JPS61134682A - 素子特性測定装置 - Google Patents
素子特性測定装置Info
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- JPS61134682A JPS61134682A JP25719684A JP25719684A JPS61134682A JP S61134682 A JPS61134682 A JP S61134682A JP 25719684 A JP25719684 A JP 25719684A JP 25719684 A JP25719684 A JP 25719684A JP S61134682 A JPS61134682 A JP S61134682A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
- G01R31/2603—Apparatus or methods therefor for curve tracing of semiconductor characteristics, e.g. on oscilloscope
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- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は被測定素子の電圧・電流特性を測定する素子特
性測定装置に関する。
性測定装置に関する。
一般にカーブ・トレーサと呼ばれる素子特性測定装置は
、トランジスタやダイオード等の基本的な素子の特性を
測定するのに有効な装置である。
、トランジスタやダイオード等の基本的な素子の特性を
測定するのに有効な装置である。
従来の素子特性測定装置の一例を第２図に示す。
この従来装置では、スイッチ１０を介して外部商用電源
からの交流電圧を電源回路１２及び可変変圧器１４に供
給する。電源回路１２は各回路用の直流電圧を発生する
。可変変圧器１４で振幅制御された交流電圧は変圧器１
６の１次巻線に供給する。この変圧器１６の２次巻線は
複数のタップを有し、最下端のタップ以外のこれらのタ
ップをスイッチ１８により選択する。ダイオード２０は
スイッチ１８からの交流電圧を半波整流する。これら回
路及び素子１０〜２０はフローティ／グミ源２１を構成
する。ダイオード２０のカソード電圧は、スイッチ２２
で選択された負荷抵抗器２４を介して、被測定素子（Ｄ
ＵＴ）であるトランジスタ２６のコレクタ（第１端子）
に供給する。このトランジスタ２６のペースにはバイア
ス供給回路２８からのステップ状バイアス信号を供給し
、エミッタ（第２端子）は接地する。変圧器１６の最下
端のタップは、スイッチ３０で選択された（コレクタ）
電流検出用抵抗器３２を介して、トランジスタ２６のエ
ミッタに接続する。スイッチ３４で選択された分圧器３
６はトランジスタ２６のコレクタ電圧Ｖｃｔ−分圧し、
高入力インピーダンスの増幅器３８を介して表示手段で
ある陰極線管（ＣＲＴ）４０の水平偏向板に供給する。
からの交流電圧を電源回路１２及び可変変圧器１４に供
給する。電源回路１２は各回路用の直流電圧を発生する
。可変変圧器１４で振幅制御された交流電圧は変圧器１
６の１次巻線に供給する。この変圧器１６の２次巻線は
複数のタップを有し、最下端のタップ以外のこれらのタ
ップをスイッチ１８により選択する。ダイオード２０は
スイッチ１８からの交流電圧を半波整流する。これら回
路及び素子１０〜２０はフローティ／グミ源２１を構成
する。ダイオード２０のカソード電圧は、スイッチ２２
で選択された負荷抵抗器２４を介して、被測定素子（Ｄ
ＵＴ）であるトランジスタ２６のコレクタ（第１端子）
に供給する。このトランジスタ２６のペースにはバイア
ス供給回路２８からのステップ状バイアス信号を供給し
、エミッタ（第２端子）は接地する。変圧器１６の最下
端のタップは、スイッチ３０で選択された（コレクタ）
電流検出用抵抗器３２を介して、トランジスタ２６のエ
ミッタに接続する。スイッチ３４で選択された分圧器３
６はトランジスタ２６のコレクタ電圧Ｖｃｔ−分圧し、
高入力インピーダンスの増幅器３８を介して表示手段で
ある陰極線管（ＣＲＴ）４０の水平偏向板に供給する。
一方、高入方インピーダンスの電圧検出回路である差動
増幅器４２は抵抗器３２に発生した電圧（トランジスタ
２６のコレクタ電流工。にほぼ対応）を検出してＣＲＴ
４０の垂直偏向板に供給する。よってＣＲＴ４０にはト
ランジスタ２６のＶ。−ＩＣ特性曲線が表示される。な
お、第２図ではＤＵＴがエミッタ接地型トランジスタで
あるが、他の接地型でもよいし、ダイオード等の他の素
子でもよく、そのＤＵＴの電圧・電流特性がＣＲＴ４０
に表示される。
増幅器４２は抵抗器３２に発生した電圧（トランジスタ
２６のコレクタ電流工。にほぼ対応）を検出してＣＲＴ
４０の垂直偏向板に供給する。よってＣＲＴ４０にはト
ランジスタ２６のＶ。−ＩＣ特性曲線が表示される。な
お、第２図ではＤＵＴがエミッタ接地型トランジスタで
あるが、他の接地型でもよいし、ダイオード等の他の素
子でもよく、そのＤＵＴの電圧・電流特性がＣＲＴ４０
に表示される。
ところで、素子特性測定装置では、測定レンジに応じて
スイッチ３０及び３４を切替えている。
スイッチ３０及び３４を切替えている。
即ち表示の横軸の大きさはスイッチ３４で選択した分圧
器３４の分圧比で決まり、一方、表示の縦軸の大きさは
スイッチ３０で選択した抵抗器３２の値で決まる。また
、可変変圧器１４の調整及びスイッチ１８の切替えによ
り、ＤＵＴに加わる最大電圧、即ち測定範囲が決まる。
器３４の分圧比で決まり、一方、表示の縦軸の大きさは
スイッチ３０で選択した抵抗器３２の値で決まる。また
、可変変圧器１４の調整及びスイッチ１８の切替えによ
り、ＤＵＴに加わる最大電圧、即ち測定範囲が決まる。
よって、大電流の測定には小さな値の抵抗器３２を選択
し、大電圧の測定には分圧比の大きな分圧器３６を選択
する必要がある。
し、大電圧の測定には分圧比の大きな分圧器３６を選択
する必要がある。
このような理由で分圧器３６が必要であるが、この分圧
器３６を設けたため、抵抗器３２に流れる電流はトラン
ジスタ２６のコレクタ電流及び分 ｌ圧器３６に流れ
る電流の和となる。（なお、電源２１の流出する電流と
流入する電流は等しいので、トランジスタ２６のペース
電流は接地を介してバイアス供給回路２８に流れ、抵抗
器３２には流れない。）よって、差動増幅器４２により
抵抗器３２０両端の電圧を検出しても、この検出された
電圧はトランジスタ２６のコレクタ電流に正確に比例せ
ず、測定誤差の原因となる。
器３６を設けたため、抵抗器３２に流れる電流はトラン
ジスタ２６のコレクタ電流及び分 ｌ圧器３６に流れ
る電流の和となる。（なお、電源２１の流出する電流と
流入する電流は等しいので、トランジスタ２６のペース
電流は接地を介してバイアス供給回路２８に流れ、抵抗
器３２には流れない。）よって、差動増幅器４２により
抵抗器３２０両端の電圧を検出しても、この検出された
電圧はトランジスタ２６のコレクタ電流に正確に比例せ
ず、測定誤差の原因となる。
この測定誤差を改善した素子特性測定装置にテクトロニ
クス社製５７６型カーブトレーサがあり、この原理図を
第３図に示す。なお、第３図は第２図の改良した部分の
みを示している。この第３図の従来例では、抵抗器４４
及び４６から成る第１分圧器３６をトランジスタ２６の
コレクタ及び電流検出用抵抗器３２の電源２１側間に接
続し、抵抗器４８及び５０から成る第２分圧器５２を抵
抗器３２に並列接続する。これら第１及び第２分圧器３
６及び５２の分圧出力を差動増幅器５４に供給する。な
お、抵抗器３２及び第１分圧器３６は切替可能である。
クス社製５７６型カーブトレーサがあり、この原理図を
第３図に示す。なお、第３図は第２図の改良した部分の
みを示している。この第３図の従来例では、抵抗器４４
及び４６から成る第１分圧器３６をトランジスタ２６の
コレクタ及び電流検出用抵抗器３２の電源２１側間に接
続し、抵抗器４８及び５０から成る第２分圧器５２を抵
抗器３２に並列接続する。これら第１及び第２分圧器３
６及び５２の分圧出力を差動増幅器５４に供給する。な
お、抵抗器３２及び第１分圧器３６は切替可能である。
このような構成により、第１分圧器３６に流れる電流は
抵抗器３２に流れず、誤差の原因とはならない。また、
抵抗器３２による電圧降下によシ、第１分圧器３６の両
端電圧はトランジスタ２６のコレクタ及ヒエミッタ間（
ＤＵＴの第１及び第２端子間）の電圧に対応しないが、
第２分圧器５２の分圧比は第１分圧器３６の分圧比に等
しく設定しであるので、差動増幅器５４の出力電圧は抵
抗器３２の電圧降下に影響されない。
抵抗器３２に流れず、誤差の原因とはならない。また、
抵抗器３２による電圧降下によシ、第１分圧器３６の両
端電圧はトランジスタ２６のコレクタ及ヒエミッタ間（
ＤＵＴの第１及び第２端子間）の電圧に対応しないが、
第２分圧器５２の分圧比は第１分圧器３６の分圧比に等
しく設定しであるので、差動増幅器５４の出力電圧は抵
抗器３２の電圧降下に影響されない。
この従来例では、抵抗器４Ｂ及び５０の値は抵抗器３２
の値よりも十分に大きく設定しであるが、小さな電流を
測定するために高抵抗値の抵抗器３２を（スイッチ３−
８により）選択すると、トランジスタ２６のコレクタ電
流がわずかではあるが分圧器５２に分流し、コレクタ電
流の測定に誤差が生じる。
の値よりも十分に大きく設定しであるが、小さな電流を
測定するために高抵抗値の抵抗器３２を（スイッチ３−
８により）選択すると、トランジスタ２６のコレクタ電
流がわずかではあるが分圧器５２に分流し、コレクタ電
流の測定に誤差が生じる。
この第３図の欠点を改善した素子測定装置にテクトロニ
クス社製５７７型カーブトレーサがあり、この従来例の
第２図と異なる部分のみを第４図に示す。第４図では、
トランジスタ２６のコレクタ（ＤＵＴの第１端子）に緩
衝増幅器５６を接続し、その出力電圧を分圧器３６に供
給している。緩衝増幅器５６は高入力インピーダンスな
ので、電流検出用抵抗器３２を流れる電流はトランジス
タ２６のコレクタ電流のみとなり、分圧器３６の分圧出
力電圧もトランジスタ２６のコレクタ電圧に正確に比例
する。しかし、ＣＵＴには種々のもの（例えば高耐圧ト
ランジスタ）があるため、緩衝増幅２３５６の入力電圧
は広範囲に変化する。よって、緩衝増幅器５６をフロー
ティングしなければならず、特殊な電源やチョップ増幅
器が必要となり、構成が複雑かつ高価となった。なお、
第４図に示す従来例は、特公昭５２−１４１４６号公報
に詳細に説明されている。
クス社製５７７型カーブトレーサがあり、この従来例の
第２図と異なる部分のみを第４図に示す。第４図では、
トランジスタ２６のコレクタ（ＤＵＴの第１端子）に緩
衝増幅器５６を接続し、その出力電圧を分圧器３６に供
給している。緩衝増幅器５６は高入力インピーダンスな
ので、電流検出用抵抗器３２を流れる電流はトランジス
タ２６のコレクタ電流のみとなり、分圧器３６の分圧出
力電圧もトランジスタ２６のコレクタ電圧に正確に比例
する。しかし、ＣＵＴには種々のもの（例えば高耐圧ト
ランジスタ）があるため、緩衝増幅２３５６の入力電圧
は広範囲に変化する。よって、緩衝増幅器５６をフロー
ティングしなければならず、特殊な電源やチョップ増幅
器が必要となり、構成が複雑かつ高価となった。なお、
第４図に示す従来例は、特公昭５２−１４１４６号公報
に詳細に説明されている。
上述の如〈従来の素子特性測定装置では、ＤＵＴに流れ
る電流を正確に測定できないか、正確に測定できても構
成が複雑かつ高価であった。本発明は、これらの問題点
を解決するものである。
る電流を正確に測定できないか、正確に測定できても構
成が複雑かつ高価であった。本発明は、これらの問題点
を解決するものである。
本発明の素子特性測定装置は、被測定素子（ＤＵＴ）の
第１及び第２端子に電圧を供給する電源と、この電源及
びＤＵＴの第２端子間に挿入された電流検出用抵抗器と
、この電流検出用抵抗器の電源側及びＤＵＴの第１端子
間に接続された分圧器と、この分圧器の分圧出力端に入
力端が接続された第１緩衝増幅器と、ＤＵＴの第２端子
に入力端が接続された第２緩衝増幅器と、電流検出用抵
抗器の電源側に入力端が接続された第３緩衝増幅器と、
第１、第２及び第３緩衝増幅器の出力端から信号を受け
る演算回路とを具えている。
第１及び第２端子に電圧を供給する電源と、この電源及
びＤＵＴの第２端子間に挿入された電流検出用抵抗器と
、この電流検出用抵抗器の電源側及びＤＵＴの第１端子
間に接続された分圧器と、この分圧器の分圧出力端に入
力端が接続された第１緩衝増幅器と、ＤＵＴの第２端子
に入力端が接続された第２緩衝増幅器と、電流検出用抵
抗器の電源側に入力端が接続された第３緩衝増幅器と、
第１、第２及び第３緩衝増幅器の出力端から信号を受け
る演算回路とを具えている。
本発明では、ＤＵＴの第２端子及び電流検出用抵抗器の
共通接続点に、ＤＵＴの第１及び第２端子間の電圧を分
圧する分圧器が接続されておらず、また緩衝増幅器の入
力インピーダンスは非常に高いので、ＤＵＴの第１及び
第２端子間を流れる電流のみが電流検出用抵抗器を流れ
、正確にこの電流を検出できる。また第１緩衝増幅器は
分圧器で分圧されたＤＵＴの第１端子電圧を受けるので
、この第１緩衝増幅器は高電圧を受けることがなく、
１フローテイングする必要がない。分圧器でＤＵＴ
の第１及び第２端子間電圧を分圧する際に生じる電流検
出用抵抗器の電圧降下による影響は、第１、第２及び第
３緩衝増幅器の出力信号を演算回路にＤＵＴの第２端子
からの電流が演算＋に流れないようにするが、この第２
緩衝増幅器の電源端子からの電流がＤＵＴ用の電源に流
れるのを防ぐだめ、第３緩衝増幅器を用い、測定精度を
一層高めている。
共通接続点に、ＤＵＴの第１及び第２端子間の電圧を分
圧する分圧器が接続されておらず、また緩衝増幅器の入
力インピーダンスは非常に高いので、ＤＵＴの第１及び
第２端子間を流れる電流のみが電流検出用抵抗器を流れ
、正確にこの電流を検出できる。また第１緩衝増幅器は
分圧器で分圧されたＤＵＴの第１端子電圧を受けるので
、この第１緩衝増幅器は高電圧を受けることがなく、
１フローテイングする必要がない。分圧器でＤＵＴ
の第１及び第２端子間電圧を分圧する際に生じる電流検
出用抵抗器の電圧降下による影響は、第１、第２及び第
３緩衝増幅器の出力信号を演算回路にＤＵＴの第２端子
からの電流が演算＋に流れないようにするが、この第２
緩衝増幅器の電源端子からの電流がＤＵＴ用の電源に流
れるのを防ぐだめ、第３緩衝増幅器を用い、測定精度を
一層高めている。
以下、第１図を参照して本発明の好適な一実施例を説明
する。この実施例は第２図の従来例の一部を改善したも
のであり、第１図はこの改善した部分のみを示す。ＤＵ
Ｔであるトランジスタ２６を素子特性測定装置に接続す
る際、接点の接触抵抗の影響をなくすため、この実施例
ではケルビン・センシング技法を利用している。即ち、
トランジスタ２６のコレクタを接点５８及び６０に接触
させ、エミッタを接点６２及び６４に接触させる。
する。この実施例は第２図の従来例の一部を改善したも
のであり、第１図はこの改善した部分のみを示す。ＤＵ
Ｔであるトランジスタ２６を素子特性測定装置に接続す
る際、接点の接触抵抗の影響をなくすため、この実施例
ではケルビン・センシング技法を利用している。即ち、
トランジスタ２６のコレクタを接点５８及び６０に接触
させ、エミッタを接点６２及び６４に接触させる。
これは２つの接点でトランジスタの電極をはさむことに
より実現できる。ここで、接点５８及び６０はＤＵＴの
第１端子に対応し、接点６２及び６４ＦｉＤＵＴの第２
端子に対応する。接点５８は選択可能な負荷抵抗器２４
を介してフローティング電源２１の一方の電極に接続し
、接点６２は選択可能な電流検出抵抗器３２を介して電
源２１の他方の電極に接続する。また、ベース電流路用
に、接点６２を接地する。接点６０及び抵抗器３２の電
源側間に、抵抗器４４及び４６から成る分圧器３６を接
続する。この分圧器３６の分圧比は第２図の場合と同様
に可変であり、その分圧比はｎである。よってＲ４４＝
（ｎ−１）Ｒ４６となる（ただし、Ｒ４４及びＲ４６は
夫々抵抗器４４及び４６の値）。
より実現できる。ここで、接点５８及び６０はＤＵＴの
第１端子に対応し、接点６２及び６４ＦｉＤＵＴの第２
端子に対応する。接点５８は選択可能な負荷抵抗器２４
を介してフローティング電源２１の一方の電極に接続し
、接点６２は選択可能な電流検出抵抗器３２を介して電
源２１の他方の電極に接続する。また、ベース電流路用
に、接点６２を接地する。接点６０及び抵抗器３２の電
源側間に、抵抗器４４及び４６から成る分圧器３６を接
続する。この分圧器３６の分圧比は第２図の場合と同様
に可変であり、その分圧比はｎである。よってＲ４４＝
（ｎ−１）Ｒ４６となる（ただし、Ｒ４４及びＲ４６は
夫々抵抗器４４及び４６の値）。
分圧器３６の分圧出力端を第１緩衝増幅器６６の入力端
に接続し、接点６４を第２緩衝増幅器６８の入力端に接
続し、抵抗器３２の電源２１側を第３緩衝増幅器７０の
入力端に接続する。これら緩衝増幅器は例えばボルティ
ジ・ホロワ接続した演算増幅器である。なお、分圧器３
６の高抵抗及び緩衝増幅器の高入力インピーダンスによ
シ、接点６０及び６４は接点５８及び６２に比較して、
はるかに電流が流れず、接点の接触抵抗に影響されずに
電圧を検出できる。緩衝増幅器６６の出力電圧を抵抗器
７２及び７４で分圧して演算増幅器７６の非反転入力端
に供給する。また緩衝増幅器６８及び７０の出力電圧は
夫々抵抗器７８及び８０を介して演算増幅器７６の反転
入力端に供給する。
に接続し、接点６４を第２緩衝増幅器６８の入力端に接
続し、抵抗器３２の電源２１側を第３緩衝増幅器７０の
入力端に接続する。これら緩衝増幅器は例えばボルティ
ジ・ホロワ接続した演算増幅器である。なお、分圧器３
６の高抵抗及び緩衝増幅器の高入力インピーダンスによ
シ、接点６０及び６４は接点５８及び６２に比較して、
はるかに電流が流れず、接点の接触抵抗に影響されずに
電圧を検出できる。緩衝増幅器６６の出力電圧を抵抗器
７２及び７４で分圧して演算増幅器７６の非反転入力端
に供給する。また緩衝増幅器６８及び７０の出力電圧は
夫々抵抗器７８及び８０を介して演算増幅器７６の反転
入力端に供給する。
演算増幅器７６の出力端及び反端入力端間には帰還抵抗
器８２を接続する。なお、抵抗器７８及び８０の抵抗値
は、後述の関係で分圧器３６の分圧比に応じて切替る。
器８２を接続する。なお、抵抗器７８及び８０の抵抗値
は、後述の関係で分圧器３６の分圧比に応じて切替る。
これら抵抗器７２，７４．７８〜８２及び演算増幅器７
６は演算回路を構成する。
６は演算回路を構成する。
接点５８及び６０間並びに接点６２及び６４間に接点の
接触抵抗よシも極めて大きな値の抵抗器８４並びに８６
を接続し、ＤＵＴが接続されていない場合でも、接点５
８及び６０が同電位になると共に接点６２及び６４が同
電位になるようにする。
接触抵抗よシも極めて大きな値の抵抗器８４並びに８６
を接続し、ＤＵＴが接続されていない場合でも、接点５
８及び６０が同電位になると共に接点６２及び６４が同
電位になるようにする。
分圧器３６を流れる電流は、電源２１から接点５８、接
点６０（微小な割合の電流は抵抗器８４）を介して流れ
、電源２１に戻る。また、ＤＵＴの第１及び第２端子間
を流れる電流は、電源２１から接点５８、ＤＵＴ（トラ
ンジスタ２６のコレクターエミッタ間）、接点６２及び
抵抗器３２を介して電源２１に戻る。よって、抵抗器３
２に流れる電流は分圧器３６に影響されない。また、バ
イアス供給回路２８からの電流は、トランジスタ２６の
ベース・エミッタ接合、接点６２及び接地を介してバイ
アス供給回路２８に戻るので、抵抗器３２には流れない
。したがって、抵抗器３２には、ＤＵＴの第１及び第２
端子間を流れる電流のみが流れ、この電流を正確に検出
できる。
点６０（微小な割合の電流は抵抗器８４）を介して流れ
、電源２１に戻る。また、ＤＵＴの第１及び第２端子間
を流れる電流は、電源２１から接点５８、ＤＵＴ（トラ
ンジスタ２６のコレクターエミッタ間）、接点６２及び
抵抗器３２を介して電源２１に戻る。よって、抵抗器３
２に流れる電流は分圧器３６に影響されない。また、バ
イアス供給回路２８からの電流は、トランジスタ２６の
ベース・エミッタ接合、接点６２及び接地を介してバイ
アス供給回路２８に戻るので、抵抗器３２には流れない
。したがって、抵抗器３２には、ＤＵＴの第１及び第２
端子間を流れる電流のみが流れ、この電流を正確に検出
できる。
分圧器３６の上端はＤＵＴの第１電極（トランジスタ２
６のコレクタ）の電圧であるが、分圧器３Ｇの下端の電
圧は、ＤＵＴの第２電極（トランジスタ２６のエミッタ
）電圧を接点６２の接触抵抗及び抵抗器３２による電圧
降下だけオフセットしたものである。ここで、分圧器３
６の上端及び下端電圧を夫々ｖｃ及び■Ｇとし、ＤＵＴ
の第２電極 １電圧をＶ、とすると、分圧器３６の分
圧出力電圧ｖＯは Ｖｏ ＝ （Ｖｃ Ｖａ ） ／ ｎ ＋ Ｖａとな
る。緩衝増幅器６６．６８及び７０の利得は＋１なので
、演算増幅器７６の出力電圧ＶＯはＶ□＝ （Ｒ７４／
（Ｒ７２＋Ｒ７４） ） （Ｒ８２／（Ｒ７８／′Ｆｔ
８０ ）＋１ ’Ｉ Ｖ。
６のコレクタ）の電圧であるが、分圧器３Ｇの下端の電
圧は、ＤＵＴの第２電極（トランジスタ２６のエミッタ
）電圧を接点６２の接触抵抗及び抵抗器３２による電圧
降下だけオフセットしたものである。ここで、分圧器３
６の上端及び下端電圧を夫々ｖｃ及び■Ｇとし、ＤＵＴ
の第２電極 １電圧をＶ、とすると、分圧器３６の分
圧出力電圧ｖＯは Ｖｏ ＝ （Ｖｃ Ｖａ ） ／ ｎ ＋ Ｖａとな
る。緩衝増幅器６６．６８及び７０の利得は＋１なので
、演算増幅器７６の出力電圧ＶＯはＶ□＝ （Ｒ７４／
（Ｒ７２＋Ｒ７４） ） （Ｒ８２／（Ｒ７８／′Ｆｔ
８０ ）＋１ ’Ｉ Ｖ。
−（Ｒ８２／Ｒ７８）ｖε
−（Ｒ８２／Ｒ８０）Ｖｃ；
となる。ただし、Ｒ７２〜Ｒ８２は抵抗器７２〜８２の
値であり、Ｒ７８／Ｒ８０は抵抗器７８及び８０の並列
抵抗値である。ここでＲ７２＝Ｒ７４＝Ｒ８２゜Ｒ７８
＝ｎＲ７２，Ｒ８０＝［ｎ／（ｎ−１））Ｒ７２とする
と、ｖ。＝ （ｖｏ−Ｖｃ）／ｎ となり、ＤＵＴの第１及び第２端子間電圧をｎ分の１に
分圧した電圧になる。よって、演算回路（７２〜８２）
により、接点の接触抵抗及び抵抗器３２の電圧降下の影
響を補償できる。なお、抵抗器８０の下端を抵抗器３２
の右端に直接接続しないで、緩衝増幅器７０を設けたの
は、緩衝増幅器６８の電源端からの電流が抵抗器３２に
流れ込むのを防止するためである。したがって、ＤＵＴ
の第１及び第２端子間の電圧、及びそこに流れる電流を
簡単な構成で正確に測定できる。
値であり、Ｒ７８／Ｒ８０は抵抗器７８及び８０の並列
抵抗値である。ここでＲ７２＝Ｒ７４＝Ｒ８２゜Ｒ７８
＝ｎＲ７２，Ｒ８０＝［ｎ／（ｎ−１））Ｒ７２とする
と、ｖ。＝ （ｖｏ−Ｖｃ）／ｎ となり、ＤＵＴの第１及び第２端子間電圧をｎ分の１に
分圧した電圧になる。よって、演算回路（７２〜８２）
により、接点の接触抵抗及び抵抗器３２の電圧降下の影
響を補償できる。なお、抵抗器８０の下端を抵抗器３２
の右端に直接接続しないで、緩衝増幅器７０を設けたの
は、緩衝増幅器６８の電源端からの電流が抵抗器３２に
流れ込むのを防止するためである。したがって、ＤＵＴ
の第１及び第２端子間の電圧、及びそこに流れる電流を
簡単な構成で正確に測定できる。
上述は本発明の好適な実施例について説明したが、種々
の変形及び変更が可能である。例えば、電源２１は交流
電圧の整流波形以外に、３角波電圧、直流電圧等も利用
できる。緩衝増幅器は、エミッタ・フォロワ又はソース
・フォロワ増幅器等でもよく、また緩衝増幅器の利得は
、１以外の値でもよい。ＤＵＴがダイオードの場合は、
接点５８〜６４のみを利用すればよい。
の変形及び変更が可能である。例えば、電源２１は交流
電圧の整流波形以外に、３角波電圧、直流電圧等も利用
できる。緩衝増幅器は、エミッタ・フォロワ又はソース
・フォロワ増幅器等でもよく、また緩衝増幅器の利得は
、１以外の値でもよい。ＤＵＴがダイオードの場合は、
接点５８〜６４のみを利用すればよい。
上述の如く本発明によれば、簡単な構成で、ＯＵＴの第
１及び第２端子間の電圧、及びそこに流れる電流を正確
に検出でき、素子特性の測定精度が上る。
１及び第２端子間の電圧、及びそこに流れる電流を正確
に検出でき、素子特性の測定精度が上る。
第１図は本発明の好適な一実施例の回路図、第２図〜第
４図は従来例の回路図である。 図において、２６は被測定素子、３２は電流検出用抵抗
器、３６は分圧器、６６〜７０は緩衝増幅器、７２〜８
２は演算回路である。
４図は従来例の回路図である。 図において、２６は被測定素子、３２は電流検出用抵抗
器、３６は分圧器、６６〜７０は緩衝増幅器、７２〜８
２は演算回路である。
Claims (1)
- 被測定素子の第１及び第２端子に電圧を供給する電源と
、該電源及び上記被測定素子の第２端子間に挿入された
電流検出用抵抗器と、該電流検出用抵抗器の上記電源側
及び上記被測定素子の第１端子間に接続された分圧器と
、該分圧器の分圧出力端に入力端が接続された第１緩衝
増幅器と、上記被測定素子の第２端子に入力端が接続さ
れた第２緩衝増幅器と、上記電流検出用抵抗器の上記電
源側に入力端が接続された第３緩衝増幅器と、上記第１
、第２及び第３緩衝増幅器の出力端から信号を受ける演
算回路とを具え、上記電流検出用抵抗器の両端間の電圧
及び上記演算増幅器の出力電圧により、上記被測定素子
の電流及び電圧特性を測定することを特徴とする半導体
特性測定装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25719684A JPS61134682A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 素子特性測定装置 |
| NL8502440A NL190940C (nl) | 1984-12-05 | 1985-09-05 | Inrichting voor het meten van karakteristieken van elektronische ketenelementen. |
| GB08522687A GB2168162B (en) | 1984-12-05 | 1985-09-13 | Electronic device measurement apparatus |
| US06/780,957 US4727318A (en) | 1984-10-04 | 1985-09-27 | Apparatus for measuring characteristics of electronic devices |
| CA000491892A CA1228176A (en) | 1984-12-05 | 1985-09-30 | Electronic device measurement apparatus |
| DE19853542121 DE3542121A1 (de) | 1984-12-05 | 1985-11-28 | Messvorrichtung fuer elektronische bauelemente |
| US07/074,910 US4782290A (en) | 1984-10-04 | 1987-07-17 | Apparatus for measuring characteristics or electronic devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25719684A JPS61134682A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 素子特性測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134682A true JPS61134682A (ja) | 1986-06-21 |
| JPH0137701B2 JPH0137701B2 (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=17303010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25719684A Granted JPS61134682A (ja) | 1984-10-04 | 1984-12-05 | 素子特性測定装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134682A (ja) |
| CA (1) | CA1228176A (ja) |
| DE (1) | DE3542121A1 (ja) |
| GB (1) | GB2168162B (ja) |
| NL (1) | NL190940C (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0721526B2 (ja) * | 1987-08-18 | 1995-03-08 | ソニ−・テクトロニクス株式会社 | 素子測定装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2980853A (en) * | 1958-04-28 | 1961-04-18 | Ryan Aeronautical Co | Component output characteristic tracer |
| US3573618A (en) * | 1968-05-27 | 1971-04-06 | William G Dilley | Solid-state characteristic curve tracer attachment for oscilloscopes |
| US4456880A (en) * | 1982-02-04 | 1984-06-26 | Warner Thomas H | I-V Curve tracer employing parametric sampling |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP25719684A patent/JPS61134682A/ja active Granted
-
1985
- 1985-09-05 NL NL8502440A patent/NL190940C/xx not_active IP Right Cessation
- 1985-09-13 GB GB08522687A patent/GB2168162B/en not_active Expired
- 1985-09-30 CA CA000491892A patent/CA1228176A/en not_active Expired
- 1985-11-28 DE DE19853542121 patent/DE3542121A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1228176A (en) | 1987-10-13 |
| GB2168162A (en) | 1986-06-11 |
| NL190940C (nl) | 1994-11-01 |
| GB8522687D0 (en) | 1985-10-16 |
| NL190940B (nl) | 1994-06-01 |
| DE3542121C2 (ja) | 1991-09-05 |
| JPH0137701B2 (ja) | 1989-08-09 |
| GB2168162B (en) | 1988-12-07 |
| DE3542121A1 (de) | 1986-06-05 |
| NL8502440A (nl) | 1986-07-01 |
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Legal Events
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