаемых сигналов, обычно находяшихся в полосе, не превышающей нескольких ангстрем, фотоотклик в фотоприемникё возникает при попадании в него излучения, приходящего __ в большом диапазоне углов (обычно +80°) , поэтому для уменьшения влиянйя излучения, приходящего из направ лений, несовпадающих с направлением регистрируемого излучения, ( например рассеянное излучение в оптической ин· тегральной схеме), необходимо приЛ
шение падения напряжения на лазерном
диоде. Уменьшение напряжения на диоде приводит к увеличению тока,
протекающего в последовательной цепи.
756517
менять внешние диафрагмы или специальные фильтры мод. Кроме того, внутреннее сопротивление фотодиода, как источника тока, отдающего электрическую мощность во внешнюю цепь, велико (более нескольких мОм). Поэтому эффективность передачи энергии к низкоомным нагрузкам типа коаксиальный кабель, светодиод или полупроводниковый лазер мала.
Целью изобретения является устранение поглощения оптического сигнала при детектировании.
Поставленная цель достигаете^ тем, что в р-п переходе формируют инверсную населенность путем подачи отпирающего напряжения' на р-п переход.
Физика процессов, используемых в предлагаемом способе, заключается в том, что оптический сигнал при распространении в среде с инверсной населенностью вызывает индуцированную рекомбинацию.
Вследствие применения р-п перехода, смещенного в прямом направлении, , полное падение напряжения на нем обычно не превышает 2-3 В, что исключает необходимость применения высоковольтных источников питания.
Усиление оптических сигналов в р-п переходе происходит в ограниченном спектральном диапазоне, который может быть дополнительно сужен созданием регенеративного режима работы в естественном резонаторе ФабриПеро. Поэтому необходимость в применении дополнительных внешних оптических фильтров в данном способе отсутствует.
Оптический волновод р-п перехода, в котором распространяются оптические сигналы, является пространственным (модовым) фильтром, так как в нем могут распространяться лишь лучи, введенные под углом, меньшим критического, для данного волновода.
В результате этого процесса происходит усиление света (а не поглощение как в· известном способе). Кроме того, вследствие увеличения индуцированной рекомбинации уменьшается концентрация электродов и дырок в р-п переходе. Уменьшение концентрации электронов и дырок описывается уменьшением соответствующих квазиуровней Ферми и вызывает умень5 Величина изменения тока а I, протекающего через р-п переход,под действием входного сигнала с мощностью ДР, определяется по формуле
10
дЗ е-др
Ια-ο,
15 где 1 — заряд электрона,
Ь — постоянная Планка,
3 — частота излучения,
С — коэффициент усиления оптических сигналов, проходящих
„ по р-п переходу.
Изменение тока в цепи при мощности входного сигнала в единицы мВт, коэффициенте усиления, равным 100, может достигать сотен мА.
Вследствие малого внутреннего
25 сопротивления р-п перехода, работающего при прямом смещении, передача электрических сигналов от него к светодиодам, лазерным диодам и другим низкоомным нагрузкам происходит
30 с высокой эффективностью.
Claims (1)
- Формула изобретения35 Способ детектирования оптических сигналов, при котором подают запирающее напряжение смещения на р-п переход, вводят регистрирующее излучение в р-п переход и регистрируют... изменение протекающего через него тока, отличающийся тем, что, с целью устранения поглощения оптического сигнала, при детектировании в р-п переходе формируют инверсную населенность путем подачи45 отпирающего напряжения на р-п переход.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772538356A SU756517A1 (ru) | 1977-11-01 | 1977-11-01 | Способ детектирования оптических сигналов • 1 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772538356A SU756517A1 (ru) | 1977-11-01 | 1977-11-01 | Способ детектирования оптических сигналов • 1 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU756517A1 true SU756517A1 (ru) | 1980-08-15 |
Family
ID=20730771
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU772538356A SU756517A1 (ru) | 1977-11-01 | 1977-11-01 | Способ детектирования оптических сигналов • 1 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU756517A1 (ru) |
-
1977
- 1977-11-01 SU SU772538356A patent/SU756517A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1142029B1 (en) | Improvements in avalanche photo-diodes | |
US20030098463A1 (en) | Avalanche photodiode for photon counting applications and method thereof | |
Tosi et al. | InGaAs/InP single-photon avalanche diode with reduced afterpulsing and sharp timing response with 30 ps tail | |
KR20140018402A (ko) | 양극성 구형 게이팅 신호와 함께 동작되는 InGaAs/InP 아발란치 포토 다이오드를 이용하는 근적외선에서의 단광자 검출기 | |
De La Moneda et al. | Noise in phototransistors | |
Alexandrou et al. | A 75 GHz silicon metal‐semiconductor‐metal Schottky photodiode | |
WO2019084088A1 (en) | SINGLE ELECTRON BIPOLAR AVALANCHE TRANSISTOR TRIGGERED BY A PHOTOVOLTAIC DIODE | |
Spillman Jr | Optical detectors | |
US4316156A (en) | Optical repeater integrated lasers | |
SU756517A1 (ru) | Способ детектирования оптических сигналов • 1 | |
Fu et al. | Spatial audio acquisition using a dual-functioning MQW-diode with a three-stage amplifier circuit | |
Khanmohammadi et al. | Monolithically integrated optical random pulse generator in high voltage CMOS technology | |
Kostov et al. | High-speed bipolar phototransistors in a 180 nm CMOS process | |
Giuliani et al. | Multifunctional characteristics of 1.5-μm two-section amplifier-modulator-detector SOA | |
US4555785A (en) | Optical repeater integrated lasers | |
Itzler et al. | High-rate photon counting with Geiger-mode APDs | |
Dey et al. | A CMOS front-end interface ASIC for SiPM-based positron emission tomography imaging systems | |
KR930701836A (ko) | 광자로 여기된 가변 캐패시턴스 효과 디바이스 | |
Nadeev et al. | Comparison of an avalanche photodiode and a photomultiplier tube as photodetectors of near-infrared radiation in the photon-counting mode | |
Hintikka et al. | Time domain characterization of avalanche photo detectors for sub-ns optical pulses | |
Zebda et al. | Frequency and time response of PIN photodiode | |
JP2006066910A (ja) | 光検出方法およびその装置 | |
Campbell et al. | Optical AND gate | |
Hummel et al. | Gated-and optical biasing for SNSPDs | |
RU2673424C1 (ru) | Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами |