JPS61139685A - 高周波プラズマエツチング装置 - Google Patents
高周波プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS61139685A JPS61139685A JP26043584A JP26043584A JPS61139685A JP S61139685 A JPS61139685 A JP S61139685A JP 26043584 A JP26043584 A JP 26043584A JP 26043584 A JP26043584 A JP 26043584A JP S61139685 A JPS61139685 A JP S61139685A
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- Japan
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- electrode
- frequency
- chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は高周波プラズマエツヂング装置に係り、特にそ
の電極直流電圧の対第を施した装置に関する。
の電極直流電圧の対第を施した装置に関する。
高周波プラズマエツチング装置にｄ３いてプラズマエツ
ヂングを行なうとその高周波電極とアース電極（チャン
バ）との間に直流電圧が生じる。この直流電圧はエッヂ
ング材別にλ１し種々の影贋１を与えるものであるから
適当な値に保つ必要がある。
ヂングを行なうとその高周波電極とアース電極（チャン
バ）との間に直流電圧が生じる。この直流電圧はエッヂ
ング材別にλ１し種々の影贋１を与えるものであるから
適当な値に保つ必要がある。
この直流電圧の値は、電極の４１ら造、電極の利１１、
使用するガスの種類および組合わ１↓、ガスの圧力おに
び高周波電力値の５条４’＋によって定まる。
使用するガスの種類および組合わ１↓、ガスの圧力おに
び高周波電力値の５条４’＋によって定まる。
そこで、従来は実験を壬ねて上記各条イ１を適宜選定し
て装置を構成し、電極直流電圧を最適値にするようにし
ている。
て装置を構成し、電極直流電圧を最適値にするようにし
ている。
しかしながら、この最適化操作は何れの条イ′１につい
てみてもかなり煩利であり、熟練を凍り−る。
てみてもかなり煩利であり、熟練を凍り−る。
本発明は上述の点を完売してなされたもので、電極直流
電圧を簡単に制御することができる高周波プラズマエツ
チング装置を提供することを目的とザる。
電圧を簡単に制御することができる高周波プラズマエツ
チング装置を提供することを目的とザる。
（発明の概要）
この目的達成のため、本発明では、高周波電極とアース
電極との間に直流バイパス路を形成し、この直流バイパ
ス路の抵抗値を調整して電極直流電圧を制御するように
した高周波プラズマエツチング装置を提供するものであ
る。
電極との間に直流バイパス路を形成し、この直流バイパ
ス路の抵抗値を調整して電極直流電圧を制御するように
した高周波プラズマエツチング装置を提供するものであ
る。
以下添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の原理的構成を示したもので、１はチャ
ンバでありアース電極を兼ねる。このチャンバ１には高
周波電極２が設けられ、高周波電極２上にエツチング相
別３が載置される９、またチャンバ１にはガス供給路４
から所定のガスが供給され、旧つυ１気孔５から排出さ
れてチャンバ１内はガスが満たされる。一方高周波電極
２には通水管６が設けられており、エツチング処理に伴
って発生する熱が除去される。
ンバでありアース電極を兼ねる。このチャンバ１には高
周波電極２が設けられ、高周波電極２上にエツチング相
別３が載置される９、またチャンバ１にはガス供給路４
から所定のガスが供給され、旧つυ１気孔５から排出さ
れてチャンバ１内はガスが満たされる。一方高周波電極
２には通水管６が設けられており、エツチング処理に伴
って発生する熱が除去される。
次にチャンバ１と高周波電極２との間には高周波電源１
−ＩＦからの高周波電流が、可変インダクタンスＬ １
可変キヤパシタンスＣｖからなるマツ■ ヂング回路、および結合コンデン→ＪＣｏを介して与え
られる。
−ＩＦからの高周波電流が、可変インダクタンスＬ １
可変キヤパシタンスＣｖからなるマツ■ ヂング回路、および結合コンデン→ＪＣｏを介して与え
られる。
これによりチャンバ１と高周波電極２との間に高周波通
電が行なわれてチャンバ１内はプラズマ雰囲気となり、
エツチング材料３に対しエツチング処理が行なわれる。
電が行なわれてチャンバ１内はプラズマ雰囲気となり、
エツチング材料３に対しエツチング処理が行なわれる。
このエツチングｆｆｉ理が行なわれることにより電極直
流電圧が生じ、この電極直流電圧は上記５条件によって
決まるが、これら各条件につき説明すると次の通りであ
る。
流電圧が生じ、この電極直流電圧は上記５条件によって
決まるが、これら各条件につき説明すると次の通りであ
る。
（１）電極の構造
高周波電極とアース電極（チャンバ）との面積比が大き
くなると直流電圧は大となる。すなわち（２）電極の材
料 アース電極の月料どして電子放出の仕事関数の小さいも
のを用いれば直流電圧は高くなる。
くなると直流電圧は大となる。すなわち（２）電極の材
料 アース電極の月料どして電子放出の仕事関数の小さいも
のを用いれば直流電圧は高くなる。
（３）ガスの種類
ガス特有の性質に応じて直流電圧どなる。
（４）ガスの圧力
圧力を低くすると直流電圧は高くなる。
（５）高周波電力
電力の平方根に略々比例した直流電圧が生じる。
このＪ：うな諸条件に応じて発生する直流電圧はエツチ
ングに対し次のような関係がある。
ングに対し次のような関係がある。
ａ）直流電圧が高くなるに伴いダメージが大ぎくなる。
ｂ） 電力が増加してもエツチングレートには影響が
あまりない。エツチングレートはクミカル作用により決
まるものである。ただし表面のナチュラルオキザイドを
除去するには効果がある。
あまりない。エツチングレートはクミカル作用により決
まるものである。ただし表面のナチュラルオキザイドを
除去するには効果がある。
Ｃ）直流電圧を高くするとアンダーカットが少なくなる
。直流電圧を低くするとケミカル作用だ【プになるので
等方性のアンダーカットが入る。
。直流電圧を低くするとケミカル作用だ【プになるので
等方性のアンダーカットが入る。
このよう４１点から直流電圧を制御することは重要な意
味がある。そしてこの直流電圧を検出するために、イン
ダクタンスし。およびキャパシタンスｃｏからなるロー
パスフィルタを介して高周波電極２とチャンバ１との間
にバイパス抵抗ＲＢおよび電流計■を接続すると共に電
圧ｆｆｔ Ｖを接続する。
味がある。そしてこの直流電圧を検出するために、イン
ダクタンスし。およびキャパシタンスｃｏからなるロー
パスフィルタを介して高周波電極２とチャンバ１との間
にバイパス抵抗ＲＢおよび電流計■を接続すると共に電
圧ｆｆｔ Ｖを接続する。
したがって高周波電極２とチャンバ１との間に生じた直
流電圧はローパスフィルタによって重畳高周波が除去さ
れてバイパス抵抗ＲＢに流れ、電流は電流ｉｔ Ｉによ
り、また電圧は電圧計Ｖににりそれぞれ測定される。
流電圧はローパスフィルタによって重畳高周波が除去さ
れてバイパス抵抗ＲＢに流れ、電流は電流ｉｔ Ｉによ
り、また電圧は電圧計Ｖににりそれぞれ測定される。
ここでバイパス抵抗Ｒ８の抵抗値を加減することにより
直流電圧を調整することができる。調整はエツチング開
始前またはエツチング処理中の何れで行なってもよい。
直流電圧を調整することができる。調整はエツチング開
始前またはエツチング処理中の何れで行なってもよい。
この場合は手動操作により直流電圧を制御する。
第２図および第３図はそれぞれ本発明の他の実施例を示
したもので、何れも自動制御により直流電圧を制御し得
るようにしている。これは例えばマイクロコンピュータ
による直流定電圧制御を行なうようにしたもので、直流
電圧信号およびバイパス抵抗の電流信号をマイクロコン
ビニ１−タに５え、マイクロコンビコータから電圧指令
を受取る。
したもので、何れも自動制御により直流電圧を制御し得
るようにしている。これは例えばマイクロコンピュータ
による直流定電圧制御を行なうようにしたもので、直流
電圧信号およびバイパス抵抗の電流信号をマイクロコン
ビニ１−タに５え、マイクロコンビコータから電圧指令
を受取る。
まず第２図の回路では、抵抗Ｒ１およびＲ２の分圧回路
により取出した電圧を増幅器△ＭＰ２を介してマイクロ
コンビコータ（図示μザ）にりえる。７Ｌだバイパス抵
抗Ｒ９の電圧降下分として取出した電流を表す信号を増
幅器Ａ Ｍ Ｐ １を介してマイク［］コンピュータに
５える。、イしてマイクｒ゛１］ンピコータからの電圧
指令を：ＩンパレータＣＯＭＰを介してトランジスタＴ
ｒにＪｊえる。−１ンパレ一タＣＯＭＰには基準信８ど
して抵抗Ｒ１゜Ｒ２の分圧回路により取出した電圧がＪ
ｊえられてａ３す、この基準信号と電圧指令との比較結
果をトランジスタＴ に与えてバイパス抵抗Ｒ８に流−
リ電流を決める。ｊ〜ランジスタ”ｒｒｔ；を高耐圧Ｆ
Ｅ １−でもよい。
により取出した電圧を増幅器△ＭＰ２を介してマイクロ
コンビコータ（図示μザ）にりえる。７Ｌだバイパス抵
抗Ｒ９の電圧降下分として取出した電流を表す信号を増
幅器Ａ Ｍ Ｐ １を介してマイク［］コンピュータに
５える。、イしてマイクｒ゛１］ンピコータからの電圧
指令を：ＩンパレータＣＯＭＰを介してトランジスタＴ
ｒにＪｊえる。−１ンパレ一タＣＯＭＰには基準信８ど
して抵抗Ｒ１゜Ｒ２の分圧回路により取出した電圧がＪ
ｊえられてａ３す、この基準信号と電圧指令との比較結
果をトランジスタＴ に与えてバイパス抵抗Ｒ８に流−
リ電流を決める。ｊ〜ランジスタ”ｒｒｔ；を高耐圧Ｆ
Ｅ １−でもよい。
次に第３図の回路では、１〜ランジスクＴ、をスイッチ
ング動作させるべく］レクタ側にインダクタンスし い
キャパシタンスＣ２、Ｃ３からなる振動回路を設【づ、
これににリバイパス抵抗Ｒ３から検出した電流を表す信
舅の振動分を除去するため抵抗Ｒおよびキャパシタンス
Ｃ１からなる［１一パスフィルタを介して取出した信号
を増幅器ＡＭＰ１に与えるようにしている。１ヘランジ
スタＴ、はザイリスタとかＧ丁Ｏ装置１条えてもＪ：い
。
ング動作させるべく］レクタ側にインダクタンスし い
キャパシタンスＣ２、Ｃ３からなる振動回路を設【づ、
これににリバイパス抵抗Ｒ３から検出した電流を表す信
舅の振動分を除去するため抵抗Ｒおよびキャパシタンス
Ｃ１からなる［１一パスフィルタを介して取出した信号
を増幅器ＡＭＰ１に与えるようにしている。１ヘランジ
スタＴ、はザイリスタとかＧ丁Ｏ装置１条えてもＪ：い
。
このようにスイッチングを行なわせるとトランジスタ等
の発熱問題が緩和されるから大電力を扱うことができる
。
の発熱問題が緩和されるから大電力を扱うことができる
。
本発明は上述のＪ：うに、高周波電極とアース電極との
間に直流バイパス路を形成し、この直流バイパス路の抵
抗値を調整して電極直流電圧を微細に制御できるため、
■ツヂング条件を容易に最適化できる。
間に直流バイパス路を形成し、この直流バイパス路の抵
抗値を調整して電極直流電圧を微細に制御できるため、
■ツヂング条件を容易に最適化できる。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図および
第３図は本発明の他の実施例にお【ｊる直流電圧制御回
路を示す図である。 １・・・チ１１ンバ（アース電極）、２・・・高周波電
極、３・・・エツブング相別。 出願人代理人 猪 股 清 第１ 図
第３図は本発明の他の実施例にお【ｊる直流電圧制御回
路を示す図である。 １・・・チ１１ンバ（アース電極）、２・・・高周波電
極、３・・・エツブング相別。 出願人代理人 猪 股 清 第１ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チャンバ内にガスを満たし前記チャンバが兼ねるアース
電極と前記チャンバに設けた高周波電極との間に高周波
通電を行なって前記チャンバ内をプラズマ雰囲気として
エッチング材料をエッチングする高周波プラズマエッチ
ング装置において、前記高周波電極とアース電極との間
に抵抗値を変え得る直流バイパス路を形成し、 この直流バイパス路の抵抗値を変えることにより前記両
電極間の直流電圧を加減するようにしたことを特徴とす
る高周波プラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26043584A JPS61139685A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 高周波プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26043584A JPS61139685A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 高周波プラズマエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61139685A true JPS61139685A (ja) | 1986-06-26 |
| JPS6210310B2 JPS6210310B2 (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=17347895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26043584A Granted JPS61139685A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 高周波プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61139685A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6327034U (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-22 | ||
| US4897171A (en) * | 1985-11-26 | 1990-01-30 | Tadahiro Ohmi | Wafer susceptor |
| US9536711B2 (en) | 2007-03-30 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for DC voltage control on RF-powered electrode |
-
1984
- 1984-12-10 JP JP26043584A patent/JPS61139685A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4897171A (en) * | 1985-11-26 | 1990-01-30 | Tadahiro Ohmi | Wafer susceptor |
| JPS6327034U (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-22 | ||
| US9536711B2 (en) | 2007-03-30 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for DC voltage control on RF-powered electrode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6210310B2 (ja) | 1987-03-05 |
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