JPS61153996A - 高周波電源を用いたネオンサインの明るさ改善方法 - Google Patents
高周波電源を用いたネオンサインの明るさ改善方法Info
- Publication number
- JPS61153996A JPS61153996A JP27333584A JP27333584A JPS61153996A JP S61153996 A JPS61153996 A JP S61153996A JP 27333584 A JP27333584 A JP 27333584A JP 27333584 A JP27333584 A JP 27333584A JP S61153996 A JPS61153996 A JP S61153996A
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- JP
- Japan
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- brightness
- transistor
- power source
- neon sign
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- Pending
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- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（＊業上の利用分野）
本発明は一周波゛区源を用い友ネオンサインの明るさ改
善方法に圓するものである。
善方法に圓するものである。
（開明が解大し１うとする問題点）
周知の１うに、ネオンサイン管にはネオンｆスｔ−封入
した赤色管と、水鯖入シアルゴンｆスを封入し、管壁に
１＆元体ｔ−ｍ付したものとがある。この中ネオンガス
封入のものｒｃ周囲温度に二って明るさがほとんど変ら
ないが、水篇入９アルゴンガス管ａ水鯖の蒸気圧が第２
図のａで示す工うに０℃付近から破通状悪を大きく低下
するので、点灯時の明るさが大きく変り、寒冷地に２い
てはネオンガス封入管以外の水銀入ル管は一般に冬期便
用が困離で、商用″電源では起動しないことがある。
した赤色管と、水鯖入シアルゴンｆスを封入し、管壁に
１＆元体ｔ−ｍ付したものとがある。この中ネオンガス
封入のものｒｃ周囲温度に二って明るさがほとんど変ら
ないが、水篇入９アルゴンガス管ａ水鯖の蒸気圧が第２
図のａで示す工うに０℃付近から破通状悪を大きく低下
するので、点灯時の明るさが大きく変り、寒冷地に２い
てはネオンガス封入管以外の水銀入ル管は一般に冬期便
用が困離で、商用″電源では起動しないことがある。
これを改督する友めに、先に′１源として尚周波［源を
用いればＬいことを開発した。ところがその場合、起動
点灯は商用電源工り容易で安定であるが、温度低下とと
もに、明るさは水鯖蒸気の蒸気圧低下に↓９商用′４源
と同様に低下する。
用いればＬいことを開発した。ところがその場合、起動
点灯は商用電源工り容易で安定であるが、温度低下とと
もに、明るさは水鯖蒸気の蒸気圧低下に↓９商用′４源
と同様に低下する。
本発明はこの問題点を解消するためになされ友ものであ
る。
る。
（問題点を解決する丸めの手段）
即ち、本発明は、高周波発振器の発振出力と強就を温度
に逆比例して変化させれば、明るさの低下は補うことが
できることに看目し、負特性又は正特性サーミスタを発
振回路の一部に組込んで温度低下に伴うサーミスタの抵
抗値変化金利用してｔ発電出力を強くして、ネオン管の
明るさｔ目ｍ匍」御するものである。
に逆比例して変化させれば、明るさの低下は補うことが
できることに看目し、負特性又は正特性サーミスタを発
振回路の一部に組込んで温度低下に伴うサーミスタの抵
抗値変化金利用してｔ発電出力を強くして、ネオン管の
明るさｔ目ｍ匍」御するものである。
例えば通常の正弦波または矩形波発信器においては、ト
ランジスタ発振器のペースに帰還する高周波′−圧を次
は直流電圧を変化させて発振強度を変えることができる
が、この回路に負％性又は正特性サーミスタを加えて、
周囲温度変化によるサーミスタ抵抗の変化を利用して、
温度低下に逆比例する工うに発振強ｘｔ’叢化させて、
ネオン管の明るさｔ自励制御する方法である。
ランジスタ発振器のペースに帰還する高周波′−圧を次
は直流電圧を変化させて発振強度を変えることができる
が、この回路に負％性又は正特性サーミスタを加えて、
周囲温度変化によるサーミスタ抵抗の変化を利用して、
温度低下に逆比例する工うに発振強ｘｔ’叢化させて、
ネオン管の明るさｔ自励制御する方法である。
この場合負特性又は正特性サーミスタの抵抗変化を直線
的に発儀強度変化に対応させる場合と、％に氷点下にお
いて自動制御するように限定する方法も併用できる。
的に発儀強度変化に対応させる場合と、％に氷点下にお
いて自動制御するように限定する方法も併用できる。
また、高周波電源にブロッキング発振器のごときノぞル
ス波形を利用するときは１発振器ぞルス巾を変えないで
、繰返し周期を変えて出力制御することが有効であるの
で、負特性又は正特性サーミス□りの抵抗変化によりブ
ロッキング時定数を変えて、出力の自動制御をする方法
が有効である。
ス波形を利用するときは１発振器ぞルス巾を変えないで
、繰返し周期を変えて出力制御することが有効であるの
で、負特性又は正特性サーミス□りの抵抗変化によりブ
ロッキング時定数を変えて、出力の自動制御をする方法
が有効である。
（実施例）
以下本発明の実施例を図面に基づき説明すれば次の通シ
である。
である。
第１図は本発明の一実施例を示すもので、トランジスタ
高周波発振器を使用した場合を示すものである。即ち１
発振回路は発振トランスＴＩと発振トランジスタＱ１で
構成され１発振周波数は発振トランスＴ１の一次コイル
Ｌ１とコンデンサＣＩで大体定まり、発振強度は可変抵
抗ＲＩＯ調整によって変えられる。
高周波発振器を使用した場合を示すものである。即ち１
発振回路は発振トランスＴＩと発振トランジスタＱ１で
構成され１発振周波数は発振トランスＴ１の一次コイル
Ｌ１とコンデンサＣＩで大体定まり、発振強度は可変抵
抗ＲＩＯ調整によって変えられる。
温度変化に対応する素子は負特性サーミスタ得で、温度
が氷点下になう九時に、負特性サーミスタＲＴの抵抗が
第２図におｉ″ｃｂで示す工うに上昇する九め、発振強
度が上プ、ネオン管ＮＴｏｔ流の恩赦な下降を補うふう
にしである。
が氷点下になう九時に、負特性サーミスタＲＴの抵抗が
第２図におｉ″ｃｂで示す工うに上昇する九め、発振強
度が上プ、ネオン管ＮＴｏｔ流の恩赦な下降を補うふう
にしである。
すなわち負特性サーミスタＲ，の抵抗上昇で可変抵抗島
に加わる直流電位が上り、発振トランジスタｑのペース
電位も上って、発振トランジスタＱ１の電流が増加して
発振強度を増す。
に加わる直流電位が上り、発振トランジスタｑのペース
電位も上って、発振トランジスタＱ１の電流が増加して
発振強度を増す。
表か正特性サーミスタを使用する時は％性反転回路金設
ければＬい、 第３図はブロッキング発振器を用い次場合の実施例を示
すもので、Ｔ３はブロッキングトランス、Ｑ雪１はツロ
ッキングトランジスタ、ＲＩＴは負特性サーミスタ、Ｑ
ａ麿は反転用トランジスタである。
ければＬい、 第３図はブロッキング発振器を用い次場合の実施例を示
すもので、Ｔ３はブロッキングトランス、Ｑ雪１はツロ
ッキングトランジスタ、ＲＩＴは負特性サーミスタ、Ｑ
ａ麿は反転用トランジスタである。
このプｐツΦング発−回路はブロッキング発振で、＝ン
デンサＣａｔに負の電荷が露ま９、抵抗島１で放電する
のが通常であるが、氷点下で負特性サーミスタＢＴの抵
抗値が上ると、トランジスタ発振器のベース電位が上シ
、トランジスタＱｕの内部抵抗が減少する几め、コンデ
ンサＣａｔの放電が早められてブロッキング周波数が上
り、ネオン管ＮＴに入る電力が増加する。
デンサＣａｔに負の電荷が露ま９、抵抗島１で放電する
のが通常であるが、氷点下で負特性サーミスタＢＴの抵
抗値が上ると、トランジスタ発振器のベース電位が上シ
、トランジスタＱｕの内部抵抗が減少する几め、コンデ
ンサＣａｔの放電が早められてブロッキング周波数が上
り、ネオン管ＮＴに入る電力が増加する。
トランジスタＱｘｓは、負特性サーミスタＢＪＴｔ−使
用し次場合の低温時のブロッキング周波上昇用に用いた
ものであるが、サーミスタとして正特性サーミスタを用
いる場合は、氷点下ではサーミスタの抵抗値が下るので
、このトランジスタＱｓｘは不要となる。
用し次場合の低温時のブロッキング周波上昇用に用いた
ものであるが、サーミスタとして正特性サーミスタを用
いる場合は、氷点下ではサーミスタの抵抗値が下るので
、このトランジスタＱｓｘは不要となる。
（発明の効果）
以上のふうに本発明に工れば省′−力の高周波電源を便
り九ネオンナイン装置を鎌冷地にも使用可 。
り九ネオンナイン装置を鎌冷地にも使用可 。
能となυ実用上その工業的価甑は大である。
第１図は本発明拠施例の回路図、第２図は水−〇温度蒸
気圧特性及び負特性サーミスタの温度抵抗特性を示す図
である。 ＮＴ・・・ネオン管、Ｑｌ・・・発振トランジスタ、Ｔ
Ｉ・・・発振トランス、ＣＩ及びＣ雪・・・コンデンサ
、為及び几２・・・可変抵抗、斯・・・負特性サーミス
タ。 第 １ 図 第 ２ 図 −Ｑ −１６−ｊｓ −ＴＯＤｔ １６ ３６
１０ ＃’Ｃフ＞＊、Ｓ７ｇ−ｃ’ｃ） 第 ３ 図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５９年特 許 ＩＩＩ第２７６６５５ 号λ発明
の名称 高周波電源を用いたネオンサインの明るさ改善方法３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 １１畜 東京都新宿区下宮比町１５番地氏 名（名
称） 株式会社 ソファード４、代理人 ７、補正の対象 ０ ＆補正の内容 「示す図、８ｇ６図は本発明の異なる実施例の回路１図
である。」と補正致します。
気圧特性及び負特性サーミスタの温度抵抗特性を示す図
である。 ＮＴ・・・ネオン管、Ｑｌ・・・発振トランジスタ、Ｔ
Ｉ・・・発振トランス、ＣＩ及びＣ雪・・・コンデンサ
、為及び几２・・・可変抵抗、斯・・・負特性サーミス
タ。 第 １ 図 第 ２ 図 −Ｑ −１６−ｊｓ −ＴＯＤｔ １６ ３６
１０ ＃’Ｃフ＞＊、Ｓ７ｇ−ｃ’ｃ） 第 ３ 図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５９年特 許 ＩＩＩ第２７６６５５ 号λ発明
の名称 高周波電源を用いたネオンサインの明るさ改善方法３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 １１畜 東京都新宿区下宮比町１５番地氏 名（名
称） 株式会社 ソファード４、代理人 ７、補正の対象 ０ ＆補正の内容 「示す図、８ｇ６図は本発明の異なる実施例の回路１図
である。」と補正致します。
Claims (2)
- （１）トランジスタ高周波発振器を電源とするネオンサ
イン装置において、前記トランジスタ高周波発振器にお
ける発振回路用トランジスタのベースに、負特性又正特
性はサーミスタを介して帰還高周波電圧または帰還直流
電圧を印加するよりに構成したことを特徴とする高周波
電源を用いたネオンサインの明るさ改善方法。 - （２）トランジスタ高周波発振器を電源とするネオンサ
イン装置において、前記トランジスタ高周波発振器にお
ける発振回路用トランジスタのベースに、可変ブロッキ
ング時定数回路と負特性又は正特性サーミスタを介して
帰還高周波電圧または帰還直流電圧を印加するように構
成したことを特徴とする高周波電源を用いたネオンサイ
ンの明るさ改善方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27333584A JPS61153996A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 高周波電源を用いたネオンサインの明るさ改善方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27333584A JPS61153996A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 高周波電源を用いたネオンサインの明るさ改善方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61153996A true JPS61153996A (ja) | 1986-07-12 |
Family
ID=17526452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27333584A Pending JPS61153996A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 高周波電源を用いたネオンサインの明るさ改善方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61153996A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63194500U (ja) * | 1987-06-02 | 1988-12-14 | ||
| JPS63196598U (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-19 |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP27333584A patent/JPS61153996A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63194500U (ja) * | 1987-06-02 | 1988-12-14 | ||
| JPS63196598U (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-19 |
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