JPS61147524A - 電子ビ−ム露光装置のブランキング回路 - Google Patents
電子ビ−ム露光装置のブランキング回路Info
- Publication number
- JPS61147524A JPS61147524A JP26838684A JP26838684A JPS61147524A JP S61147524 A JPS61147524 A JP S61147524A JP 26838684 A JP26838684 A JP 26838684A JP 26838684 A JP26838684 A JP 26838684A JP S61147524 A JPS61147524 A JP S61147524A
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- JP
- Japan
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- output
- electron beam
- amplifier
- blanking
- integrator
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 14
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子ビーム露光装置のブランキング回路に関
する。
する。
従来、電子ビーム露光装置の電子ビームのオンオフ制御
はブランキング電極対に電圧を加えて行なう。電子ビー
ムオンの場合はブランキング電極対には零電位が印加さ
れる。電子ビームオフの場合はブランキング電ｉの一方
に＋の電位を、ブランキング電極の他方には−の電位を
印加する。ブランキング電極の各々に印加する増幅器は
そわぞれ、０から十電位、０から一逼位のダイナミック
レンジのものでよい。しかし一般に増幅器は士電位を増
幅する。そのためブランキング電極を駆動するのにこの
増幅器のダイナミックレンジの半分しか利用していない
。ブランキング電圧の制御は一般に高速で動作する。一
方高速の増幅器の出力のダイナミックレンジは一般に小
さく、さらに半分のダイナミックレンジしか利用できな
いため高速の増幅器でブランキング電圧が制限されてい
た。
はブランキング電極対に電圧を加えて行なう。電子ビー
ムオンの場合はブランキング電極対には零電位が印加さ
れる。電子ビームオフの場合はブランキング電ｉの一方
に＋の電位を、ブランキング電極の他方には−の電位を
印加する。ブランキング電極の各々に印加する増幅器は
そわぞれ、０から十電位、０から一逼位のダイナミック
レンジのものでよい。しかし一般に増幅器は士電位を増
幅する。そのためブランキング電極を駆動するのにこの
増幅器のダイナミックレンジの半分しか利用していない
。ブランキング電圧の制御は一般に高速で動作する。一
方高速の増幅器の出力のダイナミックレンジは一般に小
さく、さらに半分のダイナミックレンジしか利用できな
いため高速の増幅器でブランキング電圧が制限されてい
た。
本発明の目的は、ブランキング電極を駆動する増幅器の
ダイナミックレンジを有効に利用できるブランキング回
路に関する。
ダイナミックレンジを有効に利用できるブランキング回
路に関する。
本発明は、ブランキング電極対を駆動する二つの増幅器
のそれぞれの電源を７０−ティングにし、増幅器の出力
の最大値、他方の増幅器の出力の最小値を検出し、検出
した最大値、最小値を接地レベルになるよう電源を制御
し、ブランキング電極を駆動する増幅器の出力ダイナミ
ックレンジを有効に利用する。
のそれぞれの電源を７０−ティングにし、増幅器の出力
の最大値、他方の増幅器の出力の最小値を検出し、検出
した最大値、最小値を接地レベルになるよう電源を制御
し、ブランキング電極を駆動する増幅器の出力ダイナミ
ックレンジを有効に利用する。
〔発明の効果〕
本発明によれば上記処置によシ増幅器の出力の全ダイナ
ミックレンジをブランキング・電極に印加できるように
なり高速の増幅器が利用できる。
ミックレンジをブランキング・電極に印加できるように
なり高速の増幅器が利用できる。
第１図に本発明によるブランキング回路の一実施例の構
成を示す。デジタル入力２０はフォトカプラのＬＥＤ
１．２を駆動させる。フォトカプラの出力３，４はデジ
タル人力２０のグランドとアイソレーションされる。
成を示す。デジタル入力２０はフォトカプラのＬＥＤ
１．２を駆動させる。フォトカプラの出力３，４はデジ
タル人力２０のグランドとアイソレーションされる。
フォトカプラー出力３は正位相増幅器５で増幅され、最
小値検出器（ＭＩＮ）６によシ最小値を検出する。ＭＩ
Ｎ ６の出力はコノパレータ７で零と比較される。コン
パレータ７の出力は積分器８に入力される。たとえばＭ
ＩＮ６の出力が零より小さい場合、コンパレータ７の出
力は（−）Ｋなシ、積分器８は（＋）となシ、積分器８
の出力に接続されたフローティング電源９は全体が上昇
し、ＭＩＮ６の出力が零になるまでつづく。この時の正
位相増幅器５の出力は第２図の様に最小値が零になる。
小値検出器（ＭＩＮ）６によシ最小値を検出する。ＭＩ
Ｎ ６の出力はコノパレータ７で零と比較される。コン
パレータ７の出力は積分器８に入力される。たとえばＭ
ＩＮ６の出力が零より小さい場合、コンパレータ７の出
力は（−）Ｋなシ、積分器８は（＋）となシ、積分器８
の出力に接続されたフローティング電源９は全体が上昇
し、ＭＩＮ６の出力が零になるまでつづく。この時の正
位相増幅器５の出力は第２図の様に最小値が零になる。
又、逆位相増幅３１０はフォトカプラ出力４を増幅し、
最大値検出６ （ＭＡＸ） １１によシ最大値ｔ−検出
する。ＭＡＸｌｌの出力はコンパレータ１２で零ト比較
すれる。コンパレータ１２の出力は積分器１３Ｖｃ入力
される。ＭＡＸｌｌの出力が（＋）ならばコノパレータ
１２の出力は（＋）積分器１３の出力は（−）となり積
分器１３に接続されたフローティング電源１４は全体が
減少し、ＭＡＸＩＩが零になるまで減少する。
最大値検出６ （ＭＡＸ） １１によシ最大値ｔ−検出
する。ＭＡＸｌｌの出力はコンパレータ１２で零ト比較
すれる。コンパレータ１２の出力は積分器１３Ｖｃ入力
される。ＭＡＸｌｌの出力が（＋）ならばコノパレータ
１２の出力は（＋）積分器１３の出力は（−）となり積
分器１３に接続されたフローティング電源１４は全体が
減少し、ＭＡＸＩＩが零になるまで減少する。
この時の逆位相増幅器１０は第２図の様に最大値が零に
なる。
なる。
正位相増幅器５、逆位相増幅器１０に接続されたブラン
キング電極１５は電子ビーム１６を偏向し、アパーチャ
ー１７ＶＣ電子ビーム１６を通すか、通さないかを制御
する。
キング電極１５は電子ビーム１６を偏向し、アパーチャ
ー１７ＶＣ電子ビーム１６を通すか、通さないかを制御
する。
正、逆位相増幅ｉ ５ 、１０の出力が共に零の場合、
電子ビーム１６はアパーチャー１７を通る。又、正逆位
相増幅！ ５ 、１０の出力が零でない場合、電子ビー
ム１６は第１図の点線のように偏向され、アパーチャー
１７で阻止される。
電子ビーム１６はアパーチャー１７を通る。又、正逆位
相増幅！ ５ 、１０の出力が零でない場合、電子ビー
ム１６は第１図の点線のように偏向され、アパーチャー
１７で阻止される。
第１図に示した回路は、イオンビームのブランキングに
も使用することができる。
も使用することができる。
第１図は本発明によるブランキング回路の一実施例を示
す構成図、第２図は第１図の回路のタイミングチャート
図である。 １．２・・・フォトカプラーのＬＥＤ。 ３．４・・・フォトカプラーの出力、 ５・・・正位相増幅器、 １０・・逆位相増幅器、 ６・・・最小値検出器、 １１・・・最大値検出器、 ７．１３・・・コンパレータ、 ８．１２・・・積分器、 ９．１４・・・フローティング電源、 １５・・ブランキング電極、 １６・・電子ビーム、 １７・・アパーチャ。
す構成図、第２図は第１図の回路のタイミングチャート
図である。 １．２・・・フォトカプラーのＬＥＤ。 ３．４・・・フォトカプラーの出力、 ５・・・正位相増幅器、 １０・・逆位相増幅器、 ６・・・最小値検出器、 １１・・・最大値検出器、 ７．１３・・・コンパレータ、 ８．１２・・・積分器、 ９．１４・・・フローティング電源、 １５・・ブランキング電極、 １６・・電子ビーム、 １７・・アパーチャ。
Claims (1)
- 電子ビーム露光装置における電子ビームのオン、オフを
制御するブランキング回路に於いて、デジタル入力を電
気的にアイツレーシヨンする手段と、アイツレーシヨン
されたデジタル入力を正位相で増幅する手段と、その出
力をブランキング電極対の一方に供給する手段と、上記
デジタル入力を逆位相で増幅する手段と、その逆位相出
力をブランキング電極対の他方に供給する手段と、前記
正及び逆相で増幅する手段の電源を各々フローティング
する手段と、前記正位相で増幅された出力の最小値を検
出する手段と、検出された最小値を接地レベルと比較す
る手段と、比較された出力を零にするように前記フロー
ティング電源を制御する手段と、逆位相で増幅された出
力の最大値を検出する手段と、検出された最大値を接地
レベルと比較する手段と、比較された出力を零にするよ
うに前記フローティング電源を制御する手段とを備えた
ことを特徴とする電子ビーム露光装置のブランキング回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26838684A JPS61147524A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 電子ビ−ム露光装置のブランキング回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26838684A JPS61147524A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 電子ビ−ム露光装置のブランキング回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61147524A true JPS61147524A (ja) | 1986-07-05 |
Family
ID=17457758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26838684A Pending JPS61147524A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | 電子ビ−ム露光装置のブランキング回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61147524A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009038706A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ブランキング回路 |
| JP2009038705A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ブランキング回路 |
| EP2360712A3 (en) * | 2010-02-12 | 2017-01-04 | Carl Zeiss NTS GmbH | Particle beam system |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP26838684A patent/JPS61147524A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009038706A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ブランキング回路 |
| JP2009038705A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ブランキング回路 |
| EP2360712A3 (en) * | 2010-02-12 | 2017-01-04 | Carl Zeiss NTS GmbH | Particle beam system |
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