JP2000103849A - Polyimide for electrodeposition - Google Patents

Polyimide for electrodeposition

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JP2000103849A
JP2000103849A JP10272215A JP27221598A JP2000103849A JP 2000103849 A JP2000103849 A JP 2000103849A JP 10272215 A JP10272215 A JP 10272215A JP 27221598 A JP27221598 A JP 27221598A JP 2000103849 A JP2000103849 A JP 2000103849A
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polyimide
electrodeposition
acid
diamine
resin
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JP10272215A
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Japanese (ja)
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Kei Ikegami
上 圭 池
Satoru Kuramochi
持 悟 倉
Kenzaburo Kawai
合 研三郎 川
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an electrodepositable polyimide excellent in heat resistance and electric insulating properties and dispersible in water by reacting a tetracarboxylic dianhydride with a diamine component contg. 3,5-diaminobenzoic acid. SOLUTION: This polyimide has an acid value of 10-20 mmolKOH/100 g resin and pref, has a 10% thermal decomposition temp. of 250 deg.C or higher, an imidization degree of 85% or higher, and a wt. average mol.wt. of 10,000-100,000. The diamine component pref. contains 10-50 mol% diaminobenzoic acid. The tetracarboxylic dianhydride may be arom. or aliph. When a polyimide is formed from a tetracarboxylic dianhydride and an arom. diamine, it is necessary to select such a combination as to give a solvent-soluble polyimide.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板の部材を
構成する材料として用いることのできる電着用ポリイミ
ドに関し、特に多層プリント基板の絶縁層の材料として
用いることのできる電着用ポリイミドの組成物に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrodeposition polyimide which can be used as a material constituting a member of a wiring board, and more particularly to a composition of an electrodeposition polyimide which can be used as a material for an insulating layer of a multilayer printed circuit board. .

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体技術の飛躍的な発展により、半導
体パッケージの小型化、多ピン化、ファインピッチ化、
電子部品の極小化などが急速に進み、いわゆる高密度実
装の時代に突入した。それにともなって、回路基板も片
面配線から両面配線へ、さらに多層化、薄膜化が進めら
れている。
2. Description of the Related Art Due to the rapid development of semiconductor technology, semiconductor packages have been reduced in size, the number of pins has been increased, the fine pitch has been increased.
The miniaturization of electronic components has rapidly progressed, and the era of so-called high-density mounting has entered. Along with this, circuit boards are also being made more multilayered and thinner from single-sided wiring to double-sided wiring.

【0003】現在、回路基板の導電パターンの形成に
は、主としてサブトラクティブ法とアディティブが用い
られている。
At present, a subtractive method and an additive method are mainly used for forming a conductive pattern on a circuit board.

【0004】サブトラクティブ法は、典型的には銅張り
積層板に穴を開けた後に、穴の内部と表面に銅メッキを
行い、フォトエッチングによりパターンを形成する方法
である。このサブトラクティブ法は技術的に完成度が高
く、またコストも安いが、銅箔の厚さ等による制約から
微細パターンの形成は困難である。
The subtractive method is typically a method of forming a hole in a copper-clad laminate, plating the inside and the surface of the hole with copper, and forming a pattern by photoetching. Although this subtractive method is technically highly complete and inexpensive, it is difficult to form a fine pattern due to restrictions such as the thickness of the copper foil.

【0005】一方、アディティブ法は、典型的には、積
層板に無電解メッキ用の触媒を含有させ、その積層板上
の回路パターン形成部以外の部分にレジストを形成し、
積層板の露出している部分に無電解銅めっき等による回
路パターンを形成する方法である。このアディティブ法
は微細パターンの形成が可能であるが、コスト、信頼性
の面で改善が求められている。
On the other hand, in the additive method, typically, a catalyst for electroless plating is contained in a laminate, and a resist is formed on a portion other than a circuit pattern forming portion on the laminate,
This is a method in which a circuit pattern is formed on an exposed portion of the laminate by electroless copper plating or the like. Although the additive method can form a fine pattern, improvement is required in terms of cost and reliability.

【0006】多層回路基板の場合には、上記の方法で作
成した片面あるいは両面の回路基板を、ガラス布にエポ
キシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレグと一緒
に加圧積層する方法が用いられている。この場合、プリ
プレグは各層の接着剤の役割をなし、層間の接続はスル
ーホールを作成して内部に無電解メッキ等を施すことに
より行っている。
In the case of a multi-layer circuit board, a method of laminating a single-sided or double-sided circuit board prepared by the above method together with a semi-cured prepreg in which a glass cloth is impregnated with an epoxy resin or the like is used. Have been. In this case, the prepreg serves as an adhesive for each layer, and the connection between the layers is made by forming through holes and applying electroless plating or the like to the inside.

【0007】また、高密度実装技術の進展により、多層
基板においては薄型、軽量化と、その一方で単位面積当
たりの高い配線能力が要求され、一層当たりの基板の薄
膜化や、層間の接続や部品の搭載方法等に工夫がなされ
ている。
Further, with the development of high-density mounting technology, a multilayer substrate is required to be thinner and lighter, and at the same time, to have a high wiring capacity per unit area. The method of mounting components has been devised.

【0008】しかしながら、上記サブトラクティブ法に
より作製された両面の回路基板を用いた多層回路基板の
作製方法は、両面回路基板の穴形成のためのドリル加工
の精度と、微細化限界の面から高密度化に限界があり、
製造コストの低減も困難であった。
However, the method of manufacturing a multilayer circuit board using a double-sided circuit board manufactured by the above-described subtractive method requires high precision in drilling for forming a hole in the double-sided circuit board and a limit of miniaturization. There is a limit to densification,
It was also difficult to reduce the manufacturing cost.

【0009】一方、近年では上述のような要求を満たす
ものとして、基板上に導電パターン層と絶縁層とを順次
積層して作製される多層回路基板が開発されている。こ
の多層回路配線板は、銅メッキ層のフォトエッチングと
感光性樹脂のパターニングを交互に行って作製されるた
め、高精細な配線と任意の位置での層間接続が可能とな
っている。
On the other hand, in recent years, a multilayer circuit board manufactured by sequentially laminating a conductive pattern layer and an insulating layer on a board has been developed to satisfy the above requirements. Since this multilayer circuit wiring board is manufactured by alternately performing photo-etching of the copper plating layer and patterning of the photosensitive resin, high-definition wiring and interlayer connection at an arbitrary position are possible.

【0010】しかしながら、この方式では銅めっきとフ
ォトエッチングを交互に複数回行うため、工程が煩雑と
なり、また、基板上に1層づつつ積み上げる直列プロセ
スのため、中間工程でトラブルが発生すると、製品の再
生が困難となり、製造コストの低減に支障をきしてき
た。
However, in this method, since copper plating and photoetching are alternately performed a plurality of times, the process becomes complicated. In addition, if a trouble occurs in an intermediate process due to a series process of stacking one layer on a substrate, It has become difficult to regenerate this, which has hindered the reduction of manufacturing costs.

【0011】さらに、従来の多層回路基板においては、
層間の接続がバイアホールを作製することにより行われ
ていたため、煩雑なフォトリソグラフィー工程が必要で
あり、製造コスト低減の妨げとなっていた。
Further, in the conventional multilayer circuit board,
Since the connection between the layers was performed by forming via holes, a complicated photolithography step was required, which hindered a reduction in manufacturing cost.

【0012】一方、回路基板における絶縁層の形成方法
の一つとして、特開平8−116172号公報で提案さ
れている、所望の導電性パターンを形成した後、この導
電性パターン上に樹脂電着法で絶縁樹脂層を形成して絶
縁性パターンとする方法がある。このような絶縁性パタ
ーンの形成に従来から使用されている樹脂としてエポキ
シ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。
しかし、絶縁性樹脂として使用されるエポキシ樹脂、ア
クリル樹脂、ウレタン樹脂等は、電気絶縁性、耐熱性等
の特性を同時に満足するものではなく、形成された絶縁
性パターンは特性面で不十分なものであった。
On the other hand, as one method of forming an insulating layer on a circuit board, a desired conductive pattern proposed in JP-A-8-116172 is formed, and then a resin electrodeposition is performed on the conductive pattern. There is a method of forming an insulating pattern by forming an insulating resin layer by a method. Conventionally used resins for forming such an insulating pattern include epoxy resin, acrylic resin, urethane resin and the like.
However, the epoxy resin, acrylic resin, urethane resin, etc. used as the insulating resin do not simultaneously satisfy the characteristics such as electric insulation and heat resistance, and the formed insulating pattern is insufficient in characteristics. Was something.

【0013】一方、優れた絶縁性と耐熱性とを備えるも
のとしてポリイミド樹脂が従来から知られている。しか
しながら通常ポリイミド樹脂は溶剤可溶性が低く、水に
分散が可能なポリイミドを得ることは困難であった。
On the other hand, polyimide resins have been conventionally known as having excellent insulating properties and heat resistance. However, usually, polyimide resins have low solvent solubility, and it has been difficult to obtain polyimides that can be dispersed in water.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような課
題を解決しようとするものであり、本発明の目的は、耐
熱性、電気絶縁性に優れた、水に分散させることができ
る電着可能なポリイミドを提供することである。
An object of the present invention is to solve such problems, and an object of the present invention is to provide an electrodepositing method which is excellent in heat resistance and electric insulation and can be dispersed in water. It is to provide a possible polyimide.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明者は、その原料中
に3,5ジアミノ安息香酸を含ませて、ポリイミドの酸
価を特定のものとすることにより上記課題を解決できる
ことを見出した。ここに本発明のポリイミドは、テトラ
カルボン酸ジ無水物とジアミンとの反応生成物であるポ
リイミドであって、前記ジアミンの少なくとも一部が
3,5ジアミノ安息香酸であって、かつ前記ポリイミド
の酸価が10〜200mmolKOH/100g re
sinであることを特徴としている。
Means for Solving the Problems The present inventors have found that the above-mentioned problems can be solved by including 3,5 diaminobenzoic acid in the raw material to make the acid value of the polyimide specific. Here, the polyimide of the present invention is a polyimide which is a reaction product of a tetracarboxylic dianhydride and a diamine, wherein at least a part of the diamine is 3,5 diaminobenzoic acid, and an acid of the polyimide. The value is 10 to 200 mmol KOH / 100 g re
It is characterized by being sin.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下に本発明のポリイミドについ
て具体的に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The polyimide of the present invention will be specifically described below.

【0017】ポリイミド 本発明のポリイミドは、酸価が10〜200mmolK
OH/100g resinであるものである。ポリイ
ミドの酸価が10mmol/KOH以下であると、電着
塗料を調製した際に分散性が悪く沈殿等を生じやすい問
題がある。また、酸価が200mmol/KOH以上で
あると、塗膜を形成した際、吸水性が高く、高温高湿下
において信頼性が低下する、電着性に欠けるという問題
が生じる。
Polyimide The polyimide of the present invention has an acid value of 10 to 200 mmolK.
OH / 100 g resin. When the acid value of the polyimide is 10 mmol / KOH or less, there is a problem in that when the electrodeposition coating material is prepared, dispersibility is poor and precipitation or the like is easily caused. On the other hand, when the acid value is 200 mmol / KOH or more, when a coating film is formed, there is a problem that water absorption is high, reliability is reduced under high temperature and high humidity, and electrodeposition property is lacking.

【0018】本発明において、可溶性のポリイミドと
は、NMP、DMF、DMAc、γブチロラクトン、D
MSO、スルホラン等、好ましくはNMP等の溶剤に可
溶性のものを意味する。このような可溶性ポリイミド
は、電着塗料を形成することが可能である。
In the present invention, the soluble polyimide includes NMP, DMF, DMAc, γ-butyrolactone, D
It means those soluble in solvents such as MSO and sulfolane, preferably NMP. Such a soluble polyimide is capable of forming an electrodeposition paint.

【0019】さらに本発明のポリイミドは、10%熱分
解温度が、好ましくは250℃以上、より好ましくは3
50℃以上、特に好ましくは、450℃以上である。1
0%熱分解温度が高いものは、多層基板等の電子部材の
耐熱性向上の観点から好ましい。
Further, the polyimide of the present invention has a 10% thermal decomposition temperature, preferably 250 ° C. or higher, more preferably 3% or more.
The temperature is 50 ° C. or higher, particularly preferably 450 ° C. or higher. 1
Those having a high 0% thermal decomposition temperature are preferable from the viewpoint of improving the heat resistance of electronic members such as a multilayer substrate.

【0020】また本発明のポリイミドのイミド化率は好
ましくは85%以上、より好ましくは90%以上、特に
好ましくは95%以上が好ましい。イミド化率が85%
以下では、残留アミック酸が金属イオンのマイグレーシ
ョンを促進させたり、ポリイミド溶液の経時変化が大き
くなる問題点がある。
The imidation ratio of the polyimide of the present invention is preferably 85% or more, more preferably 90% or more, and particularly preferably 95% or more. 85% imidation rate
In the following, there is a problem that the residual amic acid promotes migration of metal ions, and the time-dependent change of the polyimide solution becomes large.

【0021】本発明のポリイミドの重量平均分子量は1
0000〜100000が好ましい。特に好ましくは5
0000〜80000である。分子量が10000以下
であると、均一な塗膜を得難く、100000以上では
ゲル化が生じてしまう。
The weight average molecular weight of the polyimide of the present invention is 1
0000 to 100,000 is preferred. Particularly preferably 5
0000 to 80,000. When the molecular weight is 10,000 or less, it is difficult to obtain a uniform coating film, and when the molecular weight is 100,000 or more, gelation occurs.

【0022】分子量測定は例えば東ソー(株)製高速G
PC装置を用いることにより行うことができる。ここで
用いることのできるカラムは東ソー(株)製TSKge
lαM、溶媒はDMF+10mmolリン酸緩衝液(P
H7.0)流速0.5cm/minが挙げられる。
The molecular weight is measured, for example, by using a high-speed G manufactured by Tosoh Corporation.
This can be performed by using a PC device. The column that can be used here is TSKge manufactured by Tosoh Corporation.
lαM, the solvent is DMF + 10 mmol phosphate buffer (P
H7.0) The flow rate is 0.5 cm / min.

【0023】本発明のポリイミドは、カルボシキル基を
含むものであり、このようなカルボキシル基は、ジアミ
ノ安息香酸などを用いて所要量導入することができる。
ジアミン中のジアミノ安息香酸量は10〜50mol%
が好ましい。10mol%未満であると分散性が悪化
し、50mol%を超えると電着性が悪化する。
The polyimide of the present invention contains a carboxyl group, and such a carboxyl group can be introduced in a required amount using diaminobenzoic acid or the like.
The amount of diaminobenzoic acid in the diamine is 10 to 50 mol%
Is preferred. If it is less than 10 mol%, the dispersibility deteriorates, and if it exceeds 50 mol%, the electrodeposition property deteriorates.

【0024】テトラカルボン酸ジ無水物 本発明のポリイミドの合成に用いられる酸ジ無水物とし
ては、例えば具体的には、3,4,3’,4’ビフェニ
ルテトラカルボン酸ジ無水物 3,4,3’,4’ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ
無水物 2,3,3’,4’ビフェニルエーテルテトラカルボン
酸ジ無水物 3,4,3’,4’ビフェニルスルホンテトラカルボン
酸ジ無水物 ビス(ジカルボキシルフェニル)プロパン二無水物 4,4’−[2,2,2−トリフルオロ−1−(トリフ
ルオロメチル)エチリデン]ビス(1,2−ベンゼンジ
カルボン酸ジ無水物)(6FDA) ビストリフルオロメチル化ピロメリット酸,ビス(ジカ
ルボキシフェニル)スルホン二無水物 ビス(ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物 チオフェンテトラカルボン酸二無水物 ピロメリット酸二無水物 1、2,5,6ナフタレンテトラカルボン酸二無水物 2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物 等の芳香族酸ジ無水物 1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸ジ無水物 シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物 ビシクロオクテンテトラカルボン酸 ビシクロ(2,2,2)−オクト−7−エン−2,3,
5,6−テトラカルボン酸ジ無水物 5(2,5−ジオキソテトラヒドロフリル)3−メチル
−3シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物 等の脂肪族酸ジ無水物を挙げることができる。これらは
単独、または二種以上の組み合わせで使用されるが、酸
ジ無水物、芳香族ジアミンを選びポリイミドを形成する
場合、これらの組み合わせが溶剤可溶となる組み合わせ
を選ぶ必要がある。
Tetracarboxylic dianhydride Examples of the acid dianhydride used in the synthesis of the polyimide of the present invention include, for example, 3,4,3 ′, 4′biphenyltetracarboxylic dianhydride 3,4 , 3 ', 4'Benzophenonetetracarboxylic dianhydride 2,3,3', 4'Biphenylethertetracarboxylic dianhydride 3,4,3 ', 4'Biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride (Carboxylphenyl) propane dianhydride 4,4 '-[2,2,2-trifluoro-1- (trifluoromethyl) ethylidene] bis (1,2-benzenedicarboxylic dianhydride) (6FDA) bistrifluoromethyl Pyromellitic acid, bis (dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride bis (dicarboxyphenyl) ether dianhydride thiophenetetracarboxylic acid dianhydride Hydrates Pyromellitic dianhydride 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride 2,3,5,6-Aromatic acid dianhydrides such as pyridinetetracarboxylic dianhydride 1,2,3 2,4-butanetetracarboxylic dianhydride cyclopentanetetracarboxylic dianhydride bicyclooctenetetracarboxylic acid bicyclo (2,2,2) -oct-7-ene-2,3
5,6-Tetracarboxylic dianhydride Aliphatic dianhydrides such as 5 (2,5-dioxotetrahydrofuryl) 3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. When an acid dianhydride and an aromatic diamine are selected to form a polyimide, it is necessary to select a combination in which these combinations are soluble in a solvent.

【0025】ジアミン 本発明のポリイミドに使用される芳香族ジアミンとして
は、必須成分の3,5ジアミノ安息香酸の他、例えば具
体的には 2,4(または、2,5−)ジアミノトルエン 1,4ベンゼンジアミン 1,3ベンゼンジアミン 6−メチル1,3−ベンゼンジアミン 4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチル−1,1’−
ビフェニル 4,4’−アミノ−3,3’−ジメトキシ−1,1’−
ビフェニル 4,4’−メチレンビス(ベンゼンアミン) 4,4’−オキシビス(ベンゼンアミン) 3,4’−オキシビス(ベンゼンアミン) 3,3’−カルボキニル(ベンゼンアミン) 4,4’−チオビス(ベンゼンアミン) 4,4’−スルホニル(ベンゼンアミン) 3,3’−スルホニル(ベンゼンアミン) 1−メチルエチリジン4,4’−ビス(ベンゼンアミ
ン) 3,3’−ジクロロ−4,4’−ジアミノビフェニル 3,3’−ジニトロ−4,4’−ジアミノビフェニル 3,3’−ジアミノベンゾフェノン 1,5−ジアミノナフタレン 1−トリフルオロメチル2,2,2−トリフルオロエチ
リジン4,4’−ビス(ベンゼンアミン) 1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−ビス−
4(4−アミノフェニル)プロパン 4,4’−ジアミノベンズアニリド 2,6−ジアミノピリジン 4,4’−ジアミノ−3,3’,5,5’−テトラメチ
ルビフェニル 2,2ビス(4(4−アミノフェノキシ)フェニル)プ
ロパン ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)スルホ
ン ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルホ
ン ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)エチル 1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン 1,3ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン 9,9’−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン ベンジジン‐3,3‐ジカルボン酸 4,4’−(または、3,4’−、3,3’−、2,
4’−)ジアミノ−ビフェニルエーテル ジアミノシラン化合物 等を挙げることができる。これらは単独でも二種以上混
合したポリイミド組成物とすることができるが、酸ジ無
水物、芳香族ジアミンを選びポリイミドを形成する場
合、これらの組み合わせが溶剤可溶となる組み合わせを
選ぶ必要がある。
Examples of the aromatic diamines used in the polyimide of the diamine present invention, other 3,5-diaminobenzoic acid essential ingredients, for example, in particular 2, 4 (or 2,5) diaminotoluene 1, 4-benzenediamine 1,3-benzenediamine 6-methyl-1,3-benzenediamine 4,4'-diamino-3,3'-dimethyl-1,1'-
Biphenyl 4,4'-amino-3,3'-dimethoxy-1,1'-
Biphenyl 4,4'-methylenebis (benzeneamine) 4,4'-oxybis (benzeneamine) 3,4'-oxybis (benzeneamine) 3,3'-carboxynyl (benzeneamine) 4,4'-thiobis (benzeneamine 4,4'-sulfonyl (benzeneamine) 3,3'-sulfonyl (benzeneamine) 1-methylethylidine 4,4'-bis (benzeneamine) 3,3'-dichloro-4,4'-diaminobiphenyl 3,3'-dinitro-4,4'-diaminobiphenyl 3,3'-diaminobenzophenone 1,5-diaminonaphthalene 1-trifluoromethyl 2,2,2-trifluoroethylidine 4,4'-bis (benzene Amine) 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-bis-
4 (4-aminophenyl) propane 4,4′-diaminobenzanilide 2,6-diaminopyridine 4,4′-diamino-3,3 ′, 5,5′-tetramethylbiphenyl 2,2bis (4 (4 -Aminophenoxy) phenyl) propane bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) sulfone bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) sulfone bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) ethyl 1,4- Bis (4-aminophenoxy) benzene 1,3 bis (3-aminophenoxy) benzene 9,9′-bis (4-aminophenyl) fluorene benzidine-3,3-dicarboxylic acid 4,4 ′-(or 3, 4'-, 3, 3'-, 2,
4′-) diamino-biphenyl ether diaminosilane compound and the like. These can be used alone or as a mixture of two or more polyimide compositions.However, when an acid dianhydride or an aromatic diamine is selected to form a polyimide, it is necessary to select a combination in which these combinations are solvent-soluble. .

【0026】ポリイミド好適例 以上のような酸ジ無水物と芳香族ジアミンとの組み合わ
せから形成されるポリイミドは数多く存在するが、本発
明のポリイミドは、ジアミンの少なくとも一部が3,5
ジアミノ安息香酸である。このようなもののうち好まし
い構造単位としては次のものを挙げることができる。
Preferred Examples of Polyimides There are many polyimides formed from a combination of an acid dianhydride and an aromatic diamine as described above, but the polyimide of the present invention has at least a part of a diamine of 3,5.
Diaminobenzoic acid. Among these, preferred structural units include the following.

【0027】下記一般式、The following general formula:

【0028】[0028]

【化8】 (式中、A1は、下記式、Embedded image (Where A 1 is the following formula;

【0029】[0029]

【化9】 から選ばれる基であり、B1は、下記式、Embedded image And B 1 is a group represented by the following formula:

【0030】[0030]

【化10】 から選ばれる基である。)によって選ばれる1種以上の
構造単位からなる共重合体である、ポリイミド。
Embedded image Is a group selected from A) polyimide, which is a copolymer comprising one or more structural units selected according to (1).

【0031】下記一般式、The following general formula:

【0032】[0032]

【化11】 (式中A2は、酸無水物溶解性を有する、下記式、Embedded image (Wherein A 2 has acid anhydride solubility,

【0033】[0033]

【化12】 から選ばれる基であり、B2はB1と同一の群から選ばれ
る基であり、A3はA1と同一の群から選ばれる基であ
り、B3は、ジアミン溶解性をする、下記式、
Embedded image B 2 is a group selected from the same group as B 1 , A 3 is a group selected from the same group as A 1 , B 3 has a diamine solubility, formula,

【0034】[0034]

【化13】 から選ばれる基である。)から選ばれる1種以上の構造
単位からなる、ポリイミド。
Embedded image Is a group selected from A polyimide comprising at least one structural unit selected from the group consisting of:

【0035】下記一般式、The following general formula:

【0036】[0036]

【化14】 (式中、A4はA2と同一であり、B4はB1と同一の群か
ら選ばれる基であり、A5はA1と同一の群から選ばれる
基であり、B5はB3と同一の群から選ばれる基である、
1種以上の構造単位からなるポリイミド。
Embedded image (Where A 4 is the same as A 2 , B 4 is a group selected from the same group as B 1 , A 5 is a group selected from the same group as A 1 , B 5 A group selected from the same group as 3 ,
A polyimide comprising one or more structural units.

【0037】ポリイミド電着液の形成方法 通常ポリイミドは酸ジ無水物と、ジアミンの脱水縮重合
反応により合成を行なう。
Method for Forming Polyimide Electrodeposition Solution Usually, polyimide is synthesized by a dehydration-condensation polymerization reaction of an acid dianhydride and a diamine.

【0038】[0038]

【化15】 芳香族酸ジ無水物と芳香族ジアミンは、ほぼ当量に用い
て、有機極性溶媒中で加熱脱水を行い、溶媒可溶型のポ
リイミドを合成する。
Embedded image The aromatic acid dianhydride and the aromatic diamine are used in approximately equivalent amounts, and are heated and dehydrated in an organic polar solvent to synthesize a solvent-soluble polyimide.

【0039】ここで用いることのできる有機極性溶媒
(親水性溶剤)としては、例えばN−メチルピロリド
ン、N,N’一ジメチルアセトアミド、N,N’−ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチ
ル尿素、テトラヒドロチオフェン−1,1−オキシド等
がが挙げられる。安全性の観点から、N−メチルピロリ
ドン、1−スルホランが好適に用いられる。
Examples of the organic polar solvent (hydrophilic solvent) usable here include N-methylpyrrolidone, N, N'-dimethylacetamide, N, N'-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, tetramethylurea, tetrahydrourea Thiophene-1,1-oxide and the like. From the viewpoint of safety, N-methylpyrrolidone and 1-sulfolane are preferably used.

【0040】このようにして作成したポリイミド樹脂ワ
ニスに、上記有機極性溶剤、中和剤、疎水性溶剤、イオ
ン交換水などを添加して、電着塗料を形成できる。
An electrodeposition paint can be formed by adding the above-mentioned organic polar solvent, neutralizing agent, hydrophobic solvent, ion-exchanged water, etc. to the polyimide resin varnish thus prepared.

【0041】ワニスに添加する極性有機溶剤種としては
例えば上記のものが挙げられ、この中から数種類選んで
混合して用いることもできる。極性有機溶剤の量として
は塗料に対し、20〜80%の量が好ましい、20%以
下であると、分散性が悪化し、80%以上であると、電
着性が悪化する。
The polar organic solvents to be added to the varnish include, for example, the above-mentioned ones, and several of them can be selected and mixed for use. The amount of the polar organic solvent is preferably from 20 to 80% based on the coating composition. When the amount is 20% or less, the dispersibility deteriorates, and when the amount is 80% or more, the electrodeposition property deteriorates.

【0042】中和剤としては、例えば、N−ジメチルエ
タノール、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、
N−ジメチルベンジルアミン、N−メチルモルホリンが
挙げられる。このうち、N−ジメチルエタノールおよび
N−メチルモルホリンが好適である。中和度としては、
カルボキシル基に対し、15%〜300%が好ましい。
15%以下では分散性が悪化する。300%以上では、
電着性が悪化する。
Examples of the neutralizing agent include N-dimethylethanol, triethylamine, triethanolamine,
N-dimethylbenzylamine and N-methylmorpholine are exemplified. Of these, N-dimethylethanol and N-methylmorpholine are preferred. As the degree of neutralization,
It is preferably from 15% to 300% based on the carboxyl group.
If it is less than 15%, the dispersibility deteriorates. At 300% or more,
Electrodeposition property deteriorates.

【0043】その他、電着塗料の成分として、疎水性溶
剤が挙げられる。疎水性溶剤によって塗膜平滑性を向上
させ、塗料の安定性を向上させる効果が得られる。この
うち塗膜平滑性の向上は、疎水性溶剤が一般的に高沸点
であるため、高温時まで塗膜中に残っているため、塗膜
フロー性が向上するためであると考えられる。塗料の安
定性の向上は、必ずしも明らかではないが、疎水性溶剤
は、一般的に水との親和性が低く、ポリイミドとの親和
性が高いため、電着液中で、ポリイミド樹脂エマルジョ
ンの中に含まれ、エマルジョンを安定させるからである
と考えられる。
Other components of the electrodeposition paint include a hydrophobic solvent. The effect of improving the coating film smoothness by the hydrophobic solvent and improving the stability of the paint is obtained. It is considered that the smoothness of the coating film is improved because the hydrophobic solvent generally has a high boiling point and remains in the coating film until a high temperature, so that the flowability of the coating film is improved. Although the improvement in paint stability is not necessarily clear, hydrophobic solvents generally have low affinity for water and high affinity for polyimide. And stabilizes the emulsion.

【0044】疎水性溶剤としては、例えば、ベンジルア
ルコール、2−フェニルエチルアルコール、4−メチル
ベンジルアルコール、4−メトキシベンジルアルコー
ル、4−クロルベンジルアルコール、4−ニトロベンジ
ルアルコール、フェノキシ−2−エタノール、シンナミ
ルアルコール、フルフリルアルコール、および、ナフチ
ルカルビノール等が挙げられる。これらの量は、塗料に
対し、0.1〜20%が好適である。0.1%以下であ
ると、上記塗膜平滑性向上および塗料の安定性向上の効
果が発現せず、20%以上であると、塗料の安定性が悪
化する。
Examples of the hydrophobic solvent include benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 4-methylbenzyl alcohol, 4-methoxybenzyl alcohol, 4-chlorobenzyl alcohol, 4-nitrobenzyl alcohol, phenoxy-2-ethanol, Cinnamyl alcohol, furfuryl alcohol, naphthyl carbinol and the like can be mentioned. These amounts are preferably 0.1 to 20% based on the paint. When the content is 0.1% or less, the effects of improving the smoothness of the coating film and the stability of the coating material are not exhibited, and when the content is 20% or more, the stability of the coating material is deteriorated.

【0045】このような溶媒中にポリイミド樹脂を3〜
20重量%の範囲になるように、さらにイオン交換水を
添加して調整する、ポリイミド樹脂の量が3%以下であ
ると、電着性が悪化し、20%以上であると分散性が悪
化する。
In such a solvent, the polyimide resin is
The amount is adjusted by further adding ion-exchanged water so as to be in the range of 20% by weight. When the amount of the polyimide resin is 3% or less, the electrodeposition property deteriorates, and when the amount is 20% or more, the dispersibility deteriorates. I do.

【0046】[0046]

【実施例】実施例1 (ポリイミドの合成)1L容量の三つ口セパラブルフラ
スコにステンレス製イカリ攪拌器、窒素導入管及びスト
ップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管をつけ
た還流冷却器を取り付けた。窒素気流を流しながら温度
調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフラスコを
つけて加熱した。反応温度は浴温で示した。3,4,3
´4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物(以
後とBTDAと呼ぶ)96.67g(300mmo
l)、2.4ジアミノトルエン(三井化学製)18.3
3g(150mmol)、3,4,3´4´−ビフェニ
ルテトラカルボン酸ジ無水物(BPDA/宇部興産
(株))44.13g(150mmol)、3,5ジア
ミノ安息香酸(DABz/大日本インキ)22.8g
(150mmol)、2,2−ビス[4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP/和歌山精
化(株)品)64.98g(158.3mmol)、マ
レイン酸無水物1.63g(15.66mmol) 無
水酢酸15.3g(150mmol)を三つ口フラスコ
に入れ、NMP918gを添加した。窒素を通じながら
シリコン浴中で、100℃、5時間、180rpmで加
熱攪拌した。20%NMP溶液のポリイミドを得た。こ
のものを、高速液体クロマトグラフィーで紫外線で検出
しポリスチレン換算の分子量を測定した。得られたポリ
イミドの酸価は60mmolKOH/100g res
inであった。数平均分子量Mn=22600、重量平
均分子量Mw=40100、Z平均分子量Mz=635
00Mw/Mn=1.77であった。
Example 1 (Synthesis of polyimide) Reflux cooling with a 1-liter three-neck separable flask equipped with a stainless steel squirrel stirrer, a nitrogen inlet tube, and a cooling tube with a ball on a trap with a stopcock. The vessel was attached. The separable flask was placed in a silicone bath equipped with a temperature controller and heated while flowing a nitrogen stream. The reaction temperature was indicated by bath temperature. 3,4,3
96.67 g of '4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (hereinafter referred to as BTDA) (300 mmol)
l) 2.4 diaminotoluene (Mitsui Chemicals) 18.3
3 g (150 mmol), 3,4,3'4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA / Ube Industries, Ltd.) 44.13 g (150 mmol), 3,5 diaminobenzoic acid (DABz / Dainippon Ink) 22.8g
(150 mmol), 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (BAPP / Wakayama Seika Co., Ltd. product) 64.98 g (158.3 mmol), maleic anhydride 1.63 g (15 .66 mmol) 15.3 g (150 mmol) of acetic anhydride was placed in a three-necked flask, and 918 g of NMP was added. The mixture was heated and stirred at 180 ° C. for 5 hours in a silicon bath while passing nitrogen through. A 20% NMP solution of polyimide was obtained. This was detected by high-performance liquid chromatography with ultraviolet rays, and the molecular weight in terms of polystyrene was measured. The acid value of the obtained polyimide is 60 mmol KOH / 100 g res.
was in. Number average molecular weight Mn = 22600, weight average molecular weight Mw = 40100, Z average molecular weight Mz = 635
00Mw / Mn = 1.77.

【0047】(ポリイミド電着液形成)20%濃度ポリ
イミドワニス100gに3SN(NMP:テトラヒドロ
チオフェン−1,1−ジオキシド=1:3(重量)の混
合溶液)150g、ベンジルアルコール75g、メチル
モルホリン5.0g(中和率200%)、水30gを攪
拌して水性電着液を調製した。得られた水性電着液は、
ポリイミド7.4%、pH7.8、暗赤褐色透明液であ
った。得られた電着液は繰り返し電着性に優れていた。
(Formation of Polyimide Electrodeposition Solution) 150 g of 3SN (mixed solution of NMP: tetrahydrothiophene-1,1-dioxide = 1: 3 (weight)), 100 g of 20% strength polyimide varnish, 75 g of benzyl alcohol, and methyl morpholine 5. 0 g (neutralization rate: 200%) and 30 g of water were stirred to prepare an aqueous electrodeposition solution. The obtained aqueous electrodeposition solution is
It was a 7.4% polyimide, pH 7.8, dark red-brown transparent liquid. The obtained electrodeposition liquid was excellent in repeated electrodeposition properties.

【0048】(転写用原版における導電性層の形成)導
電性基板として脱脂された厚さ0.2mmのステンレス
鋼板を準備し、このステンンレス鋼板上に市販のメッキ
用フォトレジスト(東京応化工業(株)製OMR85)
を厚さ1μmに塗布乾燥し、配線パターンが形成されて
いる3種のフォトマスクを用いてそれぞれ密着露光を行
った後、現像・水洗・乾燥しさらに熱硬化を行って絶縁
層を備えた転写用原版を作製した。
(Formation of Conductive Layer on Transfer Master) A degreased stainless steel plate having a thickness of 0.2 mm was prepared as a conductive substrate, and a commercially available plating photoresist (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was placed on this stainless steel plate. OMR85)
Is applied to a thickness of 1 μm and dried, and then subjected to contact exposure using three types of photomasks on which wiring patterns are formed, followed by development, washing, drying, and heat curing to transfer with an insulating layer. A master plate was prepared.

【0049】(レジスト形成)SUS304上に東京応
化製レジスト「OMR−83」を乾燥後1μmに塗布、
マスクを介して露光量60mjで露光、指定現像液にて
現像した。ホットプレート上でポストベークを145℃
で30分間行った。
(Formation of resist) A resist “OMR-83” manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.
Exposure was performed through a mask at an exposure amount of 60 mj, and development was performed using a specified developer. Post bake on hot plate at 145 ° C
For 30 minutes.

【0050】(金属配線形成)硫酸銅メッキ10μmを
形成。条件は以下の通りである。
(Formation of metal wiring) Copper sulfate plating 10 μm was formed. The conditions are as follows.

【0051】 電解銅メッキの液組成 硫酸銅(5水塩) 75g/l、硫酸 190g/l 、塩素イオン 60mg/l スルカップAC−90M 2.5ml 温度 30℃ メッキ条件 電流密度 2A/dm2、時間 24分Liquid composition of electrolytic copper plating Copper sulfate (pentahydrate) 75 g / l, sulfuric acid 190 g / l, chloride ion 60 mg / l Sulcap AC-90M 2.5 ml Temperature 30 ° C. Plating conditions Current density 2 A / dm 2 , time 24 minutes

【0052】(電着層形成)調製された実施例1の電着
塗料の電着塗料を2リットルの硝子セル中に入れ、スタ
ーラーで攪拌しながら、温度25℃、極間4cm、電圧
50vで時間を変化させて、電着を行い、ウェット膜厚
30μmの塗膜を得た。ホットプレート上で150℃、
3minで乾燥し、乾燥膜厚20μmを得た。
(Formation of Electrodeposition Layer) The prepared electrodeposition paint of the electrodeposition paint of Example 1 was put into a 2 liter glass cell, and stirred at a temperature of 25 ° C., a distance of 4 cm, and a voltage of 50 V with a stirrer. Electrodeposition was performed while changing the time to obtain a coating film having a wet film thickness of 30 μm. 150 ° C on a hot plate,
After drying for 3 minutes, a dry film thickness of 20 μm was obtained.

【0053】(転写、剥離)転写先基板としてSUS3
04を用い、基板に200℃、1分、1kg/cm2
条件で熱転写を行った。その後常温に戻してから版基板
の剥離を行った。
(Transfer, Peeling) SUS3 as a transfer destination substrate
Using the substrate No. 04, thermal transfer was performed on the substrate at 200 ° C. for 1 minute at 1 kg / cm 2 . Thereafter, the temperature was returned to normal temperature, and the plate substrate was peeled off.

【0054】(熱処理(硬化))250℃1時間、窒素
雰囲気下において熱硬化を行った。以上の工程を介して
えられた配線パターンは、30μm以上の線幅のパター
ンが均一に形成されていた。
(Heat treatment (curing)) Thermal curing was performed at 250 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere. In the wiring pattern obtained through the above steps, a pattern having a line width of 30 μm or more was formed uniformly.

【0055】実施例1のポリイミド樹脂電着液を用いて
配線パターンを形成し、85℃85%RH雰囲気下にお
いて、30Vの直流電圧を印加し、絶縁性保持可能膜厚
を調べた。ポリイミド樹脂は膜厚3μmで絶縁性保持可
能であった。
A wiring pattern was formed using the polyimide resin electrodeposition solution of Example 1, and a DC voltage of 30 V was applied under an atmosphere of 85 ° C. and 85% RH, and the film thickness capable of retaining insulation was examined. The polyimide resin had a film thickness of 3 μm and was able to maintain insulation.

【0056】図1は、実施例1における高温高湿下にお
けるポリイミド樹脂配線の絶縁性測定結果の測定結果を
示すグラフである。膜厚3μmと薄いものであっても、
300時間経過後でも高い抵抗を保持したことが確認で
きた。
FIG. 1 is a graph showing the results of measuring the insulation properties of polyimide resin wiring under high temperature and high humidity in Example 1. Even if the thickness is as thin as 3 μm,
It was confirmed that high resistance was maintained even after 300 hours.

【0057】比較例1 以下のように調製したエポキシ電着液を、ポリイミド電
着液の代わりに用いた他は、実施例1と同様に行った。 (エポキシ樹脂(樹脂I)電着液の調製)ビスフェノ−
ルAのジグリシジルエ−テル(エポキシ当量910)1
000重量部を撹拌下に70℃に保ちながらエチレング
リコ−ルモノエチルエ−テル463重量部に溶解させ、
さらにジエチルアミン80.3重量部を加えて100℃
で2時間反応させてアミンエポキシ付加物(A)を調製
した。
Comparative Example 1 The procedure of Example 1 was repeated except that the epoxy electrodeposition solution prepared as described below was used instead of the polyimide electrodeposition solution. (Preparation of Epoxy Resin (Resin I) Electrodeposition Solution)
Diglycidyl ether of epoxy resin A (epoxy equivalent 910) 1
000 parts by weight were dissolved in 463 parts by weight of ethylene glycol monoethyl ether while maintaining the temperature at 70 ° C. with stirring.
Further, 80.3 parts by weight of diethylamine was added, and
For 2 hours to prepare an amine epoxy adduct (A).

【0058】一方、コロネ−トL(日本ポリウレタン
(株)製リイソシアネ−ト;NCO13%の不揮発分7
5重量%)875重量部にジブチル錫ラウレ−ト0.0
5重量部を加え50℃に加熱して2−エチルヘキサノ−
ル390重量部を添加し、その後、120℃で90分間
反応させた。得られた反応生成物をエチレングリコ−ル
モノエチルエ−テル130重量部で希釈した成分(B)
を得た。
On the other hand, Colonate L (Liisocyanate manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd .; NCO 13% non-volatile content 7%)
5 wt%) 875 parts by weight of dibutyltin laurate 0.0
Add 5 parts by weight and heat to 50 ° C. to give 2-ethylhexano-
Then, 390 parts by weight of toluene was added, and the mixture was reacted at 120 ° C. for 90 minutes. Component (B) obtained by diluting the obtained reaction product with 130 parts by weight of ethylene glycol monoethyl ether.
I got

【0059】成分A1000重量部及び成分B400重
量部からなる混合物を氷酢酸30重量部で中和した後、
脱イオン水570重量部を用いて希釈し、不揮発分50
重量%の樹脂Iを調製した。
A mixture of 1000 parts by weight of the component A and 400 parts by weight of the component B was neutralized with 30 parts by weight of glacial acetic acid.
Dilute with 570 parts by weight of deionized water to obtain a nonvolatile content of 50 parts.
% By weight of resin I was prepared.

【0060】樹脂I200.2重量部(樹脂成分86.
3容量)、脱イオン水583.3重量部およびジブチル
錫ラウレ−ト2.4重量部を配合してエポキシ電着液A
を調製した。
200.2 parts by weight of resin I (resin component 86.
33.3%), 583.3 parts by weight of deionized water and 2.4 parts by weight of dibutyltin laurate were mixed together to prepare an epoxy electrodeposition solution A.
Was prepared.

【0061】比較例1のエポキシ樹脂電着液を用いて配
線パターンを形成し、85℃85%RH雰囲気下におい
て、30Vの直流電圧を印加し、絶縁性保持可能膜厚を
調べた。エポキシ樹脂は10μm以上の膜厚が必要であ
った。
A wiring pattern was formed using the epoxy resin electrodeposition solution of Comparative Example 1, and a DC voltage of 30 V was applied in an atmosphere of 85 ° C. and 85% RH, and the film thickness capable of retaining insulation was examined. The epoxy resin needed a film thickness of 10 μm or more.

【0062】図2は、比較例1における高温高湿下にお
けるエポキシ樹脂配線の絶縁性測定結果の測定結果を示
すグラフである。膜厚が比較的厚い30μmのものであ
っても、抵抗値の大幅な低下がみられ、また、膜厚44
μmのものであっても、時間の経過とともに抵抗値が低
下することが分かる。
FIG. 2 is a graph showing the results of measuring the insulation properties of the epoxy resin wiring under high temperature and high humidity in Comparative Example 1. Even with a relatively thick film having a thickness of 30 μm, a large decrease in the resistance value is observed.
It can be seen that the resistance value decreases with the passage of time even if the thickness is μm.

【0063】比較例2 実施例1におけるジアミノ安息香酸の代わりに、ジアミ
ノトルエンを用いたポリイミドを合成した。このポリイ
ミドは水分散性を有しておらず、電着液を調製すること
ができなかった。
Comparative Example 2 A polyimide was prepared by using diaminotoluene instead of diaminobenzoic acid in Example 1. This polyimide did not have water dispersibility, and an electrodeposition solution could not be prepared.

【0064】[0064]

【発明の効果】本発明によって、耐熱性、電気絶縁性に
優れた、水に分散させることができる電着可能なポリイ
ミドを得ることができる。
According to the present invention, it is possible to obtain an electrodepositable polyimide which is excellent in heat resistance and electric insulation and can be dispersed in water.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明例(実施例1)における高温高
湿下におけるポリイミド樹脂配線の絶縁性測定結果の測
定結果を示すグラフである。
FIG. 1 is a graph showing a measurement result of an insulation measurement result of a polyimide resin wiring under high temperature and high humidity in an example of the present invention (Example 1).

【図2】図2は、比較例1における高温高湿下における
エポキシ樹脂配線の絶縁性測定結果の測定結果を示すグ
ラフである。
FIG. 2 is a graph showing a measurement result of an insulation measurement result of an epoxy resin wiring under high temperature and high humidity in Comparative Example 1.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川 合 研三郎 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 Fターム(参考) 4J002 CM041 DE026 EC018 ED028 ED058 EJ008 EL068 EN029 EN109 EP017 ES008 ET017 EU027 EU239 EV207 GH01 HA06 4J038 DJ021 HA156 KA06 MA14 PA04 PB09 4J043 PA04 PA09 PC015 PC016 PC135 PC136 PC145 PC146 QB15 QB26 QB31 RA35 SA06 SA42 SA43 SA44 SA52 SA53 SA54 SA62 SA72 SB03 SB04 TA21 TA45 TA47 TA67 TA71 TB01 UA051 UA061 UA091 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UA262 UA361 UA622 UA632 UA652 UA662 UA672 UA712 UB011 UB012 UB021 UB061 UB062 UB121 UB122 UB131 UB152 UB271 UB282 UB301 UB302 UB311 UB401 UB402 VA011 VA021 VA022 VA031 VA041 VA051 VA061 VA062 VA081 XA16 XA19 ZA12 ZB03 ZB50  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Kensaburo Kawago 1-1-1, Ichigaya-Kaga-cho, Shinjuku-ku, Tokyo F-term in Dai Nippon Printing Co., Ltd. (reference) 4J002 CM041 DE026 EC018 ED028 ED058 EJ008 EL068 EN029 EN109 EP017 ES008 ET017 EU027 EU239 EV207 GH01 HA06 4J038 DJ021 HA156 KA06 MA14 PA04 PB09 4J043 PA04 PA09 PC015 PC016 PC135 PC136 PC145 PC146 QB15 QB26 QB31 RA35 SA06 SA42 SA43 SA44 SA52 SA53 SA54 SA62 SA72 SB03 SB04 TA21 TA01 UA TA71 UA1 TA47 UA131 UA132 UA141 UA151 UA262 UA361 UA622 UA632 UA652 UA662 UA672 UA712 UB011 UB012 UB021 UB061 UB062 UB121 UB122 UB131 UB152 UB271 UB282 UB301 UB302 UB311 UB401 UB402 VA011 VA021 Z0221

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】テトラカルボン酸ジ無水物とジアミンとの
反応生成物であるポリイミドであって、前記ジアミンの
少なくとも一部が3,5ジアミノ安息香酸であって、か
つ前記ポリイミドの酸価が10〜200mmolKOH
/100g resinであることを特徴とする、電着
用ポリイミド。
1. A polyimide which is a reaction product of a tetracarboxylic dianhydride and a diamine, wherein at least a part of the diamine is 3,5 diaminobenzoic acid and the polyimide has an acid value of 10 or less. ~ 200 mmol KOH
/ 100g resin, electrodeposition polyimide.
【請求項2】前記ポリイミドが、下記一般式、 【化1】 (式中、A1は下記式、 【化2】 から選ばれる基であり、B1は下記式、 【化3】 から選ばれる基であり、15≦L≦200である。)に
よって表される1種以上の構造単位からなる共重合体で
ある、請求項1に記載のポリイミド。
2. The polyimide has the following general formula: Wherein A 1 is the following formula: And B 1 is a group represented by the following formula: And 15 ≦ L ≦ 200. 2. The polyimide according to claim 1, which is a copolymer comprising one or more structural units represented by the formula:
【請求項3】前記ポリイミドが、下記一般式、 【化4】 (式中、A2は酸無水物溶解性を有する、下記式、 【化5】 から選ばれる基であり、B2はB1と同一の群から選ばれ
る基であり、A3はA1と同一の群から選ばれる基であ
り、B3は、ジアミン溶解性をする、下記式、 【化6】 から選ばれる基であり、15≦L≦200であり、15
≦M≦200である。)によって表される1種以上の構
造単位からなる、請求項1に記載のポリイミド。
3. The polyimide represented by the following general formula: (Wherein A 2 has acid anhydride solubility, the following formula: B 2 is a group selected from the same group as B 1 , A 3 is a group selected from the same group as A 1 , B 3 has a diamine solubility, The formula: And 15 ≦ L ≦ 200, and 15
≦ M ≦ 200. 2. The polyimide according to claim 1, comprising one or more structural units represented by:
【請求項4】前記ポリイミドが、下記一般式、 【化7】 (式中、A4はA2と同一であり、B4はB1と同一の群か
ら選ばれる基であり、A5はA1と同一の群から選ばれる
基であり、B5はB3と同一の群から選ばれる基であり、
15≦L≦200であり、15≦M≦200である。)
で表される1種以上の構造単位からなる、請求項1に記
載のポリイミド。
4. The polyimide of the following general formula: (Where A 4 is the same as A 2 , B 4 is a group selected from the same group as B 1 , A 5 is a group selected from the same group as A 1 , B 5 A group selected from the same group as 3 ,
15 ≦ L ≦ 200 and 15 ≦ M ≦ 200. )
The polyimide according to claim 1, comprising one or more structural units represented by the following formula:
【請求項5】熱分解温度が、250℃以上である、請求
項1に記載のポリイミド。
5. The polyimide according to claim 1, wherein a thermal decomposition temperature is 250 ° C. or higher.
【請求項6】重量平均分子量が、10000〜1000
00である、請求項1に記載のポリイミド。
6. A weight average molecular weight of 10,000 to 1,000.
The polyimide according to claim 1, wherein the number is 00.
【請求項7】請求項1に記載のポリイミド樹脂、水、親
水性溶剤、疎水性溶剤および中和剤を含む、電着塗料。
7. An electrodeposition paint comprising the polyimide resin according to claim 1, water, a hydrophilic solvent, a hydrophobic solvent and a neutralizing agent.
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