JPS61147535A - 回転乾燥方法および装置 - Google Patents
回転乾燥方法および装置Info
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- JPS61147535A JPS61147535A JP27006184A JP27006184A JPS61147535A JP S61147535 A JPS61147535 A JP S61147535A JP 27006184 A JP27006184 A JP 27006184A JP 27006184 A JP27006184 A JP 27006184A JP S61147535 A JPS61147535 A JP S61147535A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はウェーハを回転させて乾燥する回転乾燥方法お
よび装置に関する。
よび装置に関する。
（発明の技術的背景とその問題点〕
一般に、半導体装置の製造工程において半導体ウェーハ
の乾燥を行うために、ウェーハを高速回転させて乾燥さ
せる回転乾燥装置が用いられる。
の乾燥を行うために、ウェーハを高速回転させて乾燥さ
せる回転乾燥装置が用いられる。
そして乾燥の効果を更に向上させるために高圧エアをウ
ェーハに吹付けることが行われている。
ェーハに吹付けることが行われている。
しかしながら高速回転しているウェーハに高圧エアを吹
付けると静電気が発生し、ウェーハ上に形成されたＭＯ
８型トランジスタ、ダイオード、入力保護抵抗器等がそ
れらの耐電圧を超えて破壊されることが起きる。この静
電破壊現象を第２図および第３図に示すＭＯ８集積回路
の場合について説明する。第２図に示す入力保護抵抗Ｒ
は第３図に示すＰ！１ｉｉｉ！９に対応する。いま第２
図の入力保護抵抗Ｒすなわち第３図のＰ領域９に＋（プ
ラス）の電位が印加された場合、順方向のバイアスとな
り電流が流れやすくなる。逆に−（マイナス）の電位が
印加された場合、第２図の入力保護抵抗Ｒすなわち第３
図のＰｖ４域９のジャンクション耐圧を超える電圧にな
るとジャンクション破壊が生じる。通常２００〜６００
Ｖの電圧でジャンクション破壊が起きる。
付けると静電気が発生し、ウェーハ上に形成されたＭＯ
８型トランジスタ、ダイオード、入力保護抵抗器等がそ
れらの耐電圧を超えて破壊されることが起きる。この静
電破壊現象を第２図および第３図に示すＭＯ８集積回路
の場合について説明する。第２図に示す入力保護抵抗Ｒ
は第３図に示すＰ！１ｉｉｉ！９に対応する。いま第２
図の入力保護抵抗Ｒすなわち第３図のＰ領域９に＋（プ
ラス）の電位が印加された場合、順方向のバイアスとな
り電流が流れやすくなる。逆に−（マイナス）の電位が
印加された場合、第２図の入力保護抵抗Ｒすなわち第３
図のＰｖ４域９のジャンクション耐圧を超える電圧にな
るとジャンクション破壊が生じる。通常２００〜６００
Ｖの電圧でジャンクション破壊が起きる。
〔１発明の目的〕
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、静電気が
発生して、ウェーハ上に形成された素子が破壊しないよ
うにした回転乾燥方法および装置を提供することを目的
とする。
発生して、ウェーハ上に形成された素子が破壊しないよ
うにした回転乾燥方法および装置を提供することを目的
とする。
上記目的を達成するために本発明による回転乾燥方法は
、ウェーハを回転させながら、コロナ放電されたエアを
前記ウェーハに吹付けて、前記ウェーハを乾燥すること
を特徴とする。
、ウェーハを回転させながら、コロナ放電されたエアを
前記ウェーハに吹付けて、前記ウェーハを乾燥すること
を特徴とする。
また、本発明による回転乾燥装置はウェーハを保持し回
転させる回転ステージと、エアをコロナ放電させるコロ
ナ放電電極と、このコロナ放電電極によりコロナ放電さ
れたエアをウェーハに吹付けるエア吹付ノズルとを備え
、ウェーハを回転させて乾燥覆ることを特徴とする。
転させる回転ステージと、エアをコロナ放電させるコロ
ナ放電電極と、このコロナ放電電極によりコロナ放電さ
れたエアをウェーハに吹付けるエア吹付ノズルとを備え
、ウェーハを回転させて乾燥覆ることを特徴とする。
これによりウェーハに発生した静電気を中和し、ウェー
ハ上に形成された素子の静電破壊を防止するものである
。
ハ上に形成された素子の静電破壊を防止するものである
。
本発明の一実施例による回転乾燥装置を第１図に示す。
ウェーハ５は回転ステージ４上に置かれている。回転ス
テージ４の内部には真空吸着用管７が通っていて、この
真空吸着用管７は図示されていない真空ポンプにつなが
っている。また回転ステージ４のシャフトと直流モータ
２のシャフトとは連結器３によって連結されている。ウ
ェーハ５の上方には首を左右に振ることのできるエア吹
付ノズル６が取付けられていて、このエア吹付ノズル６
内にはコロナ放電用高圧電極８が設けられている。容器
１はその中にウェーハ５と回転ステージ４とエア吹付ノ
ズル６のノズル口部分とを収容している。
テージ４の内部には真空吸着用管７が通っていて、この
真空吸着用管７は図示されていない真空ポンプにつなが
っている。また回転ステージ４のシャフトと直流モータ
２のシャフトとは連結器３によって連結されている。ウ
ェーハ５の上方には首を左右に振ることのできるエア吹
付ノズル６が取付けられていて、このエア吹付ノズル６
内にはコロナ放電用高圧電極８が設けられている。容器
１はその中にウェーハ５と回転ステージ４とエア吹付ノ
ズル６のノズル口部分とを収容している。
次に動作を説明する。回転ステージ４上に置かれたウェ
ーハ５は、真空吸着用管７内の空気が真空ポンプにより
抜かれることによって回転ステージ４の高速回転によっ
てもはね飛ばされないように保持される。直流モータ２
は連結器３を介して回転ステージ４を高速回転させる。
ーハ５は、真空吸着用管７内の空気が真空ポンプにより
抜かれることによって回転ステージ４の高速回転によっ
てもはね飛ばされないように保持される。直流モータ２
は連結器３を介して回転ステージ４を高速回転させる。
こうしてウェーハ５を高速回転させることによりウェー
ハ５を乾燥させる。他方、エアはコ日す放電用高圧電極
８によりコロナ放電されて、エア中の０２は０３に変わ
る。コロナ放電されたエアは、左右に首を振っているエ
ア吹付ノズル６を通って、高速回転しているウェーハ５
に高圧で吹付けられ、ウェーハ５の乾燥の効果を更に高
める。このとぎ、容器１内はコロナ放電されたエアによ
って満たされ、発生した静電気を中和する。
ハ５を乾燥させる。他方、エアはコ日す放電用高圧電極
８によりコロナ放電されて、エア中の０２は０３に変わ
る。コロナ放電されたエアは、左右に首を振っているエ
ア吹付ノズル６を通って、高速回転しているウェーハ５
に高圧で吹付けられ、ウェーハ５の乾燥の効果を更に高
める。このとぎ、容器１内はコロナ放電されたエアによ
って満たされ、発生した静電気を中和する。
こうして高速回転しているウェーハ５にエアを高圧で吹
付けるにもかかわらず、そのエアをコロナ放電し、エア
中のＯを０３に変えることによつて、静電気の発生が防
止される。
付けるにもかかわらず、そのエアをコロナ放電し、エア
中のＯを０３に変えることによつて、静電気の発生が防
止される。
回転ステージ５の回転数５００〜４０００ ｒｐｍおよ
びエア圧力２〜８８ｙ／ａｉｒの条件のトで本実施例に
よる回転乾燥装置を使用したところ、従来の回転乾燥装
置によって静電破壊された素子の割合が３〜２０％であ
ったのに対して、０〜１％と大幅に減少した。
びエア圧力２〜８８ｙ／ａｉｒの条件のトで本実施例に
よる回転乾燥装置を使用したところ、従来の回転乾燥装
置によって静電破壊された素子の割合が３〜２０％であ
ったのに対して、０〜１％と大幅に減少した。
以上の通り、本発明によれば、ウェーハを回転乾燥させ
ると共に、静電気の発生を防ぐことによってウェーハ上
に形成された素子の破壊を防止することができる。
ると共に、静電気の発生を防ぐことによってウェーハ上
に形成された素子の破壊を防止することができる。
第１図は本発明の一実施例による回転乾燥装置を示す図
、第２図、第３図はＭＯ８集積回路における静電破壊を
説明するための図である。 １・・・容器、２・・・直流モータ、３・・・連結器、
４・・・回転ステージ、５・・・ウェーハ、６・・・エ
ア吹付ノズル、７・・・真空吸着用管、８・・・コロナ
放電装置、９・・・Ｐ領域、１０・・・入力ビン。
、第２図、第３図はＭＯ８集積回路における静電破壊を
説明するための図である。 １・・・容器、２・・・直流モータ、３・・・連結器、
４・・・回転ステージ、５・・・ウェーハ、６・・・エ
ア吹付ノズル、７・・・真空吸着用管、８・・・コロナ
放電装置、９・・・Ｐ領域、１０・・・入力ビン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェーハを回転させながら、コロナ放電されたエア
を前記ウェーハに吹付けて、前記ウェーハを乾燥するこ
とを特徴とする回転乾燥方法。 ２、ウェーハを保持しかつ回転させる回転ステージと、
エアをコロナ放電させるコロナ放電電極と、前記コロナ
放電電極によりコロナ放電されたエアを前記ウェーハに
吹付けるエア吹付ノズルとを備え、ウェーハを回転させ
て乾燥することを特徴とする回転乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27006184A JPS61147535A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 回転乾燥方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27006184A JPS61147535A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 回転乾燥方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61147535A true JPS61147535A (ja) | 1986-07-05 |
Family
ID=17480972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27006184A Pending JPS61147535A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 回転乾燥方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61147535A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0346617A2 (en) * | 1988-06-15 | 1989-12-20 | International Business Machines Corporation | Formation of metallic interconnects by grit blasting |
| JPH0220329U (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-09 | ||
| US5170245A (en) * | 1988-06-15 | 1992-12-08 | International Business Machines Corp. | Semiconductor device having metallic interconnects formed by grit blasting |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP27006184A patent/JPS61147535A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0346617A2 (en) * | 1988-06-15 | 1989-12-20 | International Business Machines Corporation | Formation of metallic interconnects by grit blasting |
| US5170245A (en) * | 1988-06-15 | 1992-12-08 | International Business Machines Corp. | Semiconductor device having metallic interconnects formed by grit blasting |
| JPH0220329U (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-09 |
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