JPS61139686A - 気相エツチング方法 - Google Patents
気相エツチング方法Info
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- JPS61139686A JPS61139686A JP25923184A JP25923184A JPS61139686A JP S61139686 A JPS61139686 A JP S61139686A JP 25923184 A JP25923184 A JP 25923184A JP 25923184 A JP25923184 A JP 25923184A JP S61139686 A JPS61139686 A JP S61139686A
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- Japan
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- vapor
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- inp
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は気相エツチング方法に係り、特に高出力マイク
ロ波素子等に用いられるＩｎＰ基板を気相中でエツチン
グする方法に関する。
ロ波素子等に用いられるＩｎＰ基板を気相中でエツチン
グする方法に関する。
ＩｎＰはＧａＡｓは比べて飽和電子速度が大きく、また
熱伝導率が高いため、ＧａＡｓをしのぐ高出力マイクロ
波素子用の材料として最近注目されている。
熱伝導率が高いため、ＧａＡｓをしのぐ高出力マイクロ
波素子用の材料として最近注目されている。
ＩｎＰを用いた素子（ガンダイオード、ＦＥＴ等）は通
常エピタキシャル成長法、なかでも気相エピタキシャル
成長法により製造されたウェハを出発材料とし、このウ
ェハ」二にエツチング、電極蒸着等の加工を施して形成
される。
常エピタキシャル成長法、なかでも気相エピタキシャル
成長法により製造されたウェハを出発材料とし、このウ
ェハ」二にエツチング、電極蒸着等の加工を施して形成
される。
以下従来例の気相エピタキシャル成長法によりＩｎＰ結
晶を成長させる場合について述べる。
晶を成長させる場合について述べる。
第１図はＩｎＰ気相成長装置の構成を示す図であって、
図中（１）は石英反応管、（２）は水素ガスもしくはＰ
Ｃう蒸気を含む水素ガスを反応管中に導入するための第
１の導入管、（３）は同じく水素ガスもしくはＰＣρ３
蒸気を含む水素ガスを反応管中に導入するための第２の
導入管、（４）はインジウム（Ｉｎ）、（５）はＩｎを
収容する石英ボート、また（６）はＩｎＰ基板を各々示
す。第１−の導入管（２）はその先端部がＩｎ （４）
よりも上流側（第１図で左側）で開口しており、この導
入管（２）を介して導入されたＰＣ，ｌ！３蒸気はＩｎ
（４）と反応して基板（６）近傍まで運ばれ、ＩｎＰ結
晶を基板（６）上に堆積せしめる。一方、第２の導入管
（３）はその先端部が、Ｉｎ （４）よりも下流側、Ｉ
ｎＰ基板（６）よりも上流側で開口し、導入管（３）を
介して導入されたＰＣ，１２３蒸気はＩｎ （４）と反
応することなく、水素ガスとの反応により塩酸（ｏｃＱ
）とリン（Ｐ４）を生成しＩｎＰ基板（６）近傍に運ば
れる。ＨＣρは、基板（６）をエツチングする。
図中（１）は石英反応管、（２）は水素ガスもしくはＰ
Ｃう蒸気を含む水素ガスを反応管中に導入するための第
１の導入管、（３）は同じく水素ガスもしくはＰＣρ３
蒸気を含む水素ガスを反応管中に導入するための第２の
導入管、（４）はインジウム（Ｉｎ）、（５）はＩｎを
収容する石英ボート、また（６）はＩｎＰ基板を各々示
す。第１−の導入管（２）はその先端部がＩｎ （４）
よりも上流側（第１図で左側）で開口しており、この導
入管（２）を介して導入されたＰＣ，ｌ！３蒸気はＩｎ
（４）と反応して基板（６）近傍まで運ばれ、ＩｎＰ結
晶を基板（６）上に堆積せしめる。一方、第２の導入管
（３）はその先端部が、Ｉｎ （４）よりも下流側、Ｉ
ｎＰ基板（６）よりも上流側で開口し、導入管（３）を
介して導入されたＰＣ，１２３蒸気はＩｎ （４）と反
応することなく、水素ガスとの反応により塩酸（ｏｃＱ
）とリン（Ｐ４）を生成しＩｎＰ基板（６）近傍に運ば
れる。ＨＣρは、基板（６）をエツチングする。
第１図に示す気相成長装置を用い、ＩｎＰ結晶を成長さ
せる工程は以下の通りである。まず導入管（２）、（３
）に各々水素ガスを流した状態で反応管（１）を昇温せ
しめる。この時反応管中はＩｎ（４）が高温例えば７５
０℃、ＩｎＰ基板（６）が低温例えば６５０’Ｃとなる
ように温度分布が設定される。反応管中が所定の温度で
定常状態に達した時点で、第１および第２の導入管（２
）、（３）よりＰＣｌ３蒸気を含む水素ガスを各々所定
の流量反応管中に導入する。この工程においては、上述
したように第２の導入管（３）を介して流入するＰＣρ
３蒸気がＨＣＲを生成し、この結果ＩｎＰ基板（６）上
では結晶層が成長することなく、基板のエツチングが行
なわれる。所定の時間基板にエツチングを施した後、第
２の導入管（３）へのＰＣＩ２３の供給を停止し、水素
ガスに切換える。この操作により基板のエツチングは停
止し、導入管（２）より供給されるＰＣｌ３蒸気とＩｎ
（４）との反応によるＩｎＰ基板（６）上への成長が
始まる。所定の時間成長を行なった後、第１の導入管（
２）へのＰＣｌ３の供給を停止し水素ガスに切換えるこ
とにより成長が終了する。
せる工程は以下の通りである。まず導入管（２）、（３
）に各々水素ガスを流した状態で反応管（１）を昇温せ
しめる。この時反応管中はＩｎ（４）が高温例えば７５
０℃、ＩｎＰ基板（６）が低温例えば６５０’Ｃとなる
ように温度分布が設定される。反応管中が所定の温度で
定常状態に達した時点で、第１および第２の導入管（２
）、（３）よりＰＣｌ３蒸気を含む水素ガスを各々所定
の流量反応管中に導入する。この工程においては、上述
したように第２の導入管（３）を介して流入するＰＣρ
３蒸気がＨＣＲを生成し、この結果ＩｎＰ基板（６）上
では結晶層が成長することなく、基板のエツチングが行
なわれる。所定の時間基板にエツチングを施した後、第
２の導入管（３）へのＰＣＩ２３の供給を停止し、水素
ガスに切換える。この操作により基板のエツチングは停
止し、導入管（２）より供給されるＰＣｌ３蒸気とＩｎ
（４）との反応によるＩｎＰ基板（６）上への成長が
始まる。所定の時間成長を行なった後、第１の導入管（
２）へのＰＣｌ３の供給を停止し水素ガスに切換えるこ
とにより成長が終了する。
上記一連の工程において、成長前に基板をエツチングす
る目的は２つある。第１はエピタキシャル結晶層の表面
状態を良好にするためである。即ち、成長前に反応管中
に配置されているＩｎＰ結晶表面には微細なごみ、はこ
り等が付着していたり、また表面に欠陥が存在していた
りするので、このような表面上に成長を行なうと、上記
異物を核とする異常成長を生じエピタキシャル結晶層の
表面状態が著しく損なわれる。第２の目的は成長層／基
板界面に生じる異常層の除去である。即ち、第１図の構
成例に示したような反応装置を用い、基板にエツチング
を施すことなくエピタキシャル成長を行なうと、成長開
始時にｐｃａ３蒸気を第１の導入管（２）を介して導入
後、Ｉｎ（４）との反応が定常状態に達するまでに数分
間の非定常な状態を経過するために、成長層／基板界面
に例えば所定のキャリヤ密度よりも異常に高キャリヤ密
度の成長層ができる等の異常を生じる。
る目的は２つある。第１はエピタキシャル結晶層の表面
状態を良好にするためである。即ち、成長前に反応管中
に配置されているＩｎＰ結晶表面には微細なごみ、はこ
り等が付着していたり、また表面に欠陥が存在していた
りするので、このような表面上に成長を行なうと、上記
異物を核とする異常成長を生じエピタキシャル結晶層の
表面状態が著しく損なわれる。第２の目的は成長層／基
板界面に生じる異常層の除去である。即ち、第１図の構
成例に示したような反応装置を用い、基板にエツチング
を施すことなくエピタキシャル成長を行なうと、成長開
始時にｐｃａ３蒸気を第１の導入管（２）を介して導入
後、Ｉｎ（４）との反応が定常状態に達するまでに数分
間の非定常な状態を経過するために、成長層／基板界面
に例えば所定のキャリヤ密度よりも異常に高キャリヤ密
度の成長層ができる等の異常を生じる。
上記２つの問題即ち、■結晶層表面状態が損なわれる、
■成長層／基板界面に異常層が生じる、を解消するには
、成長開始前に基板を気相中でエツチングすることが有
効であることが知られている。
■成長層／基板界面に異常層が生じる、を解消するには
、成長開始前に基板を気相中でエツチングすることが有
効であることが知られている。
上に述べたように、気相エピタキシャル成長において成
長前に行なう気相エツチング工程は極めて重要な意味を
もつ工程であるが、ＩｎＰはこ１の気相エツチング条件
を最適化することがむづかしく、上記２つの目的を同時
に達成する条件が見出せない状況であり、ＩｎＰの気相
成長を行なう−りで問題となっていた。
長前に行なう気相エツチング工程は極めて重要な意味を
もつ工程であるが、ＩｎＰはこ１の気相エツチング条件
を最適化することがむづかしく、上記２つの目的を同時
に達成する条件が見出せない状況であり、ＩｎＰの気相
成長を行なう−りで問題となっていた。
この発明は上記従来の問題点を除去するためになされた
もので、ＩｎＰ基板に気相成長を施すのに先行してこの
基板の表面に予め気相エツチングを施し、かつこのエツ
チングによって良好な表面状態を得るとともに成長層／
基板界面のおける異常層の発生を抑止できるエツチング
条件を提供する。
もので、ＩｎＰ基板に気相成長を施すのに先行してこの
基板の表面に予め気相エツチングを施し、かつこのエツ
チングによって良好な表面状態を得るとともに成長層／
基板界面のおける異常層の発生を抑止できるエツチング
条件を提供する。
この発明にかかる気相エツチング方法は、導入されるエ
ツチングガスの上流側にＩｎ、下流側にＩｎＰ基板を収
容する石英反応管、上記反応管中に設けられる前記Ｉｎ
よりも上流側に開口し、ＰＣｌ３蒸気を含む水素ガスを
導入するための第１の導入管、前記反応管中の前記Ｉｎ
よりも下流側でかつ前記ＩｎＰ基板よりも上流側に開口
しＰＣｌ３蒸気を含む水素ガスを導入するための第２の
導入管を具備してなる気相成長装置によって前記ＩｎＰ
基板を気相中でエツチングするに際し、前記第２の導入
管より導入する単位時間あたりのＰＣｌ３蒸気のモル数
Ｍ２と、前記第１の導入管より導入する単位時間あたり
のｐｃｐ３蒸気のモル数旧の比Ｍ２７Ｍ、の値を０．１
５〜０．２５の範囲に設定することを特徴とするＩｎＰ
基板の気相エツチング方法である。
ツチングガスの上流側にＩｎ、下流側にＩｎＰ基板を収
容する石英反応管、上記反応管中に設けられる前記Ｉｎ
よりも上流側に開口し、ＰＣｌ３蒸気を含む水素ガスを
導入するための第１の導入管、前記反応管中の前記Ｉｎ
よりも下流側でかつ前記ＩｎＰ基板よりも上流側に開口
しＰＣｌ３蒸気を含む水素ガスを導入するための第２の
導入管を具備してなる気相成長装置によって前記ＩｎＰ
基板を気相中でエツチングするに際し、前記第２の導入
管より導入する単位時間あたりのＰＣｌ３蒸気のモル数
Ｍ２と、前記第１の導入管より導入する単位時間あたり
のｐｃｐ３蒸気のモル数旧の比Ｍ２７Ｍ、の値を０．１
５〜０．２５の範囲に設定することを特徴とするＩｎＰ
基板の気相エツチング方法である。
以下に本発明の一実施例につき説明する。
実施に用いた気相成長装置は第１図に示したものと同じ
である。そして温度はＩｎ （４）側を７６０℃、Ｉｎ
Ｐ基板（６）側を６５０℃になるように設定し、第」。
である。そして温度はＩｎ （４）側を７６０℃、Ｉｎ
Ｐ基板（６）側を６５０℃になるように設定し、第」。
図に示した反応装置を昇温後、反応管内温度が定常状態
に達した時点で、第１の導入管（２）より導入するＰＣ
Ｉ２３蒸気の単位時間あたりのモル数（以下Ｍ１と記す
）を２．２３ Ｘ １０−’ｍＲ／ｍｊ、ｎに設定して
導入し、同時に第２の導入管（３）よりｐｃλ３蒸気を
４．７５ ｘｌｏ−’ｍｏｌ／ｍｉｎ （以下第２の導
入管（３）より導入する単位時間あたりのモル数をＭ２
と記す）の割合、即ちＭ２／Ｍｌ ＝ ０．２１の条件
で導入し１０分間のエツチングを行なった。引続き第２
の導入管よりのＰＣＲ３の供給を停止し水素ガスに切換
えて後４０分間の成長を行ない（成長層の厚みは約５μ
ｍ）ウェハを取り出して成長結晶の表面状態を観察した
。その結果、この条件で気相エツチング、成長を行なっ
た結晶層の表面状態は第２図に示す通り良好であった。
に達した時点で、第１の導入管（２）より導入するＰＣ
Ｉ２３蒸気の単位時間あたりのモル数（以下Ｍ１と記す
）を２．２３ Ｘ １０−’ｍＲ／ｍｊ、ｎに設定して
導入し、同時に第２の導入管（３）よりｐｃλ３蒸気を
４．７５ ｘｌｏ−’ｍｏｌ／ｍｉｎ （以下第２の導
入管（３）より導入する単位時間あたりのモル数をＭ２
と記す）の割合、即ちＭ２／Ｍｌ ＝ ０．２１の条件
で導入し１０分間のエツチングを行なった。引続き第２
の導入管よりのＰＣＲ３の供給を停止し水素ガスに切換
えて後４０分間の成長を行ない（成長層の厚みは約５μ
ｍ）ウェハを取り出して成長結晶の表面状態を観察した
。その結果、この条件で気相エツチング、成長を行なっ
た結晶層の表面状態は第２図に示す通り良好であった。
一方、第１の導入管（２）より導入するＰＣλ３蒸気の
モル数Ｍ１は前回と同一で、第２の導入管（３）より導
入するｐｃｐ３蒸気のモル数Ｍ２を１．１１ Ｘ １０
−’ｍｏ］／ｍｉｎ、即ちＭ２／Ｍ、 ＝ ０．５０な
る条件でエツチングを行い、引続き前回と同一条件で成
長を行なったところ成長層表面は第３図に示す如き荒れ
た表面となった。
モル数Ｍ１は前回と同一で、第２の導入管（３）より導
入するｐｃｐ３蒸気のモル数Ｍ２を１．１１ Ｘ １０
−’ｍｏ］／ｍｉｎ、即ちＭ２／Ｍ、 ＝ ０．５０な
る条件でエツチングを行い、引続き前回と同一条件で成
長を行なったところ成長層表面は第３図に示す如き荒れ
た表面となった。
また、Ｍ２／Ｍ、を０．０５と低い値に設定した場合に
も表面にはピラミッドと称される突起を生じ、望ましい
表面状態ではなかった。
も表面にはピラミッドと称される突起を生じ、望ましい
表面状態ではなかった。
本発明者は種々実験を重ねた結果、気相エツチング工程
における結晶層の表面状態は、第２の導入管より導入す
るＰＣρ３蒸気のモル数Ｍ２と第１の導入管より導入す
るＰＣｌ３蒸気のモル数１との比Ｍ２／Ｍ１に依存し、
この値が０．１０〜０．２５の限られた範囲で良好な表
面状態の結晶が得られることを見出し＝７− た。この事情を示したものが第４図である。同図は縦軸
にピラミッドの個数もしくはターリステップにより測定
した表面の凹凸の高さを、横軸にはＭ２７Ｍ１ をとっ
てプロットしたものである。図示する通りＭ２７Ｍ１
が小さい場合にはピラミッドが発生し、その個数は１４
２／Ｍ、 を０．１０以下にすると急激に増加する。
における結晶層の表面状態は、第２の導入管より導入す
るＰＣρ３蒸気のモル数Ｍ２と第１の導入管より導入す
るＰＣｌ３蒸気のモル数１との比Ｍ２／Ｍ１に依存し、
この値が０．１０〜０．２５の限られた範囲で良好な表
面状態の結晶が得られることを見出し＝７− た。この事情を示したものが第４図である。同図は縦軸
にピラミッドの個数もしくはターリステップにより測定
した表面の凹凸の高さを、横軸にはＭ２７Ｍ１ をとっ
てプロットしたものである。図示する通りＭ２７Ｍ１
が小さい場合にはピラミッドが発生し、その個数は１４
２／Ｍ、 を０．１０以下にすると急激に増加する。
またＭ２／Ｍ１ が大きい場合には表面が荒れ表面の凹
凸の高さが大きくなり、その高さはＭ２／Ｍ、が０．２
５より大きいと急激に増加する。結局素子製作に支障を
生じない満足すべき表面状態の結晶が得られる範囲はＭ
２７Ｍ１が０．１０〜０．２５の間である。
凸の高さが大きくなり、その高さはＭ２／Ｍ、が０．２
５より大きいと急激に増加する。結局素子製作に支障を
生じない満足すべき表面状態の結晶が得られる範囲はＭ
２７Ｍ１が０．１０〜０．２５の間である。
次にＭ２７Ｍ１を０．１０．０．２１として各々１０分
間気相エツチングを行ない、引続き第２の導入管からの
ＰＣρ３の導入を停止し、第１の導入管へのＰＣ！１３
の導入量をＪ ＝ ２．２３ Ｘ １０−’ｍｏｌ／
ｍｉｎとした条件で厚さ５μｍの結晶層を成長させ、各
結晶層のキャリヤ密度の深さ方向分布を測定した。ここ
で、基板は半絶縁性ＩｎＰ基板を用いた。第５図はこの
結果を示したものである。図より明らかな通り、Ｍ２／
Ｍｌが０．１０の場合には成長層／基板界面に異常にキ
ャリヤ密度の高い領域が認められるが、Ｍ２／Ｍ、が０
゜２１の場合には界面の異常層が除去され、深さ方向に
一様なキャリヤ密度分布となっている。このＭ２７Ｍ１
が０．１０の場合の界面異常層は、エツチング量が不足
しているために生じるものであり、Ｍ２７Ｍ１ の値を
増加させ０．１５以上に設定することにより確実に除去
できることが判明した。第６図はこの事情を示したもの
であり、図における縦軸はエビ層／基板界面のピークキ
ャリヤ密度ｎｐとエビ層表面のキャリヤ密度ｎ８との比
ｎｐ／ｎ６を、横軸にはＭ２７Ｍ１の値をとって両者の
関係をプロットしたものである。
間気相エツチングを行ない、引続き第２の導入管からの
ＰＣρ３の導入を停止し、第１の導入管へのＰＣ！１３
の導入量をＪ ＝ ２．２３ Ｘ １０−’ｍｏｌ／
ｍｉｎとした条件で厚さ５μｍの結晶層を成長させ、各
結晶層のキャリヤ密度の深さ方向分布を測定した。ここ
で、基板は半絶縁性ＩｎＰ基板を用いた。第５図はこの
結果を示したものである。図より明らかな通り、Ｍ２／
Ｍｌが０．１０の場合には成長層／基板界面に異常にキ
ャリヤ密度の高い領域が認められるが、Ｍ２／Ｍ、が０
゜２１の場合には界面の異常層が除去され、深さ方向に
一様なキャリヤ密度分布となっている。このＭ２７Ｍ１
が０．１０の場合の界面異常層は、エツチング量が不足
しているために生じるものであり、Ｍ２７Ｍ１ の値を
増加させ０．１５以上に設定することにより確実に除去
できることが判明した。第６図はこの事情を示したもの
であり、図における縦軸はエビ層／基板界面のピークキ
ャリヤ密度ｎｐとエビ層表面のキャリヤ密度ｎ８との比
ｎｐ／ｎ６を、横軸にはＭ２７Ｍ１の値をとって両者の
関係をプロットしたものである。
図示の如く、Ｍ２７Ｍ１が０．１５以下ではｎｐ／ｎ６
：＞１、すなわち界面にはピークを生じるが、０．１５
以下ではほぼ１、即ち平坦なプロファイルとなることが
わかる。なお、例えばＭ２７Ｍ１ が０．１０の場合エ
ツチング量の不足が異常層発生の原因であるため、Ｍ２
／Ｈ１は０．１０のままでエツチング時間を長く、例え
ば３０分間としても異常層の除去という目的は達成され
る。しかしながらエツチング時間を長くすると表面状態
が悪化しやすく、時間としては１０分程度が適当であり
、従って本発明において目的とするの良好な表面状態を
得る、■界面異常層を除去するという２項目を同時に満
足させるには、エツチング時間よりもむしろＭ２／Ｍ１
の値を適当な範囲に設定することが肝要である。
：＞１、すなわち界面にはピークを生じるが、０．１５
以下ではほぼ１、即ち平坦なプロファイルとなることが
わかる。なお、例えばＭ２７Ｍ１ が０．１０の場合エ
ツチング量の不足が異常層発生の原因であるため、Ｍ２
／Ｈ１は０．１０のままでエツチング時間を長く、例え
ば３０分間としても異常層の除去という目的は達成され
る。しかしながらエツチング時間を長くすると表面状態
が悪化しやすく、時間としては１０分程度が適当であり
、従って本発明において目的とするの良好な表面状態を
得る、■界面異常層を除去するという２項目を同時に満
足させるには、エツチング時間よりもむしろＭ２／Ｍ１
の値を適当な範囲に設定することが肝要である。
この発明によれば、ＩｎＰ基板に気相成長を施すに先行
して表面にエツチングを施すにあたり、石英反応管に導
入されるエツチングガスの上流側にＩｎ、下流側にＩｎ
Ｐ基板を設け、この反応管中に設けられる前記Ｉｎより
も一ヒ流側に開口しＰＣｌｓ蒸気を含む水素ガスを導入
するための第１の導入管、前記反応管中の前記Ｉｎより
も下流側でかつ前記ＩｎＰ基板よりも上流側に開口しＰ
Ｃｌ３蒸気を含む水素ガスを導入するための第２の導入
層を備えた気相成長装置により、その第２の導入管より
導入する単位時間あたりのＰＣＩ、蒸気のモル数Ｍ２と
、第１の導入管より導入する単位時間あたりのＰＣρ３
蒸気のモル数Ｎ、の比Ｍ２／Ｍ＋の値を０．１５〜０．
２５の範囲に選ぶことにより、表面状態が良好で、かつ
界面異常層も生じないＩｎＰ結晶の気相エツチングが達
成される顕著な効果がある。
して表面にエツチングを施すにあたり、石英反応管に導
入されるエツチングガスの上流側にＩｎ、下流側にＩｎ
Ｐ基板を設け、この反応管中に設けられる前記Ｉｎより
も一ヒ流側に開口しＰＣｌｓ蒸気を含む水素ガスを導入
するための第１の導入管、前記反応管中の前記Ｉｎより
も下流側でかつ前記ＩｎＰ基板よりも上流側に開口しＰ
Ｃｌ３蒸気を含む水素ガスを導入するための第２の導入
層を備えた気相成長装置により、その第２の導入管より
導入する単位時間あたりのＰＣＩ、蒸気のモル数Ｍ２と
、第１の導入管より導入する単位時間あたりのＰＣρ３
蒸気のモル数Ｎ、の比Ｍ２／Ｍ＋の値を０．１５〜０．
２５の範囲に選ぶことにより、表面状態が良好で、かつ
界面異常層も生じないＩｎＰ結晶の気相エツチングが達
成される顕著な効果がある。
第］−図はＩｎＰ気相成長装置の構成を示す図、第２図
及び第３図はＭ２／Ｍｌが０．２１、および０．５０の
場合の夫々のＩｎＰ成長層の表面状態を示す上面図、第
４図はＩｎＰ結晶層の表面状態と気相エツチング条件と
の関係を示す線図、第５図はＩｎＰ結晶層のキャリヤ密
度の深さ方向分布を示す線図、第６図は界面異常層の程
度と気相エツチング条件との関係を示す線図である。
及び第３図はＭ２／Ｍｌが０．２１、および０．５０の
場合の夫々のＩｎＰ成長層の表面状態を示す上面図、第
４図はＩｎＰ結晶層の表面状態と気相エツチング条件と
の関係を示す線図、第５図はＩｎＰ結晶層のキャリヤ密
度の深さ方向分布を示す線図、第６図は界面異常層の程
度と気相エツチング条件との関係を示す線図である。
Claims (1)
- 導入されるエッチングガスの上流側にＩｎ、下流側にＩ
ｎＰ基板を収容する石英反応管、上記反応管中に設けら
れる前記Ｉｎよりも上流側に開口し、ＰＣｌ＿３蒸気を
含む水素ガスを導入するための第１の導入管、前記反応
管中の前記Ｉｎよりも下流側でかつ前記ＩｎＰ基板より
も上流側に開口しＰＣｌ＿３蒸気を含む水素ガスを導入
するための第２の導入管を具備してなる気相成長装置に
よって前記ＩｎＰ基板を気相中でエッチングするに際し
、前記第２の導入管より導入する単位時間あたりのＰＣ
ｌ＿３蒸気のモル数Ｍ＿２と、前記第１の導入管より導
入する単位時間あたりのＰＣｌ＿３蒸気のモル数Ｍ＿１
の比Ｍ＿２／Ｍ＿１の値を０．１５〜０．２５の範囲に
設定することを特徴とするＩｎＰ基板の気相エッチング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25923184A JPS61139686A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 気相エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25923184A JPS61139686A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 気相エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61139686A true JPS61139686A (ja) | 1986-06-26 |
Family
ID=17331226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25923184A Pending JPS61139686A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 気相エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61139686A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5407531A (en) * | 1994-02-15 | 1995-04-18 | At&T Corp. | Method of fabricating a compound semiconductor device |
-
1984
- 1984-12-10 JP JP25923184A patent/JPS61139686A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5407531A (en) * | 1994-02-15 | 1995-04-18 | At&T Corp. | Method of fabricating a compound semiconductor device |
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