JPS61131248A - 光デイスク - Google Patents

光デイスク

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JPS61131248A
JPS61131248A JP59252709A JP25270984A JPS61131248A JP S61131248 A JPS61131248 A JP S61131248A JP 59252709 A JP59252709 A JP 59252709A JP 25270984 A JP25270984 A JP 25270984A JP S61131248 A JPS61131248 A JP S61131248A
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JP
Japan
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reflectance
film
recording
thin film
laser beam
Prior art date
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Pending
Application number
JP59252709A
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English (en)
Inventor
Ryuji Watanabe
隆二 渡辺
Shoichi Nagai
正一 永井
Tetsuo Minemura
哲郎 峯村
Hisashi Ando
寿 安藤
Seiki Shimizu
清水　誠喜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS61131248A publication Critical patent/JPS61131248A/ja
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、消去と書き替えが可能な高密度光ディスクに
関するものである。
〔発明の背景〕
書替え可能な光ディスクの記録媒体として磁気光学記録
材料があり、情報の書き込みには熱磁気効果を用い、読
み取りには、磁気カー（Ｋｅｒｒ）効果などの磁気光学
効果を利用する。磁気情報は、直線偏光の光ビームが記
録媒体に貯えられている磁気情報との相互作用を受けた
後の反射光の偏光方向の回転を検出することによって得
られる。しかし、現在光ディスクとして、信頼性が良く
、実用上使用に耐え得る磁気光学薄膜のカー回転角は、
高々１度位のものしか得られていない。
このため、種々、の方法により、カー回転効果を強調す
る方法などを採用することにより、実用的な書き替え可
能な光ディスクを実現しようとしている。特開昭５６−
１５６９４３号公報にはこのような手段について記載さ
れている。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、低出力で記録できる光ディスクを提供
するにある。
〔発明の概要〕
本発明は、光学記録媒体薄膜の材料に特に特徴を有する
。
光磁気効果による情報記録、再生ディスクに対し、本発
明者らは、書き替え可能な光ディスクとして、ＣｕＳる
いはＡｇなどをベースとした合金薄膜を用い、局部的に
レーザ照射し、高温の固体状態から急冷し、室温での平
衡相と異なる結晶構造を形成させることによって、情報
を記録、再生。
消去するような光ディスクを見い出した。すなわち、上
記結晶構造の違いは、レーザビームの反射率の差となっ
て現われることを利用したもので、例えば、レーザ照射
を受けた部分は、局部的に反射率が上がり、未記録はそ
れよシも低いという光学的性質を電気信号に変え、これ
を情報記録に応用したものである。もちろん、反射率の
差は上記と反対に記録部が低く、未記録部が高い場合で
もよい。記録部と未記録部において反射率の差を有して
いればよい。この合金薄膜を用いて、光ディスクを実用
化する上での大きな問題点は、上記合金薄膜が金属であ
るために、非常に反射率が高く、このため記録、消去等
に照射するレーザビームが効率よく吸収されず、比較的
大きなパワーを要するということである。ところが、光
デイスク用のレーザ源には小型で取扱い性のよい半導体
レーザが適する。現状では半導体レーザにより数十〜数
百ｍＷの大きな出力を発生させることは困難である。し
たがって、できるだけ少ないレーザ出力によって記録、
再生、消去を実現させなければならない。
本発明者らは、レーザビームの入熱エネルギのち、高屈
折率の薄膜、例えばＴａ２０５　Ｉ　ｃｒ！ｏＡ　ＩＴ
ｔｏ、などの金属酸化物膜を設けると、比較的、薄い膜
厚でもレーザ光の干渉を利用することができる。レーザ
ビームをできるだけ効率良く吸収させるためには、干渉
によって反射率が下がる谷間を利用すれば良い。すなわ
ち、上記金属酸化物の膜厚をコントロールすれば、干渉
によって反射率が下がる条件を見い出すことは簡単であ
る。屈折率が既知のものでは、計算によって干渉の谷間
を決められる。又、不明なものならば、分光反射率を測
定すれば、干渉条件を見い出すことができる。
更に都合の良いことに、上記金属酸化物は、スパッター
蒸着により、酸素分圧をコントロールすることで、透過
及び吸収率を変えることができる。
ここで、ある程度の透過率と吸収性を有するということ
は、前記した干渉条件によって反射率を下げることと同
じように重要なことである。なぜならば、本発明では、
これらの酸化物膜は記録薄膜の上に設けられているため
に、もし透過性がなければ、再生時にレーザビームの反
射光との差異を検出できなくなる。又、酸化膜がある程
度吸収性を有するということに、記録時に記録膜自体の
温度上昇を促進させるという効果を有する。
〔発明の実施例〕
図は本発明の一例である。符号は１が基板でガラス又は
プラスチックなどによりなる。２が記録膜、３が高屈折
率膜、４が保護層である。
次に本発明の具体的な実施例について説明する。
実施例 φ１２〇−厚さ１゜２ｍｍの光学研摩したガラス基板上
に、Ａｇ　　４０ｗｔ％Ｚｎ合金膜をスパッタリング蒸
着によって約１１００ｎ厚さ設け、更にその上に同様に
’ｒａ、ｏ、膜をスパッタリング蒸着によって約５００
ｎｍ厚さ設けた。その上に保護膜として５ｔＯ２を約５
０ｎｍスパッタリング蒸着した。
以上のような膜構成によシ、半導体レーザにより記録、
再生、消去試験を実施したところ、２０ｍ　Ｗ　Ｉｄ下
の低出力で記録が可能で、再生、消去とも良好であった
。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の光学的円板の拡大断面図である。 １・・・基板、２・・・記録膜、３・・・高屈折率膜、
４・・・保護膜。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に形成された光学記録媒体薄膜と、この光学
    記録媒体薄膜上に形成された高屈折率薄膜層と、この高
    屈折率薄膜層上に形成された透明保護層とからなる光デ
    ィスクにおいて、 前記光学記録媒体薄膜は高温の固体状態からの急冷によ
    つて室温での平衡相と異なる結晶構造を形成する金属又
    は合金からなることを特徴とする光ディスク。
JP59252709A 1984-11-29 1984-11-29 光デイスク Pending JPS61131248A (ja)

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JP59252709A JPS61131248A (ja) 1984-11-29 1984-11-29 光デイスク

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JPS61131248A true JPS61131248A (ja) 1986-06-18

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