JPS61127196A - Manufacture of multilayer wiring board - Google Patents

Manufacture of multilayer wiring board

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Publication number
JPS61127196A
JPS61127196A JP24894084A JP24894084A JPS61127196A JP S61127196 A JPS61127196 A JP S61127196A JP 24894084 A JP24894084 A JP 24894084A JP 24894084 A JP24894084 A JP 24894084A JP S61127196 A JPS61127196 A JP S61127196A
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JP
Japan
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layer
group
wiring board
formula
multilayer wiring
Prior art date
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Pending
Application number
JP24894084A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
鶴田 直宏
横田 完一
愛 英夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP24894084A priority Critical patent/JPS61127196A/en
Publication of JPS61127196A publication Critical patent/JPS61127196A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分計〕 本発明は多層配線板の製造方法に関し、特に高密度実装
を要求されるコンピューター等のプリント回路基板やL
SI実装用の回路モジュール等に使用される多層基板を
高性能でかつ経済的に製造する方法に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board, and is particularly applicable to printed circuit boards for computers and other devices that require high-density packaging.
The present invention relates to a high-performance and economical method of manufacturing a multilayer board used for a circuit module for SI mounting, etc.

〔従来技術〕[Prior art]

従来、コンピューターや通信機器等に使用される回路基
板には、ガラス繊維にエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を
含浸させ、その両面に銅箔を有する基板や、さらに配線
密度をあげるために内層にも導体パターン層を有し、各
層の導体パターンをスルーホールメッキで接続させた多
層プリント回路基板があり、あるいはアルミナセラミッ
クやガラス等の無機絶縁基板の面上に印刷方式にて金属
パター7層を形成した厚膜配線基板、さらには樹脂基材
や無機絶縁基板の面上忙メッキや蒸着等の方式にて金属
パターン層を形成した、いわゆる薄膜配線基板が用いら
れている。
Conventionally, circuit boards used in computers, communication equipment, etc. are made by impregnating glass fiber with epoxy resin or polyimide resin, and have copper foil on both sides, as well as conductive patterns on the inner layer to increase wiring density. There are multilayer printed circuit boards that have multiple layers and the conductor patterns of each layer are connected by through-hole plating, or there are multilayer printed circuit boards that have 7 layers of metal patterns formed by printing on the surface of an inorganic insulating substrate such as alumina ceramic or glass. A so-called thin film wiring board is used, in which a metal pattern layer is formed on the surface of a film wiring board, or a resin base material or an inorganic insulating substrate by a method such as continuous plating or vapor deposition.

これらの方式の場合、導体パターン層の上下間の接続の
ために絶縁層をドリルまたはパンチングにより穴あけ加
工を行ない、この穴内をメッキ法や導電性を有する材料
で穴埋めする方法がとられてきたが、ドリル径やパンチ
ングピンの微小化の限界から超高密度配線が困難となっ
ている。
In the case of these methods, holes have been made in the insulating layer by drilling or punching to connect the upper and lower conductor pattern layers, and the holes have been filled with plating or conductive material. However, ultra-high-density wiring has become difficult due to the limits of miniaturization of drill diameters and punching pins.

近年、超大型コンピューターの高速演算化のために超高
密度配線技術の要求が高く、絶縁層やバイアホール(ス
ルーホール)形成に:、 LSIで用いられるドライエ
ツチングや湿式エツチング技術を応用して微細化を図っ
ているが、プロセスが複雑なためKllllクコストし
く高いものとなり、実用化が困難である。またフォトレ
ジストを用いて絶縁層をエツチングするため、約弘j’
のテーパー角をもったバイアホールしか形成できず、絶
縁層の膜厚くバイアホール径が依存する欠点を有し、例
えば、膜厚20prnの絶縁層に対し小径をコ0ptI
I確保するKは、大径はtoμmKなり、高密度実装へ
の阻害要因になっている。
In recent years, there has been a high demand for ultra-high-density wiring technology for high-speed calculations in ultra-large computers, and the dry etching and wet etching techniques used in LSI are being applied to form insulating layers and via holes (through holes). However, the process is complicated, making it extremely expensive and difficult to put into practical use. Also, since the insulating layer is etched using photoresist, it takes approximately
The via hole can only be formed with a taper angle of
The K to be secured is to μmK for large diameters, which is an impediment to high-density packaging.

この欠点を解決するために1フオトレジストをそのまま
絶縁層として用いる試みがなされ、例えば、特開昭よ!
−//り6り!号公報に開示されている。
In order to solve this drawback, attempts have been made to use photoresist as it is as an insulating layer.
-//Ri6ri! It is disclosed in the publication No.

しかしながら、開示された樹脂は耐熱性が低いためKL
SIを実装する際Kかかる熱に耐えられず、信頼性を欠
く欠点を有している。
However, the disclosed resin has low heat resistance, so KL
It cannot withstand the heat required when mounting the SI, and has the drawback of lacking reliability.

さらに1フオトレジストの耐熱性を付与するために感光
性ポリイミド前駆体を用いることが容重に考えられる。
Furthermore, it is highly conceivable to use a photosensitive polyimide precursor to impart the heat resistance of the photoresist.

しかしながら、特開昭!弘−/ 4cj7り参考、特開
昭!7−/4♂り弘λ号公報等に記載された感光性ポリ
イミド前駆体を多層配線板の絶縁層として用いた場合、
導電性材料として使用する銅表面でこれらの樹脂が紫外
線を照射しなくとも全面で硬化してしまい、バイアホー
ルを形成できない欠点があシ、樹脂と鋼が直接接触しな
いよ5に一部表面にTi +Crの薄層を形成する前処
理工程を必要としプロセスが非常に複雑となり実用化が
離しい。
However, Tokukai Akira! Hiro-/4cj7ri reference, Tokukai Sho! When the photosensitive polyimide precursor described in 7-/4♂ Rihiro λ publication etc. is used as an insulating layer of a multilayer wiring board,
These resins harden on the entire surface of copper used as a conductive material even without irradiation with ultraviolet rays, making it impossible to form via holes. It requires a pretreatment step to form a thin layer of Ti + Cr, making the process very complicated and making it difficult to put it into practical use.

また、これらの公報開示の感光性ポリイミド前駆体はネ
ガ型であり、紫外線照射部が光硬化する重合体である。
Further, the photosensitive polyimide precursors disclosed in these publications are negative-type polymers whose ultraviolet irradiated portions are photocured.

ネガ型の場合、絶縁層となる大半の部分を光硬化しバイ
アホール部の微小な部分を現像除去するため、超微細な
バイアホールを形成するKは不都合であり、また光硬化
した絶縁層部分も現像液で一部表面が除去され、約j−
10%の膜厚減少を生じる欠点があった。
In the case of a negative type, most of the part that becomes the insulating layer is photocured and the minute part of the via hole part is removed by development, so K, which forms ultrafine via holes, is inconvenient, and the part of the insulating layer that has been photocured is A portion of the surface was also removed with developer, and approximately
There was a drawback that the film thickness was reduced by 10%.

〔発明が解決しようとしている問題点〕本発明は、上記
の欠点を除き、極めて微小径のバイアホールを精度よく
形成し、また平坦性にも優れた多層配線板を効率よく形
成することを可能にした高密度実装に適した配線板の製
造方法を提供することを目的とする。
[Problems to be solved by the invention] The present invention eliminates the above-mentioned drawbacks and makes it possible to form via holes with extremely small diameters with high precision and to efficiently form multilayer wiring boards with excellent flatness. The present invention aims to provide a method for manufacturing wiring boards suitable for high-density packaging.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

すなわち本発明は、(イ)支持基板の表面に導電性パタ
ーンを形成する第一層形成工程、(ロ)第一層の表面に
ポジ型感光性重合体層を設け、該層上に7オトマスクを
介して光照射し、現像によ抄バイアホール用穴を形成し
、該層を熱処理して高絶縁化する絶縁層形成工程、(ノ
ウさらに該層の表面に導体回路を形成し、バイアホール
用穴を介して下層回路と電気的(接続する配線層形成工
程を含むことを特徴とする多層配線板の製造法に関する
ものである。
That is, the present invention includes (a) a first layer forming step of forming a conductive pattern on the surface of a support substrate; (b) a positive photosensitive polymer layer is provided on the surface of the first layer; An insulating layer forming process in which a hole for a via hole is formed by irradiation with light through the layer, and a hole for a via hole is formed by heat treatment of the layer to make it highly insulating. The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board characterized by including a step of forming a wiring layer that is electrically connected to a lower layer circuit through a hole.

本発明の第一層形成工程とは、アルミナセラミック板、
ガラス板、樹脂あるいはホーローで絶縁処理されたアル
ミ、鉄などの金属板、ガラス布基材エポキシ基板、ガラ
ス布基材ポリイミド基板、ポリイミドフィルム等から選
ばれた支持基板の表面に、メッキ法、蒸着法、スパッタ
法、加圧接着法、塗布法等で、鋼および/またはクロム
等の導体パターンを形成する工程である。
The first layer forming step of the present invention includes an alumina ceramic plate,
Plating or vapor deposition is applied to the surface of a supporting substrate selected from glass plates, metal plates such as aluminum or iron insulated with resin or enamel, glass cloth-based epoxy substrates, glass cloth-based polyimide substrates, polyimide films, etc. This is a process of forming a conductive pattern of steel and/or chromium, etc. using a method such as a method, a sputtering method, a pressure bonding method, or a coating method.

導体形成の具体例を次に示す。下地基板を有機溶剤、酸
、アルカリ水溶液から選ばれた洗浄剤で洗浄するか、あ
るいはOH、CF4等を含むガスを用いプラズマエツチ
ングにて表面をクリー二/グする。
A specific example of conductor formation is shown below. The underlying substrate is cleaned with a cleaning agent selected from organic solvents, acids, and alkaline aqueous solutions, or the surface is cleaned/cleaned by plasma etching using a gas containing OH, CF4, etc.

その後、スパッタリング装置を用い、クロム、鋼、金、
ニッケル、アルミ等から選ばれた金属をターゲットとし
て単層ないしは複層を下地基板の上に沈着させる。スパ
ッタリングを用いた場合、下地基板と導体の接着力が優
れたものとなる。また、蒸着により下地基板に導体を形
成することも可能である。さらに1この導体層の上に電
気メッキ等により鋼等の導体金属を沈着させ導体厚さを
厚くする方法も可能である。プロセス的に優れた方法と
しては、下地基板に無電解メッキで銅層を形成したのち
、メツキレシストを用いパターンメッキ法により導体パ
ターンを形成する方法が挙げられる。
Then, using sputtering equipment, chromium, steel, gold,
A single layer or multiple layers of a metal selected from nickel, aluminum, etc. are deposited on a base substrate. When sputtering is used, the adhesive strength between the base substrate and the conductor is excellent. It is also possible to form a conductor on the base substrate by vapor deposition. Furthermore, it is also possible to increase the thickness of the conductor by depositing a conductor metal such as steel on the conductor layer by electroplating or the like. An excellent method in terms of process is to form a copper layer on a base substrate by electroless plating, and then to form a conductor pattern by pattern plating using a metal resist.

さらに1ゴスト的に有利な方法としては、銅箔等の金属
箔をラミネートし化学エツチングによりパターンを形成
する方法やスクリーン印刷で導電性材料を印刷しパター
ンを形成する方法が挙げられる。また、この第一層形成
工程において、導体だけでなく通常厚膜インキと称せら
れているペーストにより、抵抗体パターンやコンデンサ
ーパターンを形成し、第一層に機能回路を形成すること
も可能である。
Further advantageous methods include a method of laminating metal foil such as copper foil and forming a pattern by chemical etching, and a method of printing a conductive material by screen printing to form a pattern. In addition, in this first layer forming process, it is also possible to form not only a conductor but also a resistor pattern and a capacitor pattern using a paste commonly referred to as thick film ink to form a functional circuit on the first layer. .

本発明の絶線層形成工程とは、ポジ型感光性重合体を絶
縁層として用い、微細バイアホールを形成する工程で、
さらに詳しく述べると次の工程を含むものである。すな
わち、現像液に溶解しない官能基を有する重合体が、紫
外線照射されることに二す、重合体自身現像液に溶解す
る構造に変化するか、あるいは第二成分と化学的に結合
し現像液に溶解する重合体く変化する重合体および/ま
たは組成物を、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロ
リドン等の溶剤に溶解し、スピンコーター、ロールコー
タ−1あるいはスクリーン印刷機等の塗布機を用いて支
持基板の上に塗布し、熱風乾燥機やホットプレート等を
用い溶剤を除去し塗膜を形成させる。つづいてフォトマ
スクを使用しバイアホール部に紫外線を照射し硬化させ
る。次に1所定の現像液、リンス液で露光部を現像除去
しバイアホールを形成し、熱処理により耐熱性の優れた
絶縁層を形成する。
The disconnection layer forming step of the present invention is a step of forming fine via holes using a positive photosensitive polymer as an insulating layer.
More specifically, it includes the following steps. That is, when a polymer with a functional group that is insoluble in a developer is irradiated with ultraviolet rays, the polymer itself changes to a structure that is soluble in the developer, or it chemically combines with a second component and dissolves in the developer. The polymer and/or composition to be changed is dissolved in a solvent such as dimethylformamide or N-methylpyrrolidone, and supported using a coating machine such as a spin coater, a roll coater, or a screen printer. It is applied onto a substrate and the solvent is removed using a hot air dryer or hot plate to form a coating film. Next, using a photomask, the via hole is irradiated with ultraviolet rays to harden it. Next, the exposed portion is developed and removed using a predetermined developer and rinse solution to form a via hole, and an insulating layer with excellent heat resistance is formed by heat treatment.

本発明で使用することができるポジ型感光性重合体とし
て、例えば (al  一般式 〔式中のXは(λ+n)価の炭素環式基または複素環式
基、Yけ(コ十m)価の炭素環式基またはまたは一〇−
C−NH−1Rは炭素−炭素二重結合を有する基、Wは
熱処理によりROMを脱離せしめるに際し、−COOR
のカルボニル基と反応して環を形成しうる基、nは/を
九はλ、mはθ、/lたはコであり、かつC0ORと2
は互いにオルト位またはべり位の関係にある。〕 で示される繰返し単位を有する重合体、fbl  /分
子当り1個のメルカプト基と7個以上のカルボキシル基
マたはスルホン隈基を有する化合物(メルカプト駿)お
よび tel  光重合開始剤 を含む組成物が挙げられる。
The positive photosensitive polymer that can be used in the present invention includes, for example, the general formula (al) [wherein X is a (λ+n)-valent carbocyclic group or a heterocyclic group, carbocyclic group or or 10-
C-NH-1R is a group having a carbon-carbon double bond, and W is -COOR when ROM is removed by heat treatment.
A group capable of reacting with a carbonyl group to form a ring, n is /, nine is λ, m is θ, /l or co, and C0OR and 2
are in an ortho position or an alternative position to each other. ] A composition comprising a polymer having a repeating unit represented by fbl/molecule, a compound having one mercapto group and seven or more carboxyl groups or sulfone groups per molecule (mercapto-shun), and a tel photopolymerization initiator. can be mentioned.

式〔工〕中において、Xは三または四価の炭素環式基ま
たは複素環式基であって、このような又としては、例え
ばぺyゼ/環やナフタレン環、アントラセン環などの縮
合多環芳香環、ビリジ/、チオフェンなどの複素環式基
、および一般式〔ri1〕k lは0または/SX、はCHs、またはCF3である。
In the formula [Eq. Aromatic rings, viridi/, heterocyclic groups such as thiophene, and the general formula [ri1]k l is 0 or /SX, CHs, or CF3.

〕で示される基などが挙げられる。これらの中で炭σ3 または−C−である一般式〔H1〕で示される基が好み
F3 ましく、さらに式 %式%) [:) で示されるものが好ましい。
] and the like. Among these, a group represented by the general formula [H1] which is carbon σ3 or -C- is preferred, and a group represented by the formula %) [:) is more preferred.

前記一般式CI)におけるYは、二、三または四価の炭
素環式基または複素環式基であって、このようなものと
しては、例えばナフタレ/、アントラセンなどに由来す
る炭素数10〜/lrの二価の芳香族炭化水素環、ピリ
ジン、イミダゾールなどに由来する複素環式基および式 〔式中のYlはFl 1CHs 、(CHs)zcH,
0CR3、Coon 、”ロハロゲン原子、・C0OH
、5(hHtたはNO2、Y、およびY6はT(、CN
 、ハロゲン原子、CH3、OC市、5O3Hまたは0
1(である。〕 で示される基などが挙げられる。これらの中で炭素数1
0−/弘の二価の芳香族炭化水素環や、Y2がり SO!−1−〇−または−S−で、かつ1および1がと
もに水素原子である式(US)で示される基が好ましく
、さらに式 −0−0−0−0=O÷・ で示される基が好ましい。
Y in the general formula CI) is a di-, tri- or tetravalent carbocyclic group or heterocyclic group, such as a group having 10 to 10 carbon atoms derived from naphthalene, anthracene, etc. divalent aromatic hydrocarbon ring of lr, a heterocyclic group derived from pyridine, imidazole, etc. and the formula [Yl in the formula is Fl 1CHs , (CHs)zcH,
0CR3, Coon, “rohalogen atom, ・C0OH
, 5(hHt or NO2, Y, and Y6 are T(, CN
, halogen atom, CH3, OC city, 5O3H or 0
1 (is.) etc. Among these, groups with 1 carbon number
0-/Hiro's divalent aromatic hydrocarbon ring and Y2-gari SO! A group represented by the formula (US) in which -1-〇- or -S- and 1 and 1 are both hydrogen atoms is preferred, and a group represented by the formula -0-0-0-0=O÷・is preferred.

前記一般式CIl Kお叶るWは、熱処理によりROH
(Rは前記と同じ意味をもつ)を脱離せしめるに際し、
−COORのカルボニル基と反応して環を形成しうる基
であって、このようなものとしては特に−Cg NH*
が好適である。また、nとしてはλが好ましい。
The above general formula CIl K Ohmaru W can be converted to ROH by heat treatment.
(R has the same meaning as above),
A group that can react with the carbonyl group of -COOR to form a ring, and as such, -Cg NH*
is suitable. Furthermore, n is preferably λ.

さらに1前記一般式〔I〕におけるRは、炭素−炭素二
重結合を有する基であって、このようなものとしては、
例えば、 式  −Rt+CwCH檜82           
    Cit ]〔式中のR8は炭素数/〜/2の二
価の炭化水素基、R2およびR4#i水素原子また。は
炭素数/〜rの炭化水素基、R3およびRSは水素原子
またはメチル基、8はIN弘の整数、tおよびUは0ま
たは/である。〕 で示される脂肪族炭化水素基、式 で示される脂環式炭化水素基、 一般式 〔式中のR+ 、 R4およびtは前記と同じ意味をも
つ〕〔式中のR+ 、Rz、tおよびUけ前記と同じ意
味をもつ1 で示される芳香族炭化水素基、 一般式 %式%() 〔式中のR1,R2およびR,は前記と同じ意味をもつ
〕で示される炭素−炭素二重結合とエーテル結合または
1二重結合と共役したエステル結合を有する基等が挙げ
られる。
Furthermore, 1 R in the above general formula [I] is a group having a carbon-carbon double bond, and as such,
For example, the formula -Rt+CwCH hinoki 82
Cit ] [In the formula, R8 is a divalent hydrocarbon group having / to /2 carbon atoms, R2 and R4#i hydrogen atom. is a hydrocarbon group having carbon number / to r, R3 and RS are hydrogen atoms or methyl groups, 8 is an integer of IN Hiro, t and U are 0 or /. ] Aliphatic hydrocarbon group represented by the formula, alicyclic hydrocarbon group represented by the general formula [R+, R4 and t in the formula have the same meanings as above] [R+, Rz, t and An aromatic hydrocarbon group represented by 1 having the same meaning as above, a carbon-carbon dicarbon group represented by the general formula % formula % () [R1, R2 and R in the formula have the same meaning as above] Examples thereof include a group having a double bond and an ether bond, or a group having an ester bond conjugated with one double bond.

これらの中で、一般式 %式%) 〔式中のR1は炭素数/〜2の二価の炭化水素基、R;
は水素原子または炭素数/−4のアルキル基であり、g
はθまたは/〕 で示される基が好ましく、さらに好ましくけ、アリル基
およびλ−アリロキシエチル基でちる。
Among these, the general formula % formula %) [In the formula, R1 is a divalent hydrocarbon group having carbon number/~2, R;
is a hydrogen atom or an alkyl group having carbon number/-4, and g
is preferably a group represented by θ or /], more preferably an allyl group or a λ-allyloxyethyl group.

(a)成分として用いる重合体の製造方法は、一般式 で示される化合物と、一般式 22  Y  Zt            CM)で
示される化合物とを重縮合または重付加することKよシ
得られる。前記一般式〔v〕におけるzlの例、!−し
ては、−COOH(M〕、Co CI CM2:l 、
NCOCVs 1、Nu!(V4) 、−OH(Vs)
  があり、それぞれに対応する一般式〔v〕の略号を
0内に示す。また一般式CVi’JKおけルz、o例と
しては、 CQCIC■1)、C0OHC”lit )
、−NCO(Ms)、MHz C’Vi4)があり、そ
れぞれに対応する一般式C■〕の略号を0内に示す。な
お、X、 R,YおよびWは前記と同じ意味をもつ。
The polymer used as component (a) can be produced by polycondensation or polyaddition of a compound represented by the general formula and a compound represented by the general formula 22 Y Zt CM). An example of zl in the above general formula [v],! - is -COOH(M), Co CI CM2:l,
NCOCVs 1, Nu! (V4), -OH(Vs)
, and the abbreviations of the corresponding general formula [v] are shown within 0. In addition, examples of the general formula CVi'JK are CQCIC■1), C0OHC"lit)
, -NCO(Ms), MHz C'Vi4), and the abbreviations of the corresponding general formula C] are shown within 0. Note that X, R, Y and W have the same meanings as above.

前記の一般式〔v〕で示される化合物と一般式(WEで
示される化合物との重縮合または重付加反応により、−
2Iとz2− とが反応して結合鎖2が形成する。この
際のzlと2.との好ましい組み合わせ、生成する20
種類および得られた重合体を加熱処理した時に生成する
環構造名をまとめて第7表に示す。
By polycondensation or polyaddition reaction between the compound represented by the general formula [v] and the compound represented by the general formula (WE), -
2I and z2- react to form linked chain 2. zl and 2. A preferred combination with, producing 20
Table 7 summarizes the types and the names of the ring structures formed when the obtained polymers are heat-treated.

〔注)*/II構造 ■M:イ ミ ド環 QD:キナグリ/ジオン環 ODニオキサジンジオン環 なお、第1表における番号/および−の組合わせで、W
がCONH2の場合は、加熱処理によりイソインドロキ
ナゾリンジオン環が形成され、この構造のものは特に高
い耐熱性を示すので好ましい。
[Note) */II structure ■M: Imide ring QD: Quinagri/dione ring OD nioxazinedione ring In addition, in the combination of numbers / and - in Table 1, W
When is CONH2, an isoindoroquinazolinedione ring is formed by the heat treatment, and this structure is preferred because it exhibits particularly high heat resistance.

また、(イ)成分の重合体は次に示す方法によっても製
造することができる。すなわち、一般式%式%] 〔式中のX#−を前記と同じ意味をもつ〕で示される化
合物を前記一般式〔■3〕またはCViJで示される化
合物と反応させて得られた生成物のカルボキシル基を、
一般式 〔式中のRは前記と同じ意味をもつ〕 で示されるエポキシ化合物と反応させることKより、該
重合体が得られる。この反応における好ましい組合わせ
と反応式を式〔■i〕、〔■2〕および〔■3〕に示す
Moreover, the polymer of component (a) can also be produced by the following method. That is, a product obtained by reacting a compound represented by the general formula % formula % [X#- in the formula has the same meaning as above] with a compound represented by the general formula [■3] or CViJ The carboxyl group of
The polymer can be obtained by reacting with an epoxy compound represented by the general formula [R in the formula has the same meaning as above]. Preferred combinations and reaction formulas for this reaction are shown in formulas [■i], [■2] and [■3].

(以下余白) 二 「 +             ト 盲 ロ ート 十         兎 前記の一般式〔v1〕で示される化合物は、例えば一般
式〔v6〕で示される酸無水物をROM(Rは前記と同
じ意味をもつ)で開環させて得られる。
(The following is a blank space) 2" + Blind funnel Obtained by ring opening.

核酸無水物〔v6〕としては、例えば無水ピロメリット
酸、!,3:!Aψーベンゾフェン/テトラカルボン酸
二無水物、3.XIAψ−ジフェニルエーテルテトラカ
ルボン酸二無水物、J, 3:lA, IIニージフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、J,J:lAll−ジ
フェニルスルホンテトラカルポン酸二無水物、2j,t
,7−す7タレンテトラカルボン酸無水物、チオフェン
−2 7, 4/, J’−テトラカルボン酸無水物、
2コ=ビス−(3,弘−ビスカルボキシフェニル)プロ
パン無水物等が挙げられ、アルコールROHとしては例
工ばアリルアルコール、クロチルアルコール、ゲラニオ
ール、ネロール、シトロネロール、ペリリルアルコール
、ヒドロキシメチルスチレン等カ挙げられる。これらの
酸無水物〔殉〕をアルコールROMと反応させるに際し
て、ビリジ/、ジメチルアミノピリジン等を添加するこ
とにより反応が加速される。
Examples of nucleic acid anhydrides [v6] include pyromellitic anhydride,! ,3:! Aψ-benzophene/tetracarboxylic dianhydride, 3. XIAψ-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, J, 3: lA, II diphenyl tetracarboxylic dianhydride, J, J: lAll-diphenyl sulfone tetracarboxylic dianhydride, 2j, t
, 7-su7talentetracarboxylic anhydride, thiophene-2 7, 4/, J'-tetracarboxylic anhydride,
Examples include 2co-bis-(3,Hiro-biscarboxyphenyl)propane anhydride, and examples of alcohol ROH include allyl alcohol, crotyl alcohol, geraniol, nerol, citronellol, perillyl alcohol, hydroxymethylstyrene, etc. It can be mentioned. When these acid anhydrides are reacted with alcohol ROM, the reaction is accelerated by adding pyridine, dimethylaminopyridine, etc.

前記の第7表における番号/およびλの組合わせは好ま
しい実施態様の1例であシ、この組合わせで用いられる
一般式CM、1で示されるジアミンとしては、例えば、
lA、<z’−ジアミノジフェニルエーテル、偽ψ−ジ
アミノビフェニル、シダージアミノトルエン、Il、弘
′−ジアミノベンゾフェノン、偽弘′−ジアミノジフェ
ニルスルホン、フェニルインダンジアミン、tA≠I−
ジアミノジフェニルメタン、p−フェニレンジアミ;’
 、Itl−7二二レンジアミン、4j−ジアミノナフ
タレン、J、J’−ジメトキシ−tAp’−ジアミノビ
フェニ” 、j、 j’−ジメチル−各弘−シアミノビ
′フェ貴ル、0−)ルイジンスルホン、2−−ビス(弘
−アミノフェノキシフェニル)プロパン、ビス(弘−ア
ミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(4t−アミ
ノフェノキシフェニル)スルフィド、4≠−ビス(弘−
アミノフェノキシ)ベンゼン、43−ビス(≠−アミノ
フェノキシ)ベンゼン、j、弘’−ジアミノジフェニル
エーテル、Z9−ビス(4cmアミノフェニル)アント
ラセン−(10’) 、?、ブタ−ス(弘−アミノフェ
ニル)フルオレン、3.3’−ジアミノジフェニルスル
ホン、lAψ′−ジー(3−アミノフェノキシ)ジフェ
ニルスルホン、lA4!′−ジアミノベンズアニリド、
J、<4’−ジアミノジフェニルエーテル、各ψ′−[
t、 3−)ユニしンビス(/−メチルエチリデン)]
、41. Ii4’−[/、 弘−フェニレンビス(/
−メチルエチリデン))、偽F’−(m−)ユニしンジ
イソプロピリデ/)ビス(m−)ルイジン)、久g’−
(p−フェニレンジイソグロヒリテン)ビス(m−トル
イジン)等が挙げられる。
The combination of numbers/and λ in Table 7 above is one example of a preferred embodiment, and the diamines represented by the general formula CM, 1 used in this combination include, for example,
lA, <z'-diaminodiphenyl ether, pseudoψ-diaminobiphenyl, cedar diaminotoluene, Il, Hiro'-diaminobenzophenone, pseudohiro'-diaminodiphenylsulfone, phenylindane diamine, tA≠I-
Diaminodiphenylmethane, p-phenylenediami;'
, Itl-7 2-di-diamine, 4j-diaminonaphthalene, J, J'-dimethoxy-tAp'-diaminobipheny, j, j'-dimethyl-Ekahiro-cyaminobi'phekyl, 0-) luidine sulfone , 2-bis(Hiro-aminophenoxyphenyl)propane, bis(Hiro-aminophenoxyphenyl)sulfone, bis(4t-aminophenoxyphenyl)sulfide, 4≠-bis(Hiro-
aminophenoxy)benzene, 43-bis(≠-aminophenoxy)benzene, j, Hiro'-diaminodiphenyl ether, Z9-bis(4cm aminophenyl)anthracene-(10'), ? , butace(Hiro-aminophenyl)fluorene, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, lAψ'-di(3-aminophenoxy)diphenylsulfone, lA4! ′-diaminobenzanilide,
J, <4'-diaminodiphenyl ether, each ψ'-[
t, 3-)unishinbis(/-methylethylidene)]
, 41. Ii4'-[/, Hiro-phenylene bis(/
-methylethylidene)), pseudoF'-(m-)unishindiisopropylide/)bis(m-)luidine), Kug'-
(p-phenylene diisoglohyritene) bis(m-toluidine) and the like.

本発明において使用するポジ型感光性重合体組成物の(
ロ)成分として用いるメルカプ)IP化合物は、一般式 %式%) で例示できる。ただし、m Fl 7以上の整数であり
、USは「反応性」不飽和炭素炭素結合基を含まず、窒
素または酸素原子を含んでもよい(m+/)価の炭化水
素基である。ここで「反応性」不飽和炭を生じる基を意
味する。
Of the positive photosensitive polymer composition used in the present invention (
The mercap) IP compound used as component b) can be exemplified by the general formula %. However, m Fl is an integer of 7 or more, and US is an (m+/)-valent hydrocarbon group that does not contain a "reactive" unsaturated carbon-carbon bonding group and may contain a nitrogen or oxygen atom. "Reactive" herein means a group that produces an unsaturated carbon.

メルカプト酸D/’]および〔v〕は、次の一般式で示
される。
Mercaptoic acid D/'] and [v] are represented by the following general formula.

〔式中のv、wは7以上の整数%XX7はθまたは7以
上の整数、2はOlたは/ s R1+は水素原子また
はカルボキシル基、A、 B、 C,D%Eは炭素原子
または窒素原子、または硫黄原子、R,はカルボキシル
基またはスルホン酸基である。〕 本発明に適切なメルカプト酸としては、3−メルカプト
プロピオン酸、チオグリコール酸、2−メルカプトプロ
ピオン酸、チオリンゴ酸、/2−メルカプトトリデカン
酸、チオサリチル酸、l−カルボキシメチル−j−jメ
ルカプト−/、 2j、F−テトラゾール、l−スルホ
キシメチル−よ−メルカプ) −/、 23. 弘−テ
トラゾール、2−カルボキシメチルチオ−!−メルカプ
トチアジアゾール等が挙げられるが、これらに限定され
るわけではない。
[In the formula, v and w are integers of 7 or more% XX7 is θ or an integer of 7 or more, 2 is Ol or /s R1+ is a hydrogen atom or a carboxyl group, A, B, C, D% E is a carbon atom or The nitrogen atom or sulfur atom, R, is a carboxyl group or a sulfonic acid group. ] Mercapto acids suitable for the present invention include 3-mercaptopropionic acid, thioglycolic acid, 2-mercaptopropionic acid, thiomalic acid, /2-mercaptotridecanoic acid, thiosalicylic acid, l-carboxymethyl-j-j mercapto -/, 2j, F-tetrazole, l-sulfoxymethyl-yo-mercap) -/, 23. Hiro-tetrazole, 2-carboxymethylthio-! -Mercaptothiadiazole and the like, but are not limited to these.

好ましい特定のメルカプト酸の例は、チオリンゴ酸であ
る。これらのメルカプト酸は、該重合体に対して06l
−2θ%添加され、好ましくは!〜lj%添加される。
An example of a preferred specific mercapto acid is thiomalic acid. These mercapto acids have 0.6 l for the polymer.
-2θ% added, preferably! ~lj% is added.

また、これらのメルカプト酸は単独で使用されるだけで
なく、何種類かの組合わせでも用いることができる。
Moreover, these mercapto acids can be used not only alone but also in combinations of several types.

また、本発明で使用するポジ型感光性重合体組成物の(
c)成分として用いられる光重合開始剤は、ベンゾフェ
ノン、アセトフェノン、アセナフテン−キノン、メチル
エチルケトン、パレロフエノン、ヘキサフェノン、γ−
フェニルブチロフェノン、p−モルホリノプロピオフェ
ノン、ジベンゾスベロン、グーモルホリノペ/ゾフェノ
/、弘′−モルホリノデオキシベンヅイン、p−ジアセ
チルベンゼン、弘−アミノベンゾフェノン、l′−メト
キシアセトフェノン、ベンズアルデヒド、α−テトラロ
ン、ターアセチルフェナントレン、2−アセチルフェナ
ントレン、10−チオキサンテノン、3−アセチルフエ
ナントレ/、3−アセチルインドール、ターフルオレノ
ン、l−インダノン、/、 J、 j−トリアセチルベ
ンゼン、チオキサンチン−ターオン、キサンチン−ター
オン、7−H−ベンズCd5)ア/トラセン−7−オン
、l−す7トアルデヒド、フルオレ/−2−オン、l′
−アセトナフトン、!−アセトナフトン、23−ブタン
ジオン、ミヒラーズケトン、ベンジル、芳香族オキシム
類およびl−フェニル−よ−メルカプト−/H−テトラ
ゾール等が含まれるが、これらに限定されるわけではな
い。
In addition, (
The photopolymerization initiator used as component c) is benzophenone, acetophenone, acenaphthene-quinone, methyl ethyl ketone, parellophenone, hexaphenone, γ-
Phenylbutyrophenone, p-morpholinopropiophenone, dibenzosuberone, goomorpholinope/zopheno/, Hiro'-morpholinodeoxybenduin, p-diacetylbenzene, Hiro-aminobenzophenone, l'-methoxyacetophenone, benzaldehyde, α- Tetralone, teracetylphenanthrene, 2-acetylphenanthrene, 10-thioxanthenon, 3-acetylphenanthre/, 3-acetylindole, terfluorenone, l-indanone, /, J, j-triacetylbenzene, thioxanthin-terone, Xanthine-terone, 7-H-benzCd5)a/thracen-7-one, l-7taldehyde, fluore/-2-one, l'
-acetonaphthone! -acetonaphthone, 23-butanedione, Michler's ketone, benzyl, aromatic oximes and l-phenyl-y-mercapto/H-tetrazole, and the like, but are not limited to these.

これらのポジ型感光性重合体を用いた場合、使用する現
像液として無機アルカリである水醗化ナトリウム、メタ
ケイ置ナトリウム、リン酸ナトリウム等の水溶液や有機
アルカリであるテトラメチルアンモニクムハイドロキサ
イド、プリン等の水溶液等が挙げられる。またこれらは
、水溶液だけでなくエタノール、イングロパノール、N
、N−ジメチルホルムアミド、アセトン、ジメチルスル
ホキシド等、水と混合しうる有機溶媒と水との混合溶液
としても用いられる。また、現像液の他の例としては、
アンモニア水やナトリウムメトキサイドのメタノール溶
液等が挙げられるが、これらに限定されるものではない
When these positive-working photosensitive polymers are used, the developing solution used is an aqueous solution of inorganic alkalis such as sodium hydroxide, sodium metasilicate, or sodium phosphate, or an organic alkali such as tetramethylammonicum hydroxide. Examples include aqueous solutions of pudding and the like. In addition, these can be used not only in aqueous solutions but also in ethanol, ingropanol, N
, N-dimethylformamide, acetone, dimethyl sulfoxide, etc., and a mixed solution of water and an organic solvent that is miscible with water. In addition, other examples of developing solutions include:
Examples include, but are not limited to, ammonia water and a methanol solution of sodium methoxide.

また、アルカリ金属は特性に悪影響を与える場合があや
、現像液としては有機アルカリ系のものが好ましい。さ
らに1現像直後にリンス液として希硫駿や酢酸等の酸を
用い中和処理することが好ましい。
Furthermore, since alkali metals may have an adverse effect on the properties, it is preferable to use an organic alkali developer as the developer. Further, immediately after the first development, it is preferable to perform a neutralization treatment using an acid such as dilute sulfur or acetic acid as a rinsing liquid.

本発明でいう配線層形成工程とは、メッキ法、スパッタ
リング法、蒸着法等によ妙絶縁層表面に鋼、クロム等の
配線パターンを形成し、同時にバイアホール部を導体化
し、下層の導体パターンと電気的に接続する工程である
。さらに詳しく述べると、例えばメッキ法による配線層
形成方法の場合の支持基板または絶縁層を、液体ホーニ
ングあるいはプラズマエツチング等により粗面化し、該
層表面およびバイアホール用穴内のぬれ性・接着性を改
善し、全面に有機蒙銀塩等を用いて活性化処理を施し、
全面に無電解鋼メッキを行ない導体J憎を形成する。
The wiring layer forming process in the present invention refers to forming a wiring pattern of steel, chromium, etc. on the surface of the insulating layer by plating, sputtering, vapor deposition, etc., and at the same time making the via hole a conductor, forming a conductor pattern in the lower layer. This is the process of electrically connecting the More specifically, for example, in the case of a wiring layer formation method using a plating method, the support substrate or insulating layer is roughened by liquid honing or plasma etching to improve the wettability and adhesion of the surface of the layer and the inside of the via hole. Then, the entire surface is activated using organic silver salt, etc.
Electroless steel plating is applied to the entire surface to form a conductor.

次にフォトレジストを用い配M ハターン以外の部分を
マスクし、電気メッキにより銅配線パターンおよびバイ
アホール内部のメッキを行なう。次にフォトレジストを
剥離し、過硫駿アンモニウム水溶液でクイックエツチン
グし、配線部以外の不要な無電解メッキ部を除去する。
Next, portions other than the wiring pattern are masked using photoresist, and the copper wiring pattern and the inside of the via hole are plated by electroplating. Next, the photoresist is peeled off and quick etching is performed with an aqueous ammonium persulfate solution to remove unnecessary electroless plated parts other than the wiring parts.

この方法における無電解メッキ法に変えて・スパッタリ
ングや蒸着により配線パターンを形成する方法もある。
Instead of the electroless plating method in this method, there is also a method of forming a wiring pattern by sputtering or vapor deposition.

この絶縁層形成と配線層形成を繰シ返し行なうことKよ
り複数層の配線層をもつ多層配線板を製造することがで
きる。
By repeatedly performing the formation of the insulating layer and the wiring layer, a multilayer wiring board having a plurality of wiring layers can be manufactured.

以上説明した如、く、本発明の製造方法は、あらかじめ
導体パターンを形成した後に重合体を形成するために各
層が平坦な層となる。特に1本発明の絶縁層形成に使用
する重合体は、高濃度樹脂溶液和しても粘度が低くおさ
えられるために1塗膜形成性が優れ、かつ平坦化に大き
く寄与するとともに厚い絶縁層が一度の塗布操作で形成
できる特長を有し、LSIの部品実装が容易になるばか
りでなく、絶縁抵抗、接続信頼性に優れた基板を提供す
ることができる。
As explained above, in the manufacturing method of the present invention, a conductor pattern is formed in advance and then a polymer is formed, so that each layer becomes a flat layer. In particular, the polymer used to form the insulating layer of the present invention has a low viscosity even when mixed with a highly concentrated resin solution, so it has excellent coating film formation properties, greatly contributes to flattening, and can form a thick insulating layer. It has the advantage of being able to be formed in a single coating operation, and not only facilitates the mounting of LSI components, but also provides a board with excellent insulation resistance and connection reliability.

また、上部導体パターンと下部導体パターンを接続する
ためのバイアホール導通体の形成においてフォトレジス
トを使用せずに直接絶縁層をフォトプロセスで形成する
ために非常圧微細な加工が可能となり、プロセスが簡略
化されコストダウンを図ることができる。
In addition, when forming the via hole conductor for connecting the upper conductor pattern and the lower conductor pattern, the insulating layer is directly formed by photoprocessing without using photoresist, making it possible to perform extremely fine processing under high pressure. It is simplified and costs can be reduced.

さらに1絶縁層く形成されたバイアホール部の導体が、
電気的接続の目的を果たすだけでなく、実装されたLS
I等の部品から発生する熱の導体としての効果があり、
除熱設計も本発明の多層配線板において可能となる。
Furthermore, the conductor of the via hole part formed by one insulating layer is
In addition to serving the purpose of electrical connection, the implemented LS
It is effective as a conductor of heat generated from parts such as I,
Heat removal design is also possible in the multilayer wiring board of the present invention.

次に1本発明の多層配線板の製造工程の概要を断面図を
用いて模式的に示す。
Next, an outline of the manufacturing process of a multilayer wiring board according to the present invention will be schematically shown using cross-sectional views.

第1図(at〜(j)は、各工程での具体例を示した断
M図である。(a)は支持基板に第一層配線層を形成し
た断面図であり、lけ支持基板、2は第一層配線ハター
ンである。(bl〜(dlはバイアホールを有する絶縁
層形成工程を示す断面図であり、(b)は第一層配線層
の表面に1感光性重合体3を塗布し、乾燥した断面を示
す。(clはフォトマスク弘を介し、超高圧水銀灯によ
り紫外線を照射し感光性重合体3を硬化させる工程を示
したものである。jは硬化層を示す。Td)はN−メチ
ルピロリドンとイソプロピルアルコールからなる現倫液
で未硬化部を除去しパターニングした後、熱処理により
耐熱性を付与する工程である。6は熱処理により硬化し
た部分、7はバイアホール用穴を示す。
1(a) to (j) are cross-sectional views showing specific examples of each process. FIG. 1(a) is a cross-sectional view showing a first wiring layer formed on a support substrate; , 2 is the first layer wiring pattern. The cross section of the photosensitive polymer 3 is shown after it has been coated and dried. (cl shows the step of curing the photosensitive polymer 3 by irradiating ultraviolet rays with an ultra-high pressure mercury lamp through a photomask. j shows the cured layer. Td) is a process in which the uncured part is removed and patterned using a liquid solution consisting of N-methylpyrrolidone and isopropyl alcohol, and then heat treatment is applied to impart heat resistance. 6 is the part that has been hardened by heat treatment, and 7 is for via holes. Indicates a hole.

(e)〜(j)は、配線パターンおよびバイアホール導
通部を形成する工程を示したものである。rは無電解メ
ッキまたはスパッタリング法によるメッキ活性層を示し
、りはメッキマスク用フォトレジスト、/θは紫外線で
硬化したメッキマスク、//は電気メッキによる導体層
を示す。
(e) to (j) show the steps of forming a wiring pattern and a via hole conduction part. r represents a plating active layer formed by electroless plating or sputtering, ri represents a photoresist for a plating mask, /θ represents a plating mask cured with ultraviolet light, and // represents a conductive layer formed by electroplating.

〔実施例〕〔Example〕

次に実施例を示す。 Next, examples will be shown.

参考例/ かきまぜ機、乾燥管を付けた還流冷却器、温度計を備え
た四つロフラスコに、アリルアルコール3弘りtとJ、
 3’−% g’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物1001を加え、油浴中で100℃で3時間かき
まぜた。放冷の後、反応混合物からエバポレーターによ
りアリルアルコールを留去し、真空乾燥して47179
の固体を得た。この生成物をA−/とする。
Reference example: In a four-loaf flask equipped with a stirrer, a reflux condenser with a drying tube, and a thermometer, add 3 volumes of allyl alcohol.
3'-% g'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride 1001 was added and stirred in an oil bath at 100°C for 3 hours. After cooling, allyl alcohol was distilled off from the reaction mixture using an evaporator and dried in vacuum to obtain 47179.
A solid was obtained. This product is designated as A-/.

コOO−容のセパラブルフラスコKXA−/2ユ2t1
 γ−ブチロラクトン7/、Fd、ピリジン zl−お
よびlAg’−ジアミノジフェニルエーテル♂?を加え
、室温で30分間かきまぜて均一な溶液とした。この溶
液に氷/水による冷却下、ジシクロへキシルカルボジイ
ミドxo、ttを加え、3時間かきまぜた後、エタノー
ル!−を加え、さらに7時間かきまぜた。反応混合物を
一過しp液を攪拌している21のメタノールに滴下し、
デカンテーションにより生成した沈殿を分離した。この
沈殿を、/l#td OTHFK溶かし、かきまぜテl
/する /、jllDイオ/交換水圧滴下した。生成し
た沈殿を一過、風乾後、真空乾燥した。この生成物をB
−/とする。
Separable flask KXA-/2 units 2t1
γ-Butyrolactone 7/, Fd, pyridine zl- and lAg'-diaminodiphenyl ether♂? was added and stirred at room temperature for 30 minutes to obtain a homogeneous solution. Dicyclohexylcarbodiimide xo, tt was added to this solution under cooling with ice/water, and after stirring for 3 hours, ethanol! - was added and stirred for an additional 7 hours. The reaction mixture was passed through, and the p solution was added dropwise to stirring methanol in Step 21.
The precipitate formed was separated by decantation. Dissolve this precipitate in /l#td OTHFK and stir.
/do /, jllD io/exchange water pressure dropwise. The generated precipitate was air-dried for a time and then vacuum-dried. This product is B
-/.

このB−/を2よf1メルカプト酸としてチオリンゴ酸
3.2rfおよびミヒラーズケトン101を弘0tnt
のN−メチルピロリドンに溶解し、ポリマー溶液C−/
を調製した。
This B-/ is 2, f1 is mercaptoic acid, thiomalic acid 3.2rf and Michler's ketone 101 are Hiro0tnt.
of N-methylpyrrolidone to form a polymer solution C-/
was prepared.

参考例λ 参考例1において!、 3’−% 弘’−ベンゾフェノ
ンテトラカルポン酸二無水物の代わりに1無水ピロメリ
ツト?!!33りtを用いる以外は同様の方法で反応を
行なった。得られた生成物をA−uとする。
Reference example λ In reference example 1! , 1 pyromellitic anhydride instead of 3'-% Hiro'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride? ! ! The reaction was carried out in the same manner except that 33rit was used. The obtained product is designated as A-u.

jl容のセパラブルフラスコに、C−/ 3J、’I−
f。
C-/3J,'I- in a separable flask with a volume of
f.

γ−ブチロラクトン 3jOvt  およびピリジンj
ユJ−fRtヲ加え、室温で30分間かきまぜて均一な
溶液とした。
γ-Butyrolactone 3jOvt and pyridinej
Added YuJ-fRt and stirred at room temperature for 30 minutes to obtain a homogeneous solution.

この溶液に氷/塩寒剤による冷却下、塩化チオニルλ3
.rりを加えて内温O〜−3℃の範囲で30分間かきま
ぜた。さらに寒剤浴を外して室温で/時間半かきまぜた
のち、tA<4’−ジ(3−アミノフェノキシ)ジフェ
ニルスルホン(以下J−BAPS 、!:略ス)31A
tfとγ−ブチロラクトン/ 7j1ntとからなる溶
液を加えたところ、内温は30″Cまで上昇した。この
ま12時間攪拌した後、エタノール10−加え16時間
静置した。反応混合物を激しくかきまぜている弘ノのイ
オン交換水にゆっくり滴下して生成した沈殿を一過し、
さらに、jlのイオン交換水で5回洗浄したのち、真空
乾燥を行なった。
This solution was added to thionyl chloride λ3 under cooling with ice/salt cryogen.
.. The mixture was stirred for 30 minutes at an internal temperature of 0 to -3°C. Furthermore, after removing the cryogen bath and stirring at room temperature for an hour and a half, tA
When a solution consisting of tf and γ-butyrolactone/7j1nt was added, the internal temperature rose to 30"C. After stirring for 12 hours, 10 minutes of ethanol was added and left to stand for 16 hours. The reaction mixture was stirred vigorously. Slowly drip it into Hirono's ion-exchanged water, allowing the precipitate to pass through.
Furthermore, after washing five times with JL ion-exchanged water, vacuum drying was performed.

この生成物をB−一とする。This product is designated as B-1.

得られたB−2を211、J−メルカプトプロピオン酸
3.73?、ベンジル/、O9z ミヒラーズケトン/
、Ofを、N−メチルピロリドン/j−およびシクロペ
ンタン/jtdの混合溶媒に溶かし、ポリマー溶液C−
2を得た。
The obtained B-2 was 211, J-mercaptopropionic acid was 3.73? , benzyl/, O9z Michler's ketone/
, Of was dissolved in a mixed solvent of N-methylpyrrolidone/j- and cyclopentane/jtd, and the polymer solution C-
I got 2.

実施例/ j0■角、厚さ/IEIIのセラミック基板を脱脂・洗
浄後、スパックリング装置(日電アネA・バ製。
Example: After degreasing and cleaning a ceramic substrate of j0 square, thickness: IEII, it was treated with a spackling device (manufactured by Nichiden Aneba).

5PF−II−30H)によりtooolのCr、およ
び2!00AのCuを付着させる。そめ後、メツキレシ
ストのためのフォトレジスト(マイクロポジットTF−
Jo+シグレー社製)を6μ−厚さにバターニングした
5PF-II-30H) to attach too much Cr and 2!00 A of Cu. After that, apply photoresist (Microposit TF-) for Metsukiresist.
Jo+ (manufactured by Sigley) was buttered to a thickness of 6 μm.

つづいて硫酸鋼メッキ浴に入れ、電流密度jOm〜−で
銅メッキを行ない、厚さ!μm、ライン幅!Opm。
Next, put it in a sulfuric acid steel plating bath and perform copper plating at a current density of jOm~-, and the thickness! μm, line width! Opm.

ランド径100μm1ランド間j00pmの銅パターン
を得た。メツキレシストを専用リムーバーで除去したの
ち、過硫酸アンモニウム水溶液および硝酸セリウム水溶
液で不要の−およびCr層をクイックエツチングした。
A copper pattern with a land diameter of 100 μm and a pitch of j00 pm between each land was obtained. After removing the metal resist with a special remover, unnecessary - and Cr layers were quickly etched with an ammonium persulfate aqueous solution and a cerium nitrate aqueous solution.

得られた第一層配線基板に参考例/で調製したポリマー
溶液C−/を、スピンコーターを用いて10OOrpl
/!I:秒の回転で成膜したのち、70℃の熱風乾燥機
を用いて弘θ分乾燥した。
The polymer solution C-/ prepared in Reference Example/ was applied to the obtained first layer wiring board using a spin coater at a rate of 100 Orpl.
/! After forming a film by rotating for I: seconds, it was dried for 10 minutes using a hot air dryer at 70°C.

次いで、これVC71μmφの白丸が200μm格子間
隔についているポジ用フォトマスクを密着させλよOW
の超高圧水銀灯を有したマスクアライナ−(露光機)を
用い2分間露光した。露光後、浸漬法により0.z%水
酸化ナトリウムの水/イノプロビルアルコール等量溶液
で!分間現儂を行ない、引き続き3チ希硫藪を用いてリ
ンスを行ない、水洗し、N2プローを行ない乾燥した。
Next, a positive photomask with white circles of VC71 μmφ and a grid spacing of 200 μm was placed in close contact with λ.
The film was exposed for 2 minutes using a mask aligner (exposure machine) equipped with an ultra-high pressure mercury lamp. After exposure, 0. z% sodium hydroxide in water/inoprobil alcohol solution in equal parts! The film was heated for 1 minute, followed by rinsing with 3000 dilute sulfur, washing with water, blowing with N2, and drying.

その後弘OO℃で2時間Nzff囲気中のオープンで熱
処理した。
Thereafter, it was heat-treated at Hiroo 0°C for 2 hours in an open atmosphere in a Nzff atmosphere.

得られた絶縁膜の厚さを測定したところ/jpmであっ
た。
The thickness of the obtained insulating film was measured and found to be /jpm.

次に、該層表面およびバイアホール内を液体ホーニング
(−2Kf/cj)で洗浄・粗面化した。次K。
Next, the surface of the layer and the inside of the via hole were cleaned and roughened by liquid honing (-2Kf/cj). Next K.

これに無電解メッキのための前処理(室町化学製。This is followed by pretreatment for electroless plating (manufactured by Muromachi Chemical).

M K −200およびM K −330を使用)を行
なったのち無電解メッキ(室町化学製、MK−4jθ)
K浸漬し、無電解メッキした。次に1第一層配線ノくタ
ーンと同様の方法で電気メツキ法により5μm厚さの第
二層配線パターンを形成させた。
MK-200 and MK-330) and then electroless plating (MK-4jθ, Muromachi Chemical Co., Ltd.)
K immersion and electroless plating. Next, a second layer wiring pattern having a thickness of 5 μm was formed by electroplating in the same manner as in the first layer wiring pattern 1.

同様にして絶縁層形成と配線パターン形成を繰9返し、
配線層が弘層からなる多層配線板を製造した。このバイ
アホールを!θO穴有する多層配線板を≠20℃の乾熱
放置60分、23℃の室温放置10分のヒートショック
テストを100回行なったのち、バイアホール接続信頼
性評価を行なったところ、断線等・の異常はなかった。
In the same way, insulating layer formation and wiring pattern formation were repeated nine times.
A multilayer wiring board was manufactured in which the wiring layer was a Hiro layer. This via hole! A multilayer wiring board with θO holes was subjected to a heat shock test of 100 times after being left in a dry heat at ≠20℃ for 60 minutes and left at room temperature at 23℃ for 10 minutes, and then the via hole connection reliability was evaluated. There were no abnormalities.

実施例2 ポリ1−溶液C−λを用い、バイアホール径が30μm
(マスク寸法)の5層配線板を製造した。
Example 2 Poly 1-solution C-λ was used, the via hole diameter was 30 μm
A 5-layer wiring board with (mask dimensions) was manufactured.

この多層配線板を切断し、バイアホール部の断面を樹脂
包理法によシ観察した結果、20±tpm径のバイアホ
ールが約7j″のテーパー角で形成されていることがわ
かった。
As a result of cutting this multilayer wiring board and observing the cross section of the via hole portion using a resin encapsulation method, it was found that via holes with a diameter of 20±tpm were formed with a taper angle of about 7j''.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明の絶縁層をポジ型感光性樹脂で形成する方法は、
バイアホール部を微細加工でき、−かつ、その形状を急
峻に形成できる特徴を有しており、各層が平坦化され接
続信頼性に優れた多層配線板を製造することができる。
The method of forming the insulating layer of the present invention using a positive photosensitive resin is as follows:
The via hole portion can be microfabricated and its shape can be formed steeply, and it is possible to manufacture a multilayer wiring board in which each layer is flattened and has excellent connection reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図値)〜(j)は、本発明の多層配線板製造の具体
例を工程順に示した模式的断面図である。 図において、 l・・・支持基板     コ・・・第一層配線パター
ン3・・・感光性重合体層  弘・・・ポジ型フォトマ
スク!・・・紫外線照射により硬化した部分乙・・・熱
処理により硬化した絶縁層 7・・・バイアホール用穴 t・・・無電解メッキまたはスパッタリング法によるメ
ッキ活性層
Figures 1) to (j) are schematic cross-sectional views showing a specific example of manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention in the order of steps. In the figure, l...support substrate c...first layer wiring pattern 3...photosensitive polymer layer Hiroshi...positive photomask! ... Part B hardened by ultraviolet irradiation ... Insulating layer 7 hardened by heat treatment ... Hole t for via hole ... Plating active layer by electroless plating or sputtering method

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1)、多層配線板の製造において、(イ)支持基板の
表面に導電性パターンを形成する第一層形成工程、(ロ
)第一層の表面にポジ型感光性重合体層を設け、該層上
にフォトマスクを介して光照射し、現像によりバイアホ
ール用穴を形成し、該層を熱処理して高絶縁化する絶縁
層形成工程、(ハ)さらに該層の表面に導体回路を形成
し、バイアホール用穴を介して下層回路と電気的に接続
する配線層形成工程を含むことを特徴とする多層配線板
の製造法。 (2)、絶縁層形成工程において使用するポジ型感光性
重合体層が、 (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中のXは(2+n)価の炭素環式基または複素環式
基、Yは(2+m)価の炭素環式基または複素環式基、
Zは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
式、表等があります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼ Rは炭素−炭素二重結合を有する基、Wは熱処理により
ROHを脱離せしめるに際し、−COORのカルボニル
基と反応して環を形成しうる基、nは1または2、mは
0、1または2であり、かつCOORとZは互いにオル
ト位またはベリ位の関係にある。〕で示される繰返し単
位を有する重合体、 (b)1分子当り1個のメルカプト基と1個以上のカル
ボキシル基またはスルホン酸基を有する化合物(メルカ
プト酸)および (c)光重合開始剤を含むことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の多層配線板の製造法。
[Claims] (1) In the production of a multilayer wiring board, (a) a first layer forming step of forming a conductive pattern on the surface of a supporting substrate; (b) a positive photosensitive layer on the surface of the first layer; an insulating layer forming step of providing a polymer layer, irradiating light on the layer through a photomask, forming holes for via holes by developing, and heat-treating the layer to make it highly insulating; (c) further the layer; A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising the step of forming a wiring layer in which a conductor circuit is formed on the surface of the board and electrically connected to a lower layer circuit through a via hole. (2) The positive photosensitive polymer layer used in the insulating layer forming process is (1) General formula ▲ Numerical formula, chemical formula, table, etc. ▼ [X in the formula is a (2+n)-valent carbocyclic group or a heterocyclic group, Y is a (2+m)-valent carbocyclic group or a heterocyclic group,
Z is ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ or ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ R is a group with a carbon-carbon double bond, W is a group that has a carbon-carbon double bond, and W is A group capable of reacting with the carbonyl group of -COOR to form a ring when ROH is eliminated, n is 1 or 2, m is 0, 1 or 2, and COOR and Z are mutually in the ortho or bery position. There is a relationship between ], (b) a compound having one mercapto group and one or more carboxyl or sulfonic acid groups per molecule (mercapto acid), and (c) a photopolymerization initiator. A method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, characterized in that:
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS649694A (en) * 1987-07-01 1989-01-12 Toyo Giken Kogyo Kk Multilayer interconnection circuit board and manufacture thereof
US5200026A (en) * 1990-05-18 1993-04-06 International Business Machines Corporation Manufacturing method for multi-layer circuit boards
US7611982B2 (en) 2003-04-15 2009-11-03 Tdk Corporation Method of forming sheet having foreign material portions used for forming multi-layer wiring board and sheet having foreign portions

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS649694A (en) * 1987-07-01 1989-01-12 Toyo Giken Kogyo Kk Multilayer interconnection circuit board and manufacture thereof
US5200026A (en) * 1990-05-18 1993-04-06 International Business Machines Corporation Manufacturing method for multi-layer circuit boards
US7611982B2 (en) 2003-04-15 2009-11-03 Tdk Corporation Method of forming sheet having foreign material portions used for forming multi-layer wiring board and sheet having foreign portions

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