JPS61129537A - 焦電型検出器 - Google Patents
焦電型検出器Info
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- JPS61129537A JPS61129537A JP59252251A JP25225184A JPS61129537A JP S61129537 A JPS61129537 A JP S61129537A JP 59252251 A JP59252251 A JP 59252251A JP 25225184 A JP25225184 A JP 25225184A JP S61129537 A JPS61129537 A JP S61129537A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N15/00—Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect
- H10N15/10—Thermoelectric devices using thermal change of the dielectric constant, e.g. working above and below the Curie point
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は焦電性結晶か有しているjQ電現象を利用して
赤外線等を検出する焦電型検出器に関する。
赤外線等を検出する焦電型検出器に関する。
(従来技術)
一般に、赤外線を検出する赤外線センサは、半導体の光
電効果を利用した里子型き、熱電動!I!z’v焦電効
果を利用した熱望の二種類に大別される。
電効果を利用した里子型き、熱電動!I!z’v焦電効
果を利用した熱望の二種類に大別される。
量子型は、非常に高感度であるが応答波長θ1域か狭く
、赤外の検知のためには冷却を必要と干ろため、限定さ
れた使用にとどまっているう一方、熱望は検知感度は低
いか安価であり、常温で動作して波長依存性がないなど
の特徴を有している。このため、最近では、熱望の赤外
線センナ、特に、用型型赤外線セッサか各種の分野で使
用されている。
、赤外の検知のためには冷却を必要と干ろため、限定さ
れた使用にとどまっているう一方、熱望は検知感度は低
いか安価であり、常温で動作して波長依存性がないなど
の特徴を有している。このため、最近では、熱望の赤外
線センナ、特に、用型型赤外線セッサか各種の分野で使
用されている。
焦電型赤外線センサは、焦電性結晶に温度変化を与えた
とき、イハ電性結晶表面に自発分極の変化によって電荷
が発生するという、イハ電効果を利用して温度を検出す
る一種の温度セッサてあり、人体検知、炎検知および温
度検知等に使用されている。
とき、イハ電性結晶表面に自発分極の変化によって電荷
が発生するという、イハ電効果を利用して温度を検出す
る一種の温度セッサてあり、人体検知、炎検知および温
度検知等に使用されている。
この種の焦電型検出器は、第7図(a)に示すように、
焦電性結晶基板1の対向する主表面に夫々電極2および
3が形成されるととらに、電極2の上には、発熱源から
の熱を吸収する黒化膜と呼ばれる熱吸収膜4か形成され
た基本構成を有する。
焦電性結晶基板1の対向する主表面に夫々電極2および
3が形成されるととらに、電極2の上には、発熱源から
の熱を吸収する黒化膜と呼ばれる熱吸収膜4か形成され
た基本構成を有する。
二の熱吸収膜4は発熱源から入射した赤外線等を吸収し
て熱に変換する。この熱によ−て素子1AiL I庭か
変化し、焦電効果にらとづいてイハ電性拮晶括仮lの表
面に電荷が発生する。
て熱に変換する。この熱によ−て素子1AiL I庭か
変化し、焦電効果にらとづいてイハ電性拮晶括仮lの表
面に電荷が発生する。
このような焦電型検出器は、容量性の高インピーダンス
をaするので、電極2.3から直接、電荷を取り出すこ
とはできない。そこで、第7図(b)に示すように、焦
電型検出器5を電界効果トランジスタ6.ソース抵抗R
sおよびゲート抵抗Rgからなるノースフォロワ回路に
接続し、イノビーダンス変換を行っている。この第7図
(b)において、端子7は電源に、躊子8はアースに夫
々接続され、焦電型検出器5の出力は電界効果トランジ
スタ6のソースに接続された端子9と上記端子8との間
から取り出される。
をaするので、電極2.3から直接、電荷を取り出すこ
とはできない。そこで、第7図(b)に示すように、焦
電型検出器5を電界効果トランジスタ6.ソース抵抗R
sおよびゲート抵抗Rgからなるノースフォロワ回路に
接続し、イノビーダンス変換を行っている。この第7図
(b)において、端子7は電源に、躊子8はアースに夫
々接続され、焦電型検出器5の出力は電界効果トランジ
スタ6のソースに接続された端子9と上記端子8との間
から取り出される。
ところで、この種の焦電型検出器5を使用して、移動物
体の移動方向や移動速度等を検出するため、従来より、
第8図(a)および第8図(b)に示すような電極構成
を有する焦電型リニアアレイセンサが提案されている。
体の移動方向や移動速度等を検出するため、従来より、
第8図(a)および第8図(b)に示すような電極構成
を有する焦電型リニアアレイセンサが提案されている。
この焦電型リニアアレイセッサは、一定幅を存する長方
影状の焦電性結晶基板11の一つの主表面に、この焦電
性結晶基板IIの長手方向に一定間隔をおいて電極12
.12・・・を形成し、これらIEtfi12.I2・
・・の上に熱吸収膜13゜13・・・を形成する一方、
上記焦電性結晶基板11のいま一つの主表面には、上記
電極12.12・・に夫々対向して電極14.14・・
・を形成したものである。上記電極12.12・・は、
焦電性結晶基板IIの一つの主表面の長手方向の一辺に
沿って形成された引出電極15.15 に夫々引き出
され、また、上記電極14.14・・・は、焦電性結晶
基板11のいま一つの主表面の長手方向の一辺に沿って
形成された共通引出電極16に夫々接続されている。上
記電極12.14とその間に位置する焦電性結晶基板I
Iお上び熱吸収膜I3により一組の焦電型検出ユニット
17が構成され、隣接する焦電型検出ユニット17.1
7は、その間に形成された切込み18により熱的な干渉
が防止されている。
影状の焦電性結晶基板11の一つの主表面に、この焦電
性結晶基板IIの長手方向に一定間隔をおいて電極12
.12・・・を形成し、これらIEtfi12.I2・
・・の上に熱吸収膜13゜13・・・を形成する一方、
上記焦電性結晶基板11のいま一つの主表面には、上記
電極12.12・・に夫々対向して電極14.14・・
・を形成したものである。上記電極12.12・・は、
焦電性結晶基板IIの一つの主表面の長手方向の一辺に
沿って形成された引出電極15.15 に夫々引き出
され、また、上記電極14.14・・・は、焦電性結晶
基板11のいま一つの主表面の長手方向の一辺に沿って
形成された共通引出電極16に夫々接続されている。上
記電極12.14とその間に位置する焦電性結晶基板I
Iお上び熱吸収膜I3により一組の焦電型検出ユニット
17が構成され、隣接する焦電型検出ユニット17.1
7は、その間に形成された切込み18により熱的な干渉
が防止されている。
ところで、上記のように、一枚の焦電性結晶基板!1に
、その長手方向に一列に焦電型検出ユニット17.17
・・を形成した焦電型リニアアレイセンサでは、焦電型
検出ユニット17.17・・・の配列方向に一次元的に
移動する物体の移動方向や移動速度を検出することはで
きるが、任私方向に2次元的に移動する物体の移動方向
や移動速度を検出したり、回転物体の回転方向や回転速
度を検出することはてきなかった。
、その長手方向に一列に焦電型検出ユニット17.17
・・を形成した焦電型リニアアレイセンサでは、焦電型
検出ユニット17.17・・・の配列方向に一次元的に
移動する物体の移動方向や移動速度を検出することはで
きるが、任私方向に2次元的に移動する物体の移動方向
や移動速度を検出したり、回転物体の回転方向や回転速
度を検出することはてきなかった。
そこで、上記のような焦電型リニアアレイセッサを平面
状に多段に配列し、各焦電型リニアアレイセンサの焦電
型検出ユニット17.17・・をマトリックス状に配置
することにより、2次元的な運動の検出を行うことら考
えられるが、各焦電型リニアアレイセンサ間に特性のば
らつきか存在し、検出精度にばらつきか生じるうえ、セ
ンサか大形化し、各焦電型検出ユニット17からの引出
用の電極の構造が複雑になり、駆動方式ら複雑となると
いう問題がある。
状に多段に配列し、各焦電型リニアアレイセンサの焦電
型検出ユニット17.17・・をマトリックス状に配置
することにより、2次元的な運動の検出を行うことら考
えられるが、各焦電型リニアアレイセンサ間に特性のば
らつきか存在し、検出精度にばらつきか生じるうえ、セ
ンサか大形化し、各焦電型検出ユニット17からの引出
用の電極の構造が複雑になり、駆動方式ら複雑となると
いう問題がある。
(発明の目的)
本発明は焦電型リニアアレイセンザにおけろ一1―記問
題点に鑑みてなされたしのであって、(壬0の方向に移
動する移動物体や回転体等の移動方向や速度を検出する
ことかてきろh1産か容易て安f+lliな焦電型検出
器を提供することを目的としている。
題点に鑑みてなされたしのであって、(壬0の方向に移
動する移動物体や回転体等の移動方向や速度を検出する
ことかてきろh1産か容易て安f+lliな焦電型検出
器を提供することを目的としている。
(発明の構成)
このため、本発明は、相互に分離された複数の電極およ
びこれら電極に夫々対向する共通電極を一枚の焦電性結
晶基板の両生表面に夫々放射状に形成する。この焦電性
結晶基板の一方の主表面に形成された電極の上には夫々
熱吸収膜か形成される。焦電性結晶基板には放射状に複
数の焦電型検出ユニットが配置された構成となり、個々
の検出ユニットの出力やタイミング等から任意方向に移
動する物体の移動方向や移動速度および回転体の回転方
向や回転速度等を簡単な構成で検出することができる。
びこれら電極に夫々対向する共通電極を一枚の焦電性結
晶基板の両生表面に夫々放射状に形成する。この焦電性
結晶基板の一方の主表面に形成された電極の上には夫々
熱吸収膜か形成される。焦電性結晶基板には放射状に複
数の焦電型検出ユニットが配置された構成となり、個々
の検出ユニットの出力やタイミング等から任意方向に移
動する物体の移動方向や移動速度および回転体の回転方
向や回転速度等を簡単な構成で検出することができる。
(発明の効果)
本発明によれば、一枚の焦電性結晶基板に;9敗の焦電
型検出ユニットか2次元配置されるので、焦電型検出ユ
ニット間におけろ特性のばらつきをなくすことかでき、
焦電型検出ユニットから夫々出力する信号およびその出
力のタイミングか転任αの方向に移動する物体の浮動方
向や移動速度等を比較的簡単な構成で精度よく検出する
ことができろ。また、焦電型検出ユニットが一枚の焦電
性結晶基板に放射状に形成されているためにとり、わけ
育効であり、さらにレーザビーム等の光ヒームを使用す
る各種計測分野等において、先ビームの中心の検出や各
種機器の芯出し等を精度よく簡単に行うことらできる。
型検出ユニットか2次元配置されるので、焦電型検出ユ
ニット間におけろ特性のばらつきをなくすことかでき、
焦電型検出ユニットから夫々出力する信号およびその出
力のタイミングか転任αの方向に移動する物体の浮動方
向や移動速度等を比較的簡単な構成で精度よく検出する
ことができろ。また、焦電型検出ユニットが一枚の焦電
性結晶基板に放射状に形成されているためにとり、わけ
育効であり、さらにレーザビーム等の光ヒームを使用す
る各種計測分野等において、先ビームの中心の検出や各
種機器の芯出し等を精度よく簡単に行うことらできる。
(実施例)
以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図(a)および第1図(b)において、円板状に形
成された焦電性結晶基板21は、チタノ酸鉛(PbTi
Os)、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)やポリフッ化
ヒニリデン(pvpt)等の焦電型材料により構成され
ている。
成された焦電性結晶基板21は、チタノ酸鉛(PbTi
Os)、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)やポリフッ化
ヒニリデン(pvpt)等の焦電型材料により構成され
ている。
この焦電性結晶基板2Iの主表面には、第1図(a)に
示すように、その中心点Pを取り四Aで、4つの扇形の
電極22が形成されている。これら電極22は、いずれ
も焦電性結晶基板21の上記主表面の周縁部に夫々引き
出すための引出電極22aを有する。4つの上記電極2
2の上には、その各引出電極22aを除いて、熱吸収膜
23か夫々印刷等により形成されている。
示すように、その中心点Pを取り四Aで、4つの扇形の
電極22が形成されている。これら電極22は、いずれ
も焦電性結晶基板21の上記主表面の周縁部に夫々引き
出すための引出電極22aを有する。4つの上記電極2
2の上には、その各引出電極22aを除いて、熱吸収膜
23か夫々印刷等により形成されている。
一方、上記焦電性結晶基板2!のいま−っの主面には、
上記電極22に対向して、・1つの扇形の共通電極24
か形成されている。これら4つの共通電極24は上記焦
電性結晶基板2Iの中心点Pを通る接続電極25により
相互に接続されている。
上記電極22に対向して、・1つの扇形の共通電極24
か形成されている。これら4つの共通電極24は上記焦
電性結晶基板2Iの中心点Pを通る接続電極25により
相互に接続されている。
焦電性結晶基板21の一つの主表面に形成された上記各
電極22.その上に印刷等により形成された上記各熱吸
収膜23.各共通電極24およびこれら各電極22と各
共通電極24との間の@電性結晶基板21により、この
焦電性結晶基板21の中心点Pのまわりに4組の焦電型
検出ユニット26が構成される。
電極22.その上に印刷等により形成された上記各熱吸
収膜23.各共通電極24およびこれら各電極22と各
共通電極24との間の@電性結晶基板21により、この
焦電性結晶基板21の中心点Pのまわりに4組の焦電型
検出ユニット26が構成される。
上記焦電性結晶基板2Iには、隣接する焦電型検出ユニ
ット26の間の熱的および容里性結合にらとつく電気的
な干渉によるいわゆるクロスト−りを防止するために、
その周縁から中心点Pの近傍に達する切り込み27を形
成している。
ット26の間の熱的および容里性結合にらとつく電気的
な干渉によるいわゆるクロスト−りを防止するために、
その周縁から中心点Pの近傍に達する切り込み27を形
成している。
以上に説明した構成を育する焦電型検出器28は、たと
えば第1図(C)に示すように、この焦電型検出器28
の出力を取り出すためのインピーダンス変換用の電界効
果トランジスタ30とと乙に、ベース3Iとキャップ3
2とからなるハーメチックノールケース33内に収容さ
れる。
えば第1図(C)に示すように、この焦電型検出器28
の出力を取り出すためのインピーダンス変換用の電界効
果トランジスタ30とと乙に、ベース3Iとキャップ3
2とからなるハーメチックノールケース33内に収容さ
れる。
上記焦電型検出器28は、その焦電性結晶基板2Iの共
通電極24形成側の主表面の周縁部の4箇所にて、支柱
34によりハーメチックノールケース33のベース31
上に支持されている。焦電型検出器28の支持位置を第
1図(b)において点線で示す。
通電極24形成側の主表面の周縁部の4箇所にて、支柱
34によりハーメチックノールケース33のベース31
上に支持されている。焦電型検出器28の支持位置を第
1図(b)において点線で示す。
上記焦電型検出器28を構成する各fξ電型検出ユニッ
ト26の電極22の引出電極22aは電界効果トランジ
スタ30にワイヤホップ、インク等によりそれぞれ接続
され、共通電極211はベース31にアース接続される
。
ト26の電極22の引出電極22aは電界効果トランジ
スタ30にワイヤホップ、インク等によりそれぞれ接続
され、共通電極211はベース31にアース接続される
。
ハーメチックノールケース33のギャップ32には、焦
電型検出器28に外部から赤外線等を入射させるための
窓32aが形成されている。この窓32aには入射する
赤外線等のフィルタとじて機能するノリコン等のウィン
ド材36か嵌め込まれ、キャップ32の窓32aの周縁
に接着剤により接着されている。
電型検出器28に外部から赤外線等を入射させるための
窓32aが形成されている。この窓32aには入射する
赤外線等のフィルタとじて機能するノリコン等のウィン
ド材36か嵌め込まれ、キャップ32の窓32aの周縁
に接着剤により接着されている。
上記のように、焦電性結晶基板2Iの中心点Pのまわり
に放射状に4組の焦電型検出ユニット26を構成するよ
うにすると、焦電型検出ユニット26が中心点Pのまわ
りに放射状に配置され、4組の焦電型検出ユニット26
から出力する信号の出力のタイミングから、移動物体の
¥1fllJ方向および移動速度を検出することかでき
る。同様に、4組の41A電型検出器ニツト26から出
力する信号の出力のタイミングから、回転物体の回転方
向および回転速度を検出することもてきる。
に放射状に4組の焦電型検出ユニット26を構成するよ
うにすると、焦電型検出ユニット26が中心点Pのまわ
りに放射状に配置され、4組の焦電型検出ユニット26
から出力する信号の出力のタイミングから、移動物体の
¥1fllJ方向および移動速度を検出することかでき
る。同様に、4組の41A電型検出器ニツト26から出
力する信号の出力のタイミングから、回転物体の回転方
向および回転速度を検出することもてきる。
次に、本発明の他の実施例を第2図(a)、第2図(b
)、第3図(a)、第3図(b)、および第4図(a)
。
)、第3図(a)、第3図(b)、および第4図(a)
。
第4図(b)に示す。
第2図(a)および第2図(b)に示す焦電型検出器2
8は、第1図(a)および第1図(b)の焦電型検出器
28において、焦電性結晶基板2!に支持用突起21a
を形成ずろととらに、ff?電性拮晶基板21の中心部
に切込み27の先端間の距離より乙小さい径を有する円
孔21bを形成したしのてめろ。
8は、第1図(a)および第1図(b)の焦電型検出器
28において、焦電性結晶基板2!に支持用突起21a
を形成ずろととらに、ff?電性拮晶基板21の中心部
に切込み27の先端間の距離より乙小さい径を有する円
孔21bを形成したしのてめろ。
焦電型検出器28は」−記した支持用突起21aにて支
柱34により支柱されろ。
柱34により支柱されろ。
このようにすれば、焦電型検出ユニット26から支柱3
4へ逃げる熟mか少なくなり、検出感度が向上する。ま
た、上記円孔21bにより、4組の焦電型検出ユニット
26間での熱の移動や電気的な結合か少なくなり、jj
fi電型検出ユニット26間のクロストークを少なくす
ることかできる。
4へ逃げる熟mか少なくなり、検出感度が向上する。ま
た、上記円孔21bにより、4組の焦電型検出ユニット
26間での熱の移動や電気的な結合か少なくなり、jj
fi電型検出ユニット26間のクロストークを少なくす
ることかできる。
また、第3図(a)および第3図(b)に示す焦電型検
出器28は、第1図(a)および第1図(b)の焦電型
検出器28において、隣接する焦電型検出ユニット26
間に夫々2本の切込み27a、27bを形成するととも
に、焦電性結晶基板2Iの中心部に上記と同様の円孔2
1bを形成したらのである。
出器28は、第1図(a)および第1図(b)の焦電型
検出器28において、隣接する焦電型検出ユニット26
間に夫々2本の切込み27a、27bを形成するととも
に、焦電性結晶基板2Iの中心部に上記と同様の円孔2
1bを形成したらのである。
このような構成とすれば、2本の切込み27a。
27bにより、焦電型検出ユニット26相互間の熱移動
か小さくなるとと乙に電気的な干渉かなくなり、第2図
(a)および第2図(b)の焦電型検出器28よりらさ
らにクロストークか小さくなる。また図中Aの個所で支
柱34と固定するので、焦電型検出ユニット26から支
柱34へ逃げる熱量かより一層少なくなり、検出感度か
向上する。
か小さくなるとと乙に電気的な干渉かなくなり、第2図
(a)および第2図(b)の焦電型検出器28よりらさ
らにクロストークか小さくなる。また図中Aの個所で支
柱34と固定するので、焦電型検出ユニット26から支
柱34へ逃げる熱量かより一層少なくなり、検出感度か
向上する。
さらに、第4図(a)および第4図(b)に示す焦電型
検出器28は、第1図(a)および第1図(b)の焦電
型検出器28において、焦電性結晶基板21の中心部に
上記と同様の円孔21bを形成し、この円孔21bの外
周部に各電極22の引出電極22aを引き出したもので
、焦電型検出器28の支持は、上記円孔21bに図示し
ない支持柱を嵌太し、上記円孔21bの周縁部をこの支
持柱に接着剤により接着することにより行なわれる。
検出器28は、第1図(a)および第1図(b)の焦電
型検出器28において、焦電性結晶基板21の中心部に
上記と同様の円孔21bを形成し、この円孔21bの外
周部に各電極22の引出電極22aを引き出したもので
、焦電型検出器28の支持は、上記円孔21bに図示し
ない支持柱を嵌太し、上記円孔21bの周縁部をこの支
持柱に接着剤により接着することにより行なわれる。
このようにすれば、各電極22の引出電極22aが長く
なり、これら引出電極22aからホンディングワイヤ(
図示せず。)を通して失われる熱量か小さくなり、検出
感度が向上する。
なり、これら引出電極22aからホンディングワイヤ(
図示せず。)を通して失われる熱量か小さくなり、検出
感度が向上する。
第5図は駆−動回路の一例であり、焦電型検出器28の
電1iji22の引出電極22a(出力(則)はFET
のゲート電極Gに接続されている。ドレイン電極りから
直流電圧+Vccか印加されており、熱吸収膜23(第
5図には便宜上図示せず。)に光か照射されると、この
熱吸収膜23直下の電極22とアース側のノ(通電極2
4間の焦電性結晶F&仮21に周囲温度との温度差に基
ついて電荷か発生し、この電荷により抵抗Rgに電流か
流れ、抵抗1tgに電圧か発生ずる。この電圧はFET
のソースフォロア回路によりインピーダンス変換6J1
、抵抗+ISの両端の電圧変化として、直流バイアス電
圧に重畳して交流出力信号かソースSより取り出される
。そしてチャネルChlに出力信号か現れろ。従って、
jQ電型検出器28の全領域に光か照射されれば各チャ
ネルch、、ch、、・Chlに出力信号か現れる。ま
L焦電型検出器28の一1事に光か06射されれば、そ
の照射された部分に対応4−るチャネルに出力信号か現
れろ。らし光を放射する物体か静止物体であれば焦電型
検出器28Q)k面側つまり電極22に対向する位置に
チョッパを配置することになる。このとき、周囲温度と
対象物体の温度差を測定するfこめ温度hli正素子を
用いろ。一方、光を放射する物体か移動するしのあるい
は熱変化するしのであればチョッパは不要となる。
電1iji22の引出電極22a(出力(則)はFET
のゲート電極Gに接続されている。ドレイン電極りから
直流電圧+Vccか印加されており、熱吸収膜23(第
5図には便宜上図示せず。)に光か照射されると、この
熱吸収膜23直下の電極22とアース側のノ(通電極2
4間の焦電性結晶F&仮21に周囲温度との温度差に基
ついて電荷か発生し、この電荷により抵抗Rgに電流か
流れ、抵抗1tgに電圧か発生ずる。この電圧はFET
のソースフォロア回路によりインピーダンス変換6J1
、抵抗+ISの両端の電圧変化として、直流バイアス電
圧に重畳して交流出力信号かソースSより取り出される
。そしてチャネルChlに出力信号か現れろ。従って、
jQ電型検出器28の全領域に光か照射されれば各チャ
ネルch、、ch、、・Chlに出力信号か現れる。ま
L焦電型検出器28の一1事に光か06射されれば、そ
の照射された部分に対応4−るチャネルに出力信号か現
れろ。らし光を放射する物体か静止物体であれば焦電型
検出器28Q)k面側つまり電極22に対向する位置に
チョッパを配置することになる。このとき、周囲温度と
対象物体の温度差を測定するfこめ温度hli正素子を
用いろ。一方、光を放射する物体か移動するしのあるい
は熱変化するしのであればチョッパは不要となる。
第6図は駆動回路の他の例であり、焦電型検出器28を
時系列に駆動させる乙のである。焦電型検出器28の電
極22側の引出電極22a(出ツノ側)はスイッチS、
、S、、・・8%を介してFE’l”のケート電極Gに
接続されている。ドレイン電極りから直流電圧+Vcc
か印加されており、熱吸収膜23(第6図には便宜上図
示せず。)に光か照射されると、この熱吸収膜23直下
の電極22とアース側共通電極24間の焦電性結晶基板
21に周囲温度との温度差に基ついて電荷が発生ずる。
時系列に駆動させる乙のである。焦電型検出器28の電
極22側の引出電極22a(出ツノ側)はスイッチS、
、S、、・・8%を介してFE’l”のケート電極Gに
接続されている。ドレイン電極りから直流電圧+Vcc
か印加されており、熱吸収膜23(第6図には便宜上図
示せず。)に光か照射されると、この熱吸収膜23直下
の電極22とアース側共通電極24間の焦電性結晶基板
21に周囲温度との温度差に基ついて電荷が発生ずる。
スイツチS +、 S r、・・Sxを順次閉から閑に
すると、この電荷により抵抗ttgに電流か流れ、抵抗
Rg1.:電圧が発生ずる。この電圧はFETのソース
フォロア回路によりインピーダンス変換され、時系列に
発生しl二重圧は抵抗Rsの両端の電圧変化として、直
流バイアス電圧に重畳して交流信弓かソース重両Sより
順次取り出される。この焦電型検出器28の受光1′A
≦の一部に光が照射されれば、照射されfこ受光部に対
応しん出力信号か現れる。らし光を放射する物体が静止
物体で□あれば、焦電型検出器28の表面側、つまり電
極22に対向する位置にチョッパを配置する。この場合
、スイッチS、、S2.・。
すると、この電荷により抵抗ttgに電流か流れ、抵抗
Rg1.:電圧が発生ずる。この電圧はFETのソース
フォロア回路によりインピーダンス変換され、時系列に
発生しl二重圧は抵抗Rsの両端の電圧変化として、直
流バイアス電圧に重畳して交流信弓かソース重両Sより
順次取り出される。この焦電型検出器28の受光1′A
≦の一部に光が照射されれば、照射されfこ受光部に対
応しん出力信号か現れる。らし光を放射する物体が静止
物体で□あれば、焦電型検出器28の表面側、つまり電
極22に対向する位置にチョッパを配置する。この場合
、スイッチS、、S2.・。
S1%を開閉する周期、スキャノの速度はチョッパによ
りチョッピングより数倍速く作動させろことが好ましい
。一方、光を放射する物体が移動する乙のあるいは熱変
化するものであれば、対象物体の移動速度あるいは熱変
化速度よりらスキャンの速度を数倍速く作動させること
か好ましい。
りチョッピングより数倍速く作動させろことが好ましい
。一方、光を放射する物体が移動する乙のあるいは熱変
化するものであれば、対象物体の移動速度あるいは熱変
化速度よりらスキャンの速度を数倍速く作動させること
か好ましい。
以上のように、本発明の実施例によれば、−4のj@電
性結晶基板21の中心点Pを取り囲むように放射状に複
数の焦電型検出ユニット26か形成されるので、これら
焦電型検出ユニット26の特性のばらつきが少なく焦電
型検出ユニット26出力する信号の出力のタイミングに
より、移動物体の2次元的な移動方向や移動速度および
回転体の1 回転方向や回
転速度を精度よく容易に検出することができる。また、
焦電性結晶基板2!の中心に円孔21bを形成した実施
例では、この円孔21bをレー。ザヒームか通過するよ
うに4−れば、その中心の検出や芯出しを高精度で行う
ことかできろ。
性結晶基板21の中心点Pを取り囲むように放射状に複
数の焦電型検出ユニット26か形成されるので、これら
焦電型検出ユニット26の特性のばらつきが少なく焦電
型検出ユニット26出力する信号の出力のタイミングに
より、移動物体の2次元的な移動方向や移動速度および
回転体の1 回転方向や回
転速度を精度よく容易に検出することができる。また、
焦電性結晶基板2!の中心に円孔21bを形成した実施
例では、この円孔21bをレー。ザヒームか通過するよ
うに4−れば、その中心の検出や芯出しを高精度で行う
ことかできろ。
なお、以上の実施例において、焦電性結晶基板21の杉
状は円板状に限らず、焦電型検出器28の使用目的に応
じて、三角形状や任窃の多角形状とすることができる。
状は円板状に限らず、焦電型検出器28の使用目的に応
じて、三角形状や任窃の多角形状とすることができる。
また、焦電型検出ユニット26についても、少なくとも
3組以上の組合わせとすることができる。
3組以上の組合わせとすることができる。
第1図(a)および第1図(b)は夫々本発明に係る焦
電型検出器の上面図および下面図、第1図(c)は第1
図(a)および第1図(b)の焦電型検出器を/%−メ
チツクノールケース内に収容した状態を示す縦断面図で
あり、第1図(c)の焦電型検出器の断面は第1図(a
)の■−■線に沿う断面を示す。第2図(a)および第
2図(b)は夫々本発明に係る焦電型検出器のいま一つ
の実施例の上面図および下面図、第3図(a)および第
3図(b)は夫々本発明に係る焦電型検出器のさらにい
ま一つの実施例の上面図および下面図、第4図(a)お
よび第4図(b)は夫々本発明に係る焦電型検出器のさ
らにいま一つの実施例の上面図および下面図である。第
5図は駆動回路の一例を示す回路図、第6図は駆動回路
のもう一つの例を示す回路図、第7図(a)は焦電型検
出器の動作原理を説明するための説明図、第7図(b)
は焦電型検出器からの信号取出のための回路図であり、
第8図(a)および第8図(b)は夫々従来の焦電型検
出器の上面図および下面図てある。 21 ・焦電性結晶基板、22・・・電極、23・・熱
吸収膜、 24・・共通電極、26 焦電型検出
ユニット、 27.27a、27b=−切込み、 28 ・焦電型検出器、 P・・中心点。 特許出願人 法式会社 村 1)製 作 所代理人
弁理士 青 山 葆 ほか2名41図 第
1図 (0) l)) 第4図 第4図 (b) 第6図
電型検出器の上面図および下面図、第1図(c)は第1
図(a)および第1図(b)の焦電型検出器を/%−メ
チツクノールケース内に収容した状態を示す縦断面図で
あり、第1図(c)の焦電型検出器の断面は第1図(a
)の■−■線に沿う断面を示す。第2図(a)および第
2図(b)は夫々本発明に係る焦電型検出器のいま一つ
の実施例の上面図および下面図、第3図(a)および第
3図(b)は夫々本発明に係る焦電型検出器のさらにい
ま一つの実施例の上面図および下面図、第4図(a)お
よび第4図(b)は夫々本発明に係る焦電型検出器のさ
らにいま一つの実施例の上面図および下面図である。第
5図は駆動回路の一例を示す回路図、第6図は駆動回路
のもう一つの例を示す回路図、第7図(a)は焦電型検
出器の動作原理を説明するための説明図、第7図(b)
は焦電型検出器からの信号取出のための回路図であり、
第8図(a)および第8図(b)は夫々従来の焦電型検
出器の上面図および下面図てある。 21 ・焦電性結晶基板、22・・・電極、23・・熱
吸収膜、 24・・共通電極、26 焦電型検出
ユニット、 27.27a、27b=−切込み、 28 ・焦電型検出器、 P・・中心点。 特許出願人 法式会社 村 1)製 作 所代理人
弁理士 青 山 葆 ほか2名41図 第
1図 (0) l)) 第4図 第4図 (b) 第6図
Claims (1)
- (1)焦電性結晶基板の一方の主表面に複数の電極が放
射状にかつ電気的に分離されて形成されるとともに各電
極上に熱吸収膜が夫々形成されており、上記焦電性結晶
基板のいま一方の主表面には上記複数の電極に夫々対向
して共通電極が形成されていることを特徴とする焦電型
検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59252251A JPS61129537A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 焦電型検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59252251A JPS61129537A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 焦電型検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61129537A true JPS61129537A (ja) | 1986-06-17 |
Family
ID=17234623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59252251A Expired - Lifetime JPS61129537A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 焦電型検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61129537A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021157592A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | 株式会社堀場製作所 | 焦電素子、赤外線検出器及びガス分析計 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54998A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Fire spot sensor |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP59252251A patent/JPS61129537A/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54998A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Fire spot sensor |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021157592A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | 株式会社堀場製作所 | 焦電素子、赤外線検出器及びガス分析計 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |