JPS61160004A - パタ−ンエツジ測定方法および装置 - Google Patents
パタ−ンエツジ測定方法および装置Info
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- JPS61160004A JPS61160004A JP60001766A JP176685A JPS61160004A JP S61160004 A JPS61160004 A JP S61160004A JP 60001766 A JP60001766 A JP 60001766A JP 176685 A JP176685 A JP 176685A JP S61160004 A JPS61160004 A JP S61160004A
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- JP
- Japan
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- pattern
- light
- pattern edge
- measured
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
- G01B11/303—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces using photoelectric detection means
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ガラス板、フィルム、金属板等の基板の表面
に形成されたパターンのパターンエツジの非直線性を測
定するパターンエツジ測定方法および装置に関する。
に形成されたパターンのパターンエツジの非直線性を測
定するパターンエツジ測定方法および装置に関する。
ガラス板、フィルム、金属板等の基板の表面にパターン
を形成する方法としては、次のようなものがある。例え
ば基板に感光物質を均一に塗り、その感光物質を選択露
出し、写真蝕刻法によりパターンを形成する方法がある
。また基板に均一な金属薄膜を形成し、高エネルギのレ
ーザビーム等を照射して金属薄膜を蒸発させてパターン
を形成する方法もある。
を形成する方法としては、次のようなものがある。例え
ば基板に感光物質を均一に塗り、その感光物質を選択露
出し、写真蝕刻法によりパターンを形成する方法がある
。また基板に均一な金属薄膜を形成し、高エネルギのレ
ーザビーム等を照射して金属薄膜を蒸発させてパターン
を形成する方法もある。
これらの方法により形成されたパターンは、予定した通
りの理想的な形状にはならず種々の誤差が生ずる。例え
ば、パターン形状の歪み、パターンの位置ずれ、パター
ンの約幅の誤差、パターンコーナーの丸み、パターンエ
ツジの非直線性、パターンの欠は等がある。これらの誤
差のうちパターンエツジの非直線性とは、形成されたパ
ターンのエツジの凹凸の程度を示すものである。すなわ
ち第２図（ａ＞のような形状のパターンを実際に形成し
た場合、第２図（ｂ）に示すようにパターンエツジが凹
凸になる。このパターンエツジの凹部と凸部の距離ΔＬ
でパターンエツジの非直線性の程度を示している。
りの理想的な形状にはならず種々の誤差が生ずる。例え
ば、パターン形状の歪み、パターンの位置ずれ、パター
ンの約幅の誤差、パターンコーナーの丸み、パターンエ
ツジの非直線性、パターンの欠は等がある。これらの誤
差のうちパターンエツジの非直線性とは、形成されたパ
ターンのエツジの凹凸の程度を示すものである。すなわ
ち第２図（ａ＞のような形状のパターンを実際に形成し
た場合、第２図（ｂ）に示すようにパターンエツジが凹
凸になる。このパターンエツジの凹部と凸部の距離ΔＬ
でパターンエツジの非直線性の程度を示している。
従来は、光学顕微鏡や電子顕微鏡でこのパターンを拡大
して目視Ｉ！察により、パターンエツジの非直線性を測
定していた。この方法ではパターンエツジの非直性を精
度よく定量的に測定することは困難であった。また観察
者により測定結果にバラツキが生ずる可能性がある。他
に拡大写真を搬影しパターンエツジをスケールで測定す
る方法がある。しかしこの方法は測定結果を得るまでか
なりの時間を必要とし、高精度で測定できないという問
題があった。
して目視Ｉ！察により、パターンエツジの非直線性を測
定していた。この方法ではパターンエツジの非直性を精
度よく定量的に測定することは困難であった。また観察
者により測定結果にバラツキが生ずる可能性がある。他
に拡大写真を搬影しパターンエツジをスケールで測定す
る方法がある。しかしこの方法は測定結果を得るまでか
なりの時間を必要とし、高精度で測定できないという問
題があった。
本発明は上記事情を考慮してなされたものでパターンエ
ツジの非直線性を定量的に精度よく測定することができ
るパターンエツジ測定方法および装置を提供することを
目的とする。
ツジの非直線性を定量的に精度よく測定することができ
るパターンエツジ測定方法および装置を提供することを
目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は受光部の感光画素
列を被測定パターン像のパターンエツジにほぼ平行にし
、この受光部がパターンエツジを横切るように受光部ま
たは被測定パターン像を相対的に動かし、所定の移動距
離ごとに感光画木列からの受光信号を記憶し、これら受
光信号からパターンエツジ位置を決定し、これら各パタ
ーンエツジ位置に基づいてパターンエツジの非直線性を
演算するようにしている。
列を被測定パターン像のパターンエツジにほぼ平行にし
、この受光部がパターンエツジを横切るように受光部ま
たは被測定パターン像を相対的に動かし、所定の移動距
離ごとに感光画木列からの受光信号を記憶し、これら受
光信号からパターンエツジ位置を決定し、これら各パタ
ーンエツジ位置に基づいてパターンエツジの非直線性を
演算するようにしている。
本発明の一実施例によるパターンエツジ測定装置を第１
図に示す。このパターンエツジ測定・装置は、ガラス板
等の透明な基板に形成された不透明パターンのパターン
エツジを測定するものである。
図に示す。このパターンエツジ測定・装置は、ガラス板
等の透明な基板に形成された不透明パターンのパターン
エツジを測定するものである。
照明用ランプ１と照明用コンデンサレンズ２とで構成さ
れた照明系により、パターンが形成された基板６を下か
ら照射する。Ｘ方向に移動するＸテーブル３の上にＸテ
ーブル３と直角なＹ方向に移動するＹテーブル４が設け
られており、このＹテーブル４の上に回転テーブル５が
設けられている。
れた照明系により、パターンが形成された基板６を下か
ら照射する。Ｘ方向に移動するＸテーブル３の上にＸテ
ーブル３と直角なＹ方向に移動するＹテーブル４が設け
られており、このＹテーブル４の上に回転テーブル５が
設けられている。
パターンが形成された基板６は回転テーブル５の上に置
かれる。Ｘテーブル３とＹテーブル４と回転テーブル５
により、基板６上の任意の位置の被測定パターンのパタ
ーンエツジを所定の測定位置にセットする。
かれる。Ｘテーブル３とＹテーブル４と回転テーブル５
により、基板６上の任意の位置の被測定パターンのパタ
ーンエツジを所定の測定位置にセットする。
基板６上の被測定パターンは対物レンズ７により拡大さ
れ、ラインセンサ１１の受光部１１ａ上に結像される。
れ、ラインセンサ１１の受光部１１ａ上に結像される。
なお対物レンズ７とラインセンサ１１との間にハーフミ
ラ−８を設けることにより、接触レンズ９を通して目視
観察することも可能である。
ラ−８を設けることにより、接触レンズ９を通して目視
観察することも可能である。
センサテーブル１２には、被測定パターンの像を受光す
るラインセンサ１１（例えば株式会社東芝製ＴＣＤ１０
５Ｃソニアイメージセンサ）と、センサテーブル１２の
位置測定用のミラー１３が取りつけられている。センサ
テーブル１２は送りネジ１４に直結されており、モータ
１５により送りネジ１４を回転させることによりセンサ
テーブル１２を移動させる。モータ１５はモータ制御部
１６により制御される。
るラインセンサ１１（例えば株式会社東芝製ＴＣＤ１０
５Ｃソニアイメージセンサ）と、センサテーブル１２の
位置測定用のミラー１３が取りつけられている。センサ
テーブル１２は送りネジ１４に直結されており、モータ
１５により送りネジ１４を回転させることによりセンサ
テーブル１２を移動させる。モータ１５はモータ制御部
１６により制御される。
センサテーブル１２の位置はレーザ測長部１７により測
定される。レーザ測長部１７からレーザ光を発し、セン
サテーブル１２に取りつけられたミラー１３からの反射
光を用いてセンサテーブル１２までの距離を測定する。
定される。レーザ測長部１７からレーザ光を発し、セン
サテーブル１２に取りつけられたミラー１３からの反射
光を用いてセンサテーブル１２までの距離を測定する。
この測定値は計算機１８に入力される。
レーザ測長部１７は極めて高精度な距離測定が可能であ
り、半導体装置のマスクパターンのように高精度の測定
が必要な場合に有効である。高精度が要求されない場合
には、モータ１５の回転角からセンサテーブル１２の位
置を測定するようにしてもよい。
り、半導体装置のマスクパターンのように高精度の測定
が必要な場合に有効である。高精度が要求されない場合
には、モータ１５の回転角からセンサテーブル１２の位
置を測定するようにしてもよい。
ラインセンサ制御部１９はラインセンサ１１を制御する
。すなわちラインセンサ１１に駆動信号を送出し、ライ
ンセンサ１１の受光部１１に配置された感光画素列によ
り光電変換された受光信号をシリアルに取り出す。シリ
アルに読み出された受光信号ＳＡは、データ変換書込制
御部２０に出力される。
。すなわちラインセンサ１１に駆動信号を送出し、ライ
ンセンサ１１の受光部１１に配置された感光画素列によ
り光電変換された受光信号をシリアルに取り出す。シリ
アルに読み出された受光信号ＳＡは、データ変換書込制
御部２０に出力される。
データ変換書込制御部２０は計算機１８により制御され
る。ラインセンサ制御部１９からのアナログの受光信号
ＳＡをアナログディジタル変換し、ディジタルな受光信
号ＳＤとしてバッファメモリ２１に書込む。本実施例で
は８ビツトを用いＯから１００の多値信号としてディジ
タル受光信号ＳＤをあられす。バッファメモリ２１への
書込みは、ラインセンサ１１の１スキヤン毎におこなう
。
る。ラインセンサ制御部１９からのアナログの受光信号
ＳＡをアナログディジタル変換し、ディジタルな受光信
号ＳＤとしてバッファメモリ２１に書込む。本実施例で
は８ビツトを用いＯから１００の多値信号としてディジ
タル受光信号ＳＤをあられす。バッファメモリ２１への
書込みは、ラインセンサ１１の１スキヤン毎におこなう
。
Ｎ個の感光画素からラインセンサ１１が構成されていれ
ば、１スキヤンでＮ個のディジタル受光信号ＳＤが書込
まれる。
ば、１スキヤンでＮ個のディジタル受光信号ＳＤが書込
まれる。
バッフ７メモリ２１に書込まれたディジタル受光信号Ｓ
Ｄは計算機により演算処理される。この演算処理は１ス
キヤンごとにおこなってもよいし、所定スキャンごとに
おこなってもよい。
Ｄは計算機により演算処理される。この演算処理は１ス
キヤンごとにおこなってもよいし、所定スキャンごとに
おこなってもよい。
計算機１８にはグラフィックディスプレイ２２が接続、
されている。グラフィックディスプレイ２２には被測定
パターンのパターンエツジの形状やパターンエツジの非
直線性の測定結果が表示される。
されている。グラフィックディスプレイ２２には被測定
パターンのパターンエツジの形状やパターンエツジの非
直線性の測定結果が表示される。
次にこのパターンエツジ測定装置を用いた測定方法につ
いて説明する。
いて説明する。
まず被測定パターンのパターンエツジがラインセンサー
１の感光画素列に対してほぼ平行になるように、Ｘテー
ブル３、Ｙテーブル４、回転テーブル５を移動させる。
１の感光画素列に対してほぼ平行になるように、Ｘテー
ブル３、Ｙテーブル４、回転テーブル５を移動させる。
これは、オペレーター０がハーフミラ−８、接触レンズ
９を通して、被測定パターンを目視観察しておこなう。
９を通して、被測定パターンを目視観察しておこなう。
被測定パターン３１のパターンエツジ３０をラインセン
サー１の受光部１１ａにほぼ平行に移動させた状態を第
３図に示す。３２は透明部分である。受光部１１ａは、
Ｎ個の感光画素ｐ、ｐ２゜・・・ＰＮがＹ方向に１列に
配されており、この受光部１１ａがＸ方向に移動して、
パターンエツジ３０が測定される。
サー１の受光部１１ａにほぼ平行に移動させた状態を第
３図に示す。３２は透明部分である。受光部１１ａは、
Ｎ個の感光画素ｐ、ｐ２゜・・・ＰＮがＹ方向に１列に
配されており、この受光部１１ａがＸ方向に移動して、
パターンエツジ３０が測定される。
計算機１８の指令によりモータ制御部１６はモータ１５
を回転し、送りネジ１４によりセンサーテーブル１２を
一定速度で連続移動させる。これによりラインセンサー
１の受光部１１ａはＸ方向に移動する。したがって受光
部１１ａの各画素Ｐ１．ｐ２．・・・、ＰＭはパターン
エツジ３０を横切るように移動し、パターンエツジ３０
の形状に応じた光信号が各画素Ｐ、Ｐ２．・・・、ＰＭ
に入射する。
を回転し、送りネジ１４によりセンサーテーブル１２を
一定速度で連続移動させる。これによりラインセンサー
１の受光部１１ａはＸ方向に移動する。したがって受光
部１１ａの各画素Ｐ１．ｐ２．・・・、ＰＭはパターン
エツジ３０を横切るように移動し、パターンエツジ３０
の形状に応じた光信号が各画素Ｐ、Ｐ２．・・・、ＰＭ
に入射する。
受光部１１ａの位置を正確に知るために、レーザ測長部
１７によりセンサテーブル１２のＸ方向の移動量が測定
される。ラインセンサー１はこのセンサテーブル１２に
取りつけられているので、レーザ測長部１７の測定値か
らラインセンサー１の受光部１１ａの位置を知ることが
可能である。
１７によりセンサテーブル１２のＸ方向の移動量が測定
される。ラインセンサー１はこのセンサテーブル１２に
取りつけられているので、レーザ測長部１７の測定値か
らラインセンサー１の受光部１１ａの位置を知ることが
可能である。
レーザ測長部１７による測定信号は計算１１１８に入力
される。
される。
計算ｔ１１１８はレーザ測長部１７からの測定信号によ
り、ラインセンサ受光部１１ａが所定距離ΔＸ移動する
ごとにデータ変換書込制御部２０に書込指令を発する。
り、ラインセンサ受光部１１ａが所定距離ΔＸ移動する
ごとにデータ変換書込制御部２０に書込指令を発する。
書込指令を受けると、データ変換書込制御部２０は、そ
のときの受光信号ＳＡをディジタルな受光信号ＳＤに変
換し、バッファメモリ２１に書込む。１スキャン分の感
光画素Ｐ、。
のときの受光信号ＳＡをディジタルな受光信号ＳＤに変
換し、バッファメモリ２１に書込む。１スキャン分の感
光画素Ｐ、。
Ｐ２．・・・、ＰＸのＮ個のディジタル受光信号ＳＤが
バッファメモリ２１に書込まれると、計算機１８はバッ
ファメモリ２１の内容を読み込み記憶する。
バッファメモリ２１に書込まれると、計算機１８はバッ
ファメモリ２１の内容を読み込み記憶する。
ラインセンサ受光部１１ａがこのようにして位置×１か
らＸＨまで移動すると、位置Ｘ１．Ｘ２゜・・・、Ｘ４
．・・・、×８における各感光画素Ｐ１．・・・。
らＸＨまで移動すると、位置Ｘ１．Ｘ２゜・・・、Ｘ４
．・・・、×８における各感光画素Ｐ１．・・・。
ＰＮの受光信号ＳＡがディジタル変換された受光信号Ｓ
Ｄが計算！１１１８に記憶される。位置×１では、第３
図に示すように透明部３２上に受光部１１ａがあるため
、第４図（ａ）に示すように各感光画素Ｐ１．・・・、
ＰＮの受光信号は全て最大値となる。位置Ｘ［では受光
部１１ａがパターンエツジ３０上にあるため、第４図（
ｂ）に示すように各感光画素Ｐ１．・・・、ＰＮの受光
信号はパターンエツジ３０の形状に応じた信号となる。
Ｄが計算！１１１８に記憶される。位置×１では、第３
図に示すように透明部３２上に受光部１１ａがあるため
、第４図（ａ）に示すように各感光画素Ｐ１．・・・、
ＰＮの受光信号は全て最大値となる。位置Ｘ［では受光
部１１ａがパターンエツジ３０上にあるため、第４図（
ｂ）に示すように各感光画素Ｐ１．・・・、ＰＮの受光
信号はパターンエツジ３０の形状に応じた信号となる。
位置ＸＨでは受光部１１ａはパターン３１上にあるため
、第４図（Ｃ）に示すように、各感光画素Ｐ１゜・・・
、ＰＮの受光信号はゼロとなる。
、第４図（Ｃ）に示すように、各感光画素Ｐ１゜・・・
、ＰＮの受光信号はゼロとなる。
計算機１８は各座標位置Ｘ 、・・＋、ＸＭにおけす
る各感光画素Ｐ 、・・・、ＰＮの受光信号ＳＤから、
各感光画素Ｐ 、・−、ＰＭにおけるパターンエラジ位
置を求める。パターンエツジ位置は、ある感光画素の受
光信号ＳＤが所定のしきい値になった座標位置として定
める。例えば感光画素ＰＪおよびＰｋの受光信号は第５
図（ａ）、（ｂ）に示すように変化する。しきい値を５
０と定めると、このしきい値になった位置がパターンエ
ツジ位置となる。感光画素Ｐ、のパターンエツジ位置は
、位置×１から距離ＤＪの位＠ｘＪにあり、感光画素Ｐ
Ｋのパターンエツジ位置は、位ＩＸ１から距離Ｄ の位
置ＸＫにある。
各感光画素Ｐ 、・−、ＰＭにおけるパターンエラジ位
置を求める。パターンエツジ位置は、ある感光画素の受
光信号ＳＤが所定のしきい値になった座標位置として定
める。例えば感光画素ＰＪおよびＰｋの受光信号は第５
図（ａ）、（ｂ）に示すように変化する。しきい値を５
０と定めると、このしきい値になった位置がパターンエ
ツジ位置となる。感光画素Ｐ、のパターンエツジ位置は
、位置×１から距離ＤＪの位＠ｘＪにあり、感光画素Ｐ
Ｋのパターンエツジ位置は、位ＩＸ１から距離Ｄ の位
置ＸＫにある。
このようにして各感光画素Ｐ 、・・・、ＰＭにおける
距ｆｌｌｌＤ１．・・・、ＤＮを求め、これら距離Ｄ１
゜・・・、Ｄｌｌよりパターンエツジ３０の非直線性を
計算機１８により演算する。パターンエツジ３０の非直
線性誤差Ｅは、距ｍｏ１ 、・・・、ＤＮの最大値を□
ｍａｘ、最小値を［）ｍｉｎとすると次式であられされ
る。
距ｆｌｌｌＤ１．・・・、ＤＮを求め、これら距離Ｄ１
゜・・・、Ｄｌｌよりパターンエツジ３０の非直線性を
計算機１８により演算する。パターンエツジ３０の非直
線性誤差Ｅは、距ｍｏ１ 、・・・、ＤＮの最大値を□
ｍａｘ、最小値を［）ｍｉｎとすると次式であられされ
る。
Ｅ−ＤｍａＸ−Ｄｍ ｉ ｎ
なおパターンエツジ３０の非直線性誤差Ｅは種々の定義
が可能である。例えば次式により定義してもよい。
が可能である。例えば次式により定義してもよい。
Ｅ−ｏｍａＸ−４ｏ ｉ／Ｎ
に
Ｅ−各Ｄ ｉ／Ｎ−Ｄｍ ｉ ｎ
このようにして求められたパターンエツジ３０の非直線
性誤差Ｅはグラフィックディスプレイ２２に表示される
。
性誤差Ｅはグラフィックディスプレイ２２に表示される
。
このように本実施例によれば被測定パターンのパターン
エツジの非直線性を定量的に測定することができる。特
に位置測定をレーザ測長部により測定するようにしてい
るため、高精度で非直線性を測定できる。
エツジの非直線性を定量的に測定することができる。特
に位置測定をレーザ測長部により測定するようにしてい
るため、高精度で非直線性を測定できる。
上記実施例ではフォトマスク、写真原稿等の透明な基板
に形成された不透明なパターンのパターンエツジを測定
したが、金属薄板をパターン形状に加工したリードフレ
ームのようなパターンのパターンエツジについても測定
することができる。
に形成された不透明なパターンのパターンエツジを測定
したが、金属薄板をパターン形状に加工したリードフレ
ームのようなパターンのパターンエツジについても測定
することができる。
また不透明基板に形成されたパターンについても反射光
を用いることにより測定可能である。
を用いることにより測定可能である。
上記実施例ではラインセンサを用いたが、２次元センサ
を用いてもよい。また上記実施例ではラインセンサを搭
載したセンサテーブルをＸ方向に移動させたが、センサ
テープを固定してＸテーブルにより基板を移動させるよ
うにしてもよい。また光学系により被測定パターン像が
受光部上を移動するようにしてもよい。要は受光部に対
して被測定パターンが相対的に移動するものであればよ
い。
を用いてもよい。また上記実施例ではラインセンサを搭
載したセンサテーブルをＸ方向に移動させたが、センサ
テープを固定してＸテーブルにより基板を移動させるよ
うにしてもよい。また光学系により被測定パターン像が
受光部上を移動するようにしてもよい。要は受光部に対
して被測定パターンが相対的に移動するものであればよ
い。
以上の通り本発明によればパターンエツジの非直線性を
定蚤的に精度よく、自動的に測定することができる。ま
たオペレータによる測定直のバラツキがなくなり測定再
現性が向上する。さらに自動測定であるため直ちに測定
結果を得ることができ、測定速度が向上する。
定蚤的に精度よく、自動的に測定することができる。ま
たオペレータによる測定直のバラツキがなくなり測定再
現性が向上する。さらに自動測定であるため直ちに測定
結果を得ることができ、測定速度が向上する。
第１図は本発明の一実施例によるパターンエツジ測定装
置のブロック図、第２図は被測定パターンのパターンエ
ツジを示す図、第３図、第４図、第５図は同パターンエ
ツジ測定装置による測定方法を説明するための図である
。 １・・・照明用ランプ、２・・・照明用コンデンサレン
ズ、３・・・Ｘテーブル、４・・・Ｙテーブル、５・・
・回転テーブル、６・・・基板、７・・・対物レンズ、
８・・・ハーフミラ−１９・・・接触レンズ、１１・・
・ラインセンサ、１１ａ・・・受光部、１２・・・セン
サテーブル、１３・・・ミラー、１４・・・送りねじ、
１５・・・モータ、１６・・・モータ制御部、１７・・
・レーザ測長部、１８・・・計算機、１９・・・ライン
センサ制御部、２０・・・データ変換書込制御部、２１
・・・バッファメモリ、２２・・・グラフィックディス
プレイ、３０・・・パターンエツジ、３１・・・不透明
部、３２・・・透明部、１１〜８Ｍ・・・感光画素、×
１〜ＸＨ・・・座標位置。 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第２図 （Ｑ） （ｂ）第３図
置のブロック図、第２図は被測定パターンのパターンエ
ツジを示す図、第３図、第４図、第５図は同パターンエ
ツジ測定装置による測定方法を説明するための図である
。 １・・・照明用ランプ、２・・・照明用コンデンサレン
ズ、３・・・Ｘテーブル、４・・・Ｙテーブル、５・・
・回転テーブル、６・・・基板、７・・・対物レンズ、
８・・・ハーフミラ−１９・・・接触レンズ、１１・・
・ラインセンサ、１１ａ・・・受光部、１２・・・セン
サテーブル、１３・・・ミラー、１４・・・送りねじ、
１５・・・モータ、１６・・・モータ制御部、１７・・
・レーザ測長部、１８・・・計算機、１９・・・ライン
センサ制御部、２０・・・データ変換書込制御部、２１
・・・バッファメモリ、２２・・・グラフィックディス
プレイ、３０・・・パターンエツジ、３１・・・不透明
部、３２・・・透明部、１１〜８Ｍ・・・感光画素、×
１〜ＸＨ・・・座標位置。 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第２図 （Ｑ） （ｂ）第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、受光部の感光画素列が被測定パターン像のパターン
エッジにほぼ平行になるように、被測定パターンを配置
し、 前記受光部が前記被測定パターン像のパターンエッジを
横切るように、前記受光部または前記被測定パターン像
を相対的に動かし、 前記受光部または前記被測定パターンの相対的な所定の
移動距離ごとに、前記感光画素列により受光された受光
信号を記憶し、 この記憶された受光信号から各感光画素ごとのパターン
エッジ位置を決定し、 この決定された各パターンエッジ位置に基づいてパター
ンエッジの非直線性を演算することを特徴とするパター
ンエッジ測定方法。 ２、少なくとも１列の感光画素列を有する受光部と、 被測定パターンを前記受光部に結像させる光学系と、 この光学系により結像された被測定パターン像のパター
ンエッジに、前記受光部の感光画素列がほぼ平行になる
ように被測定パターンを移動させる移動手段と、 前記受光部が前記被測定パターン像のパターンエッジを
横切るように、前記受光部または前記被測定パターン像
を相対的に動かす駆動手段と、この駆動手段により動か
される相対的な所定の移動距離ごとに前記感光画素列に
より受光された受光信号を記憶する記憶手段と、 この記憶手段により記憶された受光信号により各感光画
素ごとのパターンエッジ位置を決定する決定手段と、 この決定手段により決定された各パターンエッジ位置に
基づいてパターンエッジの非直線性を演算する演算手段
と を備えたことを特徴とするパターンエッジ測定装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60001766A JPH0781846B2 (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | パタ−ンエッジ測定方法および装置 |
| US06/815,927 US4743768A (en) | 1985-01-09 | 1986-01-03 | Method and apparatus for measuring non-linearity of a pattern edge |
| GB08600255A GB2170904B (en) | 1985-01-09 | 1986-01-07 | Method of measuring non-linearity of a pattern edge and apparatus for measuring the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60001766A JPH0781846B2 (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | パタ−ンエッジ測定方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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