JPS61155854A

JPS61155854A - 強磁性体の非破壊試験装置及びその初期値生成プロセス

Info

Publication number: JPS61155854A
Application number: JP60287596A
Authority: JP
Inventors: ゲルハルト・ヒユツシエルラート; ヘルベルト・デイール
Original assignee: Nukem GmbH
Current assignee: Nukem GmbH
Priority date: 1984-12-21
Filing date: 1985-12-20
Publication date: 1986-07-15
Also published as: US4750134A; GB2169084B; FR2575291B1; DE3446867C2; FR2575291A1; GB8530789D0; GB2169084A; DE3446867A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の技術分野］この発明は、強磁性体の非破壊試験装置及びそれぞれの
試験サンプルによって決定される試験のための初期状態
に上記装置を調整するための値を生成するための初期値
生成プロセスに関する。

［従来技術］長手方向に移動可能な強磁性体の構造欠陥を非破壊試験
するための、少なくとも一つの静磁場が集中するそれぞ
れの強磁性体を磁化することによるプロセスが知られて
いる。上記強磁性体中の構造欠陥は、上記強磁性体表面
上に、又は表面近くに据えて配置された磁場デテクタに
よって検出される磁場のコースに、変化を生ずる。上記
磁場デテクタは、上記強磁性体の周囲に沿って、且つそ
れらの移動の方向に垂直に、少なくとも一列に、それぞ
れの磁場プロデューサの極間に間隔を置いて配置され、
マルチプレクサの入力端に対する差動接続の２つの電極
によってそれぞれ接続されている。上記マルチプレクサ
の出力端で、上記マルチプレクサによって磁場デテクタ
の選択に従った補正値が供給されることができる補正ア
ンプに接続され、その補正値によって、異なった磁場デ
テクタ上の磁場の一様ではない大きさによる影響が補正
される（ＤＥ−ＰＳ　３１　３２　８０８）。

［発明の目的〕本発明の目的は、磁場デテクタの出力信号の高変動にも
拘らず、それぞれの磁場デテクタの位置及び磁場デテク
タのパラメータの分散と事実上無関係の測定値の検出が
可能なような、強磁性体の非破壊試験装置をさらに発展
させることである。

［発明の要約］上記目的は、特許請求の範囲第１項に述べられた測定器
によって、本発明に従って達成される。

特許請求の範囲第１項に与えられた配置で、測定精度の
不所望の影響が十分に取除かれることができる。上記影
響は、磁場デテクタのパラメータの分散からの他に、磁
場デテクタの列に沿った磁場の変化する強さからの両方
から生ずる。その上、他方の後で一方に接続された測定
値処理部によって生じられた測定精度に影響があり、こ
の影響は特許請求の範囲第１項に説明された配置でさら
にまた十分に補正されることができる。

掛算イコライザは、アナログ掛算器であることが好まし
い。上記アナログ掛算器によって、補正アンプにより発
せられた信号の強化がさらに達せられることができる。

そのようなアナログ掛算器は、商業上安価に利用でき、
そのような回路配置は、より経済的に製作されることが
できる。その上、アナログ掛算器による増幅は、多くの
場合、該アナログ掛算器の下段にさらにアンプを接続す
る必要がないほど高い。

一実施例に於いては、レジスタがプロセッサに接続され
、又はプロセッサ中に集積される。上記レジスタに供給
される補正値は、出力に対するマルチプレクサの入力の
切換えと同時に発せられることができる。上記プロセッ
サはまた、上記マルチプレクサの切換えも制御すること
ができる。補正値は、上記マルチプレクサのそれぞれの
位置に従って上記レジスタに記録される。

それぞれの試験サンプルにより決定される試験のための
初期状態に、特許請求の範囲第１項乃至第５項に述べら
れた装置を調整するためのプロセスは、構造欠陥のない
試験サンプルで、上記補正アンプの初期値が、上記具な
った磁場デテクタのために確立され、且つ上記ｌｉ磁場
デテクタ対する割当てのもとに、上記補正アンプのため
に予め決定されることができる補正値として記録され、
その後予め決定された形及び大きさの試験欠陥を含む試
験サンプルで、上記掛算イコライザの初期値が、前のス
テージで確立された補正値の予め決定された値によって
確立され、且つ上記イコライザに予め接続されたレジス
タを介して上記磁場デテクタに対する割当てのもとに、
補正値として記録され、そして次に加算デバイスの初期
値が、構造欠陥を有さない試験サンプルで確立され、且
つ磁場デテクタに対する割当てのもとに、加算装置のた
めに予め決定されることができる補正値として記録され
るというような本発明に従って成る。試験サンプルの異
なったタイプ及び形のために、欠陥のない試験サンプル
及び予め決定された欠陥で提供された試験サンプルは、
それぞれの場合に、試験のための試験デバイスを調整す
るために必要である。特定の形及びタイプの試験サンプ
ルに割当てられた補正値が、決定され且つ記録された時
、それらは後の試験で、欠陥のない試験サンプル及び欠
陥で提供された試験サンプルによって再調整される試験
装置なしで再び使用されることができる。

［発明の実施例Ｊ以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。

第１図及び第２図はその構成を示すもので、強磁性体管
１の非破壊試験のためのデバイスは、該管１の長手方向
に他方の後に一方が配置されている磁石２．３の２つの
対の磁化システムを含んでいる。上記一対の磁石２は、
上記管に向けられた端が例えばＮ極である第１の磁極シ
ュー４と、上記管１に向けられた端が上記第１の磁極シ
ュー４のそれと反対である磁極を有している第２の磁極
シュー５を含む。上記磁極４，５は、同一の中心軸６に
沿って配置されている。上記一対の磁石３も同様に、２
つの磁極シュー７．８から成り、それによって上記磁極
シュー７は上記管１に向かったその前面にＮ極を持ち、
上記磁極シュー８は上記管１に隣接したその前面にＳ極
を持っている。

上記磁極シュー７．８もまた、共通の中心軸９に沿って
配置されている。上記一対の磁石２及び３が固定されて
いるのに対して、上記管１はその縦軸１０の方向に上記
磁極シュー４．５．７及び８の間を試験の間、動かされ
る。磁場は、上記磁極シュー４．５．７及び８によって
上記管１に注がれる。それぞれの場合に於いて、それら
の磁場の中心軸は、上記磁極シュー４，５又は７，８の
中心軸６及び９と一致する。上記中心軸６及び９は、１
８０゛と上記管１に注がれた磁場の数の商に相当する角
度でお互９）に向けられている。２つの磁場が上記管１
に注がれる故に、上記角度は９０゜である。磁場の力線
は、上記管の内部を走るが、よりＮ勢に上記管壁中を走
る。上記磁場は、上記管壁が磁気的に飽和されるはど強
い。

上記管壁中の亀裂、空洞又は穴によって、磁気抵抗が実
質上場される。磁場の一部は、上記亀裂。

空洞又は穴の上を走らないが、しかし管の外表面又は内
表面の外側のエア・ギャップの上は走る。

この磁場の一部が、磁場デテクタによって検出される。

従って、上記管表面の外側を吹付けるそのような磁場の
測定値は、上記管１の壁中の材料欠陥又は構造欠陥を表
わす。

上記管１に向けられた上記極シュー４，５又は７．８の
間には、上記管１の表面に沿って磁場デテクタの列１２
又は１３が配置されでいる。上記列１２．１３は、上記
管１の表面から少しの間隔が開けられている。第１図及
び第２図に於いて、上記列１２及び１３は゛、上記管１
の外壁に近接して配置されている。１ｉｌｌデテクタの
列はまた、上記管１の内部に、その内面に沿って伸びる
ように配置されることもできる。　　。

上記列１２及び１３は、軸１０の方向に伸び、それぞれ
の列１２又は１３の長さに対応する幅を有する上記管１
中の試験帯を検出する。上記列１２．１３は、上記対の
磁石２，３と同様に、固定して配置される。上記２つの
列１２及び２つの列１３は、それぞれの場合、１８０°
を磁極の数によって割った角度βをそれぞれ含む管１の
表面上の２つの帯を検出する。それぞれ個々の列１２゜
１３は、少なくとも４５゛のこの角度を含む。上配列１
２．１３はまた、角度βが４５°以上と成るような長さ
のものであることもできる。第１図及び第２図に示され
た上記列１２及び１３の大きさで、上記管１は、全周囲
を試験されることができる。

上記管１の全周ではなくて、例えば溶接された継目に対
応する周囲の一部を試験するならば、磁場デテクタの列
は、周囲の所望の区画の幅のみを有するだけで良い。こ
の場合には、ただ一対の磁石の使用で十分である。第１
図及び第２図に示された試Ｍ装置は、回路軽減に関して
導かれる。そのように、全周のみならず周囲の一区画の
みもまた試験されることができる。これは、より詳細に
以下に説明される。

ホール（Ｈａｌｌ　）ジェネレータが、パルス列が制′
ａ電流として供給されるように、ｉｌ磁場デテクタして
上記列１２．１３に提供される。ホール・ジェネレータ
の出力端は、さらに後述される評価回路上の時分割マル
チプレクサ内に配置される。

ホール・ジェネレータの上記時分割マルチプレクサによ
る間合わせは、上記制ｒｎｘ流のパルス列に同期される
。

上記列１２．１３のホール・ジェネレータ１４゜１５は
、上記管１の表面に対して変化する配列で配置されるこ
とができる。第４図及び第６図に於”いて、ホール・ジ
ェネレータ１４は、上記１！１の表面にそれらの広い側
面１６が整列されて示されている。ホール・ジェネレー
タの２つの位置１７゜１８は、お互いに上である。位置
１７．１８が欠陥試験のためにホール・ジェネレータ１
４によって使用されることは、試験の種類に依存する。

欠陥決定のための最も高い感度は、上記位置１７゜１８
に隣接したホール・ジェネレータの差動接続で生成され
る。

ホール・ジェネレータ１５は、第３図及び第５図に示さ
れた実施例に於いては、それらの広い側面１９が、を配
管１の対向する表面エレメントに対して垂直に配置され
ている。ホール・ジェネレータ１５は、２つの位！２０
．２１に於いて、他方の上に一方が配置される。欠陥試
験のためのそれぞれの位！２０，２１の使用は、第４図
に示された配置と同様に、欠陥の選択基準に依存される
。

第３図に従ったデザインは、お互いに次のホール・ジェ
ネレータ１５と密集したパッケージ化を許す。

従って、上記管１のｗ４造欠陥は、より良く検出される
ことができる。

上記磁極シュー４，５又は７，８に対する上記列１２．
１３中に配置されたホール・ジェネレータ１４又は１５
の間隔の変更の結果として、生成されるホール電圧が変
化する。第７図には、角度位置αに従って直列に配置さ
れたホール・ジェネレータのホール電圧ＵＮのカーブが
示されている。

それによって、２つの磁極４，５又は７，８の間の中心
が、角度０°に割当てられている。４５゜のマークが付
された位置に、上記磁極シュー４゜５又は７，８の上端
が配置される。それらの磁極シューの付近に、より大き
なホール電圧ＵＨが、０°位置よりは生ずる。ホール電
圧ＵＨは、放物線カーブを示す。■のマークの付された
カーブは、上記管１の縦軸１０が対の磁石４，５；７，
８の縦軸に中心に走る時、与えられる。偏心的にｖ７１
Ｊ！ｉ！えられた管のために、ホール電圧ＵＮは、異な
ったカーブを有する。カーブ■は、管１が第１図及び第
２図に示された位置からその縦軸１０の右に向かって置
換えられた位置で生成される。ホール電圧ＵＨのカーブ
■は、図示された位置の寿に位置する位置への上記管１
のば換えの門生ずる。

第８図に於いて、２つのホール・ジェネレータ２２．２
３が、それらの接続電極と共に示されてする。上記列１
２．１３は、配置タイプ１４゜１５のホール・ジェネレ
ータから形成される。上記位置１７，１８又は２０．．
２１の一方の対に隣接して形成する全てのホール・ジェ
ネレータ１４゜１５の接続の種類は、両方のホール・ジ
ェネレータ２２．２３のそれらに依存する。

制御電流の供給電極が、この場合、直列のホール・ジェ
ネレータ２２．２３に接続されている。

定電流ジェネレータ２４が、上記制ａ電流を上記供給電
極に供給する。ホール電圧を取去るための電極は、それ
ぞれの場合、アンプ２５．２６の入万端上の、この場合
、ホール・ジェネレータ２２゜２３を利用する。

上記定電流ジェネレータ２４は、１：１０のパルス・ポ
ーズ対パルス持続時間比を有する連続的なパルスを生成
する。

上記アンプ２５．２６の出力端は、マルチプレクサ２７
の入力端に接続されている。このマルチプレクサ２７に
は、他のホール・ジェネレータ１４又は１５によって給
電された、特に詳細に示されないアンプもまた接続され
ている。上記マルチプレクサ２７の出力端は、補正アン
プ２８の入力端に接続され、上記アンプ２５．２６によ
って、又は図示されない他のアンプによって発せられた
アナログ信号を、上記補正アンプ２８に移す。

１記補正アンプ２８は、差動アンプとして形成されてい
る。上記差動アンプ２８の第２の入力端は、アナログ・
ディジタル・コンバータ２９に接続されている。上記ア
ナログ・ディジタル・コンバータ２９のディジタル入力
端は、第１のレジスタ３０に接続されている。上記補正
アンプ２８の出力端は、他のレジスタ３２を介してそれ
ぞれの倍率が提供される掛算イコライザ３１に接続され
て′いる。アンプ３３が、上記イコライザ３１の出力端
に接続され、その下段にはアナログ・ディジタル・コン
バータ３４が接続されている。加算装置３５の第１の入
力端は、上記アナログ・ディジタル・コンバータ３４の
出力端に接続されており、第２の入力端はさらに別のレ
ジスタ３６に接続されている。上記加算装置３５の出力
端は、プロセッサ３７の入力端に接続されている。この
プロセッサ３７の出力端は、上記レジスタ３０．３２及
び３６の入力端に接続されている。上記プロセッサ３７
の出力端はまた、上記マルチプレクサ２７の制御入力端
に接続されている。

ホール・′ジェネレータのホール電圧ＵＨの第７図に示
された位置影響は、高い測定精度を達成す□ るために取除かれねばならない。上記プロセッサ３３は
、補正値がホール・ジェネレータ１４又は１５の異なっ
た位置のために含まれる、図示されないメモリを含む。

上記補正値は、上記管１の中心の配置と中心の位置の両
方に相関する。

上記管１の位置決めは、第７図に示されたようなホール
電圧カーブを記録することによって構造欠陥のために査
定される。このホール電圧カーブは、記録されるそれぞ
れのホール・ジェネレータ１４又は１５の位置のために
補正値を供給する。

対応するホール・ジェネレータを走査する前に、附随の
補正値が上記レジスタ３０に入れられる。

そして、上記補正アンプ２８に供給されたホール電圧が
、上記レジスタ３０からの補正値によって°補正される
。

それぞれの場合に他方の入力に対する上記マルチプレク
サ２７の出力を変更することによって、この入力端に接
続されたホール・ジェネレータに割当てられた補正値が
上記レジスタ３０に入れられる。

上記マルチプレクサ２７が常に、例えば１００と１００
０の間にある一定の増幅を持つ故に、レ　。

ベルの実質的な違いが、異なったホール・ジェネレータ
の場合に、マルチプレクサの出力端に生じ、欠陥を測定
することを減するために減ぜられねばならない。ｌｌ場
プ０−プの位置に依存する補正値が、上記アナログ・デ
ィジタル・コンバータ２９を介して、上記補正アンプ２
８に供給される。従って、全ての大きな指示：１４差及
び残余レベルは、磁場分布から補正されることができる
。

しかしながら、純粋に付加的な偏向値に加えで、倍数的
に増加する偏向値もまた、ホール・ジェネレータの断面
以上生ずる。それらは、ホール・ジェネレータの感度特
性が分散されることで生成され、且つ場の強さ分布を変
化させるために、指示誤差もまた変化する大きさのもの
であることで生成される。上記指示誤差は、放物線の様
子で端に向かって増す。これらの誤差の補正は、上記掛
算イコライザ３１を介して起こる。＠率は、上記レジス
タ３２中にプローブに依存して残る。この補正の後での
み、アナログ・ディジタル・コンバータ３４によりてデ
ィジタル化される前に、上記アンプ３３によって最終レ
ベルに増幅された信号である。より広い許容度限界が上
記処理段２８゜３１．３３，３４によって生成され、且
つ残余の許容度がさらに補強される故に、最終補正が加
算装置３５で起こる。補正値は、上記レジスタ３６中に
プローブに依存してストアされる。

これらのステージに於けるこの補正は、動的な理由から
起こる。必要とされる時間にアナログ・ディジタル・コ
ンバータが必要な高い分布を生成しない故に、干渉レベ
ルが実際の増幅の前に抑圧されるべきである。

上記掛算イコライザ３１は、アナログ掛算器であること
ができる。この場合、アナログ・ディジタル・コンバー
タが、上記レジスタ３２の下段に接続されるべきである
。そのようなアナログ掛算器がまた増幅橢能を働かす故
に、上記アンプ３３はしばしば不要にされる。そのディ
ジタル入力端が上記レジスタ３２に接続されたイコライ
ザ３１として、掛算アナログ・ディジタル・コンバータ
を使用することもまた可能である。第１図乃至第６図及
び第８図に示されたＩＩを、それぞれの試験サンプルに
よって決定される試験のための初期状態にすることがで
きるように、補正値が最初に測定される。

構造欠陥のない、従って欠陥のない試験サンプルで、上
記ディジタル・アナログ・コンバータ２９を介して最初
に予め決定されるアナログ補正値が先ず測定され、それ
ぞれのホール・ジェネレータに対する割当てのちとにス
トアされる。次に、前述の装置を通る試験サンプルの第
２の走行が、構造欠陥を持つ試験サンプルで起り、従っ
て欠陥で提供される。欠陥は、最初に、試験サンプルの
知られた形、大きさ及び位置を持つ。アナログ補正値が
、上記マルチプレクサ２７でそれぞれの場合に、選択さ
れたホール・ジェネレータに従って、上【；ｄ補正アン
プ２８に常に供給されるの故に、等しい形、大きさ及び
位置の欠陥の場合に、変化する指示誤差を無効にするよ
うに、レジスタを介して予め決定されねばならない選択
されたプ０−プに従って、倍率が生ずる。これらの倍率
は、それぞれのプローブに対するｖ１当てのちとに同様
にスト？される。欠陥のない試験サンプルでの第３の試
験サンプル走行は、例えば第１の走行で使用された試験
サンプルをフォローする。この走行の間、アナログ補正
値及び倍率は常に、それぞれ選択されたプローブに対す
る割当てのちとに落着かされ、上記補正アンプ２８又は
イコライザ３１に供給される。上゛記アナログ・ディジ
タル・コンバータ３４の出力端で上記第３の走行で測定
される量が、それぞれの選択されたホール・ジェネレー
タに対する割当てのちとにストアされる。測定されたこ
れらの量は、選択されたホール・ジェネレータの位置に
従って上記レジスタ３６を介して上記加算装＠３５に試
験の間供給される。

試験の間、上記プロセッサ３７は、上記補正アンプ２８
に上記マルチプレクサ２７を介して供給されたホール・
ジェネレータに従った補正値及び倍率を、予め設定され
たように制即する。

［発明の効果］以上詳述したように本発明によれば、ｖＩｉ場デテクタ
の出力信号の高変動にも拘らず、それぞれの磁場デテク
タの位置及び磁場デテクタのパラメータの分散と事実上
無関係の測定値の検出が可能なような、強磁性体の非破
壊試験装置をさらに発展させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は強磁性体の非破壊試験装置の斜視図、第２図Ｇ
よ第１図に示された配置の正面図、第３図は第１図に示
された磁場デテクタの列の詳細な正面図、第４図は上記
磁場デテクタの異なった配置を有する列の他の実施例の
正面図、第５図は第２図に示された列の断面図、第６図
は第３図に示された他の実施例の列の断面図、第７図は
連続的な位置に従った連続的なホール（Ｈａｌｌ　）ジ
ェネレータにより生成されたホール電圧のグラフ、第８
図は強磁性体の非破壊試験のための磁場デテクタ。に接続された装置、のブロック図である。２２．２３・・・磁場デテクタ、　２８−・・補正アン
プ、　３０・・・レジスタ、　３１・・・掛算イコライ
ザ、３２・・・レジスタ、　３４・・・アナログ・ディ
ジタル・コンバータ、　３５・・・加算装置、　３６・
・・レジスタ、　３７・・・プロセッサ。Ｆｉｇ：　１

Claims

【特許請求の範囲】

（１）長手方向に移動可能な強磁性体のそれぞれを磁化
することにより、少なくとも一つの静磁場が整列され且
つ構造欠陥が磁場経路の変化を引起こし、上記強磁性体
表面上に又は接近して据えて配置され、上記強磁性体の
周囲に沿って少なくとも１列に、且つそれらの変位の方
向に対して垂直に、磁場生成器の電極間に間隔を置いて
配置され、且つマルチプレクサの入力端に対する差動接
続の２つの電極によってそれぞれ接続され、磁場デテク
タの選択に従って補正値と共に上記マルチプレクサによ
って供給されることができる補正アンプがその出力端に
接続された磁場デテクタによって検出され、補正値によ
って、異なって磁場デテクタ上の磁場の一様でない大き
さのための影響が補正される、強磁性体の非破壊試験装
置に於いて、そのさらなる入力端又は複数のさらなる入
力端に、個々の磁場デテクタに対して割当てられた倍率
が供給されることができる掛算イコライザの入力端が上
記補正アンプに接続され、上記倍率で、上記磁場デテク
タの感度特性の分散のための指示誤差の影響及び上記磁
場の強さの変化が補正され、上記イコライザにより生成
された積が、その第２の入力端に個々の磁場デテクタに
対する割当てられた補正値が供給されることができる加
算装置の第１の入力端がその下段に接続されたアナログ
・ディジタル・コンバータに対する増幅の後、供給され
ることができ、それによって、上記加算装置に予め接続
された回路部分の許容度のための影響が、補正されるこ
とができることを特徴とする強磁性体の非破壊試験装置
。
（２）上記掛算イコライザは、アナログ・ディジタル・
コンバータを介して、倍率がストアされることができる
レジスタに接続されたアナログ掛算器であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の強磁性体の非破壊
試験装置。
（３）上記掛算イコライザは、掛算アナログ・ディジタ
ル・コンバータであり、そのディジタル入力端は、倍率
がストアされることができるレジスタに接続されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の強磁性
体の非破壊試験装置。
（４）上記加算装置の第２の入力端は、補正値がストア
されることができるレジスタに接続されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１
項に記載の強磁性体の非破壊試験装置。
（５）上記補正アンプは、アナログ・ディジタル・コン
バータ及び第１のレジスタを介してプロセッサに接続さ
れ、上記プロセッサはさらに複数のレジスタにも接続さ
れ、上記それぞれのレジスタに対する上記補正値及び倍
率の供給を制御することができることを特徴とする特許
請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか１項に記載の強
磁性体の非破壊試験装置。
（６）長手方向に移動可能な強磁性体のそれぞれを磁化
することにより、少なくとも一つの静磁場が整列され且
つ構造欠陥が磁場経路の変化を引起こし、上記強磁性体
表面上に又は接近して据えて配置され、上記強磁性体の
周囲に沿って少なくとも１列に、且つそれらの変位の方
向に対して垂直に、磁場生成器の電極間に間隔を置いて
配置され、且つマルチプレクサの入力端に対する差動接
続の２つの電極によってそれぞれ接続され、磁場デテク
タの選択に従って補正値と共に上記マルチプレクサによ
って供給されることができる補正アンプがその出力端に
接続された磁場デテクタによって検出され、補正値によ
って、異なった磁場デテクタ上の磁場の一様でない大き
さのための影響が補正される、強磁性体の非破壊試験装
置に於いて、そのさらなる入力端又は複数のさらなる入
力端に、個々の磁場デテクタに対して割当てられた倍率
が供給されることができる掛算イコライザの入力端が上
記補正アンプに接続され、上記倍率で、上記磁場デテク
タの感度特性の分散のための指示誤差の影響及び上記磁
場の強さの変化が補正され、上記イコライザにより生成
された積が、その第２の入力端に個々の磁場デテクタに
対する割当てられた補正値が供給されることができる加
算装置の第１の入力端がその下段に接続されたアナログ
・ディジタル・コンバータに対する増幅の後、供給され
ることができ、それによって、上記加算装置に予め接続
された回路部分の許容度のための影響が、補正されるこ
とができることを特徴とする強磁性体の非破壊試験装置
を、それぞれの試験サンプルによって決定される試験の
ための初期状態に、調整するための値を生成するための
プロセスで、構造欠陥を持たない試験サンプルで、上記
補正アンプの初期値が、異なった磁場デテクタのために
確立され、且つ上記磁場デテクタに対する割当てのもと
に、上記補正アンプのために予め決定されることができ
る補正値として記録され、次に、上記掛算イコライザの
初期値が、先のステージで確立された上記補正値の予め
決定された値によって予め設定された形及び大きさの試
験欠陥を含む試験サンプルで確立され、且つ上記イコラ
イザに予め接続されたレジスタに、上記磁場デテクタに
対する割当てのもとに、予め決定されることができる補
正値として記録され、そして次に、上記加算装置の初期
値が、構造欠陥を持たない試験サンプルで確立され、且
つ上記磁場デテクタに対する割当てのもとに、上記加算
装置のために予め決定されることができる補正値として
記録されることを特徴とする強磁性体の非破壊試験装置
の初期値の生成プロセス。
（７）上記掛算イコライザは、アナログ・ディジタル・
コンバータを介して、倍率がストアされることができる
レジスタに接続されたアナログ掛算器であることを特徴
とする特許請求の範囲第６項に記載の強磁性体の非破壊
試験装置の初期値生成プロセス。
（８）上記掛算イコライザは、掛算アナログ・ディジタ
ル・コンバータであり、そのディジタル入力端は、倍率
がストアされることができるレジスタに接続されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第６項に記載の強磁性
体の非破壊試験装置の初期値生成プロセス。
（９）上記加算装置の第２の入力端は、補正値がストア
されることができるレジスタに接続されていることを特
徴とする特許請求の範囲第６項乃至第８項のいずれか１
項に記載の強磁性体の非破壊試験装置の初期値生成プロ
セス。
（１０）上記補正アンプは、アナログ・ディジタル・コ
ンバータ及び第１のレジスタを介してプロセッサに接続
され、上記プロセッサはさらに複数のレジスタにも接続
され、上記それぞれのレジスタに対する上記補正値及び
倍率の供給を制御することができることを特徴とする特
許請求の範囲第６項乃至第９項のいずれか１項に記載の
強磁性体の非破壊試験装置の初期値生成プロセス。