JPS61114442A - 撮像管 - Google Patents
撮像管Info
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- JPS61114442A JPS61114442A JP59234599A JP23459984A JPS61114442A JP S61114442 A JPS61114442 A JP S61114442A JP 59234599 A JP59234599 A JP 59234599A JP 23459984 A JP23459984 A JP 23459984A JP S61114442 A JPS61114442 A JP S61114442A
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- JP
- Japan
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- electrode
- mesh
- holder
- target surface
- camera tube
- Prior art date
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- Pending
Links
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/025—Mounting or supporting arrangements for grids
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Studio Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は撮像管に関する。
第1θ図は撮像管のターゲット面周辺を示す図である。
同図において、(1)はガラスパルプ、(2)はフェー
スプレート、(3)はターゲット面(光電変換面)、(
4)は冷封止用のインジウム、(5)は金属リングであ
る。また、(6)は、フェースプレート(2)を貫通し
てターゲット面(3)に接触するようになされている信
号取り出し用の金属電極である。また、(7)は電子゛
ビームのランディングエラーを補正するためのメ
ツシュ状電極であり、インジウム(4)に機械的かつ電
気的に接続されたメツシュホルダー(8)に取り付けら
れる。メツシュ状電極(7)には金属リング(5)、イ
ンジウム(4)及びメツシュホルダー(8)を介して所
定電圧が印加される。
スプレート、(3)はターゲット面(光電変換面)、(
4)は冷封止用のインジウム、(5)は金属リングであ
る。また、(6)は、フェースプレート(2)を貫通し
てターゲット面(3)に接触するようになされている信
号取り出し用の金属電極である。また、(7)は電子゛
ビームのランディングエラーを補正するためのメ
ツシュ状電極であり、インジウム(4)に機械的かつ電
気的に接続されたメツシュホルダー(8)に取り付けら
れる。メツシュ状電極(7)には金属リング(5)、イ
ンジウム(4)及びメツシュホルダー(8)を介して所
定電圧が印加される。
このような従来の撮像管においては、例えば外部より力
が加わると、いわゆるマイクロッオニツクノイズを発生
し、両面上には横すじが現れる問題があった。このマイ
クロッオニツクノイズは、メツシュ状電極(7)が振動
するために発生することが知られている。即ち、メツシ
ュ状電極(7)はターゲット面(3)に隣接して位置し
ているために、メツシュ状電極(7)が振動するとター
ゲット面(3)との間の容量を通して信号電流にノイズ
とし”C混入する電流が発生し、これがマイクロッオニ
ツクノイズとなる。
が加わると、いわゆるマイクロッオニツクノイズを発生
し、両面上には横すじが現れる問題があった。このマイ
クロッオニツクノイズは、メツシュ状電極(7)が振動
するために発生することが知られている。即ち、メツシ
ュ状電極(7)はターゲット面(3)に隣接して位置し
ているために、メツシュ状電極(7)が振動するとター
ゲット面(3)との間の容量を通して信号電流にノイズ
とし”C混入する電流が発生し、これがマイクロッオニ
ツクノイズとなる。
このマイクロッオニツクノイズを低減するために、従来
メツシュ状電極の振動を抑える種々の方法が試みられて
来たが、構造が複雑になる、コスト高になる、効果が十
分でないなどの問題を含んでいる。
メツシュ状電極の振動を抑える種々の方法が試みられて
来たが、構造が複雑になる、コスト高になる、効果が十
分でないなどの問題を含んでいる。
ところで、従来の撮像管において、マイクロッオニツク
ノイズが目立ち易いのは、次の理由によるものと考えら
れる。即ち、従来の撮像管においては、メツシュホルダ
ー(8)の例えば長方形の開口部の周辺の形状は一様で
、同温による再結晶処理いわゆるアニール処理された後
のメツシュ状電極(7)の各部の張力は均一となり、そ
のため、振動時には安定な定在波が発生し、メツシュ状
電極(7)の振動の減衰は遅く、マイクロッオニツクノ
イズが目立つのである。
ノイズが目立ち易いのは、次の理由によるものと考えら
れる。即ち、従来の撮像管においては、メツシュホルダ
ー(8)の例えば長方形の開口部の周辺の形状は一様で
、同温による再結晶処理いわゆるアニール処理された後
のメツシュ状電極(7)の各部の張力は均一となり、そ
のため、振動時には安定な定在波が発生し、メツシュ状
電極(7)の振動の減衰は遅く、マイクロッオニツクノ
イズが目立つのである。
本発明は斯る点に鑑み、簡単かつ安価にマイクロッオニ
ツクノイズの低減、即ち耐振性の向上を図るものである
。
ツクノイズの低減、即ち耐振性の向上を図るものである
。
本発明は上述問題点を解決するため、ターゲット面(3
)と対向して配されるメツシュ状電極(7)が、その各
部の張力が不均一な状態でメツシュホルダー(8)に支
持されるものである。例えば、メツシュホルダー(8)
の長方形の開口部(91,(12)の1組の辺(9a)
、 (9b) 、 (12a) 、 (12b
)を円弧状に歪ませるものである。
)と対向して配されるメツシュ状電極(7)が、その各
部の張力が不均一な状態でメツシュホルダー(8)に支
持されるものである。例えば、メツシュホルダー(8)
の長方形の開口部(91,(12)の1組の辺(9a)
、 (9b) 、 (12a) 、 (12b
)を円弧状に歪ませるものである。
メツシュ状電極(7)の各部の張力が不均一な状態で支
持されるので、振動時安定な定在波の発生が妨げられ、
メツシュ状電極(7)の振動の減衰が速められ、従って
、マイクロッオニツクノイズが低減される。
持されるので、振動時安定な定在波の発生が妨げられ、
メツシュ状電極(7)の振動の減衰が速められ、従って
、マイクロッオニツクノイズが低減される。
以下、第1図を参照しながら本発明の一実施例について
説明しよう。第1図は本例におけるメツシュ状電極(7
)及びメンシュホルダー(8)を示している。
説明しよう。第1図は本例におけるメツシュ状電極(7
)及びメンシュホルダー(8)を示している。
メツシュホルダー(8)は、ターゲット向側の部材(8
A)とカソード側の部材(8B)とで構成される。
A)とカソード側の部材(8B)とで構成される。
部材(8A)は、第2図に示す形状とされる。第3図及
び第4図は夫々第2図A−A’線上断面図及びB−B’
線上断面図である。即ち、部材(8A)は全体として円
筒形であり、その一端(カソード側)には長方形状の開
口部(9)が形成され、その他端(ターゲット面側)に
はインジウム(4)(第10図参照)に固定するための
鍔部■が形成される。ここまでは従来と同様であるが、
本例においては、開口部(9)を構成する例えば水平方
向の1組の辺(9a) 、 (9b)がターゲット面
側にふくらむ円弧状となるように、その辺を含む面が球
面形状とされる。例えば172インチ管の場合、開口部
(9)の水平方向の長さdxa及び垂直方向の長さdy
aが、夫々的8.7m及び6.3mのとき、辺(9a)
、 (9b)の最大変位11 doaは0.15〜
0.201mとされる。
び第4図は夫々第2図A−A’線上断面図及びB−B’
線上断面図である。即ち、部材(8A)は全体として円
筒形であり、その一端(カソード側)には長方形状の開
口部(9)が形成され、その他端(ターゲット面側)に
はインジウム(4)(第10図参照)に固定するための
鍔部■が形成される。ここまでは従来と同様であるが、
本例においては、開口部(9)を構成する例えば水平方
向の1組の辺(9a) 、 (9b)がターゲット面
側にふくらむ円弧状となるように、その辺を含む面が球
面形状とされる。例えば172インチ管の場合、開口部
(9)の水平方向の長さdxa及び垂直方向の長さdy
aが、夫々的8.7m及び6.3mのとき、辺(9a)
、 (9b)の最大変位11 doaは0.15〜
0.201mとされる。
尚、第2図及び第3図において、(11)は位置決め用
のM通孔である。
のM通孔である。
一方、部材(8B)は、第5図に示す形状とされる。第
6図及び第7図は夫々第5図A−A’線上断面図及びB
−B’線上断面図である。即ち、部材(8B)は全体と
して円筒形であり、その一端(ターゲット面側)には、
長方形状の開口部(12)が形成される。この開口部(
12)は、上述した部材(8A)の開口部(9)と同じ
大きさとされる。ここまでは従来と同様であるが、本例
においては、開口部(9)の例えば水平方向の1組の辺
(12a)。
6図及び第7図は夫々第5図A−A’線上断面図及びB
−B’線上断面図である。即ち、部材(8B)は全体と
して円筒形であり、その一端(ターゲット面側)には、
長方形状の開口部(12)が形成される。この開口部(
12)は、上述した部材(8A)の開口部(9)と同じ
大きさとされる。ここまでは従来と同様であるが、本例
においては、開口部(9)の例えば水平方向の1組の辺
(12a)。
(12b)がターゲット面側にふくらむ円弧状となるよ
うにその辺を含む面が球面形状とされる。例えば1/2
インチ管の場合、開口部(12)の水平方向の長さdx
b及び垂直方向の長さdybは、夫々的8.7m及び6
.3Nとされ、辺(12a ) 、 (12b )の
最大変位15idobは0.15〜0.20mとされる
。従って、部材(8A)及び(8B)の夫々の開口部(
9)及び(12)を重ね合せるとき、辺(9a) 、
(9b)を含む面及び辺(12a ) 、 (12
b )を含む面が嵌合するようになされる。
うにその辺を含む面が球面形状とされる。例えば1/2
インチ管の場合、開口部(12)の水平方向の長さdx
b及び垂直方向の長さdybは、夫々的8.7m及び6
.3Nとされ、辺(12a ) 、 (12b )の
最大変位15idobは0.15〜0.20mとされる
。従って、部材(8A)及び(8B)の夫々の開口部(
9)及び(12)を重ね合せるとき、辺(9a) 、
(9b)を含む面及び辺(12a ) 、 (12
b )を含む面が嵌合するようになされる。
尚、第5図及び第6図において、(13)は位置決め用
の貫通孔である。
の貫通孔である。
第1図において、以上のように形成されたメツシュホル
ダー(8)の部材(8A)及び(8B)の夫々の開口部
(9)及び(12)の間にメツシュ状電極(7)が挟ま
れ、そして、開口部(9)及び(12)が重なるように
部材(8A)及び(8B)が例えばスポット溶接され、
開口部(9)及び(12)間にメツシュ状電極(7)が
張設される。そして、張設された後に、メツシュ状電極
(7)には従来同様に、高温による再結晶処理、いわゆ
るアニール処理がなされる。
ダー(8)の部材(8A)及び(8B)の夫々の開口部
(9)及び(12)の間にメツシュ状電極(7)が挟ま
れ、そして、開口部(9)及び(12)が重なるように
部材(8A)及び(8B)が例えばスポット溶接され、
開口部(9)及び(12)間にメツシュ状電極(7)が
張設される。そして、張設された後に、メツシュ状電極
(7)には従来同様に、高温による再結晶処理、いわゆ
るアニール処理がなされる。
本例におけるメツシュ状電極(7)及びメツシュホルダ
ー(8)は以上のように構成され、これら以外の部分は
従来同様に構成される。
ー(8)は以上のように構成され、これら以外の部分は
従来同様に構成される。
本例においては、メツシュ状電極(7)が支持されるメ
ンシュホルダー(8)の長方形の開口部(9) 、
(12)の1組の辺(9a) 、 (9b) 、
(12a) 、 (12b)を円弧状に歪ませている
ので、いわゆるアニール処理後においてメツシュ状電極
(7)はゆるやかな鞍型曲線となる。従って、アニール
処理によりメツシュ状電極(7)は略一様な張力により
メツシュホルダー(8)から引かれることになるが、こ
のような曲面となることにより、メツシュ状電極(7)
の各点では局所的に張力の一様性が失われ、しかも張力
に異方性を持つようになる。
ンシュホルダー(8)の長方形の開口部(9) 、
(12)の1組の辺(9a) 、 (9b) 、
(12a) 、 (12b)を円弧状に歪ませている
ので、いわゆるアニール処理後においてメツシュ状電極
(7)はゆるやかな鞍型曲線となる。従って、アニール
処理によりメツシュ状電極(7)は略一様な張力により
メツシュホルダー(8)から引かれることになるが、こ
のような曲面となることにより、メツシュ状電極(7)
の各点では局所的に張力の一様性が失われ、しかも張力
に異方性を持つようになる。
従って、メツシュ状電極(7)が、例えば外部からの力
で振動を起こす場合にあっても、安定な定在波の発生が
妨げられ、振動の減衰が速められる。
で振動を起こす場合にあっても、安定な定在波の発生が
妨げられ、振動の減衰が速められる。
このように、本例によれば、メツシュ状電極(7)の撮
動の減衰が速められ、マイクロッオニツクノイズが低減
、即ち耐振性の向上が図られる。また、第8図は従来例
(「×」で図示)と本例(「○」で図示)について、マ
イクロッオニツクノイズの減衰の速さとメソシュ状電極
(7)の共振周波数を測定した結果を示しており、本例
の方が従来例に比べて2倍以上の速さで減衰することが
わかる。また、第9図A及びBは、夫々従来例及び本例
のマイクロッオニツクノイズの実際の減衰過渡特性を示
したものである。
動の減衰が速められ、マイクロッオニツクノイズが低減
、即ち耐振性の向上が図られる。また、第8図は従来例
(「×」で図示)と本例(「○」で図示)について、マ
イクロッオニツクノイズの減衰の速さとメソシュ状電極
(7)の共振周波数を測定した結果を示しており、本例
の方が従来例に比べて2倍以上の速さで減衰することが
わかる。また、第9図A及びBは、夫々従来例及び本例
のマイクロッオニツクノイズの実際の減衰過渡特性を示
したものである。
また、本例によれば特殊な工程、材料等を必要と七ず、
メツシュホルダー(8)の部材(8^)、(8B)の形
状の変更のみで構成でき、簡単かつ安価に構成できる。
メツシュホルダー(8)の部材(8^)、(8B)の形
状の変更のみで構成でき、簡単かつ安価に構成できる。
尚、実験の結果メンシュホルダー(8)の部材(8A)
(8B)の形状の変更は、撮像管の特性に影響を及ぼさ
なかった。
(8B)の形状の変更は、撮像管の特性に影響を及ぼさ
なかった。
ところで、上述実施例によれば、開口部(9)。
(12)の水平方向の2辺を円弧状としたが、垂直方向
の2辺としてもよく、また弧のふくらみ方向も、逆にカ
ソード側としても良い、また、上述実施例によれば、円
弧状の歪としたが、メツシュ状電極に損傷を与えること
のない程度のゆるやかな曲線であればよく、必ずしも円
弧状である必要はない。また、上述実施例によれば開口
部+9) 、 (12)の形状は長方形状であるが円
形状のものであっても同様である。
の2辺としてもよく、また弧のふくらみ方向も、逆にカ
ソード側としても良い、また、上述実施例によれば、円
弧状の歪としたが、メツシュ状電極に損傷を与えること
のない程度のゆるやかな曲線であればよく、必ずしも円
弧状である必要はない。また、上述実施例によれば開口
部+9) 、 (12)の形状は長方形状であるが円
形状のものであっても同様である。
以上述べた本発明によれば、メツシュ状電極はその各部
の張力が不均一な状態で支持されるので、振動時安定な
定在波の発生が妨げられて、メツシュ状電極の振動の減
衰が速められ、従って、マイクロッオニツクノイズが低
減、即ち耐振性の向上が図られる。また、本発明によれ
ば特殊な工程、材料等を必要とせず、メツシュホルダー
の形状の変更のみで構成でき、簡単かつ安価に構成でき
る。
の張力が不均一な状態で支持されるので、振動時安定な
定在波の発生が妨げられて、メツシュ状電極の振動の減
衰が速められ、従って、マイクロッオニツクノイズが低
減、即ち耐振性の向上が図られる。また、本発明によれ
ば特殊な工程、材料等を必要とせず、メツシュホルダー
の形状の変更のみで構成でき、簡単かつ安価に構成でき
る。
第1図は本発明の一実施例の要部の構成図、第2図〜第
7図は夫々その説明のための図、第8図及び第9図は夫
々一実施例の説明のための図ζ第10図は撮像管の一例
の構成図である。 (31はターゲット面、(7)はメツシュ状電極、(8
)はメンシュホルダーである。 第2図 第4図 第5図 第7図 第8図 第9図 時間 鍔間 手続補正書 昭和59年12月29日 特許庁長官 志 賀 学 殿昭和59年 特
許 願 第234599号3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用区北品用6丁目7番35号名称(2
18)ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 4、代理人 6、補正により増加する発明の数 7、補正の対象 図 面 第9図 手続補正誓 昭和60年 3月 18日 昭和59年 特 許 願 第234599号3、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用区北品用6丁目7番35号名称(2
18)ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 4、代理人 (1)゛図面中、第1図を別紙朱書の通り訂正する。 (2) 同、第2図及び第5図を別紙の通り訂正する
。 以上 第2図 「−−^ 第5図
7図は夫々その説明のための図、第8図及び第9図は夫
々一実施例の説明のための図ζ第10図は撮像管の一例
の構成図である。 (31はターゲット面、(7)はメツシュ状電極、(8
)はメンシュホルダーである。 第2図 第4図 第5図 第7図 第8図 第9図 時間 鍔間 手続補正書 昭和59年12月29日 特許庁長官 志 賀 学 殿昭和59年 特
許 願 第234599号3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用区北品用6丁目7番35号名称(2
18)ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 4、代理人 6、補正により増加する発明の数 7、補正の対象 図 面 第9図 手続補正誓 昭和60年 3月 18日 昭和59年 特 許 願 第234599号3、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用区北品用6丁目7番35号名称(2
18)ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 4、代理人 (1)゛図面中、第1図を別紙朱書の通り訂正する。 (2) 同、第2図及び第5図を別紙の通り訂正する
。 以上 第2図 「−−^ 第5図
Claims (1)
- ターゲット面と対向して配されるメッシュ状電極が、そ
の各部の張力が不均一な状態でメッシュホルダーに支持
されることを特徴とする撮像管。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59234599A JPS61114442A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 撮像管 |
DE8585308067T DE3568668D1 (en) | 1984-11-07 | 1985-11-06 | Image pick-up tubes |
US06/795,315 US4678962A (en) | 1984-11-07 | 1985-11-06 | Image pickup tube |
CA000494707A CA1254938A (en) | 1984-11-07 | 1985-11-06 | Image pickup tube |
EP85308067A EP0181202B1 (en) | 1984-11-07 | 1985-11-06 | Image pick-up tubes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59234599A JPS61114442A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 撮像管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61114442A true JPS61114442A (ja) | 1986-06-02 |
Family
ID=16973555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59234599A Pending JPS61114442A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 撮像管 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4678962A (ja) |
EP (1) | EP0181202B1 (ja) |
JP (1) | JPS61114442A (ja) |
CA (1) | CA1254938A (ja) |
DE (1) | DE3568668D1 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3876897A (en) * | 1970-07-30 | 1975-04-08 | Kahl Paul | Mounting of electrode targets in storage tubes |
NL7214547A (ja) * | 1972-10-27 | 1974-05-01 | ||
US3906278A (en) * | 1974-10-15 | 1975-09-16 | English Electric Valve Co Ltd | Camera tube mesh clamped between dished annular members |
NL7609075A (nl) * | 1976-08-16 | 1978-02-20 | Philips Nv | Televisiecamerabuis. |
US4347459A (en) * | 1980-10-31 | 1982-08-31 | Rca Corporation | Mesh assembly having reduced microphonics for a pick-up tube |
US4446398A (en) * | 1981-10-29 | 1984-05-01 | Rca Corporation | Vibration inhibiting mesh assembly for a pick-up tube |
JPS599463U (ja) * | 1982-06-21 | 1984-01-21 | ソニー株式会社 | 撮像管 |
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