JPS61126646A - 光・磁気メモリ−用基板の製造方法 - Google Patents
光・磁気メモリ−用基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS61126646A JPS61126646A JP24456284A JP24456284A JPS61126646A JP S61126646 A JPS61126646 A JP S61126646A JP 24456284 A JP24456284 A JP 24456284A JP 24456284 A JP24456284 A JP 24456284A JP S61126646 A JPS61126646 A JP S61126646A
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- Japan
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- resin
- cured
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- coated
- glass plates
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- Pending
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、合成樹脂と金属板を複合化することにより得
られる光・磁気メモリー用基板の製造方法に関するもの
である。
られる光・磁気メモリー用基板の製造方法に関するもの
である。
更に詳しくは、転写法により金属表面に塗膜を形成して
成る表面平滑性および機械的性質に優れた光・磁気メモ
リー用基板の製造方法に係るものである。
成る表面平滑性および機械的性質に優れた光・磁気メモ
リー用基板の製造方法に係るものである。
従来、光メモリ−、磁気メモリー、光磁気メそリ一等の
ディスク用基板としては、アクリル樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、エポキシ樹脂等の透明プラスチック成形板、
ガラス板、アルミニウム、スタバックス等の金属板等が
提案されガラス板、金属板等は実用化されている。
ディスク用基板としては、アクリル樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、エポキシ樹脂等の透明プラスチック成形板、
ガラス板、アルミニウム、スタバックス等の金属板等が
提案されガラス板、金属板等は実用化されている。
しかしながら、ガラス基板、金属基板を該用途に適用す
る場合、その表面精度が強く要求されるため多大な工数
を必要とする研摩を行なわなければならず、経済性とい
う面から基板材料としての伸長が損なわれて来た。
る場合、その表面精度が強く要求されるため多大な工数
を必要とする研摩を行なわなければならず、経済性とい
う面から基板材料としての伸長が損なわれて来た。
一方、この欠点を解消すべくプラスチック成形板を用い
る方法も広く検討されている。これは成形型表面全鏡面
加工し、該表面を成形品表面に転写しようとするもので
あるが、然しなから表面平滑性の優れた鏡面を得るとい
う点では比較的容易ではあるものの、基板としての剛性
が不足である、機能膜を蒸着またはスパッタリング法で
付与する際の高温、機能膜の高熱アニーリング工程等の
高温に耐えることが出来ない等の問題があシ、コンパク
トディスク等の比較的記録密度の小さい用途に限定され
ているのが現状である。
る方法も広く検討されている。これは成形型表面全鏡面
加工し、該表面を成形品表面に転写しようとするもので
あるが、然しなから表面平滑性の優れた鏡面を得るとい
う点では比較的容易ではあるものの、基板としての剛性
が不足である、機能膜を蒸着またはスパッタリング法で
付与する際の高温、機能膜の高熱アニーリング工程等の
高温に耐えることが出来ない等の問題があシ、コンパク
トディスク等の比較的記録密度の小さい用途に限定され
ているのが現状である。
一方、金属板もしくはガラス板及びプラスチックの特徴
を兼ね備え、更に前記欠点を克服せんとの目的で金属板
もしくはガラス板とプラスチックとの複合板が提案され
てはいるが、両者の熱膨張係数が異なるため冷熱繰返し
による接着性の低下、樹脂層のクラック発生等が生じて
しまい、樹脂層を薄く軟くせざるを得す、樹脂層の形成
もコーティングといった手法に頼らざるを得す、このた
め表面平滑性が満足出来ないあるいは表面硬度が不足す
るといった問題が生じてしまう。
を兼ね備え、更に前記欠点を克服せんとの目的で金属板
もしくはガラス板とプラスチックとの複合板が提案され
てはいるが、両者の熱膨張係数が異なるため冷熱繰返し
による接着性の低下、樹脂層のクラック発生等が生じて
しまい、樹脂層を薄く軟くせざるを得す、樹脂層の形成
もコーティングといった手法に頼らざるを得す、このた
め表面平滑性が満足出来ないあるいは表面硬度が不足す
るといった問題が生じてしまう。
本発明者らは、これらの問題を一挙に解決する方法を鋭
意検討し本発明を完成するに到った。
意検討し本発明を完成するに到った。
即ち表面平滑性を有する１枚又は２枚の鏡面板の平滑面
に予め３次元架橋硬化した樹脂層を形成しておき、一方
金属板の両面もしくは片面に硬化可能な樹脂組成物を塗
布し、前記硬化樹脂層と塗布樹脂層を対向させて積層し
、塗布樹脂層を積層された状態で３次元架橋せしめ、鏡
面板剥離時に硬化塗膜を基板面に転写せしめるという方
法で光・磁気ディスク用として極めて優れた基板を得ら
れることを見い出し本発明に到達したものである。
に予め３次元架橋硬化した樹脂層を形成しておき、一方
金属板の両面もしくは片面に硬化可能な樹脂組成物を塗
布し、前記硬化樹脂層と塗布樹脂層を対向させて積層し
、塗布樹脂層を積層された状態で３次元架橋せしめ、鏡
面板剥離時に硬化塗膜を基板面に転写せしめるという方
法で光・磁気ディスク用として極めて優れた基板を得ら
れることを見い出し本発明に到達したものである。
以下に本発明の詳細を第１図により説明する。
本発明は第１図（ｃ）の如き金属板（３）とその片面も
しくは両面に形成される樹脂薄膜（２）、（４）とから
構成される光・磁気メそリー用基板を製造するための方
法に関するものである。
しくは両面に形成される樹脂薄膜（２）、（４）とから
構成される光・磁気メそリー用基板を製造するための方
法に関するものである。
まず第１図（ａ）に示した如く１枚もしくは２板の、光
・磁気ディスクに要求される平滑度を満足する表面を有
する平面板（１）を準備する。
・磁気ディスクに要求される平滑度を満足する表面を有
する平面板（１）を準備する。
平面板（１）としてはその平滑度に鑑み研摩されたガラ
ス板、金属板が用いられ、該表面に樹脂層（２）を形成
し必要に応じて加熱硬化せしめる。樹脂は一般には溶液
状の謂ゆるワニスとして用いられるため薄膜形成が可能
である。また被塗布板（平面板）が耐熱性を有する基板
であるため所望の温度での硬化が可能であシ、必要なら
ば塗膜の歪を緩和する目的で高温アニールすることも可
能である。
ス板、金属板が用いられ、該表面に樹脂層（２）を形成
し必要に応じて加熱硬化せしめる。樹脂は一般には溶液
状の謂ゆるワニスとして用いられるため薄膜形成が可能
である。また被塗布板（平面板）が耐熱性を有する基板
であるため所望の温度での硬化が可能であシ、必要なら
ば塗膜の歪を緩和する目的で高温アニールすることも可
能である。
一般には、光・磁気機能膜をスパッター、蒸着等により
形成するに際して、表面が高温に曝らされるとか、機能
膜を高温でアニールするに際しても高温に曝らされると
いった工程に耐えるために、熱硬化型樹脂が好んで用い
られる。これら樹脂としてはイミド系樹脂、エポキシ系
樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、フェノー
ル系樹脂等が挙げられる。
形成するに際して、表面が高温に曝らされるとか、機能
膜を高温でアニールするに際しても高温に曝らされると
いった工程に耐えるために、熱硬化型樹脂が好んで用い
られる。これら樹脂としてはイミド系樹脂、エポキシ系
樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、フェノー
ル系樹脂等が挙げられる。
また紫外線・電子線硬化可能なアクリル系樹脂も生産性
、経済性、表面硬度を考慮して好んで用いられる樹脂の
一つである。
、経済性、表面硬度を考慮して好んで用いられる樹脂の
一つである。
またこの樹脂層（２）の塗布厚みとしては、最終的に金
属基板との複合体となるため、その両者の熱膨張係数の
差による樹脂層のクラックを防止するという意味で可及
的に薄膜であることが好ましいが、一般には１００μｍ
以下、特に２０μｍ以下である。
属基板との複合体となるため、その両者の熱膨張係数の
差による樹脂層のクラックを防止するという意味で可及
的に薄膜であることが好ましいが、一般には１００μｍ
以下、特に２０μｍ以下である。
塗布方法としてはスピンナー法、バーコーター法、ディ
ップ法、ロールコータ−法等の常法により実施可能であ
る。
ップ法、ロールコータ−法等の常法により実施可能であ
る。
また該工程では、最終塗膜（２）が平面板（１）の平滑
面に強固に密着するのは転写のし難さという観点から好
ましくなく、テープ剥離可能な程度の密着性であること
が好ましい。この密着力の調整は樹脂の種類の選択、平
板面の離型処理といった手法で調整される。
面に強固に密着するのは転写のし難さという観点から好
ましくなく、テープ剥離可能な程度の密着性であること
が好ましい。この密着力の調整は樹脂の種類の選択、平
板面の離型処理といった手法で調整される。
次いで第１図（ａ）に示した如く金属板（３）の片面若
しくは両面に最終的に硬花可能な樹脂（４）を塗布する
。該樹脂（４）は未硬化状態で前記樹脂層（２）を有す
る平面板（１）と樹脂層が対向するように積層圧締する
ので、無溶剤型の樹脂組成物であること、および平面板
（１）上の樹脂層（２）および金属板（３）と強固に密
着する樹脂であることが必要である。
しくは両面に最終的に硬花可能な樹脂（４）を塗布する
。該樹脂（４）は未硬化状態で前記樹脂層（２）を有す
る平面板（１）と樹脂層が対向するように積層圧締する
ので、無溶剤型の樹脂組成物であること、および平面板
（１）上の樹脂層（２）および金属板（３）と強固に密
着する樹脂であることが必要である。
この様な樹脂（４）としては耐熱性、耐候性、密着性と
いう観点から無溶剤型のエポキシ樹脂系が優れておシ、
特にガラス転移温度が高いという理由から、脂環式エポ
キシ樹脂、液状多塩基酸無水物、硬化促進剤を主成分と
してなる配合組成物が最適である。
いう観点から無溶剤型のエポキシ樹脂系が優れておシ、
特にガラス転移温度が高いという理由から、脂環式エポ
キシ樹脂、液状多塩基酸無水物、硬化促進剤を主成分と
してなる配合組成物が最適である。
次いで該積層物を所定の圧力下で接着層を加熱硬化せし
め一体化する（第１図山））。
め一体化する（第１図山））。
その後第１図（ｃ）に示した如く、平面板（１）を除去
して平面板面の樹脂（２）を基板側に転写せしめる。
して平面板面の樹脂（２）を基板側に転写せしめる。
かくして得られる光・磁気メモリー用基板は、平面板の
平滑面が忠実に転写される上に、最上層表面に耐熱性樹
脂層が形成され、更に第２層の樹脂薄膜が形成されてい
るため基板との密着性、耐クラツク性等に優れた基板で
ある。
平滑面が忠実に転写される上に、最上層表面に耐熱性樹
脂層が形成され、更に第２層の樹脂薄膜が形成されてい
るため基板との密着性、耐クラツク性等に優れた基板で
ある。
以下に実施例を述べる。
実施例１
片面研摩処理および離型処理を施した２枚のガラス板の
夫々の処理面（表面粗さＲｍａｘ ０．０１〜０゜０２
μｍ）にポリイミド樹脂フェス（商品名ＰＹＬＥ −■
７、デュポン社製）をバーコーターにより塗布し、１５
０℃の温度で溶媒を乾燥除去した後、２００℃２時間加
熱し閉環反応を生せしめ完全硬化し、夫々ガラス板片面
に厚さ５μｍの塗膜を形成した。
夫々の処理面（表面粗さＲｍａｘ ０．０１〜０゜０２
μｍ）にポリイミド樹脂フェス（商品名ＰＹＬＥ −■
７、デュポン社製）をバーコーターにより塗布し、１５
０℃の温度で溶媒を乾燥除去した後、２００℃２時間加
熱し閉環反応を生せしめ完全硬化し、夫々ガラス板片面
に厚さ５μｍの塗膜を形成した。
次いで、直径１００閣厚み１フのＭ製円板の両面に以下
の配合のエポキシ樹脂配合物を脱泡後室布した。厚みは
１０μｍであった。
の配合のエポキシ樹脂配合物を脱泡後室布した。厚みは
１０μｍであった。
脂環式エポキシ樹脂
（ダイセル物裂セロキサイド＋２０２１） １００
重量部メチルへキサヒドロフタール酸無水物
１２０２．６−ジターシャリ−ブチル−ｐ−クレゾール
１・０１
．８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセンの２−
エチルへキシルカルボン酸塩
３．０次いで前記ガラス板の塗膜
面を対向させて積層して熱プレスに挾み、１２０℃、１
０ｋｇ／ｃｍで加熱加圧し積層物を一体化した。
重量部メチルへキサヒドロフタール酸無水物
１２０２．６−ジターシャリ−ブチル−ｐ−クレゾール
１・０１
．８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセンの２−
エチルへキシルカルボン酸塩
３．０次いで前記ガラス板の塗膜
面を対向させて積層して熱プレスに挾み、１２０℃、１
０ｋｇ／ｃｍで加熱加圧し積層物を一体化した。
次いでガラス板のみを除去しポリイミド塗膜を転写した
。得られた複合板は厚み１．０２〜１．０４瓢、表面粗
さＲｍａｘ ０．０１〜０．０２ μｍであり、光・磁
気ディスク用基板として理想的なものであった。
。得られた複合板は厚み１．０２〜１．０４瓢、表面粗
さＲｍａｘ ０．０１〜０．０２ μｍであり、光・磁
気ディスク用基板として理想的なものであった。
実施例２
片面研摩を施した１枚のガラス板の研摩面（表面粗さＲ
ｍａｘ ０．０１〜０．０２ μｍ）に以下の如き紫外
線硬化樹脂配合物を塗布し、７０℃１０分間乾燥後紫外
線を照射し硬化せしめた。硬化塗膜は鉛筆硬度で９Ｈで
あった。
ｍａｘ ０．０１〜０．０２ μｍ）に以下の如き紫外
線硬化樹脂配合物を塗布し、７０℃１０分間乾燥後紫外
線を照射し硬化せしめた。硬化塗膜は鉛筆硬度で９Ｈで
あった。
ジペンタエリスリトールへキサアクリレート
１００ 重量部４’−イソプロピル
２−ヒドロキシ−２−メチルグロビオフェノン
４イソプロパツール
４００トルエン １００ レベリング剤 ０．４塗膜厚み
は１０μｍとした。
１００ 重量部４’−イソプロピル
２−ヒドロキシ−２−メチルグロビオフェノン
４イソプロパツール
４００トルエン １００ レベリング剤 ０．４塗膜厚み
は１０μｍとした。
また実施例１に用いたのと同様なＭ製円板の片面に、実
施例１に用いたエポキシ樹脂組成物を厚み１０１１ｍに
なるようにバーコーターを用いて塗布ＡＩ！ して実施例１と同様な方法でｍ製円板片面に・樹脂硬化
層を有する基板を得た。
施例１に用いたエポキシ樹脂組成物を厚み１０１１ｍに
なるようにバーコーターを用いて塗布ＡＩ！ して実施例１と同様な方法でｍ製円板片面に・樹脂硬化
層を有する基板を得た。
得られた複合板は厚み１．０１〜１．０３〒、表面粗さ
Ｒｍａｘ Ｏ，０１〜０．０２ μｍであり、光・磁気
ディスク用基板として理想的なものであった。
Ｒｍａｘ Ｏ，０１〜０．０２ μｍであり、光・磁気
ディスク用基板として理想的なものであった。
第１図は本発明の詳細な説明するための概略断面図であ
る。 （ａ）は加圧前の状態、（ｂ）は加圧状態、（Ｃ）は平
面板を離型した状態を示す。
る。 （ａ）は加圧前の状態、（ｂ）は加圧状態、（Ｃ）は平
面板を離型した状態を示す。
Claims (5)
- （１）表面平滑性を有する１枚又は２枚の平面板の平滑
面上に、同一種または異種の樹脂を被覆固化せしめる工
程（工程 I ）、 １枚の円盤状金属板の少くとも片面の表面に３次元架橋
可能な液状樹脂組成物を塗布する工程（工程II）、 該樹脂塗布面上に工程 I で得られた樹脂被覆板の被覆
面が接するように載置、圧接し、樹脂組成物を３次元架
橋硬化せしめる工程（工程III）、および平面板を除去
し平面板上の被覆塗膜を３次元架橋樹脂層に転写せしめ
る工程（工程IV）、から成ることを特徴とする磁気メモ
リー用、光メモリー用、または光磁気メモリー用鏡面基
板の製造方法。 - （２）平面板を被覆する樹脂が紫外線または電子線の照
射により硬化せしめられた硬化樹脂である特許請求の範
囲第１項記載の方法。 - （３）平面板を被覆する樹脂が加熱硬化せしめられた硬
化樹脂である特許請求の範囲第１項の方法。 - （４）硬化樹脂がポリイミド系樹脂硬化物である特許請
求の範囲第１項または第３項記載の方法。 - （５）円盤状金属板上に塗布される液状樹脂が液状エポ
キシ樹脂、液状多塩基酸無水物、硬化促進剤を主成分と
してなる組成物である特許請求の範囲第１項、第２項、
または第４項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24456284A JPS61126646A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 光・磁気メモリ−用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24456284A JPS61126646A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 光・磁気メモリ−用基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61126646A true JPS61126646A (ja) | 1986-06-14 |
Family
ID=17120559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24456284A Pending JPS61126646A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 光・磁気メモリ−用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61126646A (ja) |
-
1984
- 1984-11-21 JP JP24456284A patent/JPS61126646A/ja active Pending
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