JP3502502B2 - Circuit board and circuit board - Google Patents

Circuit board and circuit board

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JP3502502B2
JP3502502B2 JP08812196A JP8812196A JP3502502B2 JP 3502502 B2 JP3502502 B2 JP 3502502B2 JP 08812196 A JP08812196 A JP 08812196A JP 8812196 A JP8812196 A JP 8812196A JP 3502502 B2 JP3502502 B2 JP 3502502B2
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circuit
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layer
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靖人 船田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To meet the major requirements for putting a product to practical use, which are low cost, high density and high reliability, allow almost no warpage of a substrate, provide excellent following performance of a polyimicle resin layer at a bent part, even when bending process which applies strong stress to bend nearly 90 degrees is performed, and prevent insulation failure. SOLUTION: On one side or both sides of a long-size stainless foil 1, a polyimide resin layer 2, which has a specific structure unit in the molecule, is formed on the whole or partial area so as to manufacture a board for making a circuit. As a board for making a circuit, the board can be compounded by forming a conductor layer 3 on the polyimide resin layer, and a circuit board is obtained by making a fine pattern by etching the conductor layer 3. The circuit board is preferably used for the suspension for a hard disc, and when photosensitive polyimide resin is used for the polyimide resin, the board is permitted to excel in fine processability.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は回路形成用基板およ
び回路基板に関し、詳しくは各種実装回路形成用基板お
よび回路基板や、特に近年高容量化や小型化が急がれて
いるハードディスク用サスペンジョン上に直接電気的信
号線を形成するための部品としての回路形成用基板およ
び回路基板に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit forming board and a circuit board, and more particularly to various mounting circuit forming boards and circuit boards, and in particular, a suspension for a hard disk, which has been urgently required to have a higher capacity and a smaller size in recent years. The present invention relates to a circuit forming substrate and a circuit substrate as a component for directly forming an electric signal line on the substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体の高密度実装や高速信号処
理を目的とした薄膜多層基板が注目されており、一般に
は導電層としての銅箔と支持層としてのポリイミド樹脂
層とを積層した基板が用いられている。このような基板
にはデバイスが実装されるが、デバイスの特性上発熱を
起こすためにデバイスを組み込んだシステム内部に蓄熱
しないように、放熱効果の高い基板材料を用いることが
要望されている。
2. Description of the Related Art In recent years, thin-film multilayer substrates for high-density mounting of semiconductors and high-speed signal processing have attracted attention, and generally, a substrate in which a copper foil as a conductive layer and a polyimide resin layer as a supporting layer are laminated. Is used. A device is mounted on such a substrate, but it is desired to use a substrate material having a high heat dissipation effect so that heat is not stored inside a system incorporating the device in order to generate heat due to the characteristics of the device.

【0003】このような基板としては各種のヒートスプ
レッダー付き回路基板が提案されているが、通常、これ
らの基板を作製するには枚葉基板を用い、放熱効果の高
い金属基板上に液状の樹脂を塗布乾燥し、その後導体層
を形成するという、所謂逐次積層法や、銅張り積層板と
放熱効果の大きい金属板とをプレス加工するというプレ
ス積層法などが提案されている。
Various types of circuit boards with a heat spreader have been proposed as such a board. Usually, a single-wafer board is used to manufacture these boards, and a liquid resin is formed on a metal board having a high heat dissipation effect. A so-called sequential lamination method of coating and drying and then forming a conductor layer, a press lamination method of pressing a copper clad laminate and a metal plate having a large heat dissipation effect, and the like have been proposed.

【0004】しかしながら、前者の方法では加工のため
の工程数が多いためにコスト高となり、また、後者の方
法では位置合わせ精度が粗いために細線化し難いという
問題点がある。このような問題点は実用化における本質
的な問題であるので、未だ高信頼性、高密度、低価格を
実現するまでに至っていないのが実情である。
However, the former method has a problem that the number of steps for processing is large and thus the cost is high, and the latter method has a problem in that it is difficult to form a fine line because the alignment accuracy is rough. Since such problems are essential problems in practical application, the reality is that they have not yet achieved high reliability, high density, and low price.

【0005】一方、ハードディスクの高記憶容量化や高
速化などの点からは、磁気ヘッドとして従来のMIG
(メタルインギャップ)や磁気誘導型である薄膜に代わ
って、磁気抵抗型のMR素子と薄膜を一体化させた、所
謂MR−薄膜複合型ヘッドが注目されている。従来のヘ
ッドが磁気信号の読み書きを1ヘッドで兼用させるのに
対し、MRヘッドは読み書きを1ヘッド内で分業させる
ために端子の数は2倍(必要に応じてさらにアース端子
も加わる)となって、ヘッドとディスク本体を接続する
ワイヤーの細線化が必要となる。しかしながら、細線化
を行うとワイヤーが腐食しやすくなり、また、インピー
ダンスの整合も取りにくくなったり、ヘッドの実装も難
しくなるという問題を生じるようになる。
On the other hand, from the viewpoint of increasing the storage capacity and speed of a hard disk, a conventional MIG is used as a magnetic head.
In place of the (metal-in-gap) or magnetic induction type thin film, a so-called MR-thin film composite type head, in which a magnetoresistive MR element and a thin film are integrated, is drawing attention. Whereas the conventional head uses one head for both reading and writing of magnetic signals, the MR head has twice the number of terminals (additional ground terminal is added if necessary) in order to divide the work for reading and writing within one head. Therefore, it is necessary to thin the wire that connects the head and the disk body. However, if the wire is thinned, the wire is likely to corrode, impedance matching is difficult to obtain, and head mounting becomes difficult.

【0006】このような新たな問題点を解決するための
方法として、ヘッドを実装するサスペンジョン上に直接
回路を形成する方法が提案されている(特開昭48−1
6620号公報参照)。
As a method for solving such a new problem, a method for directly forming a circuit on a suspension for mounting a head has been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 48-1).
6620 gazette).

【0007】しかしながら、これらの基板を構成する各
材料の熱膨張係数(線膨張係数)が異なっていると、発
熱によって基板に反りが生じる。また、上記のような回
路形成用基板に用いるポリイミド樹脂層の吸水率が高い
と、例えばハードディスク本体にサスペンジョンとして
このような基板を組み込んだ場合に、ポリイミド樹脂層
への水の吸脱着に伴う寸法変化が大きくなって、サスペ
ンジョン自体が反ってしまい、アライメント精度が低下
すると共に、ディスクと本体との間隔が変化してデバイ
スとしての性能不良を起こす可能性も考えられる。
However, if the materials constituting these substrates have different thermal expansion coefficients (linear expansion coefficients), the substrates will warp due to heat generation. Further, if the water absorption of the polyimide resin layer used for the circuit-forming substrate as described above is high, for example, when such a substrate is incorporated as a suspension in the hard disk body, the dimensions accompanying absorption and desorption of water to the polyimide resin layer There is a possibility that the change becomes large and the suspension itself is warped, the alignment accuracy is lowered, and the gap between the disk and the main body is changed, resulting in poor device performance.

【0008】また、本発明のような回路形成用基板や回
路基板は、長尺のステンレス箔上にポリイミド樹脂層、
導体層を順次形成するという枚葉工程によって作製する
が、製造工程が多くなると共に、工程が複雑となるため
にコスト高となる。
Further, the circuit forming substrate and the circuit substrate according to the present invention include a polyimide resin layer on a long stainless steel foil,
Although it is manufactured by a single-wafer process of sequentially forming conductor layers, the number of manufacturing processes increases and the process becomes complicated, resulting in high cost.

【0009】さらに、銅張り積層板(例えば、ポリイミ
ド樹脂層と銅箔との2層基板)と長尺ステンレス箔との
3層基板を入手できたとしても、ポリイミド樹脂層のパ
ターン加工に際してはプラズマエッチングやレーザーア
ブレーションなどのドライエッチングを施す必要があ
る。その結果、ステンレス箔や他の配線回路へダメージ
を与えたり、スループットの悪さに伴うコスト高となる
恐れがある。一方、ウエットエッチングによるポリイミ
ド樹脂層の加工も考えられるが、処理液としてヒドラジ
ンなどの有害な薬品を用いなければならず、環境衛生に
おいて決して良好なものではなかった。
Further, even if a three-layer substrate of a copper-clad laminate (for example, a two-layer substrate of a polyimide resin layer and a copper foil) and a long stainless steel foil is available, a plasma is used for patterning the polyimide resin layer. It is necessary to perform dry etching such as etching or laser ablation. As a result, the stainless steel foil and other wiring circuits may be damaged, and the cost may be increased due to poor throughput. On the other hand, processing of the polyimide resin layer by wet etching is also conceivable, but harmful chemicals such as hydrazine have to be used as a processing liquid, which is not good in environmental hygiene.

【0010】また、回路形成用基板は常に平板状態で使
用するとは限らず、場合によっては回路を形成して回路
基板とした後、部分的に90度近くまで折り曲げ加工を
行なうことがある。このような加工処理を施すと折り曲
げ部位にストレスが加わるので、基板を構成しているポ
リイミド樹脂層にクラックが発生して絶縁不良を起こす
恐れがある。
Further, the circuit-forming board is not always used in a flat plate state, and in some cases, after forming a circuit to form a circuit board, the circuit-forming board may be partially bent to approximately 90 degrees. When such a processing is applied, stress is applied to the bent portion, so that a crack may occur in the polyimide resin layer forming the substrate and an insulation failure may occur.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は上記従来の問題点を解消し、各種回路基板を形成する
上で実用的に重要な低コスト、高密度、高信頼性を充分
に満足でき、しかも基板自体の反りもほとんど生じるこ
とがなく、また、90度近くの強いストレスが加わる折
り曲げ加工を施しても、折り曲げ部でのポリイミド樹脂
層の追従性が良く、絶縁不良を生じることがない加工性
に優れた回路形成用基板およびそれを用いた回路基板を
提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, the object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art and to sufficiently realize practically important low cost, high density and high reliability in forming various circuit boards. Satisfactory, almost no warpage of the substrate itself occurs, and even if a bending process with a strong stress of about 90 degrees is applied, the polyimide resin layer follows the bent part well and causes insulation failure. An object of the present invention is to provide a circuit-forming substrate excellent in processability and a circuit substrate using the same.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の回路形成
用基板は、長尺ステンレス箔の片面もしくは両面に、ポ
リイミド樹脂層を全面もしくは部分的に形成してなるこ
とを特徴とするものである。
That is, the circuit-forming substrate of the present invention is characterized in that a polyimide resin layer is formed wholly or partially on one surface or both surfaces of a long stainless steel foil. is there.

【0013】特に、5〜200℃の温度範囲におけるポ
リイミド樹脂層の平均線膨張係数(α1)と長尺ステン
レス箔の平均線膨張係数(α2)との差(n)を、−5
ppmから5ppmの間に調整することが、反りの防止
の点から好ましい。
Particularly, the difference (n) between the average linear expansion coefficient (α1) of the polyimide resin layer and the average linear expansion coefficient (α2) of the long stainless steel foil in the temperature range of 5 to 200 ° C. is −5.
From the viewpoint of preventing warpage, it is preferable to adjust the concentration between 5 ppm and 5 ppm.

【0014】また、本発明の回路形成用基板は、全面形
成されたポリイミド樹脂層または部分的に形成されたポ
リイミド樹脂層と露出するステンレス箔上に、さらにク
ロム層またはチタン層を介して、もしくは介さずに銅層
を積層してなる導体層が形成されているものである。
The circuit-forming substrate of the present invention has a polyimide resin layer formed on the entire surface or a partially formed polyimide resin layer and exposed stainless steel foil, with a chromium layer or a titanium layer interposed therebetween, or A conductor layer is formed by laminating copper layers without any interposition.

【0015】特に、本発明の回路形成用基板において
は、ポリイミド樹脂層を感光剤を含有する感光性ポリイ
ミド樹脂から形成することが、所望形状にパターン化す
るために好ましい。これらの回路形成用基板はハードデ
ィスク用サスペンジョンとして用いることが、本発明品
の特性を十二分に発揮するために好ましいものである。
Particularly, in the circuit-forming substrate of the present invention, it is preferable to form the polyimide resin layer from a photosensitive polyimide resin containing a photosensitizer in order to pattern it into a desired shape. It is preferable to use these circuit-forming substrates as a suspension for a hard disk in order to fully exhibit the characteristics of the product of the present invention.

【0016】また、5〜200℃の温度範囲におけるポ
リイミド樹脂層の平均線膨張係数(α1)と長尺ステン
レス箔の平均線膨張係数(α2)との差(n)、および
α1と導体層の平均線膨張係数(α3)の差(m)が共
に、−5ppmから5ppmの間に調整することが、反
りの防止の点から好ましい態様である。
Also, the difference (n) between the average linear expansion coefficient (α1) of the polyimide resin layer and the average linear expansion coefficient (α2) of the long stainless steel foil in the temperature range of 5 to 200 ° C., and between α1 and the conductor layer. It is a preferred embodiment from the viewpoint of preventing warpage that the difference (m) between the average linear expansion coefficients (α3) is adjusted to be between −5 ppm and 5 ppm.

【0017】さらに、本発明は上記回路形成用基板を用
いて形成される回路基板であって、上記回路形成用基板
において、導体層が微細パターン化されていることを特
徴とするものである。
Further, the present invention is a circuit board formed by using the above-mentioned circuit-forming board, wherein the conductor layer is finely patterned in the circuit-forming board.

【0018】上記のようにして回路形成用基板および回
路基板を作製することによって、寸法安定性に優れた微
細パターンを安価に製造すること、ならびに各層の構成
材料の種類を選択することなく基板の反り現象や、ポリ
イミド樹脂層にクラックが生じない優れた回路基板を得
ることができるのである。
By producing the circuit-forming board and the circuit board as described above, it is possible to inexpensively produce a fine pattern having excellent dimensional stability, and to select the substrate material without selecting the type of constituent material for each layer. It is possible to obtain an excellent circuit board that does not cause warpage or cracks in the polyimide resin layer.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】本発明の回路形成用基板および回
路基板に用いられるポリイミド樹脂は、下記〔化7〕に
て示される構造単位を分子内に有する、所謂全芳香族ポ
リイミドと呼ばれるものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The circuit-forming substrate and the polyimide resin used for the circuit substrate of the present invention are so-called wholly aromatic polyimides having a structural unit represented by the following [Chemical Formula 7] in the molecule. is there.

【0020】[0020]

【化7】 [Chemical 7]

【0021】また、ポリイミド樹脂を長尺ステンレス箔
上に層状に形成したときに、その吸水率を0.7重量%
以下、好ましくは0.5重量%以下の低吸水率とするた
めには、下記〔化8〕にて示される構造単位を分子内に
有する、所謂全芳香族ポリイミドと呼ばれるものを用い
ることが好ましい。
When the polyimide resin is formed into a layer on a long stainless foil, its water absorption is 0.7% by weight.
In order to obtain a low water absorption rate of preferably 0.5% by weight or less, it is preferable to use a so-called wholly aromatic polyimide having a structural unit represented by the following [Chemical Formula 8] in the molecule. .

【0022】[0022]

【化8】 [Chemical 8]

【0023】つまり、吸水率が0.7重量%以下のポリ
イミド樹脂層は、長尺ステンレス箔上に形成すると、上
層に形成する導体層との間の絶縁層となって、電気信号
線を自由に回路設計することが充分に可能となると共
に、柔軟なステンレス箔でも環境温度によって反りが変
動することが少ない基板を得ることができるのである。
一方、回路形成用基板や回路基板に従来から用いられて
いるポリイミド樹脂、特にハードディスク用のサスペン
ジョンとして従来から用いられているポリイミド樹脂で
は、吸水率が0.7重量%を超えて通常、1.0重量%
以上であるので、本発明のような効果を発揮し得ないの
である。なお、本発明において吸水率とは、85℃×8
5%R.H.の高温加湿条件下で100時間放置したの
ちのカールフィッシャー法で測定した場合の値である。
That is, when the polyimide resin layer having a water absorption rate of 0.7% by weight or less is formed on the long stainless steel foil, it serves as an insulating layer between the upper conductive layer and the electric signal line. It is possible to sufficiently design a circuit, and it is possible to obtain a substrate whose warp is less likely to vary with ambient temperature even with a flexible stainless steel foil.
On the other hand, a polyimide resin conventionally used for a circuit-forming substrate or a circuit board, particularly a polyimide resin conventionally used as a suspension for a hard disk, has a water absorption rate of more than 0.7% by weight, and usually 1. 0% by weight
Because of the above, the effects of the present invention cannot be exhibited. In the present invention, the water absorption rate is 85 ° C. × 8.
5% R. H. It is a value when measured by the Karl Fischer method after being left for 100 hours under the high temperature humidification condition.

【0024】なお、上記〔化8〕にて示される構造単位
を分子内に有する低吸水率のポリイミド樹脂のうち、特
に好ましい構造はR1 が5,5’−〔2,2,2−トリ
フルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチリデン〕ビ
ス−1,3−イソベンゾフランジオンであり、R2
4,4’−ジメチル−3,3’−ジアミノジフェニルヘ
キサフルオロプロパンであるポリイミド樹脂である。
Among the polyimide resins having a low water absorption having the structural unit represented by the above [Chemical formula 8] in the molecule, a particularly preferable structure is that R 1 is 5,5 ′-[2,2,2-tri Fluoro-1- (trifluoromethyl) ethylidene] bis-1,3-isobenzofurandione and a polyimide resin in which R 2 is 4,4′-dimethyl-3,3′-diaminodiphenylhexafluoropropane.

【0025】また、ポリイミド樹脂を長尺ステンレス箔
上に層状に形成したときに、その伸び率を20%以上、
好ましくは25%以上の高伸び率とするためには、下記
〔化9〕にて示される構造単位を分子内に有する、所謂
全芳香族ポリイミドと呼ばれるものを用いることが好ま
しい。
When the polyimide resin is formed into a layer on a long stainless foil, its elongation is 20% or more,
To obtain a high elongation of 25% or more, it is preferable to use a so-called wholly aromatic polyimide having a structural unit represented by the following [Chemical Formula 9] in the molecule.

【0026】[0026]

【化9】 [Chemical 9]

【0027】つまり、伸び率が20%以上のポリイミド
樹脂層は、長尺ステンレス箔上に形成すると、上層に形
成する導体層との間の絶縁層となって、電気信号線を自
由に回路設計することが充分に可能となると共に、信号
線の端子部分を自由に折り曲げて他の回路と接続するこ
とが可能となるのである。一方、回路形成用基板や回路
基板に従来から用いられているポリイミド樹脂、特にハ
ードディスク用のサスペンジョンとして従来から用いら
れているポリイミド樹脂では、ポリイミド樹脂層を微細
パターン化するために光重合性基を導入した感光性ポリ
イミド樹脂を用いているが、伸び率が20%に満たず、
通常、10%以下であるので折り曲げ時にクラックが発
生し、本発明のような効果を発揮し得ないのである。な
お、本発明において伸び率とは、24〜26℃の温度下
でテンシロン式引張試験機(東洋ボールドウィン社製)
を用い、試験片の幅2mm、チャック間距離5mm、引
張速度5mm/分の条件下で測定した値であって、破断
時までの伸び(破断伸び)を初期長さで除した値であ
る。
That is, when the polyimide resin layer having an elongation of 20% or more is formed on a long stainless steel foil, it serves as an insulating layer between the upper conductive layer and the polyimide resin layer, so that the electric signal line can be freely designed. It is possible to do so sufficiently, and it is possible to freely bend the terminal portion of the signal line and connect it to another circuit. On the other hand, in the polyimide resin conventionally used for a circuit forming substrate or a circuit board, particularly a polyimide resin conventionally used as a suspension for a hard disk, a photopolymerizable group is used to form a fine pattern in the polyimide resin layer. Although the photosensitive polyimide resin introduced is used, the elongation rate is less than 20%,
Usually, since it is 10% or less, cracks are generated during bending, and the effects of the present invention cannot be exhibited. In the present invention, the term "elongation rate" means a tensilon tensile tester (manufactured by Toyo Baldwin Co., Ltd.) at a temperature of 24 to 26 ° C.
Is a value measured under the conditions of a test piece width of 2 mm, a chuck distance of 5 mm, and a pulling speed of 5 mm / min, and is a value obtained by dividing the elongation until break (break elongation) by the initial length.

【0028】なお、上記〔化9〕にて示される構造単位
を分子内に有する高伸び率のポリイミド樹脂のうち、特
に好ましい構造はR1 がビフェニル基であり、R2
1,4−ビス(フェノキシ)フェニレン基であるポリイ
ミド樹脂である。
Among the high-elongation polyimide resins having the structural unit represented by the above [Chemical Formula 9] in the molecule, a particularly preferred structure is where R 1 is a biphenyl group and R 2 is 1,4-bis. (Phenoxy) A polyimide resin having a phenylene group.

【0029】本発明において用いる上記ポリイミド樹脂
は、〔化7〕、〔化8〕または〔化9〕に示す構造単位
を分子内に有するものであって、線膨張係数または吸水
率が比較的小さいものや伸び率が比較的高いものである
が、線膨張係数、吸水率または伸び率の物性を大きく変
動させない範囲であれば他の構造単位、具体的には上記
1 やR2 以外の基を有するポリイミド樹脂を共重合し
たり、混合したりすることができることは云うまでもな
い。
The above-mentioned polyimide resin used in the present invention has the structural unit shown in [Chemical formula 7], [Chemical formula 8] or [Chemical formula 9] in the molecule and has a relatively small coefficient of linear expansion or water absorption. Or other structural unit having a relatively high elongation, but within a range that does not significantly change the physical properties of the linear expansion coefficient, the water absorption rate or the elongation rate, specifically, a group other than R 1 and R 2 described above. It goes without saying that a polyimide resin having a can be copolymerized or mixed.

【0030】本発明において上記ポリイミド樹脂層は、
長尺ステンレス箔の片面上もしくは両面上に形成する。
通常、ポリイミド樹脂の合成に際してはN−メチル−2
−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N
−ジメチルホルムアミド、1,3−ジメチル−2−イミ
ダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルフ
ィド、ジメチルスルホン、ピリジン、テトラメチルウレ
ア、ジグライム、トリグライム、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、シクロヘキサノン、ヘキサメチルホスホル
アミドなどの有機溶媒を用いてポリイミド前駆体溶液を
得る。次いで、これを長尺ステンレス箔上に塗布乾燥、
イミド化することによって3〜25μm厚、好ましくは
5〜20μm厚のポリイミド樹脂層を形成し、本発明の
回路形成用基板を得ることができる(図1(a)参
照)。ポリイミド樹脂層の厚みが3μmに満たない場合
には、耐電圧が低くて絶縁膜としての絶縁信頼性が低下
するようになったり、静電容量値が大きくなったりす
る。また、厚みが25μmを超えると、たとえ吸水率が
0.7重量%以下であったり、伸び率が20%以上であ
っても、残存応力が大きくなり反りが大きくなって所望
の効果を発揮し得ないことがある。
In the present invention, the polyimide resin layer is
It is formed on one side or both sides of a long stainless steel foil.
Normally, N-methyl-2 is used in the synthesis of polyimide resins.
-Pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N
-Dimethylformamide, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, dimethyl sulfoxide, dimethyl sulfide, dimethyl sulfone, pyridine, tetramethylurea, diglyme, triglyme, tetrahydrofuran,
An organic solvent such as dioxane, cyclohexanone or hexamethylphosphoramide is used to obtain a polyimide precursor solution. Next, this is applied and dried on a long stainless steel foil,
By imidizing, a polyimide resin layer having a thickness of 3 to 25 μm, preferably 5 to 20 μm can be formed to obtain the circuit-forming substrate of the present invention (see FIG. 1A). When the thickness of the polyimide resin layer is less than 3 μm, the withstand voltage is low and the insulation reliability of the insulating film is lowered, or the capacitance value is increased. When the thickness exceeds 25 μm, the residual stress becomes large and the warp becomes large even when the water absorption is 0.7% by weight or less or the elongation is 20% or more, and the desired effect is exhibited. You may not get it.

【0031】長尺ステンレス箔としてはフェライト系、
マルテンサイト系、オーステナイト系などを用いること
ができるが、耐腐食性や屈曲性、溶接性などに優れるオ
ーステナイト系が好適に用いられる。また、本発明にお
いて用いる長尺ステンレス箔とは、厚み10〜75μ
m、好ましくは厚み10〜40μm、さらに好ましくは
厚み20〜30μm程度であって、幅100〜300m
m、好ましくは幅110〜250mm程度、長さ10m
以上の箔状のものを示す。厚みが10μmに満たない場
合には機械的なダメージを受けやすく、また、厚みが4
0μmを超えると、ハードディスク用サスペンジョンの
バネ材として用いた場合に、浮動特性などに問題を生じ
て充分な特性が得られないことがあり好ましくない。
Ferrite-based stainless steel foil,
A martensite-based material, an austenitic-based material, or the like can be used, but an austenitic-based material that is excellent in corrosion resistance, flexibility, and weldability is preferably used. The long stainless steel foil used in the present invention has a thickness of 10 to 75 μm.
m, preferably 10 to 40 μm in thickness, more preferably about 20 to 30 μm in thickness and 100 to 300 m in width.
m, preferably about 110 to 250 mm in width and 10 m in length
The above foil-like thing is shown. If the thickness is less than 10 μm, it is susceptible to mechanical damage.
When it exceeds 0 μm, when it is used as a spring material for a suspension for a hard disk, a problem may occur in the floating characteristics and sufficient characteristics may not be obtained, which is not preferable.

【0032】このようにして得られる本発明の回路形成
用基板におけるポリイミド樹脂層は必要に応じてパター
ン加工が施される(図2(a)参照)。パターン加工を
施すには非感光性ポリイミド樹脂とフォトレジストとを
併用し、ヒドラジンなどによるウエットエッチングを施
したり、プラズマエッチングやレーザーエッチングなど
のドライエッチングを施すことによってパターンを形成
する方法や、ポジ型またはネガ型の感光性ポリイミド樹
脂を用いて直接パターン化する方法などが挙げられる。
これらの方法のうち、作業環境性や長尺物の処理に関す
るスループットの低さからは感光性ポリイミド樹脂を用
いることが好ましい。
The polyimide resin layer in the circuit-forming substrate of the present invention thus obtained is subjected to patterning as required (see FIG. 2 (a)). To perform pattern processing, a non-photosensitive polyimide resin and photoresist are used together, wet etching with hydrazine or the like, or a method of forming a pattern by performing dry etching such as plasma etching or laser etching, or a positive type Alternatively, a method of directly patterning with a negative photosensitive polyimide resin may be used.
Among these methods, it is preferable to use a photosensitive polyimide resin from the viewpoint of work environment and low throughput for processing long objects.

【0033】そして、ポリイミド樹脂層の上にクロム層
またはチタン層を介して、もしくは介さずに銅層を積層
して導体層が形成される(図1(b)および図2(b)
参照)。つまり、導体層はポリイミド樹脂層上にクロム
/銅層、チタン/銅層、銅層のうちの何れかの層を形成
してメタライズする。このようにして形成する導体層の
厚みは2〜20μm、好ましくは5〜15μmとするこ
とがインピーダンスの整合の点から好ましい。導体層の
形成方法としては、連続スパッタリング法によって前記
ポリイミド樹脂層上にクロム/銅層、または、チタン/
銅層、銅層を数百〜数千Å程度となるように形成し、引
き続いて銅を電解メッキすることによって上記厚み範囲
となるように厚付けする(図1(c)および図2(c)
参照)。スパッタリング法以外には、例えば電解メッキ
処理を行わずにEB蒸着法だけで導体層の形成を行うこ
ともできる。なお、接着信頼性の点から、必要に応じて
導体層上にクロム層やニッケル層を設けてもよい。
Then, a conductor layer is formed by laminating a copper layer on the polyimide resin layer with or without a chromium layer or titanium layer interposed therebetween (FIGS. 1B and 2B).
reference). That is, the conductor layer is metallized by forming one of a chromium / copper layer, a titanium / copper layer, and a copper layer on the polyimide resin layer. The conductor layer thus formed has a thickness of 2 to 20 μm, preferably 5 to 15 μm from the viewpoint of impedance matching. As a method of forming the conductor layer, a chromium / copper layer or a titanium / copper layer is formed on the polyimide resin layer by a continuous sputtering method.
A copper layer and a copper layer are formed so as to have a thickness of several hundred to several thousand Å, and copper is subsequently electrolytically plated so that the thickness is within the above range (FIG. 1 (c) and FIG. 2 (c). )
reference). Other than the sputtering method, for example, the conductor layer can be formed only by the EB vapor deposition method without performing the electrolytic plating treatment. From the viewpoint of adhesion reliability, a chromium layer or a nickel layer may be provided on the conductor layer, if necessary.

【0034】なお、図3(a)に示されるようにポリイ
ミド樹脂層をステンレス箔上に部分的に形成した場合に
は、上記導体層は露出する長尺ステンレス箔およびポリ
イミド樹脂層の上に図3(b)に示すように形成する。
When the polyimide resin layer is partially formed on the stainless steel foil as shown in FIG. 3A, the conductor layer is formed on the exposed long stainless steel foil and the polyimide resin layer. It is formed as shown in FIG.

【0035】以下に本発明の回路形成用基板および回路
基板を製造する方法の一例を具体的に説明する。
An example of the circuit-forming substrate and the method of manufacturing the circuit substrate of the present invention will be specifically described below.

【0036】まず、ポリイミド樹脂層を形成するために
用いるポリイミド前駆体を公知の方法によって調製し、
上記〔化7〕〜〔化9〕の何れかに記載の構造単位を含
むポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸の溶液
を得る。
First, a polyimide precursor used for forming a polyimide resin layer is prepared by a known method,
A solution of a polyamic acid that is a precursor of a polyimide resin containing the structural unit described in any of [Chemical Formula 7] to [Chemical Formula 9] is obtained.

【0037】次いで、このポリイミド前駆体(ポリアミ
ック酸)溶液をロールコータやコンマコータ、ナイフコ
ータ、ドクターブレードなどを用いて長尺ステンレス箔
上に塗布乾燥する。この場合、乾燥温度は60〜120
℃程度の温度として、溶媒である有機溶剤のみの除去を
行いポリイミド前駆体層を形成する。
Next, this polyimide precursor (polyamic acid) solution is applied and dried on a long stainless steel foil using a roll coater, comma coater, knife coater, doctor blade or the like. In this case, the drying temperature is 60 to 120.
At a temperature of about 0 ° C., only the organic solvent that is a solvent is removed to form a polyimide precursor layer.

【0038】形成したポリイミド前駆体層を所望形状に
パターン化する場合には、上記ポリイミド前駆体溶液の
塗布の前に、溶液中にジエチルアミノエチルメタクリレ
ートやミヒラーズケトンなどを添加して、ポリイミド前
駆体溶液に感光性を付与する。ジエチルアミノエチルメ
タクリレートを添加する場合には、ポリイミド前駆体の
固形分100重量部に対して5〜20重量部、好ましく
は10〜15重量部の範囲で含有されるように配合し、
また、ミヒラーズケトンを添加する場合には、ポリイミ
ド前駆体の固形分100重量部に対して2〜10重量
部、好ましくは2.5〜5重量部の範囲で含有されるよ
うに配合することが感光性の点から好ましい。配合量が
上限値を超えると感光剤の析出やイミド化時の膜厚の減
少が大きくなるおそれがある。
When the formed polyimide precursor layer is patterned into a desired shape, diethylaminoethyl methacrylate, Michler's ketone, or the like is added to the solution before applying the polyimide precursor solution to form a polyimide precursor solution. It imparts photosensitivity. When diethylaminoethyl methacrylate is added, it is blended so as to be contained in the range of 5 to 20 parts by weight, preferably 10 to 15 parts by weight, based on 100 parts by weight of the solid content of the polyimide precursor,
When Michler's ketone is added, it should be blended so as to be contained in the range of 2 to 10 parts by weight, preferably 2.5 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the solid content of the polyimide precursor. It is preferable from the viewpoint of sex. If the blending amount exceeds the upper limit, the deposition of the photosensitizer and the reduction of the film thickness during imidization may be large.

【0039】このようにして形成したポリイミド前駆体
層に所望のパターンを有するフォトマスクを介して光照
射を行うが、本発明では長尺物を用いているので連続長
尺露光機を使用する。次に、通常、現像液として用いら
れているN−メチル−2−ピロリドンなどを主成分とす
る現像液を用いて連続現像処理を行う。なお、環境衛生
や防爆性などの作業環境の点を考慮すると、現像液は有
機溶剤ではなく水溶液を用いて行うことが好ましい。
The polyimide precursor layer thus formed is irradiated with light through a photomask having a desired pattern. In the present invention, since a long product is used, a continuous long exposure machine is used. Next, continuous development processing is performed using a developing solution containing N-methyl-2-pyrrolidone as a main component, which is usually used as a developing solution. In consideration of the working environment such as environmental hygiene and explosion proof, it is preferable to use an aqueous solution as the developing solution instead of the organic solvent.

【0040】このような水溶液を現像液として用いるこ
とができる感光剤としては、特開平6−75376号公
報に記載の1,4−ジヒドロピリジン誘導体を感光剤と
して用いることが好ましく、また、必要に応じて公知の
増感剤を配合することもできる。このような感光剤の具
体的なものとして好適に使用できるものは、例えば2,
6−ジメチル−3,5−ジシアノ−4−(2'−ニトロ
フェニル)−1,4−ジヒドロピリジン、2,6−ジメ
チル−3,5−ジアセチル−4−(2'−ニトロフェニ
ル)−1,4−ジヒドロピリジン、2,6−ジメチル−
3,5−ジアセチル−4−(2',4'−ジニトロフェニ
ル)−1,4−ジヒドロピリジン、4−(2'−ニトロ
フェニル)−2,6−ジメチル−3,5−ジカルボメト
キシ−1,4−ジヒドロピリジンなどが挙げられる。こ
のような1,4−ジヒドロピリジン系の感光剤は紫外線
などの活性光線に曝される分子構造がピリジン骨格に変
化して、塩基性を有するようになる。そして、露光後に
約150〜190℃、好ましくは160〜180℃の加
熱処理によってさらに化学反応が進行して前記ポリイミ
ド前駆体との間で何らかの相互作用が生じてアルカリ水
溶液に対する溶解性が低下し、現像処理によって良好な
コントラストを有するネガ型パターンが得られる。現像
液としてのアルカリ水溶液としては水酸化ナトリウムや
水酸化カリウムなどの無機アルカリの水溶液、またはプ
ロピルアミン、ブチルアミン、モノエタノールアミン、
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、コリン
などの有機アルカリの水溶液を単独もしくは二種類以上
混合して用いることができる。高純度と汎用性の点か
ら、現像液としてはテトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイドを主成分とする水溶液を用いることが好まし
い。さらに、このアルカリ水溶液(現像液)には必要に
応じてアルコール類や界面活性剤を含有させることもで
きる。
As a photosensitizer capable of using such an aqueous solution as a developer, it is preferable to use a 1,4-dihydropyridine derivative described in JP-A- 6-75376 as a photosensitizer, and if necessary. Known sensitizers may be added. Specific examples of such sensitizers that can be suitably used include, for example, 2,
6-dimethyl-3,5-dicyano-4- (2'-nitrophenyl) -1,4-dihydropyridine, 2,6-dimethyl-3,5-diacetyl-4- (2'-nitrophenyl) -1, 4-dihydropyridine, 2,6-dimethyl-
3,5-Diacetyl-4- (2 ', 4'-dinitrophenyl) -1,4-dihydropyridine, 4- (2'-nitrophenyl) -2,6-dimethyl-3,5-dicarbomethoxy-1 , 4-dihydropyridine and the like. In such a 1,4-dihydropyridine-based photosensitizer, the molecular structure exposed to actinic rays such as ultraviolet rays changes to a pyridine skeleton and becomes basic. Then, after the exposure, a heat treatment at about 150 to 190 ° C., preferably 160 to 180 ° C. further advances a chemical reaction to cause some interaction with the polyimide precursor to lower the solubility in an alkaline aqueous solution, A negative pattern having a good contrast can be obtained by the development processing. As the alkaline aqueous solution as a developing solution, an aqueous solution of an inorganic alkaline such as sodium hydroxide or potassium hydroxide, or propylamine, butylamine, monoethanolamine,
Aqueous solutions of organic alkalis such as tetramethylammonium hydroxide and choline can be used alone or in admixture of two or more. From the viewpoint of high purity and versatility, it is preferable to use an aqueous solution containing tetramethylammonium hydroxide as a main component as the developing solution. Further, this alkaline aqueous solution (developing solution) may contain alcohols and surfactants, if necessary.

【0041】このような感光剤を用いた場合の配合量
は、形成されるポリイミド前駆体層中のポリイミド前駆
体の固形分100重量部に対して5〜70重量部、好ま
しくは15〜55重量部の範囲となるように配合する。
配合量が少ない場合には露光部の溶解阻止能が悪くな
り、溶解性コントラストが不鮮明となりやすく、また、
配合量が多すぎると溶液状態での保存において感光剤の
析出が生じたり、パターン形成後の加熱処理時での膜厚
減少が大きくなることがある。
When such a photosensitizer is used, the compounding amount is 5 to 70 parts by weight, preferably 15 to 55 parts by weight, relative to 100 parts by weight of the solid content of the polyimide precursor in the formed polyimide precursor layer. It is blended so as to be within the range of parts.
When the compounding amount is small, the dissolution inhibiting ability of the exposed area becomes poor, and the solubility contrast is liable to be unclear.
If the blending amount is too large, the photosensitizer may be precipitated during storage in a solution state or the film thickness may be greatly reduced during the heat treatment after pattern formation.

【0042】次いで、以上のようにしてポリイミド前駆
体層を長尺ステンレス箔上に形成した基板を約300℃
以上、好ましくは350℃以上に加熱してポリイミド前
駆体を脱水閉環してイミド化しポリイミド樹脂層にす
る。この際の加熱には熱風循環式加熱炉や遠赤外線加熱
炉などの装置を用いることができ、樹脂層の酸化劣化や
ステンレス箔の表面酸化を防止するためにはアルゴンや
窒素ガスのような不活性ガス雰囲気下または真空下で加
熱処理を行う。通常、酸素濃度を1容量%以下、好まし
くは0.1容量%以下となるようして加熱処理を行う。
Then, the substrate having the polyimide precursor layer formed on the long stainless steel foil as described above is heated to about 300.degree.
As described above, the polyimide precursor is heated to preferably 350 ° C. or higher to dehydrate and ring-close the polyimide precursor to imidize it to form a polyimide resin layer. A device such as a hot air circulation type heating furnace or a far infrared heating furnace can be used for heating at this time, and in order to prevent the oxidation deterioration of the resin layer and the surface oxidation of the stainless steel foil, a gas such as argon or nitrogen gas is used. Heat treatment is performed in an active gas atmosphere or in a vacuum. Usually, the heat treatment is performed so that the oxygen concentration is 1% by volume or less, preferably 0.1% by volume or less.

【0043】上記のようにしてステンレス箔の片面にポ
リイミド樹脂層を形成することができるが、ステンレス
箔の両面にポリイミド樹脂層を形成する場合には、上記
操作に引き続いて他面側にも同様の操作を行う。なお、
両面にポリイミド樹脂層を形成し、ポリイミド樹脂層が
パターン化されている場合には、ステンレス箔を介して
両面に形成するポリイミド樹脂パターンが対向するよう
にすることが、基板の反りや捩じれ防止の点から好まし
い。
Although the polyimide resin layer can be formed on one surface of the stainless steel foil as described above, when the polyimide resin layer is formed on both surfaces of the stainless steel foil, the same operation is performed on the other surface side after the above operation. Perform the operation. In addition,
When the polyimide resin layer is formed on both sides and the polyimide resin layer is patterned, it is possible to prevent the warp and twist of the substrate by making the polyimide resin patterns formed on both sides face each other via the stainless steel foil. It is preferable from the point.

【0044】本発明の回路形成用基板は上記のようにし
て得られるものであり、5〜200℃におけるポリイミ
ド樹脂層の平均線膨張係数(α1)と長尺ステンレス箔
の平均線膨張係数(α2)との差(n)が、一般的には
10〜60ppm程度であるが、本発明品の場合には−
5ppm〜5ppmの間になるように調整することによ
って、熱収縮などによる回路パターンのズレや基材自体
の反りを防止することができる。なお、1ppmとは1
×10-6、即ち1×10-4%を意味するものであり、本
発明における平均線膨張係数はサーマルメカニカルアナ
リシス法(TMA法)によって測定することができる。
The circuit-forming substrate of the present invention is obtained as described above, and has an average linear expansion coefficient (α1) of the polyimide resin layer at 5 to 200 ° C. and an average linear expansion coefficient (α2) of the long stainless steel foil. (N) is about 10 to 60 ppm, but in the case of the product of the present invention,
By adjusting so as to be in the range of 5 ppm to 5 ppm, it is possible to prevent the deviation of the circuit pattern and the warp of the base material itself due to thermal contraction. 1ppm means 1
It means x10 -6 , that is, 1x10 -4 %, and the average linear expansion coefficient in the present invention can be measured by a thermal mechanical analysis method (TMA method).

【0045】以上のようにして本発明の回路形成用基板
を得ることができるが、形成したポリイミド樹脂層の上
にさらに導電層を形成して回路形成用基板を作製する。
なお、導電層の形成方法は前記した通りである。
The circuit-forming board of the present invention can be obtained as described above. A circuit-forming board is prepared by further forming a conductive layer on the formed polyimide resin layer.
The method of forming the conductive layer is as described above.

【0046】また、このようにして得られた導電層を有
する回路形成用基板は、5〜200℃におけるポリイミ
ド樹脂層の平均線膨張係数(α1)と長尺ステンレス箔
の平均線膨張係数(α2)との差(n)、およびα1と
導体層の平均線膨張係数(α3)の差(m)が共に、−
5ppm〜5ppmの間になるように調整することが好
ましい。差(n)および差(m)が上記範囲を外れる
と、回路基板の反りを防止しがたくなって好ましくな
い。
The circuit-forming substrate having the conductive layer thus obtained has an average linear expansion coefficient (α1) of the polyimide resin layer at 5 to 200 ° C. and an average linear expansion coefficient (α2) of the long stainless steel foil. ), And the difference (m) between α1 and the average linear expansion coefficient (α3) of the conductor layer are both −
It is preferable to adjust it to be between 5 ppm and 5 ppm. When the difference (n) and the difference (m) are out of the above ranges, it is difficult to prevent the warp of the circuit board, which is not preferable.

【0047】このようにして得られる導電層を形成した
回路形成用基板を所望の細線パターンにエッチング処理
することによって、本発明の回路基板を得ることができ
る。特に、長尺ステンレス箔をハードディスク用のサス
ペンジョンに加工することによって、磁気ヘッドにおけ
るワイヤーレス回路基板とすることができる。
The circuit board of the present invention can be obtained by etching the circuit-forming board having the conductive layer thus obtained into a desired fine line pattern. In particular, by processing a long stainless steel foil into a suspension for a hard disk, a wireless circuit board for a magnetic head can be obtained.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上のように、本発明の回路形成用基板
は長尺ステンレス箔の片面もしくは両面に、ポリイミド
樹脂層を全面または部分的に形成し、さらにポリイミド
樹脂層の上に特定の導体層を形成している。
As described above, the circuit-forming substrate of the present invention has a polyimide resin layer formed entirely or partially on one or both sides of a long stainless steel foil, and further has a specific conductor on the polyimide resin layer. Forming layers.

【0049】特に、特定の構造単位を有するポリイミド
樹脂を用いることによって、ステンレス箔とポリイミド
樹脂層との線膨張係数を近似させたり、低吸水性にする
ことができ、反り現象を極力抑制することが可能とな
る。さらに、各種折り曲げ加工を行なっても絶縁層とし
てのポリイミド樹脂層にクラックなどが生じず、追従性
に優れるものである。
In particular, by using a polyimide resin having a specific structural unit, it is possible to approximate the linear expansion coefficient between the stainless steel foil and the polyimide resin layer or to reduce the water absorption, and suppress the warpage phenomenon as much as possible. Is possible. Furthermore, even if various bending processes are performed, the polyimide resin layer as an insulating layer is free from cracks and the like, and the followability is excellent.

【0050】従って、導体層を細線パターンなどに加工
処理してハードディスク用サスペンジョンなどの用途に
用いる場合にも寸法精度を高く維持でき、実用的に高密
度、高信頼性を有する回路形成用基板および回路基板を
提供できるという効果を奏するものである。
Therefore, even when the conductor layer is processed into a fine line pattern or the like to be used for suspension of a hard disk and the like, the dimensional accuracy can be kept high, and the circuit forming substrate having high density and high reliability for practical use can be obtained. This has the effect of providing a circuit board.

【0051】[0051]

【実施例】以下に本発明の実施例を示し、さらに具体的
に説明する。なお、以下の文中で部とあるのは全て重量
部を意味するものである。
EXAMPLES Examples of the present invention will be shown below and will be described more specifically. In the following text, "parts" means "parts by weight".

【0052】実施例1 ピロメリット酸二無水物と、4、4’−ジアミノジフェ
ニルエーテルの略等モルを、N−メチル−2−ピロリド
ン中で重合してポリイミド前駆体溶液を調製し、これを
長尺ステンレス箔(SUS304、25μm厚)の片面
にコンマコータを用いて均一に流延塗布し、約80℃で
乾燥した。
Example 1 Pyromellitic dianhydride and approximately equimolar amounts of 4,4'-diaminodiphenyl ether were polymerized in N-methyl-2-pyrrolidone to prepare a polyimide precursor solution, which was prepared for a long time. Using a comma coater, the cast stainless steel foil (SUS304, 25 μm thick) was uniformly cast on one side and dried at about 80 ° C.

【0053】次に、これを窒素ガス置換によって酸素濃
度を0.1容量%以下にした連続加熱炉中に入れ、最高
到達温度が400℃になるように加熱してポリイミド前
駆体層をイミド化し、長尺ステンレス箔の片面にポリイ
ミド樹脂層を有する回路形成用基板を作製した。
Next, this was placed in a continuous heating furnace having an oxygen concentration of 0.1% by volume or less by nitrogen gas substitution, and heated so that the maximum temperature reached was 400 ° C. to imidize the polyimide precursor layer. A circuit-forming substrate having a polyimide resin layer on one surface of a long stainless foil was produced.

【0054】次いで、得られた回路形成用基板の他面側
に、上記と同様にしてポリイミド樹脂層を形成して、長
尺ステンレス箔の両面にポリイミド樹脂層を有する本発
明の回路形成用基板を作製した。
Then, a polyimide resin layer is formed on the other surface side of the obtained circuit forming substrate in the same manner as described above, and the circuit forming substrate of the present invention having a polyimide resin layer on both surfaces of a long stainless foil. Was produced.

【0055】得られた回路形成用基板の断面を走査型電
子顕微鏡にて観察したところ、形成されているポリイミ
ド樹脂層の厚みは両面とも約5μmであった。また、こ
の基板は60℃の雰囲気下においても反りの現象は全く
見られず、室温下と同等であった。
When the cross section of the obtained circuit-forming substrate was observed with a scanning electron microscope, the thickness of the formed polyimide resin layer was about 5 μm on both sides. Further, this substrate showed no warp phenomenon even in an atmosphere of 60 ° C., which was equivalent to that at room temperature.

【0056】実施例2 実施例1において調製したポリイミド前駆体溶液にジエ
チルアミノエチルメタクリレートを前駆体固形分100
部に対して15部、さらにミヒラーズケトンを3部配合
して感光性を付与したのち、実施例1と同様の方法によ
ってステンレス箔(SUS304、25μm厚)上に均
一に流延塗布し、乾燥した。
Example 2 Diethylaminoethyl methacrylate was added to the polyimide precursor solution prepared in Example 1 to obtain a precursor solid content of 100.
After adding 15 parts to each part and 3 parts of Michler's ketone to impart photosensitivity, the solution was uniformly cast onto a stainless steel foil (SUS304, 25 μm thick) by the same method as in Example 1 and dried.

【0057】次に、所望のパターンを有するフォトマス
クを介して光照射(波長400nm以上の光で1000
mJ/cm2 )を行なったのち、N−メチル−2−ピロ
リドンを用いて現像処理を行ない、所望パターンを有す
るポリイミド前駆体層を形成した。
Next, light irradiation (light having a wavelength of 400 nm or more is performed through a photomask having a desired pattern, 1000
mJ / cm 2 ) and then development treatment using N-methyl-2-pyrrolidone to form a polyimide precursor layer having a desired pattern.

【0058】次いで、これを実施例1と同様の方法でイ
ミド化して長尺ステンレス箔の片面にパターン化された
ポリイミド樹脂層を有する回路形成用基板を作製した。
Then, this was imidized in the same manner as in Example 1 to prepare a circuit-forming substrate having a patterned polyimide resin layer on one surface of a long stainless steel foil.

【0059】このようにして得られた回路形成用基板の
他面側に、上記と同様にしてパターン化されたポリイミ
ド樹脂層を形成して、長尺ステンレス箔の両面にパター
ン化されたポリイミド樹脂層を有する本発明の回路形成
用基板を作製した。なお、ステンレス箔を介して両面に
形成するポリイミド樹脂パターンを対向する位置に形成
するために、ステンレス箔の一部に位置合わせ用の孔を
予め形成しておき、アライメントを正確に行なった。
On the other surface side of the circuit-forming substrate thus obtained, a patterned polyimide resin layer was formed in the same manner as above, and the patterned polyimide resin layer was formed on both surfaces of the long stainless steel foil. A circuit-forming substrate of the present invention having a layer was produced. In addition, in order to form the polyimide resin patterns formed on both sides via the stainless steel foil at the opposite positions, a hole for alignment was previously formed in a part of the stainless steel foil, and the alignment was accurately performed.

【0060】得られた回路形成用基板の断面を走査型電
子顕微鏡にて観察したところ、形成されているポリイミ
ド樹脂層の厚みは両面とも約5μmであり、両面のパタ
ーンの位置ずれは10cm幅で±10μmであった。ま
た、この基板は60℃の雰囲気下においても反りの現象
は全く見られず、室温下と同等であった。
When the cross section of the obtained circuit-forming substrate was observed with a scanning electron microscope, the thickness of the formed polyimide resin layer was about 5 μm on both sides, and the positional deviation of the patterns on both sides was 10 cm. It was ± 10 μm. Further, this substrate showed no warp phenomenon even in an atmosphere of 60 ° C., which was equivalent to that at room temperature.

【0061】実施例3 実施例1におけるピロメリット酸二無水物の代わりに、
3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物を用いた以外は、実施例1と同様にして長尺ス
テンレス箔の両面にポリイミド樹脂層を有する本発明の
回路形成用基板を作製した。
Example 3 Instead of the pyromellitic dianhydride in Example 1,
A circuit-forming substrate of the present invention having a polyimide resin layer on both surfaces of a long stainless steel foil was prepared in the same manner as in Example 1 except that 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride was used. It was made.

【0062】この基板の断面を実施例1を同様に走査型
電子顕微鏡にて観察したところ、形成されているポリイ
ミド樹脂層の厚みは両面ともに約5μmであり、実施例
1と同様に60℃の雰囲気下においても反りの現象は全
く見られなかった。つまり、本発明の構造を有する回路
形成用基板は、ポリイミド樹脂の種類が異なっても反り
の現象を示さないことから、材料選択性がないことが判
明した。
When the cross section of this substrate was observed by a scanning electron microscope in the same manner as in Example 1, the thickness of the polyimide resin layer formed was about 5 μm on both sides, and the thickness was 60 ° C. as in Example 1. No warp phenomenon was observed even in the atmosphere. That is, the circuit-forming substrate having the structure of the present invention does not exhibit the phenomenon of warpage even if the type of polyimide resin is different, and thus it has been found that there is no material selectivity.

【0063】実施例4 実施例1にて調製したポリイミド前駆体溶液に、4−
(2’−ニトロフェニル)−2,6,−ジメチル−3,
5−ジカルボメトキシ−1,4−ジヒドロピリジン(慣
用名:ニフェジピン)を、前駆体固形分100部に対し
て30部配合して感光性を付与したのち、実施例1と同
様な方法で長尺ステンレス箔(SUS304、30μm
厚)上に均一に流延塗布し、80℃で乾燥した。
Example 4 The polyimide precursor solution prepared in Example 1 was treated with 4-
(2'-nitrophenyl) -2,6, -dimethyl-3,
30 parts of 5-dicarbomethoxy-1,4-dihydropyridine (conventional name: nifedipine) was added to 100 parts of the precursor solid content to impart photosensitivity, and then long-sized was prepared in the same manner as in Example 1. Stainless foil (SUS304, 30 μm
(Thickness) was uniformly cast and applied, and dried at 80 ° C.

【0064】次に、所望のパターンを有するフォトマス
クを介して光照射(波長360〜440nm、照射エネ
ルギー500mJ/cm2 )を行なったのち、さらに1
60℃で加熱処理を行なった。そののち、5重量%テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液/エチ
ルアルコール(2/1容量比)の混合溶液を現像液とし
て40℃で現像処理を行ない、水洗、乾燥して所望パタ
ーンを有するポリイミド前駆体層を形成した。
Next, light irradiation (wavelength 360 to 440 nm, irradiation energy 500 mJ / cm 2 ) was performed through a photomask having a desired pattern, and then 1 more.
Heat treatment was performed at 60 ° C. Then, a mixed solution of a 5% by weight tetramethylammonium hydroxide aqueous solution / ethyl alcohol (2/1 volume ratio) is used as a developing solution, and development processing is performed at 40 ° C., followed by washing with water and drying to obtain a polyimide precursor layer having a desired pattern. Was formed.

【0065】次いで、これをバッチ雰囲気加熱炉中、真
空状態(0.1torr)で最高到達温度が380℃に
なるように加熱してポリイミド前駆体層をイミド化し、
長尺ステンレス箔の片面にパターン化されたポリイミド
樹脂層(約5μm厚)を有する本発明の回路形成用基板
を作製した。
Next, this was heated in a batch atmosphere heating furnace in a vacuum state (0.1 torr) so that the maximum temperature reached was 380 ° C. to imidize the polyimide precursor layer,
A circuit-forming substrate of the present invention having a polyimide resin layer (about 5 μm thick) patterned on one surface of a long stainless foil was prepared.

【0066】得られたパターンは正テーパーの良好な形
状を有しており、前記実施例2と同様に両面に同じパタ
ーンのポリイミド樹脂層を形成しても反り現象が観察さ
れなかった。
The obtained pattern had a good positive taper shape, and no warpage phenomenon was observed even when the polyimide resin layers having the same pattern were formed on both surfaces as in Example 2.

【0067】実施例5 上記実施例4にて得た長尺ステンレス箔の片面にパター
ン化されたポリイミド樹脂層(約5μm厚)を有する回
路形成用基板を、長尺スパッタリング装置にてクロム、
銅を連続的に同一バッチ内でメタライジング処理した。
次いで、ポリイミド樹脂層を形成していない他面側のス
テンレス面にも同様にメタライジング処理した。この際
に、走査型電子顕微鏡による断面観察を行なったとこ
ろ、両面共にクロム層が500Å、銅層が1000Åで
あった。
Example 5 A circuit-forming substrate having a patterned polyimide resin layer (thickness of about 5 μm) on one surface of the long stainless steel foil obtained in the above-mentioned Example 4 was placed on a long sputtering apparatus to form chromium,
Copper was continuously metallized in the same batch.
Then, the other stainless steel surface on which the polyimide resin layer was not formed was similarly metalized. At this time, when a cross-section was observed with a scanning electron microscope, it was found that the chromium layer was 500Å and the copper layer was 1000Å on both surfaces.

【0068】次いで、スパッタリング膜の活性が低下し
ないように、スパッタリング処理後1時間以内に電解メ
ッキ処理を行なって銅層をさらに形成し、導体層を有す
る回路形成用基板を作製した。得られたメッキ膜を触針
式表面粗さ計にて測定した結果、10cm角幅で9〜1
0μmの厚みを有し、9μm±10%の膜厚精度を有す
るものであった。また、この基板も反りの現象がほとん
ど見られないことから、導体層を加工処理して回路基板
を作製する場合、高い寸法精度が確保されることが判っ
た。
Next, in order to prevent the activity of the sputtering film from decreasing, electrolytic plating treatment was carried out within 1 hour after the sputtering treatment to further form a copper layer to prepare a circuit-forming substrate having a conductor layer. The obtained plating film was measured with a stylus type surface roughness meter, and as a result, it was 9 to 1 with a 10 cm square width.
It had a thickness of 0 μm and a film thickness accuracy of 9 μm ± 10%. Further, since the phenomenon of warpage is hardly seen in this substrate, it has been found that high dimensional accuracy is ensured when the conductor layer is processed to produce a circuit board.

【0069】実施例6 ピロメリット酸二無水物と、4、4’−ジアミノジフェ
ニルエーテル/パラミン(15/85モル%)の略等モ
ルを、N−メチル−2−ピロリドン中で重合してポリイ
ミド前駆体溶液を調製し、このポリイミド前駆体溶液に
ジエチルアミノエチルメタクリレートを前駆体固形分1
00部に対して15部、さらにミヒラーズケトンを3部
配合して感光性を付与したのち、実施例1と同様の方法
によってステンレス箔(SUS304、25μm厚)上
に均一に流延塗布し、乾燥した。
Example 6 Pyromellitic dianhydride and approximately equimolar amounts of 4,4'-diaminodiphenyl ether / paramine (15/85 mol%) were polymerized in N-methyl-2-pyrrolidone to prepare a polyimide precursor. Body solution is prepared, and diethylaminoethyl methacrylate is added to this polyimide precursor solution as a precursor solid content 1
After blending 15 parts with respect to 00 parts and further 3 parts of Michler's ketone to impart photosensitivity, the solution was uniformly cast-coated on a stainless steel foil (SUS304, 25 μm thick) by the same method as in Example 1 and dried. .

【0070】次に、所望のパターンを有するフォトマス
クを介して光照射(波長400nm以上の光で1000
mJ/cm2 )を行なったのち、N−メチル−2−ピロ
リドンを用いて現像処理を行ない、ステンレス箔上の必
要な部分にのみ所望パターンを有するポリイミド前駆体
層を形成した。
Next, light is irradiated through a photomask having a desired pattern (1000 with light having a wavelength of 400 nm or more.
mJ / cm 2 ) and then development using N-methyl-2-pyrrolidone to form a polyimide precursor layer having a desired pattern only on a necessary portion on the stainless steel foil.

【0071】次いで、これを実施例1と同様の方法でイ
ミド化して長尺ステンレス箔の片面にパターン化された
ポリイミド樹脂層を有する回路形成用基板を作製した。
Then, this was imidized in the same manner as in Example 1 to prepare a circuit-forming substrate having a patterned polyimide resin layer on one surface of a long stainless steel foil.

【0072】得られた回路形成用基板の断面を走査型電
子顕微鏡にて観察したところ、形成されているポリイミ
ド樹脂層の厚みは約5μmであった。また、この基板は
60℃の雰囲気下においても反りの現象は全く見られ
ず、室温下と同等であった。
When a cross section of the obtained circuit-forming substrate was observed with a scanning electron microscope, the thickness of the formed polyimide resin layer was about 5 μm. Further, this substrate showed no warp phenomenon even in an atmosphere of 60 ° C., which was equivalent to that at room temperature.

【0073】実施例7 実施例6におけるピロメリット酸二無水物の代わりに、
3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物を用いてポリイミド前駆体溶液を調製し、感光
剤としてのミヒラーズケトンの配合量を10部とした以
外は、実施例6と同様にして長尺ステンレス箔の片面に
ポリイミド樹脂層を有する本発明の回路形成用基板を作
製した。
Example 7 Instead of pyromellitic dianhydride in Example 6,
A polyimide precursor solution was prepared using 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride, and the same as in Example 6 except that the compounding amount of Michler's ketone as a photosensitizer was changed to 10 parts. As a result, a circuit-forming substrate of the present invention having a polyimide resin layer on one surface of a long stainless foil was produced.

【0074】この基板の断面を実施例1と同様に走査型
電子顕微鏡にて観察したところ、形成されているポリイ
ミド樹脂層の厚みは約5μmであり、実施例6と同様に
60℃の雰囲気下においても反りの現象を全く見られな
かった。つまり、本発明の構造を有する回路形成用基板
はポリイミド樹脂の種類が異なっても反り現象を示さな
いことから、材料選択性がないことが明らかである。
When the cross section of this substrate was observed with a scanning electron microscope in the same manner as in Example 1, the thickness of the polyimide resin layer formed was about 5 μm. No warp phenomenon was observed even in. That is, it is clear that the circuit-forming substrate having the structure of the present invention does not show the warp phenomenon even if the kind of the polyimide resin is different, and therefore has no material selectivity.

【0075】実施例8 実施例6にて調製したポリイミド前駆体溶液に、4−
(2’−ニトロフェニル)−2,6,−ジメチル−3,
5−ジカルボメトキシ−1,4−ジヒドロピリジン(慣
用名:ニフェジピン)を、前駆体固形分100部に対し
て30部配合して感光性を付与したのち、実施例1と同
様な方法で長尺ステンレス箔(SUS304、30μm
厚)上に均一に流延塗布し、80℃で乾燥した。
Example 8 The polyimide precursor solution prepared in Example 6 was treated with 4-
(2'-nitrophenyl) -2,6, -dimethyl-3,
30 parts of 5-dicarbomethoxy-1,4-dihydropyridine (conventional name: nifedipine) was added to 100 parts of the precursor solid content to impart photosensitivity, and then long-sized was prepared in the same manner as in Example 1. Stainless foil (SUS304, 30 μm
(Thickness) was uniformly cast and applied, and dried at 80 ° C.

【0076】次に、所望のパターンを有するフォトマス
クを介して光照射(波長360〜440nm、照射エネ
ルギー500mJ/cm2 )を行なったのち、さらに1
60℃で加熱処理を行なった。そののち、5重量%テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液/エチ
ルアルコール(2/1容量比)の混合溶液を現像液とし
て40℃で現像処理を行ない、水洗、乾燥して所望パタ
ーンを有するポリイミド前駆体層を形成した。
Next, light irradiation (wavelength 360 to 440 nm, irradiation energy 500 mJ / cm 2 ) was performed through a photomask having a desired pattern, and then 1 more.
Heat treatment was performed at 60 ° C. Then, a mixed solution of a 5% by weight tetramethylammonium hydroxide aqueous solution / ethyl alcohol (2/1 volume ratio) is used as a developing solution, and development processing is performed at 40 ° C., followed by washing with water and drying to obtain a polyimide precursor layer having a desired pattern. Was formed.

【0077】次いで、これをバッチ雰囲気加熱炉中、真
空状態(0.1torr)で最高到達温度が380℃に
なるように加熱してポリイミド前駆体層をイミド化し、
長尺ステンレス箔の片面にパターン化されたポリイミド
樹脂層(約5μm厚)を有する本発明の回路形成用基板
を作製した。
Then, this was heated in a batch atmosphere heating furnace in a vacuum state (0.1 torr) so that the maximum temperature reached was 380 ° C. to imidize the polyimide precursor layer,
A circuit-forming substrate of the present invention having a polyimide resin layer (about 5 μm thick) patterned on one surface of a long stainless foil was prepared.

【0078】得られたパターンは正テーパーの良好な形
状を有しており、また、基板には反り現象が観察されな
かった。
The obtained pattern had a good positive taper shape, and no warp phenomenon was observed on the substrate.

【0079】実施例9 上記実施例6におけるピロメリット酸二無水物の代わり
に、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物を用い、また、ジアミン成分を4,4’−ジア
ミノジフェニルエーテル20モル%とパラミン80モル
%の混合物に置換してポリイミド前駆体溶液を調製し
た。
Example 9 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride was used in place of the pyromellitic dianhydride in the above Example 6, and the diamine component was 4,4 ′. A polyimide precursor solution was prepared by substituting a mixture of 20 mol% of diaminodiphenyl ether and 80 mol% of paramine.

【0080】このポリイミド前駆体溶液をパターン形成
後のキュアー(イミド化)における最高到達温度が42
0℃とした以外は実施例8と同様にして、長尺ステンレ
ス箔の片面にパターン化されたポリイミド樹脂層(約5
μm厚)を有する本発明の回路形成用基板を作製した。
The maximum attainable temperature in curing (imidization) after pattern formation of this polyimide precursor solution was 42.
In the same manner as in Example 8 except that the temperature was 0 ° C., a patterned polyimide resin layer (about 5
A circuit-forming substrate of the present invention having a thickness of μm) was produced.

【0081】得られた回路形成用基板におけるα1は1
8ppm、α2は17.3ppmであり、これらの差
(n)は0.7ppmであった。
Α1 in the obtained circuit-forming substrate is 1
8 ppm and α2 were 17.3 ppm, and the difference (n) between them was 0.7 ppm.

【0082】実施例10 上記実施例9にて得た長尺ステンレス箔の片面にパター
ン化されたポリイミド樹脂層(約5μm厚)を有する回
路形成用基板を、長尺スパッタリング装置にてクロム、
銅を連続的に同一バッチ内でメタライジング処理した。
次いで、ポリイミド樹脂層を形成していない他面側のス
テンレス面にも同様にメタライジング処理した。この際
に、走査型電子顕微鏡による断面観察を行なったとこ
ろ、両面ともにクロム層が500Å、銅層が1000Å
であった。
Example 10 A circuit forming substrate having a patterned polyimide resin layer (thickness of about 5 μm) on one surface of the long stainless steel foil obtained in the above-mentioned Example 9 was placed on a long sputtering apparatus to form chromium,
Copper was continuously metallized in the same batch.
Then, the other stainless steel surface on which the polyimide resin layer was not formed was similarly metalized. At this time, when a cross-section was observed with a scanning electron microscope, the chromium layer was 500Å and the copper layer was 1000Å on both sides.
Met.

【0083】次いで、スパッタリング膜の活性が低下し
ないように、スパッタリング処理後1時間以内に電解メ
ッキ処理を行なって銅層をさらに形成し、導体層を有す
る回路形成用基板を作製した。得られたメッキ膜を触針
式表面粗さ計にて測定した結果、10cm角幅で9〜1
0μmの厚みを有し、9μm±10%の膜厚精度を有す
るものであった。また、この基板も反りの現象がほとん
ど見られないことから、導体層を加工処理して回路基板
を作製する場合、高い寸法精度が確保されることが判っ
た。なお、α1は18ppm、α2は17.3ppm、
α3は18ppmであり、これらの差(n)は0.7p
pm、差(m)は0ppmであった。
Next, in order to prevent the activity of the sputtering film from decreasing, electrolytic plating treatment was performed within 1 hour after the sputtering treatment to further form a copper layer, and a circuit-forming substrate having a conductor layer was prepared. The obtained plating film was measured with a stylus type surface roughness meter, and as a result, it was 9 to 1 with a 10 cm square width.
It had a thickness of 0 μm and a film thickness accuracy of 9 μm ± 10%. Further, since the phenomenon of warpage is hardly seen in this substrate, it has been found that high dimensional accuracy is ensured when the conductor layer is processed to produce a circuit board. Note that α1 is 18 ppm, α2 is 17.3 ppm,
α3 is 18 ppm, and the difference (n) between them is 0.7 p
The pm and difference (m) were 0 ppm.

【0084】比較例1 実施例6にて用いたパラミンを全て4,4’−ジアミノ
ジフェニルエーテルに置換した以外は、実施例6と同様
にして回路形成用基板を作製した。
Comparative Example 1 A circuit-forming substrate was prepared in the same manner as in Example 6 except that all of the paramine used in Example 6 was replaced with 4,4'-diaminodiphenyl ether.

【0085】その結果、ステンレス箔の裏側には表面の
ポリイミド樹脂層の形がハッキリと現れており、ポリイ
ミド樹脂層とステンレス箔との間に大きな応力が存在し
ていることが明らかとなった。この際のα1は35pp
m,α2は17.3ppmであり、これらの差(n)は
17.7ppmであった。
As a result, the shape of the polyimide resin layer on the back surface of the stainless steel foil clearly appeared, and it was revealed that a large stress existed between the polyimide resin layer and the stainless steel foil. At this time, α1 is 35 pp
m and α2 were 17.3 ppm, and the difference (n) between them was 17.7 ppm.

【0086】比較例2 実施例6におけるアミン成分を、前記〔化7〕における
2 の例示の上段左から3つ目の芳香族基(ジフェニル
基の2,2’−位にトリフルオロメチル基を有する芳香
族基)に全て代えた以外は、実施例6と同様にして回路
形成用基板を作製した。
Comparative Example 2 The amine component in Example 6 was replaced with the aromatic group (trifluoromethyl group at the 2,2'-position of the diphenyl group) located at the third position from the left in the upper row of R 2 in the above [Chemical formula 7]. A circuit-forming substrate was produced in the same manner as in Example 6, except that all of the aromatic groups having

【0087】その結果、基板はステンレス箔側に反りを
生じていた。この際のα1は−7ppm,α2は17.
3ppmであり、これらの差(n)は−24.3ppm
であった。
As a result, the substrate was warped on the stainless steel foil side. At this time, α1 is -7 ppm and α2 is 17.
3 ppm, and the difference (n) between them is −24.3 ppm
Met.

【0088】実施例11 ピロメリット酸二無水物/5,5’−〔2,2,2−ト
リフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチリデン〕
ビス−1,3−イソベンゾフランジオンと、4,4’−
ジアミノジフェニルエーテル/4,4’−ジメチル−
3,3’−ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパン
の略等モルを、N−メチル−2−ピロリドン中で重合し
てポリイミド前駆体溶液を調製し、これにジエチルアミ
ノエチルメタクリレートを前駆体固形分100部に対し
て15部、さらにミヒラーズケトンを3部配合して感光
液を調製した。
Example 11 Pyromellitic dianhydride / 5,5 '-[2,2,2-trifluoro-1- (trifluoromethyl) ethylidene]
Bis-1,3-isobenzofurandione and 4,4'-
Diaminodiphenyl ether / 4,4'-dimethyl-
An approximately equimolar amount of 3,3′-diaminodiphenylhexafluoropropane was polymerized in N-methyl-2-pyrrolidone to prepare a polyimide precursor solution, and diethylaminoethyl methacrylate was added to 100 parts of the precursor solid content. 15 parts, and further 3 parts of Michler's ketone were blended to prepare a photosensitive solution.

【0089】このようにして得られた感光液を長尺ステ
ンレス箔(SUS304、25μm厚)の片面にコンマ
コータを用いて均一に流延塗布し、約80℃で乾燥して
感光性を有するポリイミド前駆体層を形成した。
The photosensitive solution thus obtained was uniformly cast-coated on one surface of a long stainless steel foil (SUS304, 25 μm thick) using a comma coater and dried at about 80 ° C. to obtain a photosensitive polyimide precursor. A body layer was formed.

【0090】次に、所望のパターンを有するフォトマス
クを介してポリイミド前駆体層側から光照射(波長36
5nm以上の光で1000mJ/cm2 )を行ったの
ち、N−メチル−2−ピロリドンを用いて現像処理を行
い、長尺ステンレス箔上に所望パターンを有するポリイ
ミド前駆体層を形成した。
Next, light irradiation (wavelength: 36) from the polyimide precursor layer side is performed through a photomask having a desired pattern.
After performing 1000 mJ / cm 2 ) with light of 5 nm or more, development processing was performed using N-methyl-2-pyrrolidone to form a polyimide precursor layer having a desired pattern on a long stainless steel foil.

【0091】次に、これを窒素ガス置換によって酸素濃
度を0.1容量%以下にした連続加熱炉中に入れ、最高
到達温度が400℃になるように加熱してポリイミド前
駆体層をイミド化し、長尺ステンレス箔の片面にポリイ
ミド樹脂層を有する回路形成用基板を作製した。
Next, this was placed in a continuous heating furnace having an oxygen concentration of 0.1% by volume or less by nitrogen gas substitution, and heated so that the maximum temperature reached was 400 ° C. to imidize the polyimide precursor layer. A circuit-forming substrate having a polyimide resin layer on one surface of a long stainless foil was produced.

【0092】得られた回路形成用基板の断面を走査型電
子顕微鏡にて観察したところ、形成されているポリイミ
ド樹脂層の厚みは約5μmであった。また、この基板を
85℃×85%R.H.雰囲気下に100時間放置した
ときのポリイミド樹脂層の吸水率は約0.5重量%であ
った。このときのポリイミド樹脂層の伸びは約0.1%
で実質的な伸びはなく、吸水前後での形状変化はなく、
反り現象が観察されなかった。
When the cross section of the obtained circuit-forming substrate was observed with a scanning electron microscope, the thickness of the formed polyimide resin layer was about 5 μm. Further, this substrate was subjected to 85 ° C. × 85% R. H. The water absorption of the polyimide resin layer when left in the atmosphere for 100 hours was about 0.5% by weight. The elongation of the polyimide resin layer at this time is about 0.1%
No substantial elongation, no change in shape before and after water absorption,
No warpage phenomenon was observed.

【0093】実施例12 実施例11におけるピロメリット酸二無水物の代わり
に、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物を用い、ミヒラーズケトンの配合量を10
部とした以外は、実施例11と同様にして長尺ステンレ
ス箔の片面にポリイミド樹脂層を有する本発明の回路形
成用基板を作製した。
Example 12 In place of the pyromellitic dianhydride in Example 11, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride was used, and the compounding amount of Michler's ketone was 10%.
A circuit-forming substrate of the present invention having a polyimide resin layer on one surface of a long stainless foil was produced in the same manner as in Example 11 except that the parts were formed.

【0094】この基板のポリイミド樹脂層の吸水率は約
0.5重量%で伸びは約10%であった。また、吸水前
後での形状変化(反り現象)もほとんど観察されなかっ
た。つまり、本発明の構造を有する回路形成用基板はポ
リイミド樹脂の種類が異なっても反り現象を示さないこ
とから、材料選択性がないことが判明した。
The polyimide resin layer of this substrate had a water absorption of about 0.5% by weight and an elongation of about 10%. Further, almost no change in shape (warpage phenomenon) was observed before and after water absorption. That is, the circuit-forming substrate having the structure of the present invention does not exhibit a warp phenomenon even if the type of the polyimide resin is different, and thus it has been proved that there is no material selectivity.

【0095】実施例13 実施例11にて調製したポリイミド前駆体溶液に、ジエ
チルアミノエチルメタクリレートおよびミヒラーズケト
ンの代わりに感光剤としての4−(2’−ニトロフェニ
ル)−2,6−ジメチル−3,5−ジカルボメトキシ−
1,4−ジヒドロピリジン(慣用名:ニフェジピン)
を、前駆体固形分100部に対して30部配合して感光
性を付与したのち、実施例11と同様な方法で長尺ステ
ンレス箔(SUS304、30μm厚)上に均一に流延
塗布し、80℃で乾燥した。
Example 13 To the polyimide precursor solution prepared in Example 11, 4- (2'-nitrophenyl) -2,6-dimethyl-3,5 as a photosensitizer was used instead of diethylaminoethyl methacrylate and Michler's ketone. -Dicarbomethoxy-
1,4-dihydropyridine (conventional name: nifedipine)
Was blended with 30 parts per 100 parts of the precursor solid content to impart photosensitivity, and then uniformly cast onto a long stainless steel foil (SUS304, 30 μm thick) in the same manner as in Example 11. It was dried at 80 ° C.

【0096】次に、所望のパターンを有するフォトマス
クを介して光照射(波長360〜440nm、照射エネ
ルギー500mJ/cm2 )を行ったのち、さらに16
0℃で加熱処理を行った。そののち、5重量%テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液/エチルア
ルコール(2/1容量比)の混合溶液を現像液として4
0℃で現像処理を行い、水洗、乾燥を行って所望パター
ンを有するポリイミド前駆体層を形成した。
Next, light irradiation (wavelength 360 to 440 nm, irradiation energy 500 mJ / cm 2 ) was performed through a photomask having a desired pattern, and then 16 more.
Heat treatment was performed at 0 ° C. After that, a mixed solution of 5% by weight tetramethylammonium hydroxide aqueous solution / ethyl alcohol (2/1 volume ratio) was used as a developing solution to prepare 4
A development treatment was performed at 0 ° C., followed by washing with water and drying to form a polyimide precursor layer having a desired pattern.

【0097】次いで、これをバッチ雰囲気加熱炉中、真
空状態(0.1torr)で最高到達温度が380℃に
なるように加熱してポリイミド前駆体層をイミド化し、
長尺ステンレス箔の片面にパターン化されたポリイミド
樹脂層(約5μm厚)を有する本発明の回路形成用基板
を作製した。
Then, this was heated in a batch atmosphere heating furnace in a vacuum state (0.1 torr) so that the maximum temperature reached was 380 ° C. to imidize the polyimide precursor layer,
A circuit-forming substrate of the present invention having a polyimide resin layer (about 5 μm thick) patterned on one surface of a long stainless foil was prepared.

【0098】得られたパターンは正テーパーの良好な形
状を有しており、吸水率は0.6重量%であり、上記各
実施例と同様に吸水前後での形状変化(反り現象)は観
察されなかった。
The obtained pattern had a good shape with a positive taper, the water absorption rate was 0.6% by weight, and the shape change (warp phenomenon) before and after water absorption was observed as in each of the above Examples. Was not done.

【0099】実施例14 上記実施例13にて得た長尺ステンレス箔の片面にパタ
ーン化されたポリイミド樹脂層(約5μm厚)を有する
回路形成用基板を、長尺スパッタリング装置にてクロ
ム、銅を連続的に同一バッチ内でメタライジング処理し
た。この時、走査型電子顕微鏡による断面観察を行った
ところ、クロム層が500Å、銅層1000Åであっ
た。
Example 14 A circuit forming substrate having a patterned polyimide resin layer (thickness of about 5 μm) on one surface of the long stainless steel foil obtained in the above-mentioned Example 13 was placed on a long sputtering apparatus to obtain chromium and copper. Were continuously metallized in the same batch. At this time, when a cross-section was observed with a scanning electron microscope, the chromium layer was 500Å and the copper layer was 1000Å.

【0100】次いで、スパッタリング膜の活性が低下し
ないように、スパッタリング処理後1時間以内に連続銅
電解メッキ処理を行って銅層をさらに形成し、導体層を
有する回路形成用基板を作製した。得られたメッキ膜を
触針式表面粗さ計にて測定した結果、10cm角幅で9
〜10μmの厚みを有し、9μm±10%の膜厚精度を
有するものであった。
Next, in order to prevent the activity of the sputtering film from decreasing, continuous copper electrolytic plating treatment was performed within 1 hour after the sputtering treatment to further form a copper layer, and a circuit forming substrate having a conductor layer was prepared. The obtained plated film was measured with a stylus type surface roughness meter, and as a result, it was 9 cm in 10 cm square width.
It had a thickness of 10 μm and a film thickness accuracy of 9 μm ± 10%.

【0101】得られた基板はプレッシャークッカードテ
ストの条件下(121℃/2気圧)でも反り現象がほと
んど見られないことから、導体層を加工処理して回路基
板を作製する場合、高い寸法精度が確保されることが判
った。
Since the obtained board hardly shows a warp phenomenon even under the condition of pressure cooker test (121 ° C./2 atmosphere), when the conductor layer is processed to produce a circuit board, high dimensional accuracy is obtained. It was found that

【0102】比較例3 実施例11におけるポリイミド前駆体合成に用いたモノ
マーを、ピロメリット酸二無水物と4,4’−ジアミノ
ジフェニルエーテルとしてポリイミド前駆体溶液を調製
した。それ以外は実施例11と同様にして感光液を調製
し、回路形成用基板を作製した。
Comparative Example 3 A polyimide precursor solution was prepared by using pyromellitic dianhydride and 4,4′-diaminodiphenyl ether as the monomers used in the synthesis of the polyimide precursor in Example 11. Except for this, the photosensitive liquid was prepared in the same manner as in Example 11 to prepare a circuit-forming substrate.

【0103】得られた基板におけるポリイミド樹脂層の
吸水率は、1.5重量%であり、吸水前後における寸法
変化(伸び)は1%以上であった。また、これらの基板
の反りは吸水前においてポリイミド樹脂層側に反ってい
たものが、吸水後には平坦化しており、吸水することに
よって大きな形状変化(反りの変化)が生じるものであ
ることが判明した。
The water absorption of the polyimide resin layer in the obtained substrate was 1.5% by weight, and the dimensional change (elongation) before and after water absorption was 1% or more. In addition, the warp of these substrates was warped to the polyimide resin layer side before water absorption, but it was flattened after water absorption, and it was found that a large shape change (change in warp) occurs due to water absorption. did.

【0104】実施例15 ピロメリット酸二無水物と、4,4’−ジアミノジフェ
ニルエーテルの略等モルを、N−メチル−2−ピロリド
ン中で重合してポリイミド前駆体溶液を調製し、これに
ジエチルアミノエチルメタクリレートを前駆体固形分1
00部に対して15部、さらにミヒラーズケトンを3部
配合して感光液を調製した。
Example 15 Pyromellitic dianhydride and approximately equimolar amounts of 4,4'-diaminodiphenyl ether were polymerized in N-methyl-2-pyrrolidone to prepare a polyimide precursor solution, which was prepared with diethylamino. Ethyl methacrylate as precursor solid content 1
15 parts with respect to 00 parts and 3 parts of Michler's ketone were further mixed to prepare a photosensitive solution.

【0105】このようにして得られた感光液を長尺ステ
ンレス箔(SUS304、25μm厚)の片面にコンマ
コータを用いて均一に流延塗布し、約80℃で乾燥して
感光性を有するポリイミド前駆体層を形成した。
The photosensitive solution thus obtained was uniformly cast-coated on one surface of a long stainless steel foil (SUS304, 25 μm thick) using a comma coater and dried at about 80 ° C. to obtain a photosensitive polyimide precursor. A body layer was formed.

【0106】次に、所望のパターンを有するフォトマス
クを介してポリイミド前駆体層側から光照射(波長36
5nm以上の光で1000mJ/cm2 )を行ったの
ち、N−メチル−2−ピロリドンを用いて現像処理を行
い、長尺ステンレス箔上に所望パターンを有するポリイ
ミド前駆体層を形成した。
Next, light irradiation (wavelength: 36) from the polyimide precursor layer side is performed through a photomask having a desired pattern.
After performing 1000 mJ / cm 2 ) with light of 5 nm or more, development processing was performed using N-methyl-2-pyrrolidone to form a polyimide precursor layer having a desired pattern on a long stainless steel foil.

【0107】次に、これを窒素ガス置換によって酸素濃
度を0.1容量%以下にした連続加熱炉中に入れ、最高
到達温度が400℃になるように加熱してポリイミド前
駆体層をイミド化し、長尺ステンレス箔の片面にポリイ
ミド樹脂層を有する回路形成用基板を作製した。
Next, this was placed in a continuous heating furnace having an oxygen concentration of 0.1% by volume or less by nitrogen gas substitution, and heated so that the maximum temperature reached was 400 ° C. to imidize the polyimide precursor layer. A circuit-forming substrate having a polyimide resin layer on one surface of a long stainless foil was produced.

【0108】得られた回路形成用基板の断面を走査型電
子顕微鏡にて観察したところ、形成されているポリイミ
ド樹脂層の厚みは約5μmであった。また、この基板を
ポリイミド樹脂層が外側になるように90度の角度に折
り曲げたところ、ポリイミド樹脂層にクラックは一切発
生しなかった。
When the cross section of the obtained circuit-forming substrate was observed with a scanning electron microscope, the thickness of the formed polyimide resin layer was about 5 μm. When this substrate was bent at an angle of 90 degrees so that the polyimide resin layer was on the outside, no cracks were generated in the polyimide resin layer.

【0109】さらに、この基板のステンレス箔を塩化第
二鉄でエッチング除去してポリイミド樹脂層のみにし、
この伸び率を測定したところ、48%の伸び率を有する
ものであった。
Further, the stainless steel foil of this substrate was removed by etching with ferric chloride to leave only the polyimide resin layer,
When this elongation was measured, it had an elongation of 48%.

【0110】実施例16 実施例15におけるピロメリット酸二無水物の代わり
に、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物を用い、ミヒラーズケトンの配合量を10
部とした以外は、実施例15と同様にして長尺ステンレ
ス箔の片面にポリイミド樹脂層を有する本発明の回路形
成用基板を作製した。
Example 16 In place of the pyromellitic dianhydride in Example 15, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride was used, and the compounding amount of Michler's ketone was 10%.
A circuit-forming substrate of the present invention having a polyimide resin layer on one surface of a long stainless steel foil was produced in the same manner as in Example 15 except that the parts were formed.

【0111】この基板のポリイミド樹脂層の伸び率は3
5%で、実施例15と同様の折り曲げ試験を行なったと
ころ、ポリイミド樹脂層にクラックの発生は一切観察さ
れなかった。
The elongation percentage of the polyimide resin layer of this substrate is 3
When a bending test was conducted in the same manner as in Example 15 at 5%, no cracks were observed in the polyimide resin layer.

【0112】実施例17 実施例15にて調製したポリイミド前駆体溶液に、ジエ
チルアミノエチルメタクリレートおよびミヒラーズケト
ンの代わりに感光剤としての4−(2’−ニトロフェニ
ル)−2,6−ジメチル−3,5−ジカルボメトキシ−
1,4−ジヒドロピリジン(慣用名:ニフェジピン)
を、前駆体固形分100部に対して30部配合して感光
性を付与したのち、実施例15と同様な方法で長尺ステ
ンレス箔(SUS304、30μm厚)上に均一に流延
塗布し、80℃で乾燥した。
Example 17 The polyimide precursor solution prepared in Example 15 was mixed with 4- (2'-nitrophenyl) -2,6-dimethyl-3,5 as a photosensitizer instead of diethylaminoethyl methacrylate and Michler's ketone. -Dicarbomethoxy-
1,4-dihydropyridine (conventional name: nifedipine)
Was added to 30 parts with respect to 100 parts of the precursor solid content to impart photosensitivity, and then uniformly cast onto a long stainless steel foil (SUS304, 30 μm thick) in the same manner as in Example 15, It was dried at 80 ° C.

【0113】次に、所望のパターンを有するフォトマス
クを介して光照射(波長360〜440nm、照射エネ
ルギー500mJ/cm2 )を行ったのち、さらに16
0℃で加熱処理を行った。そののち、5重量%テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液/エチルア
ルコール(2/1容量比)の混合溶液を現像液として4
0℃で現像処理を行い、水洗、乾燥を行って所望パター
ンを有するポリイミド前駆体層を形成した。
Next, light irradiation (wavelength 360 to 440 nm, irradiation energy 500 mJ / cm 2 ) was performed through a photomask having a desired pattern, and then 16 more.
Heat treatment was performed at 0 ° C. After that, a mixed solution of 5% by weight tetramethylammonium hydroxide aqueous solution / ethyl alcohol (2/1 volume ratio) was used as a developing solution to prepare 4
A development treatment was performed at 0 ° C., followed by washing with water and drying to form a polyimide precursor layer having a desired pattern.

【0114】次いで、これをバッチ雰囲気加熱炉中、真
空状態(0.1torr)で最高到達温度が380℃に
なるように加熱してポリイミド前駆体層をイミド化し、
長尺ステンレス箔の片面にパターン化されたポリイミド
樹脂層(約5μm厚)を有する本発明の回路形成用基板
を作製した。
Then, this was heated in a batch atmosphere heating furnace in a vacuum state (0.1 torr) so that the maximum temperature reached was 380 ° C. to imidize the polyimide precursor layer,
A circuit-forming substrate of the present invention having a polyimide resin layer (about 5 μm thick) patterned on one surface of a long stainless foil was prepared.

【0115】得られた基板におけるポリイミド樹脂層の
伸び率は39%であり、実施例15と同様の折り曲げ試
験を行なったところ、ポリイミド樹脂層にクラックの発
生は一切観察されなかった。
The elongation percentage of the polyimide resin layer in the obtained substrate was 39%, and when a bending test was conducted in the same manner as in Example 15, no cracks were observed in the polyimide resin layer.

【0116】実施例18 上記実施例17にて得た長尺ステンレス箔の片面にパタ
ーン化されたポリイミド樹脂層(約5μm厚)を有する
回路形成用基板を、長尺スパッタリング装置にてクロ
ム、銅を連続的に同一バッチ内でメタライジング処理し
た。この際に、走査型電子顕微鏡による断面観察を行な
ったところ、クロム層が500Å、銅層が1000Åで
あった。
Example 18 A circuit-forming substrate having a patterned polyimide resin layer (thickness of about 5 μm) on one surface of the long stainless steel foil obtained in the above-mentioned Example 17 was placed on a long sputtering apparatus to obtain chromium and copper. Were continuously metallized in the same batch. At this time, when a cross-section was observed with a scanning electron microscope, the chromium layer was 500 Å and the copper layer was 1000 Å.

【0117】次いで、スパッタリング膜の活性が低下し
ないように、スパッタリング処理後1時間以内に連続銅
電解メッキ処理を行なって銅層をさらに形成し、導体層
を有する回路形成用基板を作製した。得られたメッキ膜
を触針式表面粗さ計にて測定した結果、10cm角幅で
9〜10μmの厚みを有し、9μm±10%の膜厚精度
を有するものであった。
Next, in order to prevent the activity of the sputtering film from decreasing, continuous copper electrolytic plating treatment was performed within 1 hour after the sputtering treatment to further form a copper layer, and a circuit forming substrate having a conductor layer was produced. As a result of measuring the obtained plated film with a stylus type surface roughness meter, it was found to have a 10 cm square width, a thickness of 9 to 10 μm, and a film thickness accuracy of 9 μm ± 10%.

【0118】得られた基板を実施例15と同様の折り曲
げ試験を行なったところ、ポリイミド樹脂層にクラック
の発生は一切観察されなかった。
When the obtained substrate was subjected to the same bending test as in Example 15, no cracks were observed in the polyimide resin layer.

【0119】比較例4 実施例15におけるポリイミド前駆体の合成に用いたモ
ノマーの4,4’−ジアミノジフェニルエーテルの代わ
りに、パラミンを用いてポリイミド前駆体溶液を調製し
た。それ以外は、実施例15と同様にして感光液を調製
し、回路形成用基板を作製した。
Comparative Example 4 A polyimide precursor solution was prepared using paramine instead of the monomer 4,4′-diaminodiphenyl ether used in the synthesis of the polyimide precursor in Example 15. Except for this, the photosensitive liquid was prepared in the same manner as in Example 15 to prepare a circuit-forming substrate.

【0120】得られた基板におけるポリイミド樹脂層の
伸び率は16%であり、実施例15と同様の折り曲げ試
験を行なったところ、ポリイミド樹脂層に絶縁不良を起
こす程度の大きなクラックが発生した。
The elongation percentage of the polyimide resin layer in the obtained substrate was 16%, and when a bending test was carried out in the same manner as in Example 15, a large crack that would cause insulation failure was generated in the polyimide resin layer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(a)〜(c)は本発明の回路形成用基板を得
るための各工程を示す断面図である。
1A to 1C are cross-sectional views showing respective steps for obtaining a circuit-forming substrate of the present invention.

【図2】(a)〜(c)は本発明の他の回路形成用基板
を得るための各工程を示す断面図である。
2A to 2C are cross-sectional views showing respective steps for obtaining another circuit-forming substrate of the present invention.

【図3】(a)および(b)は本発明の他の回路形成用
基板を得るための各工程を示す断面図である。
3A and 3B are cross-sectional views showing respective steps for obtaining another circuit-forming substrate of the present invention.

【図4】図3(a)の長尺基板をロール状に巻回した状
態を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a state where the long substrate of FIG. 3 (a) is wound into a roll.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 長尺ステンレス箔 2 ポリイミド樹脂層 3 導体層(メタライジング膜) 4 導体層(電解メッキ後) 1 Long stainless steel foil 2 Polyimide resin layer 3 Conductor layer (metalizing film) 4 Conductor layer (after electrolytic plating)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平7−196438 (32)優先日 平成7年8月1日(1995.8.1) (33)優先権主張国 日本(JP) 早期審査対象出願 (72)発明者 五十嵐 一雅 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日 東電工株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−172109(JP,A) 特開 平3−142991(JP,A) 特開 平4−188792(JP,A) 特開 平7−74443(JP,A) 特開 平2−81495(JP,A) 特開 平6−29634(JP,A) 特開 平6−237056(JP,A) 特開 平5−347461(JP,A) 特開 昭60−157286(JP,A) 特開 平6−132652(JP,A) 特公 平7−19945(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 1/05 H05K 1/03 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (31) Priority claim number Japanese Patent Application No. 7-196438 (32) Priority date August 1, 1995 (August 1, 1995) (33) Priority claim country Japan (JP) Application for accelerated examination (72) Inventor Kazumasa Igarashi 1-2 1-2 Shimohozumi, Ibaraki City, Osaka Prefecture Nitto Denko Corporation (56) Reference JP-A-2-172109 (JP, A) JP-A-3 -142991 (JP, A) JP 4-188792 (JP, A) JP 7-74443 (JP, A) JP 2-81495 (JP, A) JP 6-29634 (JP, A) ) JP-A-6-237056 (JP, A) JP-A-5-347461 (JP, A) JP-A-60-157286 (JP, A) JP-A-6-132652 (JP, A) JP-B 7- 19945 (JP, B2) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H05K 1/05 H05K 1/03

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 長尺ステンレス箔の片面もしくは両面
に、ポリイミド樹脂層を全面もしくは部分的に形成して
なる回路形成用基板であって、 長尺ステンレス箔がハードディスク用サスペンジョンあ
り、かつ、 長尺ステンレス箔の厚みが10〜30μmであり、さら
に、 5〜200℃におけるポリイミド樹脂層の平均線膨張係
数(α1)と長尺ステンレス箔の平均線膨張係数(α
2)との差(n)が、−5ppmから5ppmの間にあ
ることを特徴とする 回路形成用基板。
1. A circuit-forming substrate comprising a polyimide resin layer formed on all or part of one surface or both surfaces of a long stainless foil , wherein the long stainless foil is a suspension for a hard disk.
And the thickness of the long stainless steel foil is 10 to 30 μm,
And the average linear expansion coefficient of the polyimide resin layer at 5 to 200 ° C.
Number (α1) and the average linear expansion coefficient (α
The difference (n) with 2) is between -5ppm and 5ppm.
A substrate for forming a circuit.
【請求項2】 ポリイミド樹脂層の厚みが3〜25μm
である請求項1記載の回路形成用基板。
2. The thickness of the polyimide resin layer is 3 to 25 μm.
Circuit-forming board according to claim 1, wherein it is.
【請求項3】 ポリイミド樹脂層の吸水率が0.7重量
%以下である請求項1記載の回路形成用基板。
3. The water absorption of the polyimide resin layer is 0.7% by weight.
The circuit-forming substrate according to claim 1, which is at most% .
【請求項4】 ポリイミド樹脂層の伸び率が20%以上
である請求項1記載の回路形成用基板。
4. The elongation percentage of the polyimide resin layer is 20% or more.
Circuit-forming board according to claim 1, wherein it is.
【請求項5】 ポリイミド樹脂が下記一般式〔化1〕、
〔化2〕および〔化3〕から選ばれる少なくとも一種か
ら選ばれる構造単位を分子内に有する請求項1記載の回
路形成用基板。 【化1】 【化2】 【化3】
5. A polyimide resin is represented by the following general formula:
At least one selected from [Chemical Formula 2] and [Chemical Formula 3]
The circuit-forming substrate according to claim 1 , which has a structural unit selected from the inside . [Chemical 1] [Chemical 2] [Chemical 3]
【請求項6】 長尺ステンレス箔およびポリイミド樹脂
層上、またはポリイミド樹脂層上に、さらにクロム層ま
たはチタン層を介して、もしくは介さずに銅層を積層し
てなる導体層が形成されている請求項1記載の回路形成
用基板。
6. A long stainless steel foil and a polyimide resin
Layer or polyimide resin layer, and then a chromium layer.
Or a copper layer with or without a titanium layer
The circuit-forming board according to claim 1, further comprising a conductor layer formed of:
【請求項7】 ポリイミド樹脂層が感光剤を含有する感
光性ポリイミド樹脂から形成されている請求項1または
6記載の回路形成用基板。
7. A polyimide resin layer containing a photosensitizer.
It is formed from a light-sensitive polyimide resin, or
6. The circuit-forming substrate according to item 6 .
【請求項8】 5〜200℃におけるポリイミド樹脂層
の平均線膨張係数(α1)と導体層の平均線膨張係数
(α3)の差(m)が、−5ppmから5ppmの間に
あることを特徴とする請求項6記載の回路形成用基板。
8. A polyimide resin layer at 5 to 200 ° C.
Coefficient of linear expansion (α1) and average coefficient of linear expansion of conductor layer
The difference (m) of (α3) is between -5ppm and 5ppm
The circuit-forming substrate according to claim 6, wherein the circuit-forming substrate is provided.
【請求項9】 長尺ステンレス箔の片面もしくは両面
に、ポリイミド樹脂層を全面もしくは部分的に形成して
なる回路形成用基板の長尺ステンレス箔およびポリイミ
ド樹脂層上、またはポリイミド樹脂層上に、さらにクロ
ム層またはチタン層を介して、もしくは介さずに銅層を
積層してなる導体層が形成されてなる請求項6記載の回
路形成用基板において、導体層が微細パターン化されて
おり、 長尺ステンレス箔がハードディスク用サスペンジョンあ
り、かつ、 長尺ステンレス箔の厚みが10〜30μmであり、さら
に、 5〜200℃におけるポリイミド樹脂層の平均線膨張係
数(α1)と長尺ステンレス箔の平均線膨張係数(α
2)との差(n)が、−5ppmから5ppmの間にあ
ることを特徴とする 回路基板。
9. One or both sides of a long stainless steel foil
Then, a polyimide resin layer is formed on all or part of
Long stainless steel foil and polyimi
On top of the resin layer or polyimide resin layer.
A copper layer with or without a copper or titanium layer
7. The circuit according to claim 6, wherein a laminated conductor layer is formed.
In the substrate for forming the path, the conductor layer is finely patterned.
The long stainless steel foil is a suspension for hard disks.
And the thickness of the long stainless steel foil is 10 to 30 μm,
And the average linear expansion coefficient of the polyimide resin layer at 5 to 200 ° C.
Number (α1) and the average linear expansion coefficient (α
The difference (n) with 2) is between -5ppm and 5ppm.
A circuit board characterized by the following .
【請求項10】 5〜200℃におけるポリイミド樹脂
層の平均線膨張係数(α1)と導体層の平均線膨張係数
(α3)の差(m)が、−5ppmから5ppmの間に
あることを特徴とする請求項9記載の回路基板。
10. A polyimide resin at 5 to 200 ° C.
Average linear expansion coefficient (α1) of layers and average linear expansion coefficient of conductor layers
The difference (m) of (α3) is between -5ppm and 5ppm
The circuit board according to claim 9, wherein the circuit board is provided.
【請求項11】 ポリイミド樹脂層の吸水率が0.7重
量%以下である請求項9記載の回路基板。
11. The water absorption of the polyimide resin layer is 0.7
The circuit board according to claim 9, wherein the amount is less than or equal to%.
【請求項12】 ポリイミド樹脂層の伸び率が20%以
上である請求項9記載の回路基板。
12. The elongation percentage of the polyimide resin layer is 20% or less.
The circuit board according to claim 9, which is above .
【請求項13】 ポリイミド樹脂が上記一般式〔化
4〕、〔化5〕および〔化6〕から選ばれる少なくとも
一種から選ばれる構造単位を分子内に有する請求項9記
載の回路基板。 【化4】 【化5】 【化6】
13. A polyimide resin represented by the general formula
4], [Chemical formula 5] and [Chemical formula 6]
10. The structure having a structural unit selected from one type in the molecule.
On-board circuit board. [Chemical 4] [Chemical 5] [Chemical 6]
【請求項14】 ポリイミド樹脂層が感光剤を含有する
感光性ポリイミド樹脂から形成されている請求項9記載
回路基板。
14. The polyimide resin layer contains a photosensitizer.
10. Formed from a photosensitive polyimide resin.
Circuit board.
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