JPS61127635A - 光ファイバ用母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ用母材の製造方法Info
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- JPS61127635A JPS61127635A JP25108784A JP25108784A JPS61127635A JP S61127635 A JPS61127635 A JP S61127635A JP 25108784 A JP25108784 A JP 25108784A JP 25108784 A JP25108784 A JP 25108784A JP S61127635 A JPS61127635 A JP S61127635A
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- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
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- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
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- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
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- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は光ファイバの製造方法に関する。
[背景技術]
近年、光ファイバによる大容量通信では、波長多重方式
が使われている。特に、シングルモードファイバによる
波長多重方式はその効果が大きい。
が使われている。特に、シングルモードファイバによる
波長多重方式はその効果が大きい。
シングルモードファイバのコアが単一の屈折率である場
合には、光源波長が変化すると速度が変化する。この関
係をλ(波長)で微分して傾きを求めると曲線となる。
合には、光源波長が変化すると速度が変化する。この関
係をλ(波長)で微分して傾きを求めると曲線となる。
これを分散と呼んでいるが、この分散がゼロであれば、
光源が単一波長でなく、ある幅△λをもっていても、パ
ルスが分散により広がることがなく、伝送容量は極めて
大きい。これより、分散値がゼロである波長を、例えば
1.35μmとした場合、複数の光源を使い、波長多重
システムを構成する場合には、第3図に示すような分散
特性が望ましい。
光源が単一波長でなく、ある幅△λをもっていても、パ
ルスが分散により広がることがなく、伝送容量は極めて
大きい。これより、分散値がゼロである波長を、例えば
1.35μmとした場合、複数の光源を使い、波長多重
システムを構成する場合には、第3図に示すような分散
特性が望ましい。
このような分散特性であれば、1.3層1m〜1.7μ
mの広い範囲で遅延時間がほとんど変化しないため、こ
の範囲であれば自由に光源の種類を増すことができ、極
めて大吉■の伝送システムが可能となる。
mの広い範囲で遅延時間がほとんど変化しないため、こ
の範囲であれば自由に光源の種類を増すことができ、極
めて大吉■の伝送システムが可能となる。
以上説明のようにシングルモードファイバの容量は、光
源の波長幅と光ファイバの波長分散によって決まる。一
方、波長分散は構造分散と材料分散によって決まるが、
通常の均一な屈折率分布のコアでは、上述のようにある
特定の波長でのみ分散が零となるので、波長多重をおこ
なった場合、使用光源のすべての波長にわたり、分散を
零にすることは不可能であった。
源の波長幅と光ファイバの波長分散によって決まる。一
方、波長分散は構造分散と材料分散によって決まるが、
通常の均一な屈折率分布のコアでは、上述のようにある
特定の波長でのみ分散が零となるので、波長多重をおこ
なった場合、使用光源のすべての波長にわたり、分散を
零にすることは不可能であった。
しかし、最近屈折率の高い部分と低い部分からなる複雑
なコアを設計することにより、広い波長範囲にわたり分
散が零になることが見出された。
なコアを設計することにより、広い波長範囲にわたり分
散が零になることが見出された。
[従来技術と問題点]
従来、複雑な屈折率分布を形成する技術としてはMCV
D法が多く使用されている。MCVD法により薄層を多
層に石英管内壁に堆積させながら原料の配合比を変える
ことにより屈折率分布を形成する。
D法が多く使用されている。MCVD法により薄層を多
層に石英管内壁に堆積させながら原料の配合比を変える
ことにより屈折率分布を形成する。
上述のように、MCVD法では石英管に内材をおこなう
ため、所定■ガラス層を形成した後、中実化(フラソプ
ス)する工程が必要である。この中実化工程では以下の
ような問題がある。
ため、所定■ガラス層を形成した後、中実化(フラソプ
ス)する工程が必要である。この中実化工程では以下の
ような問題がある。
(+1中火化上稈では、極めて高温となるため、最内層
のガラス成分の揮散があり、特に蒸気圧の高いGeO2
なとは5t02にくらべて揮敗し易く、屈折率分布に不
整が生する。
のガラス成分の揮散があり、特に蒸気圧の高いGeO2
なとは5t02にくらべて揮敗し易く、屈折率分布に不
整が生する。
(2)高温であるため、石英管のOH基がコアまで拡散
し、OH振動吸収が大きくなり、伝送損失が大きくなる
。
し、OH振動吸収が大きくなり、伝送損失が大きくなる
。
(3)中実化工程が高温でおこなわれるため、石英管の
最外層も蒸発し、コア径/外径の比率の制御が困難であ
る。
最外層も蒸発し、コア径/外径の比率の制御が困難であ
る。
(4)反応が閉管の中でおこなわれるため、遷移金属や
水素を含む化合物のような不純物が混入した場合、除去
手段がなく、従って原料は高価な高純度品が必要であり
、配管のリークによる汚染も製品の不良化につながるの
で、MCVDでは低損失光ファイバの製造は困難である
。
水素を含む化合物のような不純物が混入した場合、除去
手段がなく、従って原料は高価な高純度品が必要であり
、配管のリークによる汚染も製品の不良化につながるの
で、MCVDでは低損失光ファイバの製造は困難である
。
[発明の目的、構成]
本発明は上記のような比較的広い波長範囲で分散が殆ん
どゼロであるような特性を有するシングルモードファイ
バの製造に好適な製造方法にあり、火災加水分解法で、
多周構造のコアをもった光ファイバの母材を製造する方
法を提供しようとするものである。
どゼロであるような特性を有するシングルモードファイ
バの製造に好適な製造方法にあり、火災加水分解法で、
多周構造のコアをもった光ファイバの母材を製造する方
法を提供しようとするものである。
第1図の本発明によるプリフォームの屈折率の概略図に
より、その構成を概略的に説明する。
より、その構成を概略的に説明する。
ます、火災加水分解法により、中心部コアはSiO2と
少くとも屈折率を高める金属酸化物GeO2からなり、
その外側は中心部より屈折率の低いSiO2層、さらに
その外側は第2層よりも屈折率の高い5102とGeO
2からなる層のすくなくとも3層からなる多孔質体を形
成する。この多孔質体は弗素ガスを含む雰囲気で処理さ
れる。この工程でガラス体は部分的に弗素化される。多
孔質ガラス体は透明化後、最外層に純5i02ガラスで
被覆され、加熱一体化される。被覆されたプリフォーム
は線引きされ、光ファイバとなる。なお前記SiO2と
GeO2からなる外側層と最外層のSiO2層との間に
5i02層より屈折率の低い層を設けることがある。
少くとも屈折率を高める金属酸化物GeO2からなり、
その外側は中心部より屈折率の低いSiO2層、さらに
その外側は第2層よりも屈折率の高い5102とGeO
2からなる層のすくなくとも3層からなる多孔質体を形
成する。この多孔質体は弗素ガスを含む雰囲気で処理さ
れる。この工程でガラス体は部分的に弗素化される。多
孔質ガラス体は透明化後、最外層に純5i02ガラスで
被覆され、加熱一体化される。被覆されたプリフォーム
は線引きされ、光ファイバとなる。なお前記SiO2と
GeO2からなる外側層と最外層のSiO2層との間に
5i02層より屈折率の低い層を設けることがある。
多孔質体の製造方法はスートを軸方向に堆積させるVA
D法が望ましいが、マンドレル表面にスートをコートす
るOVD法であってもよい。
D法が望ましいが、マンドレル表面にスートをコートす
るOVD法であってもよい。
多孔質体の形成と透明化を分離する方法では、高温の中
実化工程がないため、前掲(1)〜(3)の問題が解消
される。さらに多孔質体形成後、脱水処理をすることに
より、不純物も除去できるので、前掲(4)の問題も解
消できる。従って、本発明によれば、低損失の光ファイ
バが安価に製造可能である。
実化工程がないため、前掲(1)〜(3)の問題が解消
される。さらに多孔質体形成後、脱水処理をすることに
より、不純物も除去できるので、前掲(4)の問題も解
消できる。従って、本発明によれば、低損失の光ファイ
バが安価に製造可能である。
透明化後は、さらに5102を被覆する。これは、伝送
路として必要であり、また耐水性を改善させるためであ
る。被覆方法としては、火炎加水分解法でSiO2スー
トを透明ガラス体にコーティングした後、加熱し、透明
化させる方法でもよいし、石英管に透明ガラス体を挿入
し、外部から酸水素バーナ等で高温に加熱し、一体化さ
せてもよい。
路として必要であり、また耐水性を改善させるためであ
る。被覆方法としては、火炎加水分解法でSiO2スー
トを透明ガラス体にコーティングした後、加熱し、透明
化させる方法でもよいし、石英管に透明ガラス体を挿入
し、外部から酸水素バーナ等で高温に加熱し、一体化さ
せてもよい。
この時、コア内部はすでに中実化されているので、コア
の屈折率分布不整は生じない。
の屈折率分布不整は生じない。
〔実施例]
そのl。
回転する石英棒先端に向けて第1の多重管バーナーから
、5iCQ4BOcc/分、GeCQ440cc /分
、H2,02を吹き出させ、火炎中で塩化物を加水分解
し、GeO2と5i02のガラス微粒子を形成させる。
、5iCQ4BOcc/分、GeCQ440cc /分
、H2,02を吹き出させ、火炎中で塩化物を加水分解
し、GeO2と5i02のガラス微粒子を形成させる。
このガラス微粒子を石英棒先端に付着させ、回転軸方向
に成長させた。その外側に、第2の多重管バーナーから
S i CR2100cc /分とH2,02ガスを吹
き出させ、同様に火炎中でSiO2のガラス微粒子を形
成させ、このガラス微粒子を軸方向に堆積させた。さら
にその外側に、第3の多重バーナーからH2,02にS
i CAl480CC/分、GeCQ420cc /
分を添加してj11積させた。
に成長させた。その外側に、第2の多重管バーナーから
S i CR2100cc /分とH2,02ガスを吹
き出させ、同様に火炎中でSiO2のガラス微粒子を形
成させ、このガラス微粒子を軸方向に堆積させた。さら
にその外側に、第3の多重バーナーからH2,02にS
i CAl480CC/分、GeCQ420cc /
分を添加してj11積させた。
そして中心層の直径20關、第2層の直径30Il+1
11第3層の直径40關、長さ30C++1の多孔質体
を形成した。コノ多孔質体は1300°CのHe 5Q
/分とCQ2500cc/分で脱水処理した後、165
0℃の電気炉内で、SFe 200cc /分とHe
512/分の雰囲気で透明化した。透明化した母材はプ
ラズマ炎で所定の径に延伸後、低OHの石英管を被ぶせ
、外部から酸水素炎で加熱一体化してプリフォームとし
た。
11第3層の直径40關、長さ30C++1の多孔質体
を形成した。コノ多孔質体は1300°CのHe 5Q
/分とCQ2500cc/分で脱水処理した後、165
0℃の電気炉内で、SFe 200cc /分とHe
512/分の雰囲気で透明化した。透明化した母材はプ
ラズマ炎で所定の径に延伸後、低OHの石英管を被ぶせ
、外部から酸水素炎で加熱一体化してプリフォームとし
た。
線引後、光ファイバを評価したところ、1.2μmQ+
、eμmの広い範囲にわたり、分散は1ps/nm・k
++以下であった。また伝送損失はI 、2 jlm−
l 、[iμmの同し範囲でo、sdB/kIl以下で
あった。
、eμmの広い範囲にわたり、分散は1ps/nm・k
++以下であった。また伝送損失はI 、2 jlm−
l 、[iμmの同し範囲でo、sdB/kIl以下で
あった。
その2゜
回転するl Ommφのアルミナ棒の外周に、多重管バ
ーナーからH2,02とともにS i’CQ460cc
/分、GeCQ440cc/分を吹き出させ、火炎加
水分解で形成したSiO2およびGeO2からなるガラ
ス微粒子を堆積させ、厚さが5關になった後、5iCQ
4を+00cc/分GeCQ<をOCCとして、酸水素
により堆積を続けた。さらに厚さが511111になっ
た後、200cc/分のGeCQ4を再び添加し、アル
ミナ棒を含んだ外径が60IIINになった後、堆積を
停止し、アルミナ棒を引き抜いて1350℃の電気炉内
でHe 5Q/分とCQ2500cc/分で脱水処理し
た後、1700℃の電気炉内で5F6200cc/分と
He 5Q/分の雰囲気で透明化した。透明化した母材
はプラズマ炎で所定の径に延伸後、低OHの石英管を被
ぶせ、加熱により一体化してプリフォームとした。
ーナーからH2,02とともにS i’CQ460cc
/分、GeCQ440cc/分を吹き出させ、火炎加
水分解で形成したSiO2およびGeO2からなるガラ
ス微粒子を堆積させ、厚さが5關になった後、5iCQ
4を+00cc/分GeCQ<をOCCとして、酸水素
により堆積を続けた。さらに厚さが511111になっ
た後、200cc/分のGeCQ4を再び添加し、アル
ミナ棒を含んだ外径が60IIINになった後、堆積を
停止し、アルミナ棒を引き抜いて1350℃の電気炉内
でHe 5Q/分とCQ2500cc/分で脱水処理し
た後、1700℃の電気炉内で5F6200cc/分と
He 5Q/分の雰囲気で透明化した。透明化した母材
はプラズマ炎で所定の径に延伸後、低OHの石英管を被
ぶせ、加熱により一体化してプリフォームとした。
線引後、光ファイバを評価したところ、1.211m−
1,6μmの広い範囲で、分散はI 、 Ili p
s /nm−に++以下であった。また伝送損失は同じ
範囲で0 、7 d B/km以下であった。
1,6μmの広い範囲で、分散はI 、 Ili p
s /nm−に++以下であった。また伝送損失は同じ
範囲で0 、7 d B/km以下であった。
第2図は本発明による光ファイバの屈折率分布の一例を
示している。
示している。
以上の実施例では、コアの中心部は屈折率の高い例を示
したが、屈折率の低い場合でも本発明の効果は失われる
ことなく適用できる。
したが、屈折率の低い場合でも本発明の効果は失われる
ことなく適用できる。
[効果]
7本発明によれば、酸水素バーナーによる高温の中実化
工程が存在しないため、蒸気圧の高い金属酸化物の揮散
がなく、設計どおりの屈折率分布が得られる。
工程が存在しないため、蒸気圧の高い金属酸化物の揮散
がなく、設計どおりの屈折率分布が得られる。
石英管に含まれるOH基がコア内部にまで拡散せず、低
損失光ファイバが得られる。
損失光ファイバが得られる。
また石英管の揮散がなく、設計どおりのコア/クラツド
比が得られる。
比が得られる。
更に原料純度に関係なく低損失光ファイバが得られるこ
と、屈折率の高い部分にも弗素が添加されるため、耐水
素特性に優れるという効果もある。
と、屈折率の高い部分にも弗素が添加されるため、耐水
素特性に優れるという効果もある。
本発明によれば、広い波長範囲で遅延時間がほとんど変
化しない光ファイバの製造に好適である。
化しない光ファイバの製造に好適である。
第1図は本発明によるプリフオームの屈折率概略図を示
す。 第2図は本発明による光ファイバの屈折率分布図を示す
。 第3図は波長と分散との関係説明図である。
す。 第2図は本発明による光ファイバの屈折率分布図を示す
。 第3図は波長と分散との関係説明図である。
Claims (1)
- (1)火炎加水分解法により、ガラス微粒子を堆積させ
、中心部に屈折率を高める金属酸化物とシリカからなる
多孔質棒、その周辺に屈折率を高める金属酸化物を含ま
ないか、あるいは少なく含むシリカ層、さらにその周辺
に屈折率を高める金属酸化物とシリカの少なくとも3層
からなる多孔質ガラス層を形成し、弗素化合物ガスを含
んだ雰囲気で熱処理した後、最外部に純粋石英層を形成
することを特徴とする光ファイバの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59251087A JPH068185B2 (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59251087A JPH068185B2 (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61127635A true JPS61127635A (ja) | 1986-06-14 |
JPH068185B2 JPH068185B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=17217441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59251087A Expired - Fee Related JPH068185B2 (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH068185B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1301225C (zh) * | 2004-05-10 | 2007-02-21 | 烽火通信科技股份有限公司 | 一种低水峰光纤的制造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5525643A (en) * | 1978-08-11 | 1980-02-23 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Method of carrying article |
JPS5567533A (en) * | 1978-11-07 | 1980-05-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of glass base material for light transmission |
JPS5767037A (en) * | 1980-10-06 | 1982-04-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of base material for single-mode optical fiber |
JPS5844619A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-15 | 東京プレス工業株式会社 | 容量キ−スイツチ |
JPS58104040A (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-21 | コ−ニング・グラス・ワ−クス | 単一モード光導波路 |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP59251087A patent/JPH068185B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5525643A (en) * | 1978-08-11 | 1980-02-23 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Method of carrying article |
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JPS58104040A (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-21 | コ−ニング・グラス・ワ−クス | 単一モード光導波路 |
Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
CN1301225C (zh) * | 2004-05-10 | 2007-02-21 | 烽火通信科技股份有限公司 | 一种低水峰光纤的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH068185B2 (ja) | 1994-02-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |