JPS61121442A - 湿式スプレ−エツチング装置 - Google Patents

湿式スプレ−エツチング装置

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Publication number
JPS61121442A
JPS61121442A JP24375284A JP24375284A JPS61121442A JP S61121442 A JPS61121442 A JP S61121442A JP 24375284 A JP24375284 A JP 24375284A JP 24375284 A JP24375284 A JP 24375284A JP S61121442 A JPS61121442 A JP S61121442A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
work
etching
nozzles
diffusion
workpiece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24375284A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyoshi Senma
千間 和義
Hideo Matsumoto
英雄 松本
Katsu Kishimoto
岸本 克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP24375284A priority Critical patent/JPS61121442A/ja
Publication of JPS61121442A publication Critical patent/JPS61121442A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、各種小型機器・装置・部品・製品に用いる、
シャフト・プレートの表面層に部分腐食させる湿式スプ
レーエツチング装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点 従来の湿式スプレーエツチング装置は、第1図にその具
体的構成を示めすように、エツチング槽1にエツチング
液を搬送するパイプ2の先端部に1ケ所取りつけられ、
エツチング液を拡散フン射するノズル3と、エツチング
液を搬送パイプ2に一定圧で圧送するポンプ4と、エツ
チング槽の内側に設けられたワーク保持ユニット6から
構成された湿式スプレーエツチング装置である。この装
置ではポンプ4の駆動によりエツチング液が搬送パイプ
2に圧送され搬送パイプ2の先端部に1ケ所だけ取りつ
けられた拡散フン射ノズル3から一定圧で拡散されたエ
ツチング液が、ワーク保持ユニット6に保持されたワー
クに噴射され、ワーク表面を腐食しエツチング加工され
る。
しかしながら上記のような構成では、ワークに当たるエ
ツチング液の当り方がワークの上下にて違い、絶えずエ
ツチング液が直接当っている上側は、ワーク表面が射出
圧を受は腐食された金属が除去されることにより浸食速
度が速くなる。下側はワーク表面の腐食された金属が除
去されにくいことから浸食速度が遅くなるので、一つの
ワークの中でエツチング深さの違いが出ることと、浸食
速度の違いからエツチングされた面粗さの違いが発生す
るという欠点を有していた。
発明の目的 本発明は上記従来例の欠点を解消するもので均一で安定
したエツチング深さとエツチング面粗さをつくり出す湿
式スプレーエツチング装置を提供するものである。
発明の構成 本発明は、エツチング液を拡散噴射するノズルをワーク
に対し少なくとも両側に設けてなり、2ケ所以上取りつ
けられたノズルから拡散噴射されたエツチング液により
ワークを中心にして射出圧を持った均一の噴霧状態をつ
くり均一で安定性のあるエツチング深さとエツチング面
粗さをつくり出すことができるという特有の効果を有す
る。
実施例の説明 以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
第2図において、エツチング槽6にエツチング液を搬送
するパイプ了に4ケ所取りつけられ、エツチング液を拡
散噴射するノズル8と、エツチング液を搬送パイプ7に
一定圧で圧送するポンプ9と、エツチング槽6の内側に
設けられたワーク保持ユニット1oと、このワーク保持
ユニット10を回転させるモーター11とからなる湿式
スプレーエツチング装置について以下にその動作を説明
する。
まずポンプ9の駆動によりエツチング液が搬送パイプ7
に圧送され搬送パイプ7に取りつけられた4ケ所の拡散
フン射ノズル8から一定圧で拡散噴射されたエツチング
液が、ポンプ駆動スイッチと連動して回転するモーター
11とこのモーター11と一体化しワークを保持して、
回転するワーク保持ユニット10が、回転することによ
り、エツチング加工が行なわれる。
以上の実施例によれば、4ケ所の拡散噴射ノズル8を2
ケづつ向い合わせにし、かつ上下間隔を調整することに
よりワークを中心に一定の噴霧範囲が生み出される、ま
だ、ワークを一定スピードで回転させることによりワー
ク外周全面に安定した形で噴射圧をもったエツチング液
が当たる。このようにノズル8を設け、かつワークに回
転をあたえることにより、均一で安定したエツチング深
さとエツチング面粗さをつくり出すことが出来る。
なお、実施例においてはノズル8は4ケ所としたがノズ
ル8は2ケ所以上であ五ばよい。
発明の効果 以上のように本発明は拡散噴射ノズルを2ケ所以上設け
、かつワーク保持ユニットに取りつけたワークを回転さ
せることにより、均一で安定したエツチング深さとエツ
チング面粗さを生み出すことができその実用効果は大な
るものがある。
【図面の簡単な説明】
第1図イ2口は従来の湿式スプレーエツチング装置の概
略構成の正面断面図及び側面図、第2図イ1口は本発明
の一実施例における湿式スプレーエツチング装置の概略
構成の正面断面図及び側面図である。 6・・・・・・エツチング槽、7・・・・・・搬送パイ
プ、8・・・・・・拡散噴射ノズル、9・・・・・・ポ
ンプ、1o・川・・ワーク保持ユニット、11・川・・
モータ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが1名第1
図 (イ] 第2図 (口]

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)エッチング液を拡散噴射するノズルをワークに対
    し少なくとも両側に設けてなる湿式スプレーエッチング
    装置。
  2. (2)ノズルを水平方向に設けてなる特許請求の範囲第
    1項記載の湿式スプレーエッチング装置。
  3. (3)ワークを保持する保持ユニットを回転させるモー
    ターを設けてなる特許請求の範囲第1項記載の湿式スプ
    レーエッチング装置。
JP24375284A 1984-11-19 1984-11-19 湿式スプレ−エツチング装置 Pending JPS61121442A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24375284A JPS61121442A (ja) 1984-11-19 1984-11-19 湿式スプレ−エツチング装置

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JP24375284A JPS61121442A (ja) 1984-11-19 1984-11-19 湿式スプレ−エツチング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61121442A true JPS61121442A (ja) 1986-06-09

Family

ID=17108453

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24375284A Pending JPS61121442A (ja) 1984-11-19 1984-11-19 湿式スプレ−エツチング装置

Country Status (1)

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JP (1) JPS61121442A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5032217A (en) * 1988-08-12 1991-07-16 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. System for treating a surface of a rotating wafer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5032217A (en) * 1988-08-12 1991-07-16 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. System for treating a surface of a rotating wafer

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