JPS61127164A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS61127164A JPS61127164A JP59248118A JP24811884A JPS61127164A JP S61127164 A JPS61127164 A JP S61127164A JP 59248118 A JP59248118 A JP 59248118A JP 24811884 A JP24811884 A JP 24811884A JP S61127164 A JPS61127164 A JP S61127164A
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 206010011224 Cough Diseases 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は固体撮像素子に係り、特に強い光照射に発生す
るブルーミングを抑圧するに好適な画素構成に関する。
るブルーミングを抑圧するに好適な画素構成に関する。
固体＠像装置においては入射光量が一定量以上になると
画面上に白い縦縞の入るブルーミングと呼ばれる現象が
生じ、画質を著しく劣化させる。。
画面上に白い縦縞の入るブルーミングと呼ばれる現象が
生じ、画質を著しく劣化させる。。
このブルーミングを抑圧するために、特開昭５７−１９
７９６６号公報に示される固体撮像素子が提案されてい
る。しかし、この従来例では蓄積電荷量の多い受光素子
から、その電荷の一部（余剰電荷）を読み出すため、垂
直読み出しスイッチＭＯ８トランジスタ（以下ＭＯ８Ｔ
と略記する）を飽和動作領域で動作させざるを得ない。
７９６６号公報に示される固体撮像素子が提案されてい
る。しかし、この従来例では蓄積電荷量の多い受光素子
から、その電荷の一部（余剰電荷）を読み出すため、垂
直読み出しスイッチＭＯ８トランジスタ（以下ＭＯ８Ｔ
と略記する）を飽和動作領域で動作させざるを得ない。
その結果、垂直読み出しスイッチＭＯ８Ｔのしきい電圧
のばらつきにより、飽和信号電荷が各受光素子でばらつ
き、２次元のばらつき（一種の雑音）となる。又、従来
例では垂直読み出しＭＯ８Ｔのゲートが垂直走査回路と
別のスイッチＭＯ８Ｔとから選択されるため、両方の動
作が誤動作しないような垂直走査回路を考慮する必要が
あり、走査回路が複雑になってしまうという問題がある
。
のばらつきにより、飽和信号電荷が各受光素子でばらつ
き、２次元のばらつき（一種の雑音）となる。又、従来
例では垂直読み出しＭＯ８Ｔのゲートが垂直走査回路と
別のスイッチＭＯ８Ｔとから選択されるため、両方の動
作が誤動作しないような垂直走査回路を考慮する必要が
あり、走査回路が複雑になってしまうという問題がある
。
第１図は従来のＭＯ８ｆｉ固体撮像装置の原理図である
。マトリックス状に配列された光ダイオード１からなる
感光部９と、光ダイオードに蓄積された光信号ｔ−読み
出すための垂直読出しスイッチ用ＭＯ８Ｔ９１〜９ｎお
よび水平続出しスイッチ用ＭＯ８Ｔ８１〜８ｍと、それ
ぞれのスイッチを順序よく切換えるための垂直シフトレ
ジスタ３および水平シフトレジスタ２と、出力信号線４
から成っている。垂直、水平の切換えスイッチ用ＭＯ８
Ｔは、シフトレジスタの各段の出力から得られる出力パ
ルスによってＭＯ８Ｔのゲート電圧を制御し、スイッチ
動作？得ている。
。マトリックス状に配列された光ダイオード１からなる
感光部９と、光ダイオードに蓄積された光信号ｔ−読み
出すための垂直読出しスイッチ用ＭＯ８Ｔ９１〜９ｎお
よび水平続出しスイッチ用ＭＯ８Ｔ８１〜８ｍと、それ
ぞれのスイッチを順序よく切換えるための垂直シフトレ
ジスタ３および水平シフトレジスタ２と、出力信号線４
から成っている。垂直、水平の切換えスイッチ用ＭＯ８
Ｔは、シフトレジスタの各段の出力から得られる出力パ
ルスによってＭＯ８Ｔのゲート電圧を制御し、スイッチ
動作？得ている。
ところでこの固体撮像装置においては、入射光量が一定
量以上になると画面上に白い縦縞の入るブルーミングと
呼はれる現象が生じ、画質金儲しく劣化させる。これは
以下に述べる原因によると考えられる。すなわち第２図
および第３図に示すように２強い光の当っている光ダイ
オード１はそれに蓄積された多量の電荷１２によって順
方向にバイアスされる。そｎ以後光邂流によって生じる
電荷は、垂直続出しスイッチ用ＭＯ８Ｔ９ ｉの下に構
成される寄生トランジスタｆｌｉｔ通して水平出力線１
０にあふれだす。ｌ水子期間に水平出力線ｌＯにあふれ
だした電荷１３は、同じ水平出力線ｌＯにつながる他の
光ダイオードの電荷ｆｔ読出すとき同時に続出され、ブ
ルーミングを生じる。
量以上になると画面上に白い縦縞の入るブルーミングと
呼はれる現象が生じ、画質金儲しく劣化させる。これは
以下に述べる原因によると考えられる。すなわち第２図
および第３図に示すように２強い光の当っている光ダイ
オード１はそれに蓄積された多量の電荷１２によって順
方向にバイアスされる。そｎ以後光邂流によって生じる
電荷は、垂直続出しスイッチ用ＭＯ８Ｔ９ ｉの下に構
成される寄生トランジスタｆｌｉｔ通して水平出力線１
０にあふれだす。ｌ水子期間に水平出力線ｌＯにあふれ
だした電荷１３は、同じ水平出力線ｌＯにつながる他の
光ダイオードの電荷ｆｔ読出すとき同時に続出され、ブ
ルーミングを生じる。
したがって、第３図に示すように１水平期間にあふれだ
す電荷に相当する電荷量１３を水平プラ／キ／グ期間に
続出しておき、１水平期間後においても元ダイオードか
ら水平出力線に電荷がめふれださぬようにすればブルー
ミング？防止することができる。
す電荷に相当する電荷量１３を水平プラ／キ／グ期間に
続出しておき、１水平期間後においても元ダイオードか
ら水平出力線に電荷がめふれださぬようにすればブルー
ミング？防止することができる。
本発明の目的はブルーミングの抑圧を可能とする固体撮
像装置を提供することにある。
像装置を提供することにある。
本発明は、同一半導体基板上に、少なくとも光電変換素
子および、該素子に蓄積した光信号電荷を読み出し回路
に転送する転送素子からなる１ｆＩｘを複数個集積化し
た固体撮像素子において、所定の交番電圧を印加する事
により、咳充電変換素子の読み出し時には該光電変換素
子の蓄積可能容量を増加させるように働き、非読み出し
時には該光電変換素子の蓄積可能容量を増やさないよう
に働く機能を備えた可変容量素子を該元′１変換素子に
設けるものである。
子および、該素子に蓄積した光信号電荷を読み出し回路
に転送する転送素子からなる１ｆＩｘを複数個集積化し
た固体撮像素子において、所定の交番電圧を印加する事
により、咳充電変換素子の読み出し時には該光電変換素
子の蓄積可能容量を増加させるように働き、非読み出し
時には該光電変換素子の蓄積可能容量を増やさないよう
に働く機能を備えた可変容量素子を該元′１変換素子に
設けるものである。
まず、本発明を第１図の従来例に適用した実施例、第４
図〜４ｃ６図を用いて説明する。２１は１水平走査期間
中に発生するブルーミング電荷を掃き出すためのへ（Ｏ
８Ｔであり、２２．２３はゲート電極端子、ドレイン電
極端子である。４１は本発明のＩＶＩＯ８容量３１〜３
ｎｔ−設けたＩ［ｆ１１素であり、５１はＭＯ８容量の
ゲートである、本発明の画素の断面を第５図に示してろ
る。５２はＰ形３ｉ基板、５３．５４はＮ形波散層であ
り、５４はホトダイオードでもめる。５５は受光領域で
ある。このＭＯ８容量に所定のｅ圧が印刀目された時、
ホトダイオード５４の蓄積容量にこのＭＣ）８容量が加
わるため、ホトダイオード５４の蓄積容量が増加する。
図〜４ｃ６図を用いて説明する。２１は１水平走査期間
中に発生するブルーミング電荷を掃き出すためのへ（Ｏ
８Ｔであり、２２．２３はゲート電極端子、ドレイン電
極端子である。４１は本発明のＩＶＩＯ８容量３１〜３
ｎｔ−設けたＩ［ｆ１１素であり、５１はＭＯ８容量の
ゲートである、本発明の画素の断面を第５図に示してろ
る。５２はＰ形３ｉ基板、５３．５４はＮ形波散層であ
り、５４はホトダイオードでもめる。５５は受光領域で
ある。このＭＯ８容量に所定のｅ圧が印刀目された時、
ホトダイオード５４の蓄積容量にこのＭＣ）８容量が加
わるため、ホトダイオード５４の蓄積容量が増加する。
この実施例の動作全第６図のパルメタ１ミングチヤート
を用いて説明する。ＨＢ Ｌは水平グラ／キングパルス
でるり、ｔ、は水平走査期間でめる。Ｖｌはめる行の垂
直読み出しＭＯＳゲートに印加するための垂直走査回路
の出力パルスであり、Ｈｌは１列目の水平出力＋＠１０
’ｉ選択するための水平走査回路の出力でめる。■１＝
１．；ＭＯ８Ｔ２１が導通し、一括してＭＯＳ Ｔ ８
１〜８ ｍが選択され、水平出力線に混入しているブル
ーミング電荷が外部に掃き出される。■１＝＝１．；Ｍ
Ｏ８容量がホトダイオードの容量に付加されるため、ホ
トダイオードの蓄積可能電荷量が増加するため、これ以
後、ホトダイオード５４からは電荷が水平出力線にりふ
れてこなくなり、ブルーミング現象が発生していない状
態となる。例えばホトダイオードの容量ｔ Ｃｐ％ＭＯ
８容量をＣＭとすると近似的に（１）式で示されるよう
に最後のｍ列のダイオードにおいてもｎ倍の飽和光量ま
でブルーミングは発生しない。
を用いて説明する。ＨＢ Ｌは水平グラ／キングパルス
でるり、ｔ、は水平走査期間でめる。Ｖｌはめる行の垂
直読み出しＭＯＳゲートに印加するための垂直走査回路
の出力パルスであり、Ｈｌは１列目の水平出力＋＠１０
’ｉ選択するための水平走査回路の出力でめる。■１＝
１．；ＭＯ８Ｔ２１が導通し、一括してＭＯＳ Ｔ ８
１〜８ ｍが選択され、水平出力線に混入しているブル
ーミング電荷が外部に掃き出される。■１＝＝１．；Ｍ
Ｏ８容量がホトダイオードの容量に付加されるため、ホ
トダイオードの蓄積可能電荷量が増加するため、これ以
後、ホトダイオード５４からは電荷が水平出力線にりふ
れてこなくなり、ブルーミング現象が発生していない状
態となる。例えばホトダイオードの容量ｔ Ｃｐ％ＭＯ
８容量をＣＭとすると近似的に（１）式で示されるよう
に最後のｍ列のダイオードにおいてもｎ倍の飽和光量ま
でブルーミングは発生しない。
てもブルーミングは発生しない事になる。
■ｔ＝ｔ３；ｉ行のホトダイオードの信号を水平出力線
に読み込む。■ｔ＝ｔ、；１列目の水平信号線の信号電
荷を外部に読み出す。
に読み込む。■ｔ＝ｔ、；１列目の水平信号線の信号電
荷を外部に読み出す。
以上述べたように、本発明によればブルーミング現象を
簡単に抑圧でき、「発明の背景」で述べた従来例の配慮
されなかった点も解決できる。
簡単に抑圧でき、「発明の背景」で述べた従来例の配慮
されなかった点も解決できる。
第７図は本発明を、ブルーミングについて本発明のよう
な点は配慮されていない別の従来例に適用した実施例で
るる。この素子においては第４図のような水平信号線が
ないため、さらに簡単に適用でき、ブルーミングを抑圧
できる。１１１゜１１２は垂直、水平走査回路、１１３
はホトダイオード、１１７はインタレーススイッチ、１
３１゜１３２は水平ＭＯ８Ｔ、垂直ＭＯ８Ｔ、１３３は
垂直走査線、１３５は水平走査線、１３６は水平信号線
、１３７は垂直スイッチＭＯ８Ｔ、１４０はビデオ遡源
、１４１，１４２は垂直信号線、１４３゜１４４は負荷
抵抗、１４５，１４６はプリアンプ、１４７はリセット
ライン、１４８はリセットＭＯ８Ｔ％ １４９，１５０
は出力である。１６０が本発明の付加容量でめる。この
素子の動作を説明する。水平グラ／キング期間の前半に
水平信号線に混入しているブルーミング電荷はり七ツ）
ＭＯＳトランジスタ１４８ｔ−介して外部に掃き出さ
れる。
な点は配慮されていない別の従来例に適用した実施例で
るる。この素子においては第４図のような水平信号線が
ないため、さらに簡単に適用でき、ブルーミングを抑圧
できる。１１１゜１１２は垂直、水平走査回路、１１３
はホトダイオード、１１７はインタレーススイッチ、１
３１゜１３２は水平ＭＯ８Ｔ、垂直ＭＯ８Ｔ、１３３は
垂直走査線、１３５は水平走査線、１３６は水平信号線
、１３７は垂直スイッチＭＯ８Ｔ、１４０はビデオ遡源
、１４１，１４２は垂直信号線、１４３゜１４４は負荷
抵抗、１４５，１４６はプリアンプ、１４７はリセット
ライン、１４８はリセットＭＯ８Ｔ％ １４９，１５０
は出力である。１６０が本発明の付加容量でめる。この
素子の動作を説明する。水平グラ／キング期間の前半に
水平信号線に混入しているブルーミング電荷はり七ツ）
ＭＯＳトランジスタ１４８ｔ−介して外部に掃き出さ
れる。
その後、垂直走ＩＥ１５１が選択されると同時に本発明
のＭＯ３容量１６０がホトダイオード容量に付加される
。その後、水平走査期間に水平走査線が順次走査され１
６号′１荷が読み出される。この読み出し時選択行のホ
トダイオードからはブルーミング電荷は発生しない。一
方、非選択行のホトダイオードからはブルーミング電荷
が発生するが、水平信号線が異なるため、読み行し行の
信号電荷には混入せず、次の水平ブランキング期間に外
部に帰き出される。例えば、この素子においても近似的
に（１）式が適用でき、ＣＨａＣｐとすると飽和光量の
約３００倍の光に対してもブルーミングは発生しない事
となる。さらに理解を深めるためにこの素子の画素平面
を用いて説明する。第９図は本発明を適用しない従来例
のものでめり、２００は活性領域を示し、１３５，１３
３はゲートα極用の配線でおり、１１３がホトダイオー
ドである。
のＭＯ３容量１６０がホトダイオード容量に付加される
。その後、水平走査期間に水平走査線が順次走査され１
６号′１荷が読み出される。この読み出し時選択行のホ
トダイオードからはブルーミング電荷は発生しない。一
方、非選択行のホトダイオードからはブルーミング電荷
が発生するが、水平信号線が異なるため、読み行し行の
信号電荷には混入せず、次の水平ブランキング期間に外
部に帰き出される。例えば、この素子においても近似的
に（１）式が適用でき、ＣＨａＣｐとすると飽和光量の
約３００倍の光に対してもブルーミングは発生しない事
となる。さらに理解を深めるためにこの素子の画素平面
を用いて説明する。第９図は本発明を適用しない従来例
のものでめり、２００は活性領域を示し、１３５，１３
３はゲートα極用の配線でおり、１１３がホトダイオー
ドである。
ｔＶＯ８Ｔ１３１．１３２はスイッチ機能を待てば良く
、ａ−ｅの寸法は試作技術の許す限り最小の寸法に設計
する（ スｌｆｌ常ホトダイオード容址が小さく、読み
出しスピードに対し、画素領域の時定数は無視できるた
めン。
、ａ−ｅの寸法は試作技術の許す限り最小の寸法に設計
する（ スｌｆｌ常ホトダイオード容址が小さく、読み
出しスピードに対し、画素領域の時定数は無視できるた
めン。
４１０図は本発明の画素平面図でるり、斜線領域２０１
が本発明の容ｉ１６０ｔ−ｍ成している。
が本発明の容ｉ１６０ｔ−ｍ成している。
なお動作的にはＭＯ８Ｔ ｌ ３２のゲート容量（縦縞
領域２０２）も本発明の容量１６０の一部として働く。
領域２０２）も本発明の容量１６０の一部として働く。
さらにこの素子においては、ＭＯ８容量１６０と垂直Ｍ
Ｏ８Ｔ １３２とのそれぞれの機能を兼ねそなえた、新
たな垂直＋ＶｆＯ８Ｔ １６２をｍいた第８図の実施例
においてはホトダイオードの開口率ｔａに大きくできる
。なお、この垂直ＭＯ８）ランジスタ１６２は本発明の
ブルーミング抑圧効果を考慮したＭＯ８容量をもち、か
つ、信号電荷を水平ＭＯ，９Ｔ １３１を介して外部読
み出す機能をもつものでおる。この実施例の画素平面図
を第１１図〜第１３図に示す。斜線領域２０３，２０４
，２０５が本発明の容量として働く。なお、第１３図に
おいては、ブルーミング強度金考、えると、ｆの寸法は
最小加工寸法ｅよりも一般に大きくしなければならない
、Ｊ 以と述べた本発明の実施例によれば、ブルーミング現象
を実用上間＠ないレベルまで抑圧する事ができる。さら
に、走査回路の複雑さが解消される事はあきらかである
。
Ｏ８Ｔ １３２とのそれぞれの機能を兼ねそなえた、新
たな垂直＋ＶｆＯ８Ｔ １６２をｍいた第８図の実施例
においてはホトダイオードの開口率ｔａに大きくできる
。なお、この垂直ＭＯ８）ランジスタ１６２は本発明の
ブルーミング抑圧効果を考慮したＭＯ８容量をもち、か
つ、信号電荷を水平ＭＯ，９Ｔ １３１を介して外部読
み出す機能をもつものでおる。この実施例の画素平面図
を第１１図〜第１３図に示す。斜線領域２０３，２０４
，２０５が本発明の容量として働く。なお、第１３図に
おいては、ブルーミング強度金考、えると、ｆの寸法は
最小加工寸法ｅよりも一般に大きくしなければならない
、Ｊ 以と述べた本発明の実施例によれば、ブルーミング現象
を実用上間＠ないレベルまで抑圧する事ができる。さら
に、走査回路の複雑さが解消される事はあきらかである
。
本発明によればホトダイオードの信号？外部に読み出す
期間にホトダイオードの蓄積可能電荷を増加させる事が
でき、ホトダイオードからの過剰の１荷（ブルーミング
電荷）を発生しないようにできるのでブルーミング現象
ヲ実用上問題のないレベルまで抑圧できる効果がめる。
期間にホトダイオードの蓄積可能電荷を増加させる事が
でき、ホトダイオードからの過剰の１荷（ブルーミング
電荷）を発生しないようにできるのでブルーミング現象
ヲ実用上問題のないレベルまで抑圧できる効果がめる。
第１図は従来例の回路構成図、第２図はブルーミング現
尿勿祝明する漢式回路図、４３図はボテンシャル図、＠
４図は本発明の実施例の回路構成図、凋３５図はＩ１１
！＋素の断面図、第６図はクロックタイミングチャート
図、第７図、第８図は本発明の実施例の回路・４成図＝
中垢；、略９図はイ乏釆タジのφ ｌ！！！！素手Ｆｒ７Ｄ■、堵ｒｏＦｆｎか５体１３囚
は木施明の画素平手 １ ロ 第 ４ 目 第 ７ 口 第 ８ 圓 早 ９ 口 第１Ｏ凪 ２′Ｏ０
尿勿祝明する漢式回路図、４３図はボテンシャル図、＠
４図は本発明の実施例の回路構成図、凋３５図はＩ１１
！＋素の断面図、第６図はクロックタイミングチャート
図、第７図、第８図は本発明の実施例の回路・４成図＝
中垢；、略９図はイ乏釆タジのφ ｌ！！！！素手Ｆｒ７Ｄ■、堵ｒｏＦｆｎか５体１３囚
は木施明の画素平手 １ ロ 第 ４ 目 第 ７ 口 第 ８ 圓 早 ９ 口 第１Ｏ凪 ２′Ｏ０
Claims (1)
- 同一半導体基板上に、少なくとも光電変換素子および
、該素子に蓄積した光信号電荷を読み出し回路に転送す
る転送素子からなる画素を複数個集積化した固体撮像素
子において、所定の交番電圧を印加する事により、該光
電変換素子の読み出し時には該光電変換素子の蓄積可能
容量を増加させるように働き、非読み出し時には該光電
変換素子の蓄積可能容量を増やさないように働く機能を
備えた可変容量素子を該光電変換素子に設ける事を特徴
とした固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59248118A JPH0720215B2 (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59248118A JPH0720215B2 (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61127164A true JPS61127164A (ja) | 1986-06-14 |
| JPH0720215B2 JPH0720215B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=17173493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59248118A Expired - Lifetime JPH0720215B2 (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720215B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6462980A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-09 | Sharp Kk | Two-dimensional contact type image sensor |
| EP0863663A2 (en) * | 1997-03-04 | 1998-09-09 | Sony Corporation | Driving method for solid-state imaging device provided with blooming prevention structure |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5418619A (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-10 | Hitachi Ltd | Solid state pickup device |
| JPS56164681A (en) * | 1980-05-22 | 1981-12-17 | Matsushita Electronics Corp | Solidstate image pick-up device |
| JPS586683A (ja) * | 1981-07-06 | 1983-01-14 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
-
1984
- 1984-11-26 JP JP59248118A patent/JPH0720215B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5418619A (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-10 | Hitachi Ltd | Solid state pickup device |
| JPS56164681A (en) * | 1980-05-22 | 1981-12-17 | Matsushita Electronics Corp | Solidstate image pick-up device |
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| EP0863663A2 (en) * | 1997-03-04 | 1998-09-09 | Sony Corporation | Driving method for solid-state imaging device provided with blooming prevention structure |
| EP0863663B1 (en) * | 1997-03-04 | 2009-09-30 | Sony Corporation | Driving method for solid-state imaging device provided with blooming prevention structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0720215B2 (ja) | 1995-03-06 |
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