JPS61142547A - 光デイスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 光ディスクは、高密度、大容量、高速アクセスが可能な
メモリー媒体として広く研究されており応用商品として
はＣＤ、ビデオディスク、ｌｉ集機用ディスク、文書フ
ァイルディスク、静止画ディスクと多方面にわたってい
る。このディスクの基板は、量産性及び扱いやすさの点
でプラスチック基板が適しているため、低温で膜を作る
製造方法が望まれていた。

従来の技術 以下、図面を参照しながら、従来の光ディスクの製造方
法について説明する。第４図は、低温膜製造装置の代表
的なものとして高周波マグネトロンスパッタリング装置
の断面図である。１はアースシールド、２は内部に冷却
水が流れている第１基板ホルダー、３は基板４が落ちな
いように支える第２基板ホルダーである。４はポリカー
ボネート及びアクリルからなる基板、６はシャッター、
６はターゲット、７はターゲットホルダー、８は磁石、
９はアースシールド、１ｏはターゲットホルダー７で内
部に磁石８とターゲット冷却用の水を通す管７＆が通っ
ている。１１は高周波電源である。

以下本実施例の動作について説明をおこなう。

まず、装置内を真空にし次にガスを導入する。高周波電
源１１のスイッチを入れるとガスが放電しプラズマ状態
が生じる。このときターゲットホルダ−７内部にある磁
石８によりターゲット６付近にプラズマを閉じ込める。

イオン化したガスの＋イオンがターゲット６に衝突しタ
ーゲット６０分子が飛び出し、シャッター５をあけたと
き基板４にターゲット６からの分子が付着し膜を形成す
る。

そのときターゲット６からの熱の輻射及び基板４への電
子の入射により基板４の温度が上昇するので膜製造中は
第１基板ホルダー２の内部に冷却水を通し、第１基板ホ
ルダー２を冷却し第１基板ホルダー２と基板４を接触さ
せ基板４の温度の上昇を抑える。まだターゲット６も温
度が上昇するのでターゲットホルダ−７内部に冷却水を
流す。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記従来の方法ではポリカーボネート及
びアクリルの基板では熱に弱いため溝の変形をおこす。

また、スパッタ電力を落すと基板４の温度は抑えられる
が、膜形成速度が低下し量産性が低下する。さらに膜製
造時間が長くなることで作製中に不純物（例えば残留ガ
ス圧中の酸素取り込み）の混入により膜質が劣化すると
いう問題点を有しており、低温でかつ短時間に膜を製造
する方法が望まれていた。

本発明は上記問題点に鑑み、低温で短時間に膜を製造す
ることのできる光ディスクの製造方法を提供するもので
ある。

問題点を解決するだめの手段 この目的を達成するために本発明の光ディスクの製造方
法は、基板の膜面側の一部分を金属でマスクし、そのマ
スクした金属に冷却水を通す管を設け、前記基板の膜面
側の冷却を行うように構成されている。

作用 本発明は上記した構成により、基板の膜面側が冷却され
ることで従来より基板の温度を抑えられる。まだターゲ
ットが小さくなったのでターゲットからの熱輻射も従来
より小さくなり基板の温度を抑えられる。さらに基板の
膜面側をマスクしているので膜形成速度の低下がおこる
が従来では溝変形により印加することが不可能であった
出力を印加できるので膜形成速度の低下は妨げることが
できる。

実施例 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。第１図は、本発明の一実施例における光ディス
クの製造装置の１つ高周波マグネトロンスパッタリング
装置の断面図を示す。尚、以下の各図において、第４図
に示す従来例と同一部材には同一番号を付している。

第１図において、１２は材質がポリカーボネートからな
る基板、１３は基板１２の膜面側を一部マスクするため
の基板マスク、１４及び１６は基板マスク１３を冷却す
るために液体窒素を流すだめの管、１６はターゲットで
、材質ばＳｉ　５ｋｉ　４である。ターゲット１６は、
従来例よシ小さくなっている。１７は磁石、１８はター
ゲットホルダーである。この磁石１了、ターゲットホル
ダー１８もターゲット１６の大きさに合わせて従来例よ
り小さい。１９はアースシールド、２０はシャッター、
２１はターゲットホルダーであり、これらは従来例の構
成と同じである。

第２図は、第１図の基板１２をとりつけである部分すな
わち第１　、第２基板ホルダー２，３、アースシールド
１．基板マスク１３．基板１２．冷却用の管１φを拡大
して示した見取図である。第３図は要部断面図である。

以上のように構成された高周波マグネトロンスパッタリ
ング装置について、以下その動作について説明する。シ
ャッター２０を閉じた状態で装置内を真空にし、圧力が
５ＸＩＯ’ｔＯｒｒ以下となったところでムｒ、Ｎ２　
　ガスを分圧比１：１の割合で圧力が２．ＯＸ　１０　
　ｔｏｒｒになるまで導入する。

次に、第１基板ホルダー２及びターゲットホルダー１８
に冷却水を流し高周波電源１１のスイッチを入れガスを
放電させプリスパッタリングをおこなう。約１時間後基
板マスク１３に液体窒素を入れ、基板１２を回転させシ
ャッター２０をあける。

これで膜製造が開始される。スパッタリングを６時間お
こなったときの出力、基板１２の温度及び膜厚を以下の
表１に示す。基板１２の膜面側の表面温度はサーモラベ
ルにより測定した。

（以下　余　白） 表１ 表１にしめしたデータは、表１の出力の条件の他は実施
例には基板マスク１２を取り付は液体窒素を流したとい
うことと、ターゲット１６及びターゲットボルダ−１８
及び磁石１７を従来例より小さくしたこと以外膜製造条
件は変えていない。

以上のように本実施例によれば表１にしめしたように、
従来例の出力１００Ｗと実施例の出力２００Ｗの場合を
比較すると基板の膜面側の温度がほぼ等しいが膜厚は従
来例の４０％はど実施例のほうが膜が厚い、また、従来
例だと２００Ｗでは基板の温度が上昇して溝が変形して
しまう。つまり従来例に比べ実施例のほうが低温でより
短時間に膜を製造できる。

発明の効果 本発明は、基板の膜面側にマスクを設け、冷却用の管を
通すことで従来より効果的に基板の膜面側から冷却でき
それにより短時間に不純物の少ない膜を製造できる。更
に、基板をマスクすることでターゲットを小さくできタ
ーゲットからの熱幅射の量を減らすこともできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における光ディスクの製造装
置の断面図、第２図は同要部拡大斜視図、第３図は同要
部断面図、第４図は従来の光ディスクの製造装置の断面
図である。 １・・・・・・アースシールド、２・・・・・・第１基
板ホルダー、３・・・・・・第２基板ホルダー、１１・
・・・・・高周波電源、１２・・・・・・基板、１３・
・・・・・基板マスク、１４゜１５・・・・・・管、１
６・・・・・・ターゲットホルダー、１７・・・・・・
磁石％　１８・・・・・・タープ７）ホルダー、１９・
・・・・・アースシールド％２０・・・・・・シャッタ
ー、２１・・・・・・ターゲットホルダー。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第　
１１１！１ 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. トラッキング溝を有し、かつポリカーボネート及びアク
   リルからなる基板の膜面側を金属で一部マスクをし、そ
   のマスクした金属に冷却水用の管を通し前記基板の膜面
   側の冷却をおこなうことを特徴とする光ディスクの製造
   方法。