JPS61110764A - 電流導入端子 - Google Patents
電流導入端子Info
- Publication number
- JPS61110764A JPS61110764A JP59231913A JP23191384A JPS61110764A JP S61110764 A JPS61110764 A JP S61110764A JP 59231913 A JP59231913 A JP 59231913A JP 23191384 A JP23191384 A JP 23191384A JP S61110764 A JPS61110764 A JP S61110764A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- housing
- central conductor
- shield
- center conductor
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はイオン注入装置のイオン源収納室内に負の高電
圧を導入する真空用電流導入端子の絶縁外被表面が、余
剰の正イオンでメッキされて生じる絶縁不良を防止する
ための電流導入端子の構造に関するものである。
圧を導入する真空用電流導入端子の絶縁外被表面が、余
剰の正イオンでメッキされて生じる絶縁不良を防止する
ための電流導入端子の構造に関するものである。
（従来技術）
従来この種の電流導入端子は、第１図に示す構造を持ち
、第２図に示すように使用されている。
、第２図に示すように使用されている。
すなわち、中心導体１が絶縁外被２で覆われており、真
空側の中心導体１には金属キャップ３が取付けられてい
る。４は真空シール用０リング６に接触する金属製の鍔
であり、真空隔壁５に第２図に示すように取付けられる
。中心導体には負電圧が印加され、イオンビーム引出電
極系７に通電される。イオンビームとして利用されるイ
オン種は、主として金属元素であるため、このソース物
質が絶縁外被２０表面に堆積すると、中心導体１と真空
室隔壁５との間の絶縁抵抗が低下し、リーク電流増加、
沿面放電等の障害が発生する。このため、定期的に電流
導入端子を取りはずして絶縁外被２の表面を研摩あるい
は電流導入端子そのものを交換する等の手段で電源部の
保護をはからねばならなかった。
空側の中心導体１には金属キャップ３が取付けられてい
る。４は真空シール用０リング６に接触する金属製の鍔
であり、真空隔壁５に第２図に示すように取付けられる
。中心導体には負電圧が印加され、イオンビーム引出電
極系７に通電される。イオンビームとして利用されるイ
オン種は、主として金属元素であるため、このソース物
質が絶縁外被２０表面に堆積すると、中心導体１と真空
室隔壁５との間の絶縁抵抗が低下し、リーク電流増加、
沿面放電等の障害が発生する。このため、定期的に電流
導入端子を取りはずして絶縁外被２の表面を研摩あるい
は電流導入端子そのものを交換する等の手段で電源部の
保護をはからねばならなかった。
（発明の目的）
本発明の目的は、絶縁外被の表面汚染速度を減少させ、
従来性なわれていたような頻繁な洗浄あるいは交換の必
要がない電流導入端子を提供することである。
従来性なわれていたような頻繁な洗浄あるいは交換の必
要がない電流導入端子を提供することである。
（発明の構成）
本発明の、イオン注入装置のイオン源収納室内に負の高
電圧を導入する真空用電流導入端子は、電流導入用中心
導体を覆う絶縁物の外周に、中心導体よりも高電位に保
されたシールド外被を持ち、さらにその外周に中心導体
と同電位の第２外被が前記シールド外被との距離を所定
の間隔に保って設定されていることを特徴としている。
電圧を導入する真空用電流導入端子は、電流導入用中心
導体を覆う絶縁物の外周に、中心導体よりも高電位に保
されたシールド外被を持ち、さらにその外周に中心導体
と同電位の第２外被が前記シールド外被との距離を所定
の間隔に保って設定されていることを特徴としている。
（作用・効果）
このようＫ、中心導体をシールド外被で榎うことにより
、中心導体が負電位に保されていることの影響が電流導
入端子の外部に現われない。またシールド外被と第２外
被との間で発生した゛電場により浮遊正イオンが第２外
被側に選択的に捕集されるため、電流導入端子外周の絶
縁外被の汚染は中性原子、分子のみによることとなり、
従来の方式に比較して、汚染による絶縁の劣化が著しく
改善される。
、中心導体が負電位に保されていることの影響が電流導
入端子の外部に現われない。またシールド外被と第２外
被との間で発生した゛電場により浮遊正イオンが第２外
被側に選択的に捕集されるため、電流導入端子外周の絶
縁外被の汚染は中性原子、分子のみによることとなり、
従来の方式に比較して、汚染による絶縁の劣化が著しく
改善される。
（実施例）
以下図によって実施例について説明する。
第３図において、中心導体８には負電圧が印加されてい
るため、接地電位に保たれたシールド外被９のしゃへい
効果により、浮遊正イオン１０に対する吸引力は発生し
ない。一方シールド外被９と第２外被１１との間には、
第２外被１１が中心導体８に接触しているために電界１
２が発生する。
るため、接地電位に保たれたシールド外被９のしゃへい
効果により、浮遊正イオン１０に対する吸引力は発生し
ない。一方シールド外被９と第２外被１１との間には、
第２外被１１が中心導体８に接触しているために電界１
２が発生する。
このため正イオン１０は第２外被１１の方に選択的に吸
引され、絶縁外被１３の表面汚染を防ぐことができる。
引され、絶縁外被１３の表面汚染を防ぐことができる。
なお、シールド外被９を正電位に保つことにより正イオ
ンを反発する効果を得ることも可能である。
ンを反発する効果を得ることも可能である。
第１図は従来一般的に用いられていた電流導入端子を示
す図であり、第２図は従来型電流導入端子の使用例を示
す図であり、第３図は本発明の実施例による電流導入端
子を示す図である。 なお、図において、１・・・・・・中心導体、２・・・
・・・絶縁外被、３・・・・・・金属キャップ、４・・
・・・・金属鍔、５・・・・・・真空隔壁、６・・・・
・・Ｑ ＩＪング、７・・・・・・イオンビーム引出系
、８・・・・・・中心導体、９・・・・・・シールド外
被、１０・・・・・・正イオン、ｌｉ−・・・・第２外
被（図１におけるキャップ３に相当）、１２・・・・・
・電界、１３・・・・・・絶縁外被。 第１図 第２図
す図であり、第２図は従来型電流導入端子の使用例を示
す図であり、第３図は本発明の実施例による電流導入端
子を示す図である。 なお、図において、１・・・・・・中心導体、２・・・
・・・絶縁外被、３・・・・・・金属キャップ、４・・
・・・・金属鍔、５・・・・・・真空隔壁、６・・・・
・・Ｑ ＩＪング、７・・・・・・イオンビーム引出系
、８・・・・・・中心導体、９・・・・・・シールド外
被、１０・・・・・・正イオン、ｌｉ−・・・・第２外
被（図１におけるキャップ３に相当）、１２・・・・・
・電界、１３・・・・・・絶縁外被。 第１図 第２図
Claims (1)
- イオン注入装置のイオン源収納室内に負の高電圧を導入
する真空用電流導入端子において、電流導入用中心導体
を覆う絶縁物の外周に、中心導体よりも高電位に保たれ
たシールド外被を有し、さらにその外周に前記中心導体
と同電位の外被が前記シールド外被との距離を所定の距
離に保って設置されていることを特徴とする電流導入端
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59231913A JPS61110764A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 電流導入端子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59231913A JPS61110764A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 電流導入端子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110764A true JPS61110764A (ja) | 1986-05-29 |
Family
ID=16931018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59231913A Pending JPS61110764A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 電流導入端子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61110764A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023248856A1 (ja) * | 2022-06-22 | 2023-12-28 | 株式会社Iipt | ガスクラスターイオンビーム装置 |
-
1984
- 1984-11-02 JP JP59231913A patent/JPS61110764A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023248856A1 (ja) * | 2022-06-22 | 2023-12-28 | 株式会社Iipt | ガスクラスターイオンビーム装置 |
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