JPS61142646A - 荷電粒子ビ−ム用集束偏向装置 - Google Patents

荷電粒子ビ−ム用集束偏向装置

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JPS61142646A
JPS61142646A JP26268184A JP26268184A JPS61142646A JP S61142646 A JPS61142646 A JP S61142646A JP 26268184 A JP26268184 A JP 26268184A JP 26268184 A JP26268184 A JP 26268184A JP S61142646 A JPS61142646 A JP S61142646A
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electrodes
focusing
charged particle
particle beam
deflecting device
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JP26268184A
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Hirobumi Morita
博文 森田
Teruo Hosokawa
細川 照夫
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
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    • H01J37/10Lenses
    • H01J37/12Lenses electrostatic

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  • Analytical Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、静電集束レンズと静電偏向器を有する。荷電
粒子ビーム用集束偏向装置に関するものである。
一般に荷電粒子ビーム(以下、単に「ビーム」と言う)
の集束偏向装置は、ブラウン管、テレビ撮像管、走査電
子顕微鏡、走査イオン顕微鏡、電子ビーム露光装置、電
子ビーム加工機、イオンビーム露光装置、集束型イオン
打ち込み装置などに広く利用されている0例えば、超L
SI技術の発展に伴って、高速に高精度で微細パタンを
描画する電子ビーム露光装置やイオンビーム露光装置。
さらに高速に高精度でバタン創成とイオン打ち込みを同
時に行う集束型イオン打ち込み装置の開発が強く要望さ
れている。このような加工装置の実現には、高性能の集
束偏向装置を開発することが必要不可欠である。ここで
、集束偏向装置に対しては、ビームの集束結像における
収差(以下。
「レンズ収差」と言う)が小さいこと、ビームの偏向に
伴う収差(以下、「偏向収差」と言う)が小さいこが要
求される。また、ビーム通路が長くなると、荷電粒子間
のクーロン反発力に起因するビーム散乱の効果(すなわ
ち、空間電荷効果)が大きくなるので、物面と像面との
距離(以下。
r偉物間距離」と言う)をできるだけ短くすることが要
求される。偉物間距離の短縮は、装置全体の小型化とい
う面からも強く要求されている。さらに、描画速度や打
ち込み速度を上げるために高速にビームを偏向走査させ
るという観点から、同一の偏向走査領域に対して偏向電
極に印加すべき電圧は、低い方が良い。
(従来の技術〕 集束型イオン打ち込み装置において従来用いられてきた
集束偏向装置を第10図に示す(E。
Miyauchi、 et、al、、 ”5elect
ive Si and Beimplantation
  in  GaAs  using  a  100
kV  mass−separating focus
ed ion beam system with a
nAu−3i−Be  1iquid  metal 
 ion  5ource”、  J、  Vac。
Sci、 Technol、 Bl (4)、 pp、
 1113−1115. Oct、−Dec、1983
参照)、第10図において、1は物点でイオン源のクロ
スオーバが置かれる。2はビーム、3゜31 、3 #
、は静電集束レンズを構成する電極。
D1〜D4は静電偏向器を構成する電極である。
4は像点で試料が置かれる6通常、試料面の電位を、電
気回路構成上のアース電位とする。静電集束レンズを構
成する電極3.3’ 、3’にはそれぞれVfu e 
Vfa t Vfsという電圧が印加されており、静電
偏向器を構成する電極Di、D2.D3゜D4には、X
方向偏向電圧V x = ’ Y方向偏向電圧v、とし
た時、それぞれ+V X、 + V y −−V X 
1−vyの電圧が印加されている。第10図に示す集束
偏向装置においては、静電集束レンズと静電偏向器がビ
ーム通路に沿って直列に配置され、偉物間距離が長くな
るために、装置の小型化が図れず。
また空間電荷効果が大きいという欠点がある。さらに、
偏向器をレンズより像点側に配置するために、静電レン
ズの第3電極3′から像点4までの距離(以下、「ワー
キングディスタンス」と言う)を長くせざるをえず、レ
ンズ収差(主に球面収差)が大きいという問題点がある
。これに加えて、従来から偏向収差を低減させる方法と
して広く知られているインレンズ方式(集束場と偏向場
を重畳させる方式: J、 L、 Mauer、 at
、al、、 ”ElectronOptics of 
an Electron−Beam Lithogra
phicSystem”、  IBM  J、  RE
S、  DEVELOP、、  pp、  514−5
21゜Nov、 1977参照)にすることが出来ない
から、偏向収差も大きい。
一方、偏向収差を低減させる静電偏向器として。
第11図の平面図に示すような構成のものが知られてい
る(特開昭53−134369号公報参照)、これは。
円周上に順次等間隔に配置した12個の電極(Di〜D
12)のうち、中心角60度で相対する位置にある4個
の電極(D2とDi2.およびD6とD8)をX方向の
偏向電圧印加用電極とし、これら4個の電極に対してそ
れぞれ90度回転した位置にある4個の電極(D3とD
5.およびD9とDll)をY方向の偏向電圧印加用電
極とし、残りの電極(Di、D4.D7,010)を接
地電極として構成したものである。この偏向器は、中心
軸まわりの角度座標θに関して電位分布をフーリエ展開
した時の3O成分に起因する収差成分が除去されている
という利点を有する物である。しかし、この静電偏向器
を第1O図に示した従来装置の中の静電偏向器(DI〜
D4)に置き換えて使用しても。
ワーキングディスタンスの短縮、偉物間距離の短縮、イ
ンレンズ方式の適用は不可能であるから。
前記従来装置の構成における欠点の解決にはならない。
テレビ撮像管においては、偉物面間距離を短縮して装置
の小型化をはかることを目的に、第12図に示す集束偏
向装置が制作された(L M、 van^1phen、
 ”Combined Electrostatic 
Focusing andDeflection”、 
Advances in Elsctonics an
dHlsctron physics (L、 Mar
ton、 C,Martont ed、)eVol、 
33A、 pp、 511−525. Academi
c Press。
New York (1972)参照)、第12図にお
いて、C1〜C8は、静電集束レンズの中間電極と8極
静電偏向器の偏向電極を兼ねた電極である。電極c1〜
C8への電圧印加方法を第13図の電極平面図に示す、
ここで、静電集束レンズとして印加すべき電圧をvf、
、x方向偏向電圧をVx−Y方向偏向電圧をv2とした
時、電極01〜C8にはそれぞれe vfx + vx
e Vfi + (vx+ Vy)/ 2 #V+*+
Vyt Vfi+(−Vx+Vy)/2e Vfz−V
xtVfz+(−Vx−Vy)/l  v、a−vyt
Vf、 + (V x  Vy) / 2 ナル電圧力
印加すh ルー 第12図の集束偏向装置では、ワーキ
ングディスタンス短縮によるレンズ収差の低減、インレ
ンズ方式による偏向収差の低減、さらに偉物間距離短縮
による空間電荷効果の低減と装置の小型化がなされてい
る。しかし、偏向走査に要する電圧Vx= Vyと集束
に要する電圧Vfzとが加え合わされた極めて高い電圧
を電極01〜C8に印加する方式のために、電気回路の
構成において偏向走査速度を上げることが難しいという
欠点がある。第12図と同様の集束偏向装置を電子ビー
ム露光装置や集束型イオン打ち込み装置に使用する場合
においても。
前記の欠点のために、バタン描画速度、イオン打ち込み
速度を上げることが出来ない。
イオンビーム露光装置においては、収差を低減させるた
めに、第14図に示す集束偏向装置が開発されている(
T、 Tsumagari、 et、al、t“A n
ewsubmicron ion probe sys
tem”、 J、 Vac、 Sci。
Tachnol、 81 (4L pP、 1121−
1124. Oct、−Dec。
1983参照)0本装置は、多段に円筒電極を配置する
ことで、レンズ収差をある程度低減している。
また、レンズを構成する円筒電極の間に、2つの8極静
電偏向器を配置することで、偏向収差の低減もはかって
いる。偏向器には偏向に必要な電圧のみを印加する方式
なので、低電圧での偏向走査も可能である。このように
多くの利点を有する集束偏向装置であるが、多段の円筒
電極と8極偏向器をビーム通路に沿って直列に配置しな
ければならないために、偉物間距離を長くせざるをえな
い。
このように、偉物間距離が長いので、空間電荷効果は大
きくなり、また、装置の小型化がはかれないという欠点
がある。
以上述べたように、従来装置の構成においては。
レンズ収差低減、偏向収差低減、偉物間距離短縮による
空間電荷効果低減、同じく偉物間距離短縮による装置の
小型化、偏向電極への低印加電圧による偏向走査の高速
化などの諸要求を同時に満たすことは出来ないという問
題があった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、従来技術での上記した諸問題点を解決
し、レンズ収差及び偏向収差を小さくシ。
偉物間距離を短くシ、シかも偏向器への印加電圧を低く
することのできる集束偏向装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕 上記目的を達成するために9本発明では、複数の独立の
電極よりなる第1組の電極群と上記と同数または異なる
複数の独立の電極よりなる第2組の電極群とをビーム進
行通路のまわりに、ビーム進行方向に直交する平面上で
はそれぞれの組内の電極がビーム中心軸から同一距離に
あり、ビーム進行方向では第1組内の電極と第2組内の
電極とが少なくとも一部分において重なり合いを生じる
ように配置し、上記第1組の電極群には荷電粒子ビーム
を集束させる電圧を印加し、上記第2組の電極群には荷
電粒子ビームを偏向させる電圧を印加する構成とする。
〔発明の作用及び実施例〕
第1図は本発明の集束偏向装置の第1の実施例である。
1は物点、2はビーム、4は像点である。−L1〜L4
は静電集束レンズの電極を構成する電極群である。D1
〜D4は静電偏向器を構成する電極群である。第2図は
、第1図に示した2つの電極群すなりち電極群L1〜L
4および電極群D1〜D4の部分の平面図であり、各電
極への電圧印加方法も示している。両電極群は、ビーム
通路に沿ってほぼ同じ位置に中心軸をほぼ同一にして配
置され、はぼ同じ長さの電極から構成されている。各電
極群内で′は、中心軸まわりにほぼ90度ごとに同一形
状の電極が配置されている。なお電極は円弧状で示した
が、それぞれの電極群の中でほぼ同一の形状であれば、
丸棒、平板等、適宜使用可能である。また、第1図では
電極群L1〜L4と電極群D1〜D4とで、異なった中
心角を持つ円弧状電極を例示しているが、すべてほぼ同
一形状の電極としてもよい、電極L1〜L4にはすべて
tVfaなる電圧を印加する。X方向偏向電圧をV、、
Y方向偏向電圧をV2とした時、電極D1〜D4にはそ
れぞれ* + Vx、+ Vyt  Vxp−V、を印
加する。
第3図および第4図は、上記集束偏向装置(第1図、第
2図)の原理説明図である。前記第2図のように電圧を
印加すると、第3図に示す電極D1〜D4を接地電極と
して電極L1〜L4に同一の電圧を印加をした場合に作
られる電位分布と。
第4図に示す電極L1〜L4を接地電極として電極D1
〜D4を偏向電極として構成した静電偏向器によって作
られる電位分布とが、単純に加え合わされた電位分布が
作られる。以下、第3図に示す電極配置と電圧印加方法
が集束レンズ作用を持つこと、第4図に示す電極配置と
電圧印加方法がビーム偏向作用を持つこと、したがって
これらが単純に加え合わされた電位分布を有する第2図
に示した本発明装置が集束作用と偏向作用とをあわせ持
つことを、詳しく説明する。
第1図から第4図において、電極群の中心軸に沿って2
座標、これと直角に動径座標r、中心軸まわりに回転座
標θをとる時、電位φは次のようにフーリエ展開できる
(E、 Fm Ritz、 JR,。
Advances in IElectonics a
nd Electron physics(L、 Ma
rton、 C,Martony ed、)、 Vol
、49. PPe 311−312. Academi
c Press、 New York (1979)参
照)。
φ(r、z、θ)=A、(r、z)+Σ(A+m(rp
z)cogIθ+Lm(rtz)sinsθ〕(1)こ
こに、直流成分A6の項はθと無関係であるから9回転
対称な電位成分すなわち回転対称静電レンズの電位と同
等のものである。A、、B、(m≧1)は静電偏向器や
四極子レンズなどによって作られる電位成分である。A
m(m≧O)、Bw(m≧1)はともに9次の(2)式
に示すように、動径座標rのm次以上の量の和で表され
る(同じ< 、 E、 F。
Ritz、 JR,の文献参照)。
一般に、電子ビーム露光装置、イオンビーム露光装置、
集束型イオン打ち込み装置などでは、ビーム偏向量が少
なくビームがレンズおよび偏向器の中心軸付近を通るた
めに、3次までの収差特性を考慮すれば充分である。3
次までの収差特性を考慮するには、電位分布についても
動径座標r(すなわち、中心軸からの距離)の3次まで
の項を考慮すればよいので(E、 Munro、 ”C
a1culation ofthe 0ptical 
Properties of Combined Ma
gneticLenseSand Deflectio
n Systems with Super−iwep
osed Fields”、 0ptik、 39. 
pp、 450−466゜1972参照L  (2)式
から、A@についてはm=0.1,2,3のみを、B、
につぃてはm=1.2.’3のみを考慮すればよいこと
がわかる。ここに。
A、は前述のように回転対称レンズの作る電位である*
 Alg A3p Bxt Bzは反対称な電位分布か
ら生成されるフーリエ成分なので、静電偏向器の作る電
位のフーリエ成分である。A、、B、は対称な電位分布
から生成されるフーリエ成分なので。
静電四極子の作る電位のフーリエ成分である。
第3図に示す電極配置と電圧印加方法においては9回転
座標θについて90度ごとに同じ電位になるから、フー
リエ展開(1)の3次までの係数は次のようになる。
(3)式かられかるように、3次までのフーリエ係数に
おいてOでないのはA、のみであるa A、は先に述べ
たように回転対称静電レンズの電位と同等のものである
から、第3図に示す電極配置および電圧印加方法が、3
次までの収差特性を考慮する範囲において2回転対称静
電レンズと全く同じ効果のみを持つことがわかる。
次に、第4図に示す電極配置と電圧印加方法においては
2回転座標θについて180度ごとに反対符号の電位に
なるから、フーリエ展開(1)の3(4)式かられかる
ように、レンズや四極子の作るフーリエ成分A、、 A
、、 B、は0で、偏向器が作るフーリエ成分A1.A
、、Bi、B3はoでない。
したがって、第4図に示す電極配置および電圧印加方法
が、3次までの収差特性を考慮する範囲において、ビー
ムを偏向させる効果のみを持つことがわかる。
このように、2組の電極群をビーム進行方向において第
1組と第2組とが互いに重なり合う位置に配置し、第1
の電極群により回転対称静電レンズの作る電位分布(す
なわち、前述のA、)を生成させ、第2の電極群により
偏向器の作る電位のフーリエ成分(すなわち、前述のA
1tA3.BitaS)を生成させることにより、集束
作用と偏向作用の両方を有する集束偏向装置を構成する
ことができる。
第1図および第2図に示した本発明装置は9以上の説明
かられかるように、ビームを集束させる作用と偏向させ
る作用の両方をあわせ持つ集束偏向装置である。
本発明装置では、ビーム通路に沿って同じ位置に静電集
束レンズの電極と静電偏向電極が配置されており、イン
レンズ方式になっているから偏向収差は小さい。また、
静電レンズの像点側に偏向器を配置しないのでワーキン
グディスタンスを短くでき、レンズ収差を小さくできる
。さらに、偉物間距離が短くできるので、装置の小型化
と空間電荷効果の低減をはかることができる。これらに
加えて、偏向電極D1〜D4には、偏向に必要な電圧の
みを印加すればよいので、低い偏向電圧による高速な偏
向走査が可能である。
なお、第1図〜第4図では第1組内及び第2組内の8個
の電極の全てがビーム中心軸より同一距離にあるように
示しであるが、これは、ビーム中心軸に対して、第1組
内の4個が同一距離にあり。
第2組内の4個が同一距離にあれば2組による距離に相
違がある場合でも、上記と同様に機能し。
同様の効果を生じる。
第5図は2本発明の第2の実施例の電極部分の平面図で
、電圧印加方法も同時に示したものである。電極L1〜
L4および電極D1〜D8はビーム通路のまわりにビー
ム中心軸から同−amとなる位置に互いにほぼ30度の
中心角で相対しており。
第5図中に示してはいないがビーム通路方向の長さはほ
ぼ同じである。これを動作させるには。
L1〜L4の4個の電極を静電レンズの電極として使用
して、D1〜D8の8個の電極を偏向用電極として使用
する。電極L1〜L4にはすべて電圧Vf2を印加する
。X方向偏向電圧をv、、y方向偏向電圧をvyとした
時、DlおよびD8に十V、、D4およびD5に−V、
、D2およびD3に+Vy、D6およびDlに−vyを
印加する1本実施例では、偏向器に関しては中心軸まわ
りの角度座標θに関して電位分布をフーリエ展開した時
の30成分(すなわち、前述のAa、Ba)に起因する
収差成分が除去されている。これに加えて。
第1の実施例と同様に、ワーキングディスタンス短縮に
よって達成される良好なレンズ収差特性。
インレンズ方式によって達成される良好な偏向収差特性
、偉物間距離短縮によって達成される装置の小型化と空
間電荷効果の低減、さらに低偏向電圧によって実現した
高速な偏向走査特性、という長所を有している。
第6図は2本発明の第3の実施例の説明図である。3は
静電集束レンズを構成する第1電極である1本実施例で
は、電極3と電極群L1〜L4およびD1〜D4の位置
関係を調整して集束電位分布の改良を行うことにより、
いっそうのレンズ収差低減をはかることができる。
第7図は2本発明の第4の実施例の説明図である0本実
施例のように、さらに静電レンズを構成する第3電極3
′を付加してもよい。
第8図は1本発明の第5の実施例の説明図である。本実
施例のように、電極L1〜L4および電極D1〜D4の
形状をらっは状にしてもよい。
第9図は2本発明の第6の実施例の説明図である0本実
施例のように電極群L1〜L4と電極群D1〜D4を、
中心軸に沿ってずらして配置してもよい。このようにす
れば、集束レンズの電位分布と静電偏向器の電位分布を
自由にずらして偏向収差のいっそうの低減を図ることが
できる。
なお9本発明は前記6つの実施例にとどまらず。
2組の電極群をビーム通路に沿って少なくとも一部分が
重なり合うように配置し、第1の電極群により回転対称
静電レンズの作る電位分布を生成させ、第2の電極群に
より偏向器の作る電位分布を生成させることにより、同
様の効果を得ることができる。
また9本発明の集束1偏向装置の静電集束レンズ1 の
部分を、前記6つの実施例のごとくビーム結像用として
は使用せず、試料高さ変動や偏向に伴う像面湾曲収差に
対するビーム結像位置の補正(すなわち、 Dynam
ic Focusing)を目的に使用することも可能
である。
〔発明の効果〕
以上説明したように1本発明によれば、集束作用を担う
電極群と偏向作用を担う電極群とがビーム通路に沿って
重なり合うように配置されているので、ワーキングディ
スタンス短縮によるレンズ収差の低減、インレンズ方式
による偏向収差の低減、偉物間距離短縮による空間電荷
効果の低減。
同じく偉物間距離短縮による装置の小型化、また低偏向
電圧による偏向走査の高速化という5つの条件を同時に
すべて満足できるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例装置の構成図。 第2図は第1図に示した装置の電極L1〜L4及びD1
〜D4の平面図、第3図及び第4図は第1図及び第2図
で示した装置の原理説明図、第5図は本発明の第2の実
施例装置あ電極部分の平面図。 第6図は本発明の第3の実施例装置、第7図は本発明の
第4の実施例装置、第8図は本発明の第5の実施例装置
、第9図は本発明の第6の実施例装置、第10図、第1
2図、第14図は従来用いられてきた集束偏向装置、第
11図は従来の偏向収差を軽減する静電偏向器の平面図
、第13図は第12図に示した従来の集束偏向装置の電
極01〜C8の平面図である。 〈符号の説明〉 1・・・物点       2・・・ビーム3.3’ 
、3’ 、3”・・・静電集束レンズを構成する電極 4・・・像点 L1〜L4・・・静電集束レンズの電極を構成する電極 D1〜D16・・・静電偏向器を構成する電極C1〜C
8・・・静電集束レンズの中間電極と8極静電偏向器の
電極を兼用した電極

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)荷電粒子ビームを集束かつ偏向させて目標とする
    像点に結像させる集束偏向装置において、複数の独立の
    電極よりなる第1組の電極群と上記と同数または異なる
    複数の独立の電極よりなる第2組の電極群とをビーム進
    行通路のまわりに、ビーム進行方向に直交する平面上で
    はそれぞれの組内の電極がビーム中心軸から同一距離に
    あり、ビーム進行方向では第1組内の電極と第2組内の
    電極とが少なくとも一部分において重なり合いを生じる
    ように配置し、上記第1組の電極群には荷電粒子ビーム
    を集束させる電圧を印加し、上記第2組の電極群には荷
    電粒子ビームを偏向させる電圧を印加することを特徴と
    する荷電粒子ビーム用集束偏向装置。
  2. (2)前記第1組の電極群はビーム中心軸に対して互い
    に90度の中心角で隣接する少なくとも4個の電極から
    なり、前記第2組の電極群もビーム中心軸に対して互い
    に90度の中心角で隣接する少なくとも4個の電極から
    なり、第1組内の全ての電極に荷電粒子集束用の同一電
    圧を印加し、第2組内の電極のうち180度離れて相対
    する電極に互いに反対符号の電圧を印加することを特徴
    とする、特許請求の範囲第1項記載の荷電粒子ビーム用
    集束偏向装置。
  3. (3)前記第1組の電極群は4個の電極からなり、前記
    第2組の電極群も4個の電極からなり、第1組と第2組
    の電極部がビーム中心軸まわりに互いに45度回転した
    位置に配置されていることを特徴とする、特許請求の範
    囲第2項記載の荷電粒子ビーム用集束偏向装置。
  4. (4)ビーム進行方向に直交しビーム中心軸を中心とす
    る円周上に中心角30度ごとに同一形状の電極を12個
    配置し、90度ごとに配置された4個の電極を前記第1
    組の電極群とし、残りの8個の電極を前記第2組の電極
    群とし、第2組の電極群のうち中心角が互いに60度離
    れた位置にある2個の電極には同一の電圧を印加するこ
    とを特徴とする、特許請求の範囲第2項記載の荷電粒子
    ビーム用集束偏向装置。
  5. (5)前記2組の電極群は、そのビーム進行方向に沿っ
    た前方位置または後方位置のいずれかに、ビーム中心軸
    を中心軸とする円板状または円筒状の電極を配置された
    電極群であることを特徴とする、特許請求の範囲第2項
    記載の荷電粒子ビーム用集束偏向装置。
  6. (6)前記2組の電極群は、そのビーム進行方向に沿っ
    た前方位置及び後方位置に、ビーム中心軸を中心軸とす
    る円板状または円筒状の電極を配置された電極群である
    ことを特徴とする、特許請求の範囲第2項記載の荷電粒
    子ビーム用集束偏向装置。
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