JPS61154081A - 半導体圧力センサ製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサ製造方法Info
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- JPS61154081A JPS61154081A JP27956584A JP27956584A JPS61154081A JP S61154081 A JPS61154081 A JP S61154081A JP 27956584 A JP27956584 A JP 27956584A JP 27956584 A JP27956584 A JP 27956584A JP S61154081 A JPS61154081 A JP S61154081A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体圧力センサの製造方法に関し、とくに絶
対圧型半導体圧力センサをセラミック基板に真空封止す
る半導体圧力センサの製造方法に関するものである。
対圧型半導体圧力センサをセラミック基板に真空封止す
る半導体圧力センサの製造方法に関するものである。
従来、この種絶対圧型半導体圧カセｙすをセラミック基
板上に真空封止する半導体圧力センサ製造方法において
、半導体圧力センサをセラミック基板上に真空封止する
際、第２図ａ〜ｆに示す工程によシ、ダイヤフラム形成
とチップダイボンディングを行っていた。
板上に真空封止する半導体圧力センサ製造方法において
、半導体圧力センサをセラミック基板上に真空封止する
際、第２図ａ〜ｆに示す工程によシ、ダイヤフラム形成
とチップダイボンディングを行っていた。
たとえばＳｔ基板２２０両面にＣＶＤ法によｐｐｓＧ。
５ｌｓＮ４などを堆積し、パッシベーション！２１．２
３を形成する（第２図ａ）。
３を形成する（第２図ａ）。
次にＳｌ基板２２の表面をパターンと位置合せを行い、
Ｓ五基板四の裏面のパッシベーション膜羽ヲ写真食刻法
により所望の形状にパターンニングスを行う（第２図ｂ
）。
Ｓ五基板四の裏面のパッシベーション膜羽ヲ写真食刻法
により所望の形状にパターンニングスを行う（第２図ｂ
）。
次に所望の形状にパターンニングスを行ったパッシベー
ション膜ｎをマスクにし、８１基板ｎの裏面から異方性
エツチング部を行いダイヤフラムを形成する（第２図Ｃ
）。
ション膜ｎをマスクにし、８１基板ｎの裏面から異方性
エツチング部を行いダイヤフラムを形成する（第２図Ｃ
）。
次いでＳｌ基板２２の表面に形成したパッシベーション
膜に選択的にエツチングしてバット窓部を明け、チップ
分割を行う（第２図ｄ）。
膜に選択的にエツチングしてバット窓部を明け、チップ
分割を行う（第２図ｄ）。
別に用意したセラミック基板田土に、上記の工程で形成
したチップ形状に合わせてガラスγを塗布した基板を形
成する（第２図ｅ）。
したチップ形状に合わせてガラスγを塗布した基板を形
成する（第２図ｅ）。
最後に第２図ｄに示したチップと第２図ｅに示した基板
を位置合せし、真空中で加熱封着する（第２図ｆ）。
を位置合せし、真空中で加熱封着する（第２図ｆ）。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体圧力センサ製造方法では、上２ミック基板
上のガラスパターンとチップ形状の位置ずれが避けられ
ず、封着不良が起るという欠点があった。
上のガラスパターンとチップ形状の位置ずれが避けられ
ず、封着不良が起るという欠点があった。
本発明は従来の欠点を除去するため、チップと基板を封
着する接着剤として使用するガラスを、あらかじめチッ
プ側に塗布しておく工程と、接着剤のガラスをチップ形
状に合わせてパターンニングする工程と、チップ形状に
合わせてパターンニングした接着剤ガラスをエツチング
マスクとして、基板の異方性エツチングを行う工程を含
むことを特徴としている。
着する接着剤として使用するガラスを、あらかじめチッ
プ側に塗布しておく工程と、接着剤のガラスをチップ形
状に合わせてパターンニングする工程と、チップ形状に
合わせてパターンニングした接着剤ガラスをエツチング
マスクとして、基板の異方性エツチングを行う工程を含
むことを特徴としている。
本発明によると、チップ側に封着ガラスがあるためチッ
プ形状と封着ガラスの位置ずれはなく、セラミック基板
への封着ガラスの塗布パターンニングの工程が不用とな
る。以下図によシ説明する。
プ形状と封着ガラスの位置ずれはなく、セラミック基板
への封着ガラスの塗布パターンニングの工程が不用とな
る。以下図によシ説明する。
第１図Ｂ −、−ｆは本発明の製造方法の工程を説明す
る図である。
る図である。
８１基板２０表面に、ＣＶＤ法によりたとえばＰＳＧ。
８ｉｓＮ４などを堆積し、パッシベーション膜１を形成
する（第１図ａ）。
する（第１図ａ）。
次にＳｌ基板２の裏面に、たとえば沈降法、電気泳動法
、ドクタブレード法などの方法によシ粉末ガラスを均一
に塗布した後、焼成を行い均一な封着用ガラス膜３を形
成し全面コートする（第１図ｂ）。
、ドクタブレード法などの方法によシ粉末ガラスを均一
に塗布した後、焼成を行い均一な封着用ガラス膜３を形
成し全面コートする（第１図ｂ）。
次に８１基板２０表面のパターンを位置合せして、８１
基板２の裏面の封着用ガラス膜３を、たとえば公知の写
真食刻技術により所望の形状にパターンニング４を行う
。この際、Ｓｌ基板２の表面のパッジページ百ン膜１は
全面をエツチングから、たとえばフォトレジスト膜等に
よシ保護しておく（第１図Ｃ）。
基板２の裏面の封着用ガラス膜３を、たとえば公知の写
真食刻技術により所望の形状にパターンニング４を行う
。この際、Ｓｌ基板２の表面のパッジページ百ン膜１は
全面をエツチングから、たとえばフォトレジスト膜等に
よシ保護しておく（第１図Ｃ）。
所望形状となったＳｌ基板２の裏面の封着用ガラス膜３
をマスクにして、８１基板２の裏面から異方性エツチン
グ５を行い、ダイヤフラムを形成する（第１図ｄ）。
をマスクにして、８１基板２の裏面から異方性エツチン
グ５を行い、ダイヤフラムを形成する（第１図ｄ）。
次に８１基板２の裏面を全面、たとえばフォトレジスト
膜等によシ保護し、Ｓｌ基板２の表面のパッド部分の、
九とえばＰＳＧ、 ５ｉｓＮａなどで形成したパッシ
ベーション膜１を選択的にエツチングし、窓６を形成し
てウェハを完成する（第１図ｅ）。
膜等によシ保護し、Ｓｌ基板２の表面のパッド部分の、
九とえばＰＳＧ、 ５ｉｓＮａなどで形成したパッシ
ベーション膜１を選択的にエツチングし、窓６を形成し
てウェハを完成する（第１図ｅ）。
最後にウェハをチップ分割し、真空中で加熱してセラミ
ック基板７上に封着する（第１図ｆ）。
ック基板７上に封着する（第１図ｆ）。
なお封着用ガラスＭ３を形成する接着剤ガラスとして、
たとえばＰｂＯ−８ｆｏｇ系ガラスまたはＺｎ０−Ｉｌ
ｓＯａ系ガラスを適用する。
たとえばＰｂＯ−８ｆｏｇ系ガラスまたはＺｎ０−Ｉｌ
ｓＯａ系ガラスを適用する。
以上述べたように、本発明によるとチップ側に封着用の
ガラスが塗布されているから、チップ形状と封着用ガラ
スの位置ずれがおこらず、したがって封着不良は生じな
い。またセラミック基板への封着用ガラスの塗布パター
ンニングが不要であるから、製造工程が減る利点があシ
、半導体圧力センサの製造に適用して効果がある。
ガラスが塗布されているから、チップ形状と封着用ガラ
スの位置ずれがおこらず、したがって封着不良は生じな
い。またセラミック基板への封着用ガラスの塗布パター
ンニングが不要であるから、製造工程が減る利点があシ
、半導体圧力センサの製造に適用して効果がある。
第１図ａｗｆは本発明の製造工程を説明する図、第２図
ａ−ｆは従来の製造方法の各工程を説明する図である。 １，２１．２３・・・パッシベーション１９．２．２２
・・・シリコン基板、３・・・封着用ガラス膜、４．２
４・・・パターンニング、５．２５・・・異方性エツチ
ング、６．２６・・・窓、ｎ・・・ガラス、７．２８・
・・セラミック基板。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 玉 蟲 久 五 部 第 １ 図
ａ−ｆは従来の製造方法の各工程を説明する図である。 １，２１．２３・・・パッシベーション１９．２．２２
・・・シリコン基板、３・・・封着用ガラス膜、４．２
４・・・パターンニング、５．２５・・・異方性エツチ
ング、６．２６・・・窓、ｎ・・・ガラス、７．２８・
・・セラミック基板。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 玉 蟲 久 五 部 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶対圧型半導体圧力センサをセラミック基板に真空封
止する半導体圧力センサ製造方法において、シリコン基
板表面にＣＶＤ法によりパッシベーション膜を形成する
第１の工程、 前記シリコン基板裏面に粉末ガラスを均一に塗布した後
焼成し均一なガラス膜を形成する第２の工程、 前記シリコン基板表面をパターンと位置合せし、前記シ
リコン基板裏面のガラス膜を写真食刻法により所望の形
状にパターンニングする第３の工程、前記所望の形状に
パターンニングしたガラス膜をマスクにして前記シリコ
ン基板の裏面から異方性エッチングを行い、ダイヤフラ
ムを形成する第４の工程、 前記シリコン基板の裏面を全面保護し、前記シリコン基
板表面のパッド部分のパッシベーション膜を選択的にエ
ッチングし窓を形成しウェハを形成する第５の工程、 前記ウェハをチップ分割し、真空中で加熱してセラミッ
ク基板上に封着する第６の工程 からなる半導体圧力センサ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27956584A JPS61154081A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 半導体圧力センサ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27956584A JPS61154081A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 半導体圧力センサ製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61154081A true JPS61154081A (ja) | 1986-07-12 |
Family
ID=17612743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27956584A Pending JPS61154081A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 半導体圧力センサ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61154081A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018031797A (ja) * | 2017-11-15 | 2018-03-01 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー素子、物理量センサーおよび電子機器 |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP27956584A patent/JPS61154081A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018031797A (ja) * | 2017-11-15 | 2018-03-01 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー素子、物理量センサーおよび電子機器 |
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