JPS61129801A - ZnO素子の非直線要因判定方法 - Google Patents

ZnO素子の非直線要因判定方法

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JPS61129801A
JPS61129801A JP59252674A JP25267484A JPS61129801A JP S61129801 A JPS61129801 A JP S61129801A JP 59252674 A JP59252674 A JP 59252674A JP 25267484 A JP25267484 A JP 25267484A JP S61129801 A JPS61129801 A JP S61129801A
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JP
Japan
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zno
zno element
linear factor
voltage
barrier
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Pending
Application number
JP59252674A
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Inventor
渡辺 三鈴
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Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明はZnO素子の非直[’因判定方法に関する。
従来の技術 ZnO素子が非直線性を得る要因には第2図に示すよう
にZnO結晶間に存在する粒界加によるものと、ZnO
素体21と電極η、23の界面詞、25による。
ものとの2つのタイプがある。普通、避雷器などに用い
られるZnO素子は前者のタイプであり、低圧用サージ
アプゾーバなどには後者のタイプのものが用いられる。
これら両タイプのZnO素子は使用する形態に応じて使
い分ける必要がある。このため、上記タイプのZnO素
子を何かの手段を用いて判別しなければならない。
発明が解決しようとする問題点 普通、ZnO素子の非直線特性は電圧(v)−電流(I
)特性からその特性の評価を行っていた、この評価はZ
nO素子に0 、1 mAと1.0mAを通電させたと
きの電圧Vo、zmと%aa+AとカラI =kV”(
ex ハ非、直線指数、には常数)の経験式を用いた次
式からαを算出する手段をとっていた。
α= br I+ −k I愈/廟■−臆■”: 1 
/ bxva−kRV*s 上記式からα値を算出するのは簡便ではあるが、上記両
タイプを判別するのは非直線指数αからは ・簡単にで
きない問題点がある。
問題点を解決するための手段 この発明は室温から125℃の雰囲気温度内にてZnO
素子の低電流域の電圧−電流特性を測定した後、その測
定結果からZnO素子の非直線要因が粒界の障壁にある
のか、ZnO素体と!極との界面によるかを判別して避
雷器に使用できるZnO素子か、低圧用サージアプゾー
バに使用できるZnO素子かを簡単に判定するようにし
たものである。
実施例 第1図は雰囲気温度Taが50’CのときのZnO素子
の低電流域(10″〜10″″″幻の電圧(V)−電流
(I)特性図で、この第1図は特にTa= 50 ℃に
て測定したV、IfbrI対log■でプロットし念も
のである。
541図において、特性曲線4S1はZnO素体の粒界
の障壁が充分に形成されているZnO素子の測定結果で
あ、す、特性曲線S−は粒界の障壁がほとんど形成され
ていないZnO素子で、非直線性はほとんど素体と電極
の界面によって形成された素子ものである。また、特性
曲aS、はやや障壁は形成されているが、半分以上は素
体と電極の界面効果による素子のものである。
上述のようにZnO素子の低電流域電圧−電流特性の測
定結果から、粒界に障壁を持つ素子は一エ対■のプロッ
トで特有の8字特性を示すようになる。しかし、障壁が
形成されていないZnO素子であると、はぼ直線的な特
性になったり、8字特性の程度が浅くなる傾向がある。
従って、V−I特性曲線の8字の程度から粒界における
障壁形成の程度?識別することができ、避雷器などに使
用できるZnO素子の特性が簡単に判別できる。
なお、上記実施例では雰囲気温度Ta=50t::でZ
nO素子のV−I特性を測定したが、室温で測定しても
よい。また、高温になりすぎると通電によるストレスが
残り、かつ測定上の問題もあるから125℃以゛下が好
ましい。
発明の効果 以上述べたように、この発明によれば、低電流域の電圧
−電流特性を測定することにより、ZnO素子の非直線
形成要因が粒界の障壁によるものか、ZnO素体と電極
との界面とによるものかが極めて簡単に判別することが
できる。
【図面の簡単な説明】
W、1図はこの発明を説明するためZnO素子の低電流
域電圧−電流特性曲線図、第2図はZnO素子の非直線
を得る要因を説明するための概略構成図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)室温から125℃までの雰囲気温度内にてZnO
    素子の低電流域電圧−電流特性を測定した後、その測定
    結果からZnO素子の非直線要因が粒界の障壁にあるの
    か、ZnO素体と電極との界面によるかを判別するZn
    O素子の非直線要因判定方法。
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