JPS61110762A - スパツタ膜の形成方法 - Google Patents
スパツタ膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS61110762A JPS61110762A JP23094584A JP23094584A JPS61110762A JP S61110762 A JPS61110762 A JP S61110762A JP 23094584 A JP23094584 A JP 23094584A JP 23094584 A JP23094584 A JP 23094584A JP S61110762 A JPS61110762 A JP S61110762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- power sources
- targets
- sputtered film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は二元金属の組成比を任意に変え得るスパッタ膜
の形成方法に関する。
の形成方法に関する。
ＩＣ，ＬＳＩなど半導体素子の製造には薄膜形成技術と
写真食刻技術（ホトリソグラフィ）が多用されているが
、この薄膜形成技術として真空蒸着法。
写真食刻技術（ホトリソグラフィ）が多用されているが
、この薄膜形成技術として真空蒸着法。
化学気相成長法（ＣＶＤ法）などと並んでスパッタ法が
ある。
ある。
ここでスパッタ法はターゲットにガスのイオンを衝撃さ
せて原子状の材料を飛散させ、これを被処理基板上に析
出させる構成をとるために酸化などを被ることが少なく
、ターゲット組成そのままの状態の薄膜を作ることがで
きる。
せて原子状の材料を飛散させ、これを被処理基板上に析
出させる構成をとるために酸化などを被ることが少なく
、ターゲット組成そのままの状態の薄膜を作ることがで
きる。
また薄膜形成を連続的に行う場合、ターゲットが消耗す
ると新規なものに交換が必要となるが、この交換回数が
真空蒸着法などと較べると格段に少ないことから量産工
程に適しており、半導体素子形成に際して導電層の形成
など広く使用されている。
ると新規なものに交換が必要となるが、この交換回数が
真空蒸着法などと較べると格段に少ないことから量産工
程に適しており、半導体素子形成に際して導電層の形成
など広く使用されている。
さて、半導体素子の形成において導電層の構成材料には
単一金属からなるものと二元金属からなるものとがある
。
単一金属からなるものと二元金属からなるものとがある
。
ここで単一金属からなるものとしてはアルミニウム（＾
１）や金（Ａｕ）よりなる導体パターンを挙げることが
できる。
１）や金（Ａｕ）よりなる導体パターンを挙げることが
できる。
また二元金属からなるものとしてはモリブデンシリサイ
ド（Ｍｏ Ｓｉ 、 ）やタンタルシリサイド（Ｔａ
Ｓｉ ｘ）があり、ＭＯＳトランジスタのゲート電極の
構成材料として使用されている。
ド（Ｍｏ Ｓｉ 、 ）やタンタルシリサイド（Ｔａ
Ｓｉ ｘ）があり、ＭＯＳトランジスタのゲート電極の
構成材料として使用されている。
本発明は二元金属の薄膜を形成する場合に生産効率のよ
いスパッタ膜の形成方法に関するものである。
いスパッタ膜の形成方法に関するものである。
第２図はロードロック構成をとるマグネトロンスパッタ
装置の構成を示すものである。
装置の構成を示すものである。
すなわちステンレスなどからなり縦長のチャンバ１の中
の上部には搬送機構２が設けられており、これに被処理
基板３が載置され、間欠的に移動するよう構成されてい
る。
の上部には搬送機構２が設けられており、これに被処理
基板３が載置され、間欠的に移動するよう構成されてい
る。
また下方にはスパッタ機構がある。
すなわちターゲット４の下には永久磁石５が配置されお
り、またこの下およびターゲット４の側面を取り囲んで
陽極金属板６が一定の距離を隔てて設けられており、タ
ーゲット４は電源７の陰極に、また陽極金属板６は陽極
にそれぞれ結線されている。
り、またこの下およびターゲット４の側面を取り囲んで
陽極金属板６が一定の距離を隔てて設けられており、タ
ーゲット４は電源７の陰極に、また陽極金属板６は陽極
にそれぞれ結線されている。
またチャンバ１は絶縁物により絶縁されており図示して
ない給気口よりガスフローメータ等を通じてアルゴン（
Ａｒ）等の不活性ガスを一定の微少速度でチャンバ１に
供給すると共に排気口８より排気してチャンバｌの内部
の真空度をスパッタ条件に適した真空度まで減圧するよ
う構成されている。
ない給気口よりガスフローメータ等を通じてアルゴン（
Ａｒ）等の不活性ガスを一定の微少速度でチャンバ１に
供給すると共に排気口８より排気してチャンバｌの内部
の真空度をスパッタ条件に適した真空度まで減圧するよ
う構成されている。
ここで永久磁石５が用いられている理由はスパッタの膜
形成速度を高めるためのもので、ターゲット４の近くの
電界に直交する磁界を印加し、高密度のプラズマをター
ゲ・ノド４の近傍に閉じ込めることによって大きなイオ
ン電流を流すようにしたものである。
形成速度を高めるためのもので、ターゲット４の近くの
電界に直交する磁界を印加し、高密度のプラズマをター
ゲ・ノド４の近傍に閉じ込めることによって大きなイオ
ン電流を流すようにしたものである。
このような状態でターゲット４に加える電圧を増加して
ゆくとスパッタが開始−され、被処理基板３の対向面に
ターゲット４の構成材料からなる薄膜が形成されてくる
。
ゆくとスパッタが開始−され、被処理基板３の対向面に
ターゲット４の構成材料からなる薄膜が形成されてくる
。
さて二元の金属膜を形成する場合、従来はホットプレス
などを使用して二元金属からなる焼結体或いは合金から
なるターゲットを作って使用するか、或いは積層スパッ
タを行っていた。
などを使用して二元金属からなる焼結体或いは合金から
なるターゲットを作って使用するか、或いは積層スパッ
タを行っていた。
然し、前者の場合は高純度のターゲットができないと云
う問題があり、またモリブデンシリサイドなど高融点の
金属からなるターゲットの形成にはホ・ノドプレス法が
使用されているが成形する直径の大きさに制限がある。
う問題があり、またモリブデンシリサイドなど高融点の
金属からなるターゲットの形成にはホ・ノドプレス法が
使用されているが成形する直径の大きさに制限がある。
また後者はターゲットの種類を変えて複数回のスパッタ
処理を行い、そ′の後熱処理を行って単一化を行うもの
であるが、多数の工数を要すると云う問題がある。
処理を行い、そ′の後熱処理を行って単一化を行うもの
であるが、多数の工数を要すると云う問題がある。
以上記したように二元金属膜をスパッタ法により形成す
る場合、高純度のターゲットの形成が困難で収率低下の
原因となり、また二元スパッタ膜の形成に多数の工数を
要するなどの問題があり、生産効率向上の点から問題と
なっている。
る場合、高純度のターゲットの形成が困難で収率低下の
原因となり、また二元スパッタ膜の形成に多数の工数を
要するなどの問題があり、生産効率向上の点から問題と
なっている。
上記の問題点はスパッタ装置のターゲットが円板状の金
属板とこれを取り囲むリング状の異種金属板とから構成
されており、それぞれ別電源に配線接続してスパッタを
行うことを特徴とするスパッタ膜の形成方法により解決
することができる。
属板とこれを取り囲むリング状の異種金属板とから構成
されており、それぞれ別電源に配線接続してスパッタを
行うことを特徴とするスパッタ膜の形成方法により解決
することができる。
本発明は二元金属膜を形成する場合に異なる金属よりな
る二つのターゲットを近接して設け、これをそれぞれ別
の電源に接続して同時スパッタを行うことにより達成す
るものである。
る二つのターゲットを近接して設け、これをそれぞれ別
の電源に接続して同時スパッタを行うことにより達成す
るものである。
第１図は本発明を実施するターゲ−／ ）の構成図で、
同図（Ａ）は断面図、また同図（Ｂ）は平面図である。
同図（Ａ）は断面図、また同図（Ｂ）は平面図である。
以下モリブデンシリサイド（Ｍｏ Ｓｉ 、 ）の薄膜
を形成する実施例について本発明を説明する。
を形成する実施例について本発明を説明する。
本発明はターゲットをリング状に形成し、それぞれ種類
と印加電圧を変えてスパッタを行うものである。
と印加電圧を変えてスパッタを行うものである。
この実施例の場合、円板状のターゲット９にはシリコン
（Ｓｉ ）ウェハを用い、リング状ターゲット１０には
モリブデン（Ｍｏ）金属板を使用し、ターゲットを被処
理基板３に向けて配置する。
（Ｓｉ ）ウェハを用い、リング状ターゲット１０には
モリブデン（Ｍｏ）金属板を使用し、ターゲットを被処
理基板３に向けて配置する。
このためには同図（Ａ）に示すようにリング状ターゲッ
ト１０を中央に傾けて配置すると共に円板状ターゲット
９とリング状ターゲット１０をそれぞれ別の電源１１．
１２に配線接続を行う。
ト１０を中央に傾けて配置すると共に円板状ターゲット
９とリング状ターゲット１０をそれぞれ別の電源１１．
１２に配線接続を行う。
なお、この図において二種類のターゲット９゜１０と電
源１１．１２との配線は陽極金属板１２に設けられた穴
を通し絶縁封止することにより行われている。
源１１．１２との配線は陽極金属板１２に設けられた穴
を通し絶縁封止することにより行われている。
ターゲットをこのように配置してスパッタを行うと同時
に二元金属膜を形成することができる。
に二元金属膜を形成することができる。
なお、従来一定の組成比の金属膜を二元金属からなるタ
ーゲットを用いて形成するにはターゲットを予めこの組
成比に形成しておく必要があるが、本発明に係る方法で
形成する場合は電源電圧の調節で足りる。
ーゲットを用いて形成するにはターゲットを予めこの組
成比に形成しておく必要があるが、本発明に係る方法で
形成する場合は電源電圧の調節で足りる。
そのため任意の組成比のスパッタ膜の形成が可能である
。
。
以上記したように本発明の実施により高純度の金属を任
意の組成で簡単にスパッタすることが可能になり半導体
素子の量産工程においてスパッタ効率が向上すると共に
収率の改良が可能となる。
意の組成で簡単にスパッタすることが可能になり半導体
素子の量産工程においてスパッタ効率が向上すると共に
収率の改良が可能となる。
第１図は本発明を実施したスパッタ装置のターゲット部
の構成を示すもので、同図（Ａ）は断面図、また同図（
Ｂ）は平面図、 第２図は従来のスパッタ装置の断面図、である。 図において、 １はチャンバ、 ２は搬送機構、３は被処理基
板、 ４はターゲット、５は永久磁石、
６．１２は陽極金属板、？、 １１．１２は電源、
９は円板状ターゲット、１０はリング状ターゲット、 である。
の構成を示すもので、同図（Ａ）は断面図、また同図（
Ｂ）は平面図、 第２図は従来のスパッタ装置の断面図、である。 図において、 １はチャンバ、 ２は搬送機構、３は被処理基
板、 ４はターゲット、５は永久磁石、
６．１２は陽極金属板、？、 １１．１２は電源、
９は円板状ターゲット、１０はリング状ターゲット、 である。
Claims (1)
- スパッタ装置のターゲットが円板状の金属板とこれを取
り囲むリング状の異種金属板とから構成されており、そ
れぞれ別電源に配線接続してスパッタを行うことを特徴
とするスパッタ膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23094584A JPS61110762A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | スパツタ膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23094584A JPS61110762A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | スパツタ膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110762A true JPS61110762A (ja) | 1986-05-29 |
Family
ID=16915768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23094584A Pending JPS61110762A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | スパツタ膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61110762A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7578909B2 (en) | 2004-09-08 | 2009-08-25 | Hitachi Cable, Ltd. | Method of forming CNT containing wiring material and sputtering target material used for the method |
-
1984
- 1984-11-01 JP JP23094584A patent/JPS61110762A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7578909B2 (en) | 2004-09-08 | 2009-08-25 | Hitachi Cable, Ltd. | Method of forming CNT containing wiring material and sputtering target material used for the method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0148470B1 (en) | Planar magnetron sputtering with modified field configuration | |
| KR100307998B1 (ko) | 프라즈마 처리방법 | |
| JPH0860355A (ja) | 処理装置 | |
| JP5249328B2 (ja) | 薄膜の成膜方法 | |
| US6055928A (en) | Plasma immersion ion processor for fabricating semiconductor integrated circuits | |
| JP3351843B2 (ja) | 成膜方法 | |
| US9960018B2 (en) | RF sputtering apparatus and sputtering method | |
| US3463715A (en) | Method of cathodically sputtering a layer of silicon having a reduced resistivity | |
| JPS61110762A (ja) | スパツタ膜の形成方法 | |
| JPH0799739B2 (ja) | 金属薄膜の形成方法 | |
| US3667005A (en) | Ohmic contacts for semiconductors devices | |
| JPH01162762A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP3987617B2 (ja) | コンタクト膜バリア膜連続作成装置及び異種薄膜連続作成装置 | |
| JP3602861B2 (ja) | 金属ケイ化物膜の形成方法 | |
| JPS63157867A (ja) | プラズマ制御マグネトロンスパッタリング法及び装置 | |
| JPH01116071A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS63153266A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPS61207574A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPH0611029B2 (ja) | スパツタタ−ゲツトおよびスパツタリング方法 | |
| JPH07307289A (ja) | スパッタリング方法 | |
| JPH023538B2 (ja) | ||
| JPS6197838A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH08291382A (ja) | 高周波スパッタリング用ターゲットのボンディング構造 | |
| JPH0688221A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2909087B2 (ja) | 薄膜形成装置 |