JPS61137113A - アライナ− - Google Patents
アライナ−Info
- Publication number
- JPS61137113A JPS61137113A JP25871884A JP25871884A JPS61137113A JP S61137113 A JPS61137113 A JP S61137113A JP 25871884 A JP25871884 A JP 25871884A JP 25871884 A JP25871884 A JP 25871884A JP S61137113 A JPS61137113 A JP S61137113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elements
- electric field
- laminated piezoelectric
- piezoelectric elements
- aligner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/003—Alignment of optical elements
- G02B7/005—Motorised alignment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学機器の位置決め、精密機器のコントロー
ル等に用いられる3次元的な超微小位置決めが可能な圧
電素子を利用したアライナ−(微動装置)に関する。
ル等に用いられる3次元的な超微小位置決めが可能な圧
電素子を利用したアライナ−(微動装置)に関する。
この種のアライナ−としては、米国のBurleigh
社で製品化されているALIGNER/TRANSLA
TOR5がよく知られており、実用に供されている。第
3図はこの従来のアライナ−の構成を説明するための図
であり、第3図(a−)は平面図、第3図(b)は一部
切欠き断面図をそれぞれ示している。このアライナ−で
は、圧電材料からなる3(11i1の円筒状の圧電素子
(例えばセラミック素子) 31a、 31b。
社で製品化されているALIGNER/TRANSLA
TOR5がよく知られており、実用に供されている。第
3図はこの従来のアライナ−の構成を説明するための図
であり、第3図(a−)は平面図、第3図(b)は一部
切欠き断面図をそれぞれ示している。このアライナ−で
は、圧電材料からなる3(11i1の円筒状の圧電素子
(例えばセラミック素子) 31a、 31b。
31cが、円筒32と底板33とからなるハウジング3
4の内部に格納固定されている。ハウジング34の底板
33は、接着剤35によって円′w133の端面に固着
されており、3個のセラミック素子31a、 31b、
31cは、円筒32の中心軸Oに対して12Q°間隔
で配置されるように、接着剤35によってそれぞれの端
面がハウジング34の底板に固着されている。各々の円
筒状圧電素子31a、 31b、 31cの内外面には
電極(図示せず)がコーティングされており、各圧電素
子の電極はそれぞれリード線36a、 36b、 36
cに接続されている。一般に圧電素子は、第4図に示す
ように、矢印で示す分極方向を示す圧電素子41に電極
42.43を設け、スイッチS、を投入して電界Eを図
示のようにかけると圧電逆効果(緬効果)により電界方
向に伸び、スイッチS1 を切るともとの寸法に縮み、
電界の変化に数10nsecのスピードで追従する。し
たがって3つの圧電素子の電圧を適当に制御して、圧電
素子に接する物体の3次元的な微小位置決めが可能とな
る。このような3次元的な微小位置決めは、カメラ等の
光学機器のレンズの光軸合わせにおいてきわめてニーズ
が大きく、かつ高スピード性を要求されてきている。
4の内部に格納固定されている。ハウジング34の底板
33は、接着剤35によって円′w133の端面に固着
されており、3個のセラミック素子31a、 31b、
31cは、円筒32の中心軸Oに対して12Q°間隔
で配置されるように、接着剤35によってそれぞれの端
面がハウジング34の底板に固着されている。各々の円
筒状圧電素子31a、 31b、 31cの内外面には
電極(図示せず)がコーティングされており、各圧電素
子の電極はそれぞれリード線36a、 36b、 36
cに接続されている。一般に圧電素子は、第4図に示す
ように、矢印で示す分極方向を示す圧電素子41に電極
42.43を設け、スイッチS、を投入して電界Eを図
示のようにかけると圧電逆効果(緬効果)により電界方
向に伸び、スイッチS1 を切るともとの寸法に縮み、
電界の変化に数10nsecのスピードで追従する。し
たがって3つの圧電素子の電圧を適当に制御して、圧電
素子に接する物体の3次元的な微小位置決めが可能とな
る。このような3次元的な微小位置決めは、カメラ等の
光学機器のレンズの光軸合わせにおいてきわめてニーズ
が大きく、かつ高スピード性を要求されてきている。
第3図において述べた構成において、円筒状圧電素子3
1a、 31b、 31cへの電界付与手段に着目する
と、円筒状圧電素子の内外周面に電極を設け、その肉厚
方向に電圧を印加し印加方向と直角なる軸方向に圧電素
子を伸縮させんとするものであり、これは圧電素子の横
効果歪を利用せんとするものである。一般に圧電素子の
材料である強誘電セラミックの性質として、同一電界強
度のもとでは横効果による歪量は縦効果による歪量の1
/3〜1/2の大きさという関係が成立する。したがっ
て同−歪を得ようとする場合、横効果歪を利用すること
は、縦効果歪を利用する場合の2〜3倍の電界強度を必
要とすることになり効率が悪い。
1a、 31b、 31cへの電界付与手段に着目する
と、円筒状圧電素子の内外周面に電極を設け、その肉厚
方向に電圧を印加し印加方向と直角なる軸方向に圧電素
子を伸縮させんとするものであり、これは圧電素子の横
効果歪を利用せんとするものである。一般に圧電素子の
材料である強誘電セラミックの性質として、同一電界強
度のもとでは横効果による歪量は縦効果による歪量の1
/3〜1/2の大きさという関係が成立する。したがっ
て同−歪を得ようとする場合、横効果歪を利用すること
は、縦効果歪を利用する場合の2〜3倍の電界強度を必
要とすることになり効率が悪い。
一方この欠点を解決するために第5図に示すように、円
筒状セラミ’7り素子51の両端面に電極52゜53を
構成し、縦効果歪を利用することも考えられる。しかし
圧電材料の伸縮率は電界強度にほぼ比例するため、セラ
ミック素子51の肉厚を大きくして伸縮率を稼ごうとす
れば大きな電圧を必要とするごとになる。具体的に例を
示せば、伸び量は肉厚1mmの円筒状セラミック素子に
600Vの電圧を印加して2〜3μmである。原理的に
は、印加電圧を大きくして伸縮量を稼くことはできるが
、より高速でアライナ−を動作させる上で好ましくなく
、また高圧であることより安全性の上からも好ましくな
い。第4図において述べた圧電素子の動作原理から判る
ように、圧電素子をより高速に伸縮させるには、スイッ
チS1 を高スピードで動作させることが必要であり、
このためにはトランジスタが用いられる。したがってセ
ラミック素子の印加電圧を大きくすることは、等価的に
高電圧で高スピードで動作するトランジスタの開発が必
要である。
筒状セラミ’7り素子51の両端面に電極52゜53を
構成し、縦効果歪を利用することも考えられる。しかし
圧電材料の伸縮率は電界強度にほぼ比例するため、セラ
ミック素子51の肉厚を大きくして伸縮率を稼ごうとす
れば大きな電圧を必要とするごとになる。具体的に例を
示せば、伸び量は肉厚1mmの円筒状セラミック素子に
600Vの電圧を印加して2〜3μmである。原理的に
は、印加電圧を大きくして伸縮量を稼くことはできるが
、より高速でアライナ−を動作させる上で好ましくなく
、また高圧であることより安全性の上からも好ましくな
い。第4図において述べた圧電素子の動作原理から判る
ように、圧電素子をより高速に伸縮させるには、スイッ
チS1 を高スピードで動作させることが必要であり、
このためにはトランジスタが用いられる。したがってセ
ラミック素子の印加電圧を大きくすることは、等価的に
高電圧で高スピードで動作するトランジスタの開発が必
要である。
第6図(a)および(b)はそれぞれ電力用の合金形接
合トランジスタの構造を示しており、図中61.65は
半導体を、62.66はエミッタ電極を、63、67は
ベース電極を、64.68はコレクタ電極をそれぞれ示
している。これら電力用の合金形接合トランジスタにお
いては、エミッタ電極62.66、コレクタ電極64.
68の電流面積をできるだけ大きくして、電流密度が過
大にならないよう工夫されている。スイッチング速度が
早くなればなるほど、表皮効果の影響で、電極表面の近
傍しか電流が流れなくなるため、さらに電極の表面積を
大きくする工夫が必要である。したがって高速度で高耐
圧のトランジスタになればなるほど、半導体61.65
および電極の表面積も大きくなり、低耐圧のものに比べ
て歩留りも悪く高価になる。また複数個の低耐圧のl・
ランジスタを用いて高電圧を分割してスイッチングさせ
る方法もあるが、ディレィの問題や各トランジスタのバ
ランスの問題を解決するための調整時間を必要とする。
合トランジスタの構造を示しており、図中61.65は
半導体を、62.66はエミッタ電極を、63、67は
ベース電極を、64.68はコレクタ電極をそれぞれ示
している。これら電力用の合金形接合トランジスタにお
いては、エミッタ電極62.66、コレクタ電極64.
68の電流面積をできるだけ大きくして、電流密度が過
大にならないよう工夫されている。スイッチング速度が
早くなればなるほど、表皮効果の影響で、電極表面の近
傍しか電流が流れなくなるため、さらに電極の表面積を
大きくする工夫が必要である。したがって高速度で高耐
圧のトランジスタになればなるほど、半導体61.65
および電極の表面積も大きくなり、低耐圧のものに比べ
て歩留りも悪く高価になる。また複数個の低耐圧のl・
ランジスタを用いて高電圧を分割してスイッチングさせ
る方法もあるが、ディレィの問題や各トランジスタのバ
ランスの問題を解決するための調整時間を必要とする。
以」二述べた理由で、セラミック素子の印加電圧をさら
に大きくしで伸縮量を稼くことは、これに使用するスイ
ッチングトランジスタの面及び装置の小型化、安全性な
どの面からして、より高速でアライナ−を動作させる上
で好ましくなく、プライナーの廉価3小型化を図る上で
大きな障害となっている。
に大きくしで伸縮量を稼くことは、これに使用するスイ
ッチングトランジスタの面及び装置の小型化、安全性な
どの面からして、より高速でアライナ−を動作させる上
で好ましくなく、プライナーの廉価3小型化を図る上で
大きな障害となっている。
このような問題点を回避して低電圧印加駆動による高歪
発生を達成するために、薄板状圧電素子の厚み方向の表
裏面に電極を設定し、このような薄板を多数枚積層して
一体化した素子に電圧を並列に印加することにより、一
層当りの電界強度を大にして全体として高歪を取り出す
積層型圧電素子が開発されているが、各薄板をあまり薄
くすることが出来ないため、積層型圧電素子でも高い駆
動電圧が必要である。また薄板を積層するのに接着剤を
使用するため、生産性が悪く、コスト高である。更に接
着層が介在するために純粋な圧電素子としての一様な歪
が取り出せない。寿命等の信頼性に欠け、更に寸法が大
きい等の理由で電子部品用素子としては充分に満足の出
来るものではなかった。
発生を達成するために、薄板状圧電素子の厚み方向の表
裏面に電極を設定し、このような薄板を多数枚積層して
一体化した素子に電圧を並列に印加することにより、一
層当りの電界強度を大にして全体として高歪を取り出す
積層型圧電素子が開発されているが、各薄板をあまり薄
くすることが出来ないため、積層型圧電素子でも高い駆
動電圧が必要である。また薄板を積層するのに接着剤を
使用するため、生産性が悪く、コスト高である。更に接
着層が介在するために純粋な圧電素子としての一様な歪
が取り出せない。寿命等の信頼性に欠け、更に寸法が大
きい等の理由で電子部品用素子としては充分に満足の出
来るものではなかった。
しかし、最近超小形圧電セラミック素子が開発され、電
子通信学会、超音波研究会資料U S 83−8゜頁5
5〜59.昭和58年5月に発表された。この超小型圧
電セラミック素子は、積層セラミックコンデンサの製造
技術を応用することで、接着剤を使用、しないで焼成に
より圧電セラミック板を積層一体化して上記欠点を全て
克服した画期的な積層型圧電素子である。
子通信学会、超音波研究会資料U S 83−8゜頁5
5〜59.昭和58年5月に発表された。この超小型圧
電セラミック素子は、積層セラミックコンデンサの製造
技術を応用することで、接着剤を使用、しないで焼成に
より圧電セラミック板を積層一体化して上記欠点を全て
克服した画期的な積層型圧電素子である。
本発明の目的は、この一体焼成タイプの積層型圧電素子
を利用し、低電圧で駆動できるようにした3次元的な位
置決めが可能なアライナ−を提供することにある。
を利用し、低電圧で駆動できるようにした3次元的な位
置決めが可能なアライナ−を提供することにある。
本発明のアライナ−は、圧電逆効果を呈する複数個の一
体焼成タイプの積層型圧電素子と、該積層型圧電素子の
各々が独立して軸方向の伸縮作用を行えるように該積層
型圧電素子内に電界を接断する手段と、この電界の強度
を変化させるための電界付加手段と、該複数個の積層型
圧電素子を格納固定するハウジングとを具備してなり、
前記積層型圧電素子の各々に付与する電界の大きさと該
電界の接断とを制御することにより、該複数個の積1−
型圧電素子の変位量と伸縮の周期を制御できるように構
成され、前記複数個の積層型圧電素子の伸び縮めの歪を
被制御物体に伝達し、被制御物体を3次元的に位置決め
することができる。
体焼成タイプの積層型圧電素子と、該積層型圧電素子の
各々が独立して軸方向の伸縮作用を行えるように該積層
型圧電素子内に電界を接断する手段と、この電界の強度
を変化させるための電界付加手段と、該複数個の積層型
圧電素子を格納固定するハウジングとを具備してなり、
前記積層型圧電素子の各々に付与する電界の大きさと該
電界の接断とを制御することにより、該複数個の積1−
型圧電素子の変位量と伸縮の周期を制御できるように構
成され、前記複数個の積層型圧電素子の伸び縮めの歪を
被制御物体に伝達し、被制御物体を3次元的に位置決め
することができる。
以下、本発明の一実施例について、図面を参照して説明
する。第1図は本発明によるアライナ−(@動装置)の
構成を説明するための図であり、第1図(a)は平面図
、第1図(b)は一部切欠き断面図をそれぞ示している
。ごのアライナ−では、寸法が10mmψ×401の3
個の円柱状の積層型圧電素子11a、 llb、 ll
cが円筒12と底板13とからなるハウジング14の内
部に設けられている。ハウジング14の底板13ば、接
着剤15によって円筒12の端面に固着されており、3
個の積層型圧電素子11a、 llb、 Ilcは、円
筒12の中心軸Oに対して120°間隔で配置されるよ
うに、接着剤15によってそれぞれの端面がハウジング
14の底板13に固着されている。各々の積層型圧電素
子11a、 llb、 ILcには後述するように電極
(図示せず)が設けられており、各積層型圧電素子の電
極は、それぞれり−ド線16a、 16b、 16cに
接続されている。
する。第1図は本発明によるアライナ−(@動装置)の
構成を説明するための図であり、第1図(a)は平面図
、第1図(b)は一部切欠き断面図をそれぞ示している
。ごのアライナ−では、寸法が10mmψ×401の3
個の円柱状の積層型圧電素子11a、 llb、 ll
cが円筒12と底板13とからなるハウジング14の内
部に設けられている。ハウジング14の底板13ば、接
着剤15によって円筒12の端面に固着されており、3
個の積層型圧電素子11a、 llb、 Ilcは、円
筒12の中心軸Oに対して120°間隔で配置されるよ
うに、接着剤15によってそれぞれの端面がハウジング
14の底板13に固着されている。各々の積層型圧電素
子11a、 llb、 ILcには後述するように電極
(図示せず)が設けられており、各積層型圧電素子の電
極は、それぞれり−ド線16a、 16b、 16cに
接続されている。
第2図は、第1図に示すアライナ−に使用する一体焼成
タイプの積層型圧電素子の構造を説明するための図であ
り、第2図(a)はその要部断面図を、第2図(b)は
第2図(a)のA−A ’線断面図をそれぞれ示してい
る。これら図を参照すると、積層型圧電素子は多数の円
板状の内部電極層21が円柱状のセラミック22の内部
に100.+1mの間隔で層状に埋め込まれており、こ
れら内部電極層21の周縁部はセラミック22より露出
している。
タイプの積層型圧電素子の構造を説明するための図であ
り、第2図(a)はその要部断面図を、第2図(b)は
第2図(a)のA−A ’線断面図をそれぞれ示してい
る。これら図を参照すると、積層型圧電素子は多数の円
板状の内部電極層21が円柱状のセラミック22の内部
に100.+1mの間隔で層状に埋め込まれており、こ
れら内部電極層21の周縁部はセラミック22より露出
している。
内部電極1iit21の露出している周縁部の一部は、
第2図(a)に示すように、一層おきに複数個の絶縁体
23および24で交互に覆われている。複数個の絶縁体
23と、絶縁体23によって覆われていない内部電極層
21の周縁部の一部とを覆うように一方の外部電極25
が被着され、複数個の絶縁体24と、絶縁体24によっ
て覆われていない内部電極層21の周縁部の一部とを覆
うように他方の外部電極26が被着されている。したが
って複数の内部電極層21は、各層おきに外部電極25
および26にそれぞれ接続されるので、各内部電極層2
1は互いに電気的に並列に接続されることになる。また
これら積層型圧電素子は厚み方向に分極処理が施されて
いるために、外部電極25.26間に電圧が印加される
とその厚み方向すなわち積層型圧電素子の軸方向に電圧
の大きざに比例して伸びる。一方電界の方向を変えると
縮む。前述したように積層型圧電素子の形状は10mm
φX 40mmであり、内部電極層の間隔は100μm
であるが、このような圧電素子に例えば100Vの電圧
を印加すると32μm伸び、この伸びは電圧値にほぼ比
例している。これら積層型圧電素子の一方の端面ば、第
1図に示したようにハウジング14の底板13に接着剤
15で接着されている。また、第1図に示すようにこれ
ら積層型圧電素子11a、 11b、 IICには、電
圧を印加できるよう各々リード線16a、 16b、
16cが取り出されている。
第2図(a)に示すように、一層おきに複数個の絶縁体
23および24で交互に覆われている。複数個の絶縁体
23と、絶縁体23によって覆われていない内部電極層
21の周縁部の一部とを覆うように一方の外部電極25
が被着され、複数個の絶縁体24と、絶縁体24によっ
て覆われていない内部電極層21の周縁部の一部とを覆
うように他方の外部電極26が被着されている。したが
って複数の内部電極層21は、各層おきに外部電極25
および26にそれぞれ接続されるので、各内部電極層2
1は互いに電気的に並列に接続されることになる。また
これら積層型圧電素子は厚み方向に分極処理が施されて
いるために、外部電極25.26間に電圧が印加される
とその厚み方向すなわち積層型圧電素子の軸方向に電圧
の大きざに比例して伸びる。一方電界の方向を変えると
縮む。前述したように積層型圧電素子の形状は10mm
φX 40mmであり、内部電極層の間隔は100μm
であるが、このような圧電素子に例えば100Vの電圧
を印加すると32μm伸び、この伸びは電圧値にほぼ比
例している。これら積層型圧電素子の一方の端面ば、第
1図に示したようにハウジング14の底板13に接着剤
15で接着されている。また、第1図に示すようにこれ
ら積層型圧電素子11a、 11b、 IICには、電
圧を印加できるよう各々リード線16a、 16b、
16cが取り出されている。
第1図および第2図に示したような構造のアライナ−は
、積層型圧電素子の各々が独立して軸方向の伸縮作用を
行えるように積層型圧電素子内に電界を接断する手段と
、この電界の強度を変化させるための電界付加手段とを
更に備えており、これら手段により積層型圧電素子の各
々に付与する電界の大きさと電界の接断を制御すること
によって、積層型圧電素子の変位量と伸縮の周期を制御
し、積層型圧電素子の伸び縮みの歪を被制御物体に伝達
し、被制御物体を3次元的に位置決めすることができる
。
、積層型圧電素子の各々が独立して軸方向の伸縮作用を
行えるように積層型圧電素子内に電界を接断する手段と
、この電界の強度を変化させるための電界付加手段とを
更に備えており、これら手段により積層型圧電素子の各
々に付与する電界の大きさと電界の接断を制御すること
によって、積層型圧電素子の変位量と伸縮の周期を制御
し、積層型圧電素子の伸び縮みの歪を被制御物体に伝達
し、被制御物体を3次元的に位置決めすることができる
。
以上の構造のアライナ−を用いて動作試験を行った結果
、従来の同寸法のセラミック素子を用いた場合に比べて
1/20の印加電圧で同じ歪率が得られた。また、従来
の円筒状圧電素子を用いた場合に比べ、セラミック素子
部分はコンパクトなため10倍の機械的強度を有した。
、従来の同寸法のセラミック素子を用いた場合に比べて
1/20の印加電圧で同じ歪率が得られた。また、従来
の円筒状圧電素子を用いた場合に比べ、セラミック素子
部分はコンパクトなため10倍の機械的強度を有した。
本実施例では、内部電極層の電極間隔が100μmの積
層型圧電素子を用いたが、電極間隔がさらに小さい積層
型圧電素子を用いてさらに低電圧駆動することも可能で
ある。
層型圧電素子を用いたが、電極間隔がさらに小さい積層
型圧電素子を用いてさらに低電圧駆動することも可能で
ある。
以」二、本発明の一実施例を説明したが、当業者であれ
ば本発明の範囲内で種々の変形、変更が可能なことは勿
論である。例えば、ハウジング内に格納固定する積層型
圧電素子の個数は3個に限られるものではなく、目的に
応じて必要な個数とすることができる。また、積層型圧
電素子の形状も円形断面に限るものではなく、矩形断面
等とすることもできる。
ば本発明の範囲内で種々の変形、変更が可能なことは勿
論である。例えば、ハウジング内に格納固定する積層型
圧電素子の個数は3個に限られるものではなく、目的に
応じて必要な個数とすることができる。また、積層型圧
電素子の形状も円形断面に限るものではなく、矩形断面
等とすることもできる。
本発明は以上説明したように、伸縮作用をする圧電素子
に小形高性能な積層型圧電素子を採用した構成により、 (1)低電圧駆動化が可能である、 (2)一体焼成タイプの積層素子のため、量産性。
に小形高性能な積層型圧電素子を採用した構成により、 (1)低電圧駆動化が可能である、 (2)一体焼成タイプの積層素子のため、量産性。
信頼性が高い、
(3)上記理由により装置、駆動回路の小型化。
コンパクト化が可能である、
等の効果があり、その経済的1機能的、信頼性的波及効
果は甚大である。
果は甚大である。
第1図は、本発明のアライナ−の一実施例を説明するた
めの構成図、 第2図は、第1図の実施例に使用される積層型圧電素子
の概略図、 第3図は、従来のアライナ−を説明するための構成図、 第4図は、圧電素子の基本的性質を説明するための図、 第5図は、従来例に於いて縦効果を利用せんとした場合
の伸縮素子の斜視図、 第6図は、電力用の合金形接合トランジスタの構成図で
ある。 11a、llb、llc ・積層型圧電素子12・・
・・・・円筒 ≧・ ・8) 一、t′3 13・・・・・・底板 14・・・・・・ハウジング 15・・・・・・接着剤 16a、16b、16c ・リード線21・・・・・
・内部電極層 22・・・・・・セラミック 23.24 ・・・・絶縁体
めの構成図、 第2図は、第1図の実施例に使用される積層型圧電素子
の概略図、 第3図は、従来のアライナ−を説明するための構成図、 第4図は、圧電素子の基本的性質を説明するための図、 第5図は、従来例に於いて縦効果を利用せんとした場合
の伸縮素子の斜視図、 第6図は、電力用の合金形接合トランジスタの構成図で
ある。 11a、llb、llc ・積層型圧電素子12・・
・・・・円筒 ≧・ ・8) 一、t′3 13・・・・・・底板 14・・・・・・ハウジング 15・・・・・・接着剤 16a、16b、16c ・リード線21・・・・・
・内部電極層 22・・・・・・セラミック 23.24 ・・・・絶縁体
Claims (1)
- (1)圧電逆効果を呈する複数個の一体焼成タイプの積
層型圧電素子と、該積層型圧電素子の各々が独立して軸
方向の伸縮作用を行えるように該積層型圧電素子内に電
界を接断する手段と、この電界の強度を変化させるため
の電界付加手段と、該複数個の積層型圧電素子を格納固
定するハウジングとを具備してなり、前記積層型圧電素
子の各々に付与する電界の大きさと該電界の接断とを制
御することにより、該複数個の積層型圧電素子の変位量
と伸縮の周期を制御することを特徴とするアライナー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25871884A JPS61137113A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | アライナ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25871884A JPS61137113A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | アライナ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61137113A true JPS61137113A (ja) | 1986-06-24 |
Family
ID=17324124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25871884A Pending JPS61137113A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | アライナ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61137113A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4926477A (ja) * | 1972-07-07 | 1974-03-08 | ||
JPS59115579A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Nec Corp | 電歪効果素子およびその製造方法 |
JPS59145583A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層型圧電変位素子 |
-
1984
- 1984-12-07 JP JP25871884A patent/JPS61137113A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4926477A (ja) * | 1972-07-07 | 1974-03-08 | ||
JPS59115579A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Nec Corp | 電歪効果素子およびその製造方法 |
JPS59145583A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層型圧電変位素子 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4454441A (en) | Piezoelectric driving apparatus | |
US5669127A (en) | Method of manufacturing an electro-mechanical energy conversion device for vibration driven actuator | |
US20080211353A1 (en) | High temperature bimorph actuator | |
JPS61137113A (ja) | アライナ− | |
JP4611450B2 (ja) | 超音波モータおよび超音波モータ付電子機器 | |
JPH1131854A (ja) | 積層型アクチュエータとその圧電素子の製造方法 | |
JPS6395868A (ja) | 静電アクチユエ−タ | |
JPS62104182A (ja) | 積層圧電体の製造方法 | |
JPS5918932A (ja) | 光偏向装置 | |
JPS5930543Y2 (ja) | 積層型電歪駆動装置 | |
JPS60219972A (ja) | 積層型圧電素子を利用した微動装置 | |
JP3360384B2 (ja) | 積層型アクチュエータ | |
JPH0334383A (ja) | 積層セラミックス圧電アクチュエータ | |
JPS61183981A (ja) | 圧電体変位装置 | |
JPH0436231Y2 (ja) | ||
JPH0846261A (ja) | 積層型圧電アクチュエータ | |
JP3480127B2 (ja) | 積層型アクチュエータ | |
JPH05121792A (ja) | 積層型圧電素子の製造方法 | |
JP2587406Y2 (ja) | 圧電セラミックスアクチュエ−タ | |
JPH0453009Y2 (ja) | ||
JPH0447556B2 (ja) | ||
JPS6064212A (ja) | 圧電式アクチュエ−タ装置 | |
KR20140146739A (ko) | 일자형 압전 리니어 액추에이터 | |
JPS62154679A (ja) | 積層圧電変位素子 | |
JPS61121375A (ja) | 微小角変位機構用圧電体 |