JPS61114443A

JPS61114443A - 撮像管装置

Info

Publication number: JPS61114443A
Application number: JP23416284A
Authority: JP
Inventors: Hideki Motoyama; 英樹本山
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1984-11-08
Filing date: 1984-11-08
Publication date: 1986-06-02
Also published as: JPH0574897B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は撮像管装置に係わり、とくに電磁集束、静電偏
向形撮像管装置の改良に関する。

〔発明の技術的背景およびその問題点〕デフレフトロン
と称されるジグザグパターンからなる静電偏向電極をも
つ撮像管と、その外周に配置された電磁偏向コイルとを
組合せた撮像管装置は、とくに周辺解像度およびその均
一性がすぐれている点で実用されている。このような撮
像管装置において、解像度を改善する目的で集束コイル
を撮像管の前方すなわちターゲット側に寄せて配置する
ことが実開昭５２−５８９１８号公報に示されている。

また一方、電磁集束磁界分布をその最大点が静電偏向電
極の中心部で最大となり且つターゲット位置での磁束密
度が最大値の２０％以下となるように設定することも、
特開昭５８−２２０３４０号公報に開示されている。

最近実用化されつつある高品位テレビ用の撮像管装置で
は、とくに周辺を含めた解像度すなわち全面における振
幅変調度の向上およびその均一性、シェーディング特性
、お本び図形歪をさらに改善すべきことが要求されてき
ている。この点で本発明者の種々の評価では前記各公報
に示される撮像管装置にはさらに改良の余地が認められ
た。

（発明の目的）本発明は、以上の事情に鑑みてなされたもので、ジグザ
グパターンからなる静電偏向電極をもつ搬像管に対して
電磁集束磁界の強度分布を改良することにより、画面全
体にわたり高解像度が得られ、且つシェーディング特性
、図形歪を改良しうる撮像管装置を提供するものである
。

〔発明の概要〕

本発明は、電子ビーム路のまわりに設けられたジグザグ
パターンからなる静電偏向電極を有してなる撮像管とこ
の撮像管の外周に配設された電磁集束コイルとを具備す
る撮像管装置において、電磁集束コイルにより形成され
る管軸上の磁束密度分布、をその最大点がリミッティン
グ・アパーチャからターゲットまでの距離の２０分の１
以上、２分の１未満の範囲内でミッティング・アパーチ
ャ寄りに位置するように構成されてなる撮像管装置であ
る。これによってと（に画面全体にわたる高解像度、シ
ェーディング特性、および図形歪を改良することができ
る。

（発明の実施例）以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。

なお同一部分は同一符号であられす。

第１図に示すように、静電偏向形撮像管（υ−）の外周
に電磁集束コイル（１２）が同軸的に配設されている。

撮像管（１１）は、ガラス製真空容器（１３）の内面に
デフレフトロンとして知られるジグザグパターンからな
る静電偏向電極（１４）が被着形成されている。この静
Ｎ偏向電極（１４）は図示のように管の長手方向にわた
って各偏向電極がおよそ９０度回転するパターン構成を
有している。

真空容器（１３）の一端部にはフェースプレート（１５
）が気密接合され、その内面に光電変換ターゲット（１
６）が設けられ、その信号電極（１７）が管外導出され
ている。また光電変換ターゲット（１６）に近接してメ
ツシュ電極（１８）が配置され、この近傍まで静電偏向
電極（１４）が形成されている。真空容器（１３）の他
端部にはリードビン（１９）が植設されたステムが気密
接合され、各リードビン（１９）にカソード（２０）、
第１グリツド（２１）、第２グリツド（２２）、および
シールド筒（２３）が保持され、電子銃が構成されてい
る。第２グリツド（２２）には直径がおよそ２０μｍの
リミッティング・アパーチャ（２４）が取付けられてい
る。そしてこのリミッティング・アパーチャ（２４）に
連続して静電シールドおよび戻りビームによる電極反射
を防止するためのシールド筒（２３）が管軸に沿って突
出されている。なお動作にあたっては、第１グリツド（
２１）にＯ〜＋３０Ｖ、第２グリツド（２２）におよそ
＋３００ｖが印加される。静電偏向電極（１４）の下端
は第１グリツド（２１）の下方まで延長して形成されて
いる。撮像管りユ）の外周には、アルミニウム製のコイ
ル装着用の支持筒（２５）が配置され、これにターゲッ
ト側から！磁集束コイル（１２）を構成する第１集束コ
イル（２６）、第２集束コイル（２７）、およびアライ
メントコイル（２８）が順次装着されている。アライメ
ントコイル（２８）は第２グリツド（２２）の外周に対
応して配置され、また第１集束コイル（２６）よりも短
い寸法の第２集束コイル（２７）は、コイルの巻数が第
１集束コイル（２６）よりも多く、シールド１ｉＴ（２
３）の近くの外周に配置されている。これらコイルの外
周をとりまいて強磁性体製のヨーク（２９）が配設され
ており、そのターゲット側に同じく強磁性体製のカバー
（３０）がかぶせられている。支持筒（２５）には固定
リング（３１）が螺合されている。

さて、動作において電磁集束コイル（１２）の分割され
た２つの第１集束コイル（２６）および第２集束コイル
（２７）は直列に接続され、コイルリード（３２）から
供給される共通の電流により励磁される。この電磁集束
コイル（１２）は、それによって撮像管内に第２図に示
す管軸上の磁束密度分布をあられすように構成されてい
る。そして電子ビーム（ｅ）はリミッティング・アパー
チャ（２４）からターゲット（１６）までの距離（Ｌ）
間で１ループを描いてターゲット（１６）上に集束され
る。

とくに電磁集束磁界は、第２図に示す分布となっており
、管軸上の最大点（Ｂｍ）が、リミッティング・アパー
チャ（２４）からターゲット（１６）まで距離（Ｌ）の
１／２０乃至１／２の範囲でリミッティング・アパーチ
ャ（２４）寄りに位置するようになっている。これによ
ってζくにシールド筒付近で集束磁界強度が強く、後述
のすぐれた効果が得られる。なお磁界強度最大点の位置
の設定は、主として巻数の多い第２集束コイル（２７）
の巻数あるいは長さにより任意に設定できる。そしてこ
の磁界分布は、最大点（Ｂｍ）からターゲット側では途
中までなだらかに減少したうえその領域（ＢＸ）から急
激に低下し、ターゲット（１６）に相当する位置での磁
束密度（ａｔ）が最大値に対して１０％以上、６０％以
下の範囲の値となるように設定されている。またリミッ
ティング・アパーチャ（２４）がねでは最大点（Ｂｍ）
から急激に減少してこのリミッティング・アパーチャに
対応する位置での磁束密度（Ｂａ）が同じく最大値に対
して１０％以上、６０％以下の範囲の値となるように設
定されている。

な゛お、この磁界分布はとくに好ましくは最大点（ａｍ
）の位置が距離（Ｌ）の１／１０以上、１／２．５　　
の範囲でリミッティング・アパーチャ寄りとなるように
設定する。ターゲットおよびリミッティング・アパーチ
ャの位置での磁束密度（８ｔ）、（Ｂａ）は、とくに好
ましくは各々最大値の２０％以上、５０％以下の範囲と
なるように設定する。

以上の構成による本発明は、画面の中心および周辺の解
像度がともにすぐれ、またシェーディング特性、図形歪
も良好な結果を示す。

すなわち、集束磁界の強度がリミッティング・アパーチ
ャのすぐ下流のシールド筒付近で最も強い分布であるた
め、静電偏向電界の影響をあまり受けずに電子ビームの
回転半径が著しく小さく集束される。したがって電子ビ
ームの発散角および軌道上の拡散が小ざく、収差が少な
くてと（に周辺解像度および均一性のすぐれた画像が得
られる。

この本発明の優位性は第３図に示す特性図により足口的
にも裏付けられる。同図は第２図に示した集束磁界強度
分布の最大点（Ｂｍ）の位置をリミッティング・アパー
チャ（２４）から光電変換ターゲット（１６）までの範
囲で変化させた場合の各々における解像度すなわち振幅
変調度、シェーディング特性、画像歪、および偏向率を
プロットしたものである。なお振幅変調度は４００テレ
ビ本のテストパターンにより測定した結果である。この
結果から、上述した本発明の集束磁界分布が総合的な画
質においてとくにすぐれており、なお且つとくに偏向率
すなわち偏向感度が著しく向上することが裏付けられて
いる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、電子ビーム路のまわりに
設けられたジグザグパターンからなる静。

電偏向電極を有してなる撮像管とこの撮像管の外周に配
設された電磁集束コイルとを具備する撮像管装置におい
て、電磁集束コイルにより形成される管軸上の磁束密度
分布をその最大点がリミッティング・アパーチャからタ
ーゲットまでの距離の２０分の１以上、２分の１未満の
範囲内でミッティング・アパーチャ寄りに位置するよう
に構成されてなり、これによってとくに画面全体にわた
る高解像度、シェーディング特性、図形歪、および偏向
感度を改良することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す半断面図、第２図はその
集束磁界分布特性図、第３図は本発明の詳細な説明する
ための特性図である。（１１）・・・撮像管、＜１２）・・・電磁集束コイル
、（１４）・・・静電偏向電極、（ｅ）・・・電子ビー
ム、（１６）・・・光電変換ターゲット、（２０ン・・・カソード、り２４）・・・リミッティング・アパーチャ、（２３）
・・・シールド筒、（２６）・・・第１集束コイル、（２７）・・・第２集束コイル、（Ｌ）・・・リミッティング・アパーチャからターゲッ
トまでの距離、（Ｂｍ）・・・磁束最大点、（Ｂａ）・・・リミッティング・アパーチャ位買での磁
束密度、（Ｂｔ）・・・ターゲット位瞳での磁束密度。代理人　弁理士　則　近　憲　佑（ほか１名）第１図第　　３　図 ↑ 手続補正書（自発）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）リミッティング・アパーチャをもつ電子銃、光電
変換ターゲット、およびこれら電子銃からターゲットに
至る領域の電子ビーム路のまわりに設けられたジグザグ
パターンからなる静電偏向電極を有してなる撮像管と、この撮像管の外周に配設された電磁集束コイルとを具備する撮像管装置において、上記電磁集束コイルにより形成される管軸上の磁束密度分布は、その最大点が上記リミッティング
・アパーチャからターゲットまでの距離の２０分の１以
上、２分の１未満の範囲内でミッティング・アパーチャ
寄りに位置するように構成されてなることを特徴とする
撮像管装置。
（２）電磁集束磁界は、撮像管のリミッティング・アパ
ーチャおよびターゲットの位置での磁束密度が最大点の
値に対して１０％以上、６０％以下の範囲の値に設定さ
れてなる特許請求の範囲第１項記載の撮像管装置。
（３）電磁集束磁界で集束される電子ビームは、１ルー
プを描いてターゲット上に集束される構成の特許請求の
範囲第１項記載の撮像管装置。
（４）電磁集束コイルは、管軸方向に沿って複数個に分
割されてなるとともに、リミッティング・アパーチャに
近い方のコイルの巻数が他のコイルの巻数よりも多く、
各コイルが直列接続され同一電流が供給されてなる特許
請求の範囲第１項記載の撮像管装置。
（５）撮像管は、リミッティング・アパーチャのすぐ下
流に軸方向に延びるシールド筒を有してなる特許請求の
範囲第１項記載の撮像管装置。