JPS61108202A - 誘電体基板およびその製造法 - Google Patents
誘電体基板およびその製造法Info
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- JPS61108202A JPS61108202A JP23079584A JP23079584A JPS61108202A JP S61108202 A JPS61108202 A JP S61108202A JP 23079584 A JP23079584 A JP 23079584A JP 23079584 A JP23079584 A JP 23079584A JP S61108202 A JPS61108202 A JP S61108202A
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
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- B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
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- Waveguides (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はマイクロ波受信平面アンテナの作製に用いる誘
電体基板訃よびその製造法に関する。
電体基板訃よびその製造法に関する。
（従来の技術）
マイクロ波受信平面アンテナとしてはシート状誘電体基
材の片面に電解銅箔から成るパターン状のストリップ導
体が、他面に電解銅箔から成る地導体が各々積層され、
更に所望により地導体上に一紬強化プラスチック板或い
はアルミニウム板等から成る補強体を設けた構造を有す
るものが知られている。
材の片面に電解銅箔から成るパターン状のストリップ導
体が、他面に電解銅箔から成る地導体が各々積層され、
更に所望により地導体上に一紬強化プラスチック板或い
はアルミニウム板等から成る補強体を設けた構造を有す
るものが知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
マイクロ波受信平面アンテナは、動作利得が高いことの
他１誌電率および誘電正接の小さなことが要求される。
他１誌電率および誘電正接の小さなことが要求される。
この平面アンテナにおける動作利得はストリップ導体お
よび地導体により、また誘電率および誘電正接は誘電体
基材によって各々左右される。
よび地導体により、また誘電率および誘電正接は誘電体
基材によって各々左右される。
従って、平■アンテナの特性を向上させるためには、ア
ンテナ作製に用いられる偽電体基板の構成要素である誘
電体基材およびｆ！＠箔両者についての検討が必要であ
る。
ンテナ作製に用いられる偽電体基板の構成要素である誘
電体基材およびｆ！＠箔両者についての検討が必要であ
る。
また％誘電体基板としては、基材とその両面に接合され
る銅箔との接着性についても配線が必要である。
る銅箔との接着性についても配線が必要である。
ところで、誘電体基板における基材としてはプラスチッ
ク層内にガラスクロスを埋設せしめたものが有り、これ
らは（ａ）ガラスクロスにエポキシ樹脂粉末全散布塗工
し、次いでこの散布塗工を施したガラスクロス同志を積
層する方法、或いは（ｂ）ガラスクロスにフッ素樹脂デ
イスバージョンヲ浸漬塗工して乾燥し１次いでこの浸漬
塗工を施したガラスクロス同志を積層する方法により得
られている。
ク層内にガラスクロスを埋設せしめたものが有り、これ
らは（ａ）ガラスクロスにエポキシ樹脂粉末全散布塗工
し、次いでこの散布塗工を施したガラスクロス同志を積
層する方法、或いは（ｂ）ガラスクロスにフッ素樹脂デ
イスバージョンヲ浸漬塗工して乾燥し１次いでこの浸漬
塗工を施したガラスクロス同志を積層する方法により得
られている。
しかしながら、ＪＩＳ Ｃ６４８１に基づく試験試料
を作製し、これらの誘電率および誘電正接を１ＭＨｚで
測定してみると、前記（ａ）法によって得られる誘電体
基材は比ｖｊ′ｗＬ率が約４〜５．誘電正接が約０．Ｏ
１〜０．０３で＃ ｆｉ 、 （ｂ）法によって得られ
る誘電体基材板１＃比誘電率が約２．２〜２．８．＠電
正接が約０．００１〜０．００３であシ、これら両特性
には未だ改善すべき余地がめる。
を作製し、これらの誘電率および誘電正接を１ＭＨｚで
測定してみると、前記（ａ）法によって得られる誘電体
基材は比ｖｊ′ｗＬ率が約４〜５．誘電正接が約０．Ｏ
１〜０．０３で＃ ｆｉ 、 （ｂ）法によって得られ
る誘電体基材板１＃比誘電率が約２．２〜２．８．＠電
正接が約０．００１〜０．００３であシ、これら両特性
には未だ改善すべき余地がめる。
上記（ａ）法における誘電体基材では、プラスチック成
分として誘電率、誘電正接の大きなエポキシ樹脂を用い
ている為、誘電体基材としての両特性が小さくならない
。その反面、（ｂ）法による誘電体基材ではプラスチッ
ク成分としては誘電率、誘電正接ともに非常に小さなフ
ッ素樹脂を用いているものの５価格的には高価であシ、
その上、ガラスクロスへのディスパージョン浸漬塗工後
の乾燥、焼成温度が３５０〜４００℃と非常に高く、同
様に。
分として誘電率、誘電正接の大きなエポキシ樹脂を用い
ている為、誘電体基材としての両特性が小さくならない
。その反面、（ｂ）法による誘電体基材ではプラスチッ
ク成分としては誘電率、誘電正接ともに非常に小さなフ
ッ素樹脂を用いているものの５価格的には高価であシ、
その上、ガラスクロスへのディスパージョン浸漬塗工後
の乾燥、焼成温度が３５０〜４００℃と非常に高く、同
様に。
誘電体基材のプレス成形にも高温度が必要であシ、設備
的にも非常に高価となるため、使用用途も限られたもの
となっている。
的にも非常に高価となるため、使用用途も限られたもの
となっている。
これら従来法によって得られる誘電体基材の誘電率、誘
電正接が充分でない他の理由としては。
電正接が充分でない他の理由としては。
誘電体基材においてガラスクロスを構成する繊維束内部
への樹脂の浸透が不充分でめシ、樹脂の浸透していない
部分が不均一に点在することに帰因していることも考え
られる。
への樹脂の浸透が不充分でめシ、樹脂の浸透していない
部分が不均一に点在することに帰因していることも考え
られる。
従って５本発明の目的の１つは、誘電率およびＳ＊止接
の小さな誘電体基板を提供することにある〇 一方、アンテナの動作利得を左右する銅箔についてはそ
の改善の方法について、米だ具体的な提案はなされてい
ないのが現状である。
の小さな誘電体基板を提供することにある〇 一方、アンテナの動作利得を左右する銅箔についてはそ
の改善の方法について、米だ具体的な提案はなされてい
ないのが現状である。
従って、本発明の他の目的は、動作利得の良好なアンテ
ナを作製し得る誘電体基板′ｆ：提供することにある。
ナを作製し得る誘電体基板′ｆ：提供することにある。
（間順点？解決するだめの手段）
本発明者達は、先ず、誘電体基材のＷＮ電率ｐよび誘電
正接を改良すべく、檀々検討の結果、ガラスクロスの内
部にポリエチレンを含浸せしめると共にポリエチレンに
より該クロス表面ヲ覆わしめ、更にこのポリエチレンを
架橋せしめることにょル、その目的が達せられることを
見出した。
正接を改良すべく、檀々検討の結果、ガラスクロスの内
部にポリエチレンを含浸せしめると共にポリエチレンに
より該クロス表面ヲ覆わしめ、更にこのポリエチレンを
架橋せしめることにょル、その目的が達せられることを
見出した。
次に、Ｆｆｊ電体基材の両面に接合せしめられる銅箔に
ついて、検討の結果、従来用いられている電解銅箔よシ
も表面凹凸の小さな圧延鋼箔を用いることによシ、得ら
ｎるアンテナの動作利得が向上することを見出した。
ついて、検討の結果、従来用いられている電解銅箔よシ
も表面凹凸の小さな圧延鋼箔を用いることによシ、得ら
ｎるアンテナの動作利得が向上することを見出した。
ところで、誘電体基板は誘電体基材の両面に銅箔を接合
せしめた構造を有するものであるが、上記圧延鋼箔を用
いた場合には両者の接合強度が小さいという新たな問題
が生じた。
せしめた構造を有するものであるが、上記圧延鋼箔を用
いた場合には両者の接合強度が小さいという新たな問題
が生じた。
本発明者達はこの問題についても更に検討を重ね、架橋
せしめた超高分子量ポリエチレン（以下、ＵＨＰＥと称
す）を介して誘電体基材と圧延鋼箔を接合せしめること
によシ、充分な接着強度が得られることをも見出した。
せしめた超高分子量ポリエチレン（以下、ＵＨＰＥと称
す）を介して誘電体基材と圧延鋼箔を接合せしめること
によシ、充分な接着強度が得られることをも見出した。
から成る誘電体基材の両面に、架橋されたＵＨＰＥ層を
介して圧延銅箔が接合されていることを特徴とする誘電
体基板である。
介して圧延銅箔が接合されていることを特徴とする誘電
体基板である。
本発明において用いられる誘電体基材１ｌ−ｊ、厚さが
通Ｔ４１約３０〜２００μ集のガラスクロスの内部にポ
リエチレンが含浸されると共に、このクロス表向にはポ
リエチレン薄層が形成され、しかもクロスの内部訃よび
表面上に存在するポリエチレンが架橋されているもので
ある。
通Ｔ４１約３０〜２００μ集のガラスクロスの内部にポ
リエチレンが含浸されると共に、このクロス表向にはポ
リエチレン薄層が形成され、しかもクロスの内部訃よび
表面上に存在するポリエチレンが架橋されているもので
ある。
このポリエチレンの架橋度は、ポリエチレンとガラスク
ロスとの腎着力向上効果、基材と圧延鋼箔との間に介在
ぜしめらｉＬるＵ）ＩＰＥ ＠との接着力。
ロスとの腎着力向上効果、基材と圧延鋼箔との間に介在
ぜしめらｉＬるＵ）ＩＰＥ ＠との接着力。
或いは基材ｔ−２枚以上重ね合わせ、これらを接合せし
める場合における基材同志の接着力等を考慮し、′ｆル
分率（測定法は後述）を１０％以上好ましくは２０〜９
０％とする。
める場合における基材同志の接着力等を考慮し、′ｆル
分率（測定法は後述）を１０％以上好ましくは２０〜９
０％とする。
誘電体基材の構成材料としてのポリエチレンは。
低密度、中密度或いは扁密度ポリエチレンのいずれも使
用できる。
用できる。
この誘電体基材はその一枚を用い、その両面に架＠ Ｕ
ｌ（ＰＥ鳩を介して圧延鋼箔を接合して本よく。
ｌ（ＰＥ鳩を介して圧延鋼箔を接合して本よく。
或いは該基材の２枚以上を重ね合わせ、この重ね合わさ
れた基材の両ｍ１に架橋Ｕ）ＩＰＥ層を介して圧延鋼箔
を接合してもよい。
れた基材の両ｍ１に架橋Ｕ）ＩＰＥ層を介して圧延鋼箔
を接合してもよい。
誘電体基材と圧延銅箔を接合させるための架橋ＵＨＰＥ
＃ｉｊ：、ハイセックスミリオン（三片石油化学社製）
、ホスタレンＧＵＲ（ヘキスト社製）等の商品名で市販
されているＵＨＰＥによ多形成できる。
＃ｉｊ：、ハイセックスミリオン（三片石油化学社製）
、ホスタレンＧＵＲ（ヘキスト社製）等の商品名で市販
されているＵＨＰＥによ多形成できる。
ＵＨＰＥ層の架橋度は、誘電体基材および圧延銅箔との
接着力を大きなものとする次め、そのｙル分率を３０〜
１００％とするのが好適である。
接着力を大きなものとする次め、そのｙル分率を３０〜
１００％とするのが好適である。
ＵＨＰＥはその分子量が約５０”万以−ヒ（粘度法によ
る測定値）であり、一般のポリエチレンのそれが約ｌＯ
万以下であるのに比べ大きな値を示すものである。
る測定値）であり、一般のポリエチレンのそれが約ｌＯ
万以下であるのに比べ大きな値を示すものである。
第１図は本発明に係るＶｊ′ＨＬ体基板を示し、ガラス
クロス１と、該クロスｌの内部に含浸し且つその表面を
覆う架橋ポリエチレン７１１２から成る誘電体基材が２
枚重ね合わされてお９、この重ね合わされた基板の両面
には、厚さ約２０〜２００μ常 の架橋ＵＨＰＥ層３を
介して厚さ約２０〜２００μ常 の圧延鋼箔４が接合一
体化せしめられている。５は基材間の接着をよシ強固に
するための＊ｔｍポリエチレン層である。
クロス１と、該クロスｌの内部に含浸し且つその表面を
覆う架橋ポリエチレン７１１２から成る誘電体基材が２
枚重ね合わされてお９、この重ね合わされた基板の両面
には、厚さ約２０〜２００μ常 の架橋ＵＨＰＥ層３を
介して厚さ約２０〜２００μ常 の圧延鋼箔４が接合一
体化せしめられている。５は基材間の接着をよシ強固に
するための＊ｔｍポリエチレン層である。
本発明は上記の如く％誘電体基材の両面に圧延＠泊を接
合せしめておシ、この基板から得られるアンテナは動作
利得が向上している。これは従来用いられていた電解銅
箔に比べ、圧延鋼箔の表面粗さが小さいためである。
合せしめておシ、この基板から得られるアンテナは動作
利得が向上している。これは従来用いられていた電解銅
箔に比べ、圧延鋼箔の表面粗さが小さいためである。
銅箔の表面粗さを小さくすると動作利得が向上すること
は、前記した如く１本発明者達が複々検討の結果、見い
出したことであるが１本発明者達はこのことを理論的に
も解明したので、以下に説明する。
は、前記した如く１本発明者達が複々検討の結果、見い
出したことであるが１本発明者達はこのことを理論的に
も解明したので、以下に説明する。
１１１１泊表面粗さ金考慮した場合の鯛損失α′Ｃは下
記（１）式によって表わされる。
記（１）式によって表わされる。
ａ’ｃ ＝ ａｃＣ１＋−ｔａｎ ｉ １．４ （Ａ
）２） ） −−−−−−−ｉｌ１π Ｓ ところで、銅箔表面の凹凸を模式的に示すと第２図のと
２９でるる０第２図に示す銅箔Ｋにνいては、誘電体Ｊ
−に対応する表面に微小な凹凸が連続状に存在している
図中ｑは銅箔表面に２ける倣細な凹凸の山と谷の垂直距
離の平均値を示し、ｐザ同様に隣接する山と山または谷
と谷の水平距離の平均値を示している。
）２） ） −−−−−−−ｉｌ１π Ｓ ところで、銅箔表面の凹凸を模式的に示すと第２図のと
２９でるる０第２図に示す銅箔Ｋにνいては、誘電体Ｊ
−に対応する表面に微小な凹凸が連続状に存在している
図中ｑは銅箔表面に２ける倣細な凹凸の山と谷の垂直距
離の平均値を示し、ｐザ同様に隣接する山と山または谷
と谷の水平距離の平均値を示している。
△ニー３− −−−−−ｉ２＋
２、題−
８＝ −（ｃＩＬ） −−−−−−＋３１σＲｓ
ここで、σは導電率、Ｒｇは表面抵抗であり、Ｒｓは下
記（４）式で示される。
記（４）式で示される。
上記（４）式中のμＯは透磁率、ｆは周波数である０次
に、（４）式’（ｒ １３＋式に代入し、（５）式を得
る。
に、（４）式’（ｒ １３＋式に代入し、（５）式を得
る。
（５）式に銅の物性値ａ＝５．８１ＸｌＯ（Ω ・ｃＩ
ＩＬ）を代入し、μを真空透磁率μ０＝４πＸ １０−
’（Ｈｅｎｒ）’、ｍ ）とみなし、史Ｋｆには放送
衛星に使用される代表値として１１．９５ＧＨｚを用い
ると％ ８＝０．６０５（μ講）となる。
ＩＬ）を代入し、μを真空透磁率μ０＝４πＸ １０−
’（Ｈｅｎｒ）’、ｍ ）とみなし、史Ｋｆには放送
衛星に使用される代表値として１１．９５ＧＨｚを用い
ると％ ８＝０．６０５（μ講）となる。
ところで、電解銅箔におけるｐｓ ｑＯ値は、表面粗
さ計、電顧等の測定結果からは、ｑは１〜１０μ” ｓ
Ｐは１０〜３０μ講程度である。同様に、圧延鋼箔の
接着処理面側のｑは０．２〜１．０μ惰、ｐは１５〜３
０μｍと推測される０ そこで、電解銅箔における一例として、ｑ＝５μ悔を用
いると、△＝１．４４３μｓ、従って、α′Ｃ＝１．９
２αＣ１同様に、圧延鋼箔の一例として１ ｑ−０，５
０μ講を用いると、△＝、、０．１４４μ講、α′Ｃ二
１．０５αＣとなる。 これら結果より、明らかに銅箔
表面の凹凸が小さい程、銅損失は小さい事が理論的にも
実証される駅である。
さ計、電顧等の測定結果からは、ｑは１〜１０μ” ｓ
Ｐは１０〜３０μ講程度である。同様に、圧延鋼箔の
接着処理面側のｑは０．２〜１．０μ惰、ｐは１５〜３
０μｍと推測される０ そこで、電解銅箔における一例として、ｑ＝５μ悔を用
いると、△＝１．４４３μｓ、従って、α′Ｃ＝１．９
２αＣ１同様に、圧延鋼箔の一例として１ ｑ−０，５
０μ講を用いると、△＝、、０．１４４μ講、α′Ｃ二
１．０５αＣとなる。 これら結果より、明らかに銅箔
表面の凹凸が小さい程、銅損失は小さい事が理論的にも
実証される駅である。
本発明の誘電体基板を用いて平面アンテナを作製するに
は１例えば片面側の圧延＆＃箔をそのままｊ１１１導体
とし、他面側の圧延鋼箔をエツチングして所定パターン
のストリップ導体を形成する方法による。
は１例えば片面側の圧延＆＃箔をそのままｊ１１１導体
とし、他面側の圧延鋼箔をエツチングして所定パターン
のストリップ導体を形成する方法による。
本発明はこのような誘電体基板の製造に際して杜、ガラ
スクロスの肉面にポリエチレンフィルムを配置して加熱
加圧することにより、ポリエチレンをガラスクロスに含
浸せしめると共にポリエチレンフィルムとガラスクロス
を熱圧着せしめて誘電体基材を得１次いで該基材におけ
るポリエチレンを架橋し、その後肢基材の両面に電子線
照射により架橋せしめた一一一一一一■ＬＩＤ（Ｐａフ
ィルムを介して圧延銅箔を重ね合わせて加熱加圧するこ
とにより、基材と圧延鋼箔を接合せしめることを特徴と
するものである。
スクロスの肉面にポリエチレンフィルムを配置して加熱
加圧することにより、ポリエチレンをガラスクロスに含
浸せしめると共にポリエチレンフィルムとガラスクロス
を熱圧着せしめて誘電体基材を得１次いで該基材におけ
るポリエチレンを架橋し、その後肢基材の両面に電子線
照射により架橋せしめた一一一一一一■ＬＩＤ（Ｐａフ
ィルムを介して圧延銅箔を重ね合わせて加熱加圧するこ
とにより、基材と圧延鋼箔を接合せしめることを特徴と
するものである。
本発明の製造法に２いては、先ずガラスクロスの両面に
ポリエチレンフィルムが配置され、これらが加熱加圧さ
れる。この加熱加圧はガラスクロスの両面にポリエチレ
ンフィルムを重ね合わせ、これらをラミネーションプレ
ス機によシ加熱加圧する方法或いはガラスクロスの１４
Ｔｋｉにポリエチレンをフィルム状に溶融押出しし、次
いでこれを圧延ロール間に通して加熱加圧する方法等に
よジ行なうことができる。
ポリエチレンフィルムが配置され、これらが加熱加圧さ
れる。この加熱加圧はガラスクロスの両面にポリエチレ
ンフィルムを重ね合わせ、これらをラミネーションプレ
ス機によシ加熱加圧する方法或いはガラスクロスの１４
Ｔｋｉにポリエチレンをフィルム状に溶融押出しし、次
いでこれを圧延ロール間に通して加熱加圧する方法等に
よジ行なうことができる。
ことに用いられるポリエチレンフィルムは低密度、中密
度或いは高密度ポリエチレンから形成されるフィルムの
他、前記したり）ＩＰ￥−一一一１−一から形成される
フィルムも使用できる０これらポリエチレンフィルムの
厚さは約２０〜２５０μ駕が実用的である。
度或いは高密度ポリエチレンから形成されるフィルムの
他、前記したり）ＩＰ￥−一一一１−一から形成される
フィルムも使用できる０これらポリエチレンフィルムの
厚さは約２０〜２５０μ駕が実用的である。
ポリエチレンフィルムとガラスクロスを加熱加圧する際
の作業条件は、温度がポリエチレンの溶融温度以上であ
り、圧力は約３〜５０’９／ｃｄ程度。
の作業条件は、温度がポリエチレンの溶融温度以上であ
り、圧力は約３〜５０’９／ｃｄ程度。
加熱加圧時間は約５〜６０分粉度に設定さ扛る。
このようにガラスクロスのｌｌＩｊ面にポリエチレンフ
ィルムを配置して加熱加圧することにより、ポリエチレ
ンはガラスクロスに含浸せしめら扛ると共にポリエチレ
ンフィルムとガラスクロスがＭ圧着せしめられ誘電体基
材が得ら扛る。
ィルムを配置して加熱加圧することにより、ポリエチレ
ンはガラスクロスに含浸せしめら扛ると共にポリエチレ
ンフィルムとガラスクロスがＭ圧着せしめられ誘電体基
材が得ら扛る。
この誘電体裁材は次にその構成成分であるポリエチレン
が架偏される。ポリエチレンの架橋は電子線のような放
射＆を約０．５〜２０ Ｍｒａｄ ＷＡ射したり。
が架偏される。ポリエチレンの架橋は電子線のような放
射＆を約０．５〜２０ Ｍｒａｄ ＷＡ射したり。
予じめポリエチレンフィルム中に配合せしめられたシラ
ン化合物、ラジカル発生剤、シロキサン縮合触媒の加熱
加圧反応により行なうことができる。
ン化合物、ラジカル発生剤、シロキサン縮合触媒の加熱
加圧反応により行なうことができる。
この架橋は主としてポリエチレンとガラスクロスとの密
着力を向上させるために行なわれるもので、このように
ポリエチレンの架橋せしめられた誘電体基板は、これに
応力が作用して変形したようなｊＪ％合でも、ポリエチ
レンとガラスクロスとの界面剥離を生じ難い特徴を有す
る０ポリエチレンの架橋は前記した如く、ゲル分率が通
常１０％以上になるように行なうが、好ましくは２０〜
９０％である０ との゛ゲル分率の測定は次の方法による。誘電体基板の
銅箔ｔエツチング等で全面除去した後、充分に水洗し、
乾燥させる。これより一定量の小片（Ｘ、Ｖ）を切口０
１この試料全１０５℃キシレン中（試料に対して２００
〜ｂｏｏ倍量程度の童とする）で、２４時間還流後、ｆ
Ｉ別し、充分に乾燥させて不溶のゲル分量（Ｙ、９）
’ｉｋ求める。ついで、これをルツボ中で灰化させガラ
スクロスのみの重量（２，９）を求め、下記式によｐ算
出する。
着力を向上させるために行なわれるもので、このように
ポリエチレンの架橋せしめられた誘電体基板は、これに
応力が作用して変形したようなｊＪ％合でも、ポリエチ
レンとガラスクロスとの界面剥離を生じ難い特徴を有す
る０ポリエチレンの架橋は前記した如く、ゲル分率が通
常１０％以上になるように行なうが、好ましくは２０〜
９０％である０ との゛ゲル分率の測定は次の方法による。誘電体基板の
銅箔ｔエツチング等で全面除去した後、充分に水洗し、
乾燥させる。これより一定量の小片（Ｘ、Ｖ）を切口０
１この試料全１０５℃キシレン中（試料に対して２００
〜ｂｏｏ倍量程度の童とする）で、２４時間還流後、ｆ
Ｉ別し、充分に乾燥させて不溶のゲル分量（Ｙ、９）
’ｉｋ求める。ついで、これをルツボ中で灰化させガラ
スクロスのみの重量（２，９）を求め、下記式によｐ算
出する。
また、架橋ポリエチレンフィルムまたは架橋Ｕ）ｉＰＥ
フィルムの場合は上述の灰化処理は必要なく、ｚ＝０に
相当する。
フィルムの場合は上述の灰化処理は必要なく、ｚ＝０に
相当する。
このように本発明においては誘電体基材におけるポリエ
チレンが架橋されるのであるが、かような積層前の核基
材の架橋は基材の厚さ方向に２けるｌＡ摘度を均一にで
きる利点がある０これに反し、誘電体基材の所定枚数を
接合せしめて誘電体とし。
チレンが架橋されるのであるが、かような積層前の核基
材の架橋は基材の厚さ方向に２けるｌＡ摘度を均一にで
きる利点がある０これに反し、誘電体基材の所定枚数を
接合せしめて誘電体とし。
その後ポリエチレンを放射線架橋したような場合は、誘
電体の放射Ｍ源側表面から反対面に行くにつれてポリエ
チレンの架橋度が斯減するので、ポリエチレンとガラス
クロスとの密着力が場所によって不均一になるような不
都合を生ずるので好ま１、〈ない。
電体の放射Ｍ源側表面から反対面に行くにつれてポリエ
チレンの架橋度が斯減するので、ポリエチレンとガラス
クロスとの密着力が場所によって不均一になるような不
都合を生ずるので好ま１、〈ない。
本発明においては、上記のようにしてポリエチレンが架
橋せしめられた誘電体基材の両面に、予じめ架橋せしめ
られたＵＨＰＥフィルムを介して圧延銅箔が重ね合わさ
れ、加熱加圧することにより、ＵＨＰＥフィルムを接着
ｊＩｌとして誘電体基材と圧延鋼箔が接合される。
橋せしめられた誘電体基材の両面に、予じめ架橋せしめ
られたＵＨＰＥフィルムを介して圧延銅箔が重ね合わさ
れ、加熱加圧することにより、ＵＨＰＥフィルムを接着
ｊＩｌとして誘電体基材と圧延鋼箔が接合される。
この際、誘電体基材は１枚で用いてもよいが。
所定厚みになるように２枚以上を重ね合わせて用いるこ
とができる。葦だ％誘電体基材を２枚以上重ね合わせて
用いるときは、基材間に接着性材料、例えば架橋ポリエ
チレンフィルム（ゲル分率２０〜１００％）を介在させ
ることができる。
とができる。葦だ％誘電体基材を２枚以上重ね合わせて
用いるときは、基材間に接着性材料、例えば架橋ポリエ
チレンフィルム（ゲル分率２０〜１００％）を介在させ
ることができる。
誘電体基材と圧延鋼箔とを接合させるためのＵＨＰＥフ
ィルムは、厚ざが通常２０〜２００μ講 で６９、電子
線の照射によシ架橋されている。
ィルムは、厚ざが通常２０〜２００μ講 で６９、電子
線の照射によシ架橋されている。
ＵＨＰＥフィルムの架橋度は接着性の観点から、ゲル分
率が約３０〜１００％になるように行なうのが好ましい
ものである。而して、上Ｈビゾル分率を有シ得られる。
率が約３０〜１００％になるように行なうのが好ましい
ものである。而して、上Ｈビゾル分率を有シ得られる。
誘電体基材と圧延銅ｗｉを架橋ＵＨＰＥフィルムを介し
て接合する際の作業条件は、誘電体基材を構成するポリ
エチレンの架橋度、 ＵＨＰＥフィルムの架Ｗ度等に
応じて適宜設定できるが、通常は温度１４５〜２００’
に、圧力５〜３０”ｌｌ／ｃｄ ％７１０熱加圧時間５
〜６０分である。
て接合する際の作業条件は、誘電体基材を構成するポリ
エチレンの架橋度、 ＵＨＰＥフィルムの架Ｗ度等に
応じて適宜設定できるが、通常は温度１４５〜２００’
に、圧力５〜３０”ｌｌ／ｃｄ ％７１０熱加圧時間５
〜６０分である。
このようにして得られるｍ電体基板は、ガラスクロスを
構成する一紬束内にポリエチレンが充分に浸透して＆９
．この誘電体基板は、後述の実施例からも明らかである
が、誘電率と誘電正接が共に小さく、絶縁材料として有
用である０この理由は必らずしも明らかではないが、ガ
ラスクロスの両面にポリエチレンフィルムを配置して加
熱加圧した際、ポリエチレンが＃融し、この浴融ポリエ
チレンに圧力が作用することにより、ポリエチレンのガ
ラスクロスの繊維果肉への含浸が促進されるためと推論
される。
構成する一紬束内にポリエチレンが充分に浸透して＆９
．この誘電体基板は、後述の実施例からも明らかである
が、誘電率と誘電正接が共に小さく、絶縁材料として有
用である０この理由は必らずしも明らかではないが、ガ
ラスクロスの両面にポリエチレンフィルムを配置して加
熱加圧した際、ポリエチレンが＃融し、この浴融ポリエ
チレンに圧力が作用することにより、ポリエチレンのガ
ラスクロスの繊維果肉への含浸が促進されるためと推論
される。
（実施例）
以下、実施例によシ本発明を更に詳細に説明するＯ
実施例１
厚さ１００μｍのガラスクロスの両面に、密度０．９２
のポリエチレン（三片ポリケミカル社製、＃Ｊ品品名ミ
ラシン２フから成る５０μｍのポリエチレンフィルムラ
配置し、ラミネーションプレス機により、温度１６５℃
、圧力１０ｋｇ／ｄの条件で１０分間加熱加圧し、ポリ
エチレンをガラスクロスの内部に含浸せしめると共にポ
リエチレンフィルムとガラスクロスを熱圧着せしめて、
厚さ１４５μ惰の誘電体基材を得る。
のポリエチレン（三片ポリケミカル社製、＃Ｊ品品名ミ
ラシン２フから成る５０μｍのポリエチレンフィルムラ
配置し、ラミネーションプレス機により、温度１６５℃
、圧力１０ｋｇ／ｄの条件で１０分間加熱加圧し、ポリ
エチレンをガラスクロスの内部に含浸せしめると共にポ
リエチレンフィルムとガラスクロスを熱圧着せしめて、
厚さ１４５μ惰の誘電体基材を得る。
次に、この誘電体基材に６．５ Ｍｒａｄの電子線を照
射してポリエチレンを架橋せしめる（ゲル分率５５％）
〇 一方、これとは別に分子量約１００万のＵＨＰｇ（三片
石油化学社製、商品名ハイゼツクスｔ’）オン２４０Ｍ
）から成形された厚さ１３０μ飢のＵ）ｆＰＮシートに
ｓ ３Ｍｒａｄの電子線を照射して架橋する（ゲル分率
９８％）。
射してポリエチレンを架橋せしめる（ゲル分率５５％）
〇 一方、これとは別に分子量約１００万のＵＨＰｇ（三片
石油化学社製、商品名ハイゼツクスｔ’）オン２４０Ｍ
）から成形された厚さ１３０μ飢のＵ）ｆＰＮシートに
ｓ ３Ｍｒａｄの電子線を照射して架橋する（ゲル分率
９８％）。
その後、ポリエチレンを架橋せしめた誘電体基材２枚を
重ね合わせ、この重ね合わされた基材の両面に前記の架
橋ＵＨＰＥフィルムおよび厚さ３５μ禦の片面処理圧延
鋼ｆｆ１（日本鉱業社製、ＡＮ−２０）を順次配置せし
める。なお、前記誌電体基材間には、密度０．９２の前
記ポリエチレンから成形し、５ Ｍ ｒａｄの電子線魚
射によｐ架橋せしめた厚さ２００μ毒、ｙル分率４８％
のフィルムを介在せしめた。
重ね合わせ、この重ね合わされた基材の両面に前記の架
橋ＵＨＰＥフィルムおよび厚さ３５μ禦の片面処理圧延
鋼ｆｆ１（日本鉱業社製、ＡＮ−２０）を順次配置せし
める。なお、前記誌電体基材間には、密度０．９２の前
記ポリエチレンから成形し、５ Ｍ ｒａｄの電子線魚
射によｐ架橋せしめた厚さ２００μ毒、ｙル分率４８％
のフィルムを介在せしめた。
次いで、これらをラミネーションプレス機によシ、温度
１７０℃、圧力１５Ｋｇ／−の条件で３０分間加熱加圧
し、基材同志２よび基材と銅箔を接合せしめて誘電体基
板（試料番号１）を得た。
１７０℃、圧力１５Ｋｇ／−の条件で３０分間加熱加圧
し、基材同志２よび基材と銅箔を接合せしめて誘電体基
板（試料番号１）を得た。
この＃Ｊｆ、電体基板の比誘電率、誘電正接、該基板に
おける圧延鋼箔と架橋Ｕｌ（ＰＥ層との間の接着力あ・
よび動作利−４を測定して得た結果を、下記第１表に示
す。
おける圧延鋼箔と架橋Ｕｌ（ＰＥ層との間の接着力あ・
よび動作利−４を測定して得た結果を、下記第１表に示
す。
比穂亀軍および誘電正接の測定糊波数はＩＭＨｚでりる
〇 葦だ、嵌着力は温度２５℃、剥離速度５０龍／ｍｌｎの
条件で、１８０°ビーリング法によシ測定したＯ 動作利得の測定に際しては％誘電体基板における一方の
＃ｌ箔をエツチングしてパターン形成してマイクロ波受
信平面アンテナを得、このアンテナの動作利得（Ｇ）を
測定した。このアンテナは４４６Ｘ ４３６ ｄ ｈ素
子数：１６菓子×３２列とした。
〇 葦だ、嵌着力は温度２５℃、剥離速度５０龍／ｍｌｎの
条件で、１８０°ビーリング法によシ測定したＯ 動作利得の測定に際しては％誘電体基板における一方の
＃ｌ箔をエツチングしてパターン形成してマイクロ波受
信平面アンテナを得、このアンテナの動作利得（Ｇ）を
測定した。このアンテナは４４６Ｘ ４３６ ｄ ｈ素
子数：１６菓子×３２列とした。
この測定には儂準アンテナと比較する方法を用いた。
第３図に示す如く１発信機（ＣＷ発ｆＭ）に送信アンテ
ナ６を接続し、一方受信機に利得Ｇｓ（ｄＢｉ）の標準
アンテナ７を接続し、送信波はＩ ＫＨｚのＡＭ変調を
かけ、送信アンテナを適当に回転させることによシ、垂
面・水平偏波を送信して、４１１準アンテナの振幅比を
測定する。次に、標準アンテナに代え、平面アンテナを
受信機に接続し、同様の操作により、平面アンテナの振
幅比を測定する。
ナ６を接続し、一方受信機に利得Ｇｓ（ｄＢｉ）の標準
アンテナ７を接続し、送信波はＩ ＫＨｚのＡＭ変調を
かけ、送信アンテナを適当に回転させることによシ、垂
面・水平偏波を送信して、４１１準アンテナの振幅比を
測定する。次に、標準アンテナに代え、平面アンテナを
受信機に接続し、同様の操作により、平面アンテナの振
幅比を測定する。
平面アンテナの動作利得Ｇ（ｄＢｉ）は次式で求められ
る。
る。
Ｇ＝Ｇａ＋（平面アンテナの振幅比（ｄＢ））−〔標準
アンテナの振幅比（ｄＢ））＋（円墳波に対する補正（
ｄＢ）） 上記式中の円偏波に対する補正値は３ ｄＢ でめる
０ なお、第１表に示す動作利得は１１．９５ ＧＨｚＯ時
の値である。
アンテナの振幅比（ｄＢ））＋（円墳波に対する補正（
ｄＢ）） 上記式中の円偏波に対する補正値は３ ｄＢ でめる
０ なお、第１表に示す動作利得は１１．９５ ＧＨｚＯ時
の値である。
実施例２
Ｕ）ＩＰＥフィルムに対する電子線照射量を第１表に示
すように設定する以外は全て実施例１と同様に作粟し、
試料番号２〜４のＷｓ誘電体基板得た。
すように設定する以外は全て実施例１と同様に作粟し、
試料番号２〜４のＷｓ誘電体基板得た。
これら誘電体基板の特性を第１表に示す。
参考例１
圧延鋼酒に代え、厚さ３５μ悔の電解銅箔（古河サーキ
ットフォイル社ｌ１ｌｊ、 ＴＴＡＩ ）を用いる以外
は全て実Ｊ）［！ ？！Ｉ １ ｏ場合と同様にして、
試料番号５の誘電体基板を得た。この誘電体基板の特性
を第１；１２１ｃ、：ｔｏ 第１表 （発明の効果） 本発明は上記のように構成され、実施例からも判るよう
に、圧延鋼箔を用いているので、同一パターンのアンテ
ナを作製して電解鋼箔系のアンテナと比較すると動作利
得の高いアンテナを得ることができ、また該銅箔と誘電
体基材を架＠ ＬＪＨＰＥにより接合しているので両者
間の接着力が大きい特徴がある。更に、ガラスクロスに
ポリエチレンを含浸せしめると共に表面を覆って誘電体
基材としているので、誘電率、ｍｔ正接が小さいという
特徴もめる。
ットフォイル社ｌ１ｌｊ、 ＴＴＡＩ ）を用いる以外
は全て実Ｊ）［！ ？！Ｉ １ ｏ場合と同様にして、
試料番号５の誘電体基板を得た。この誘電体基板の特性
を第１；１２１ｃ、：ｔｏ 第１表 （発明の効果） 本発明は上記のように構成され、実施例からも判るよう
に、圧延鋼箔を用いているので、同一パターンのアンテ
ナを作製して電解鋼箔系のアンテナと比較すると動作利
得の高いアンテナを得ることができ、また該銅箔と誘電
体基材を架＠ ＬＪＨＰＥにより接合しているので両者
間の接着力が大きい特徴がある。更に、ガラスクロスに
ポリエチレンを含浸せしめると共に表面を覆って誘電体
基材としているので、誘電率、ｍｔ正接が小さいという
特徴もめる。
また１本発明の製造法に２いては、ガラスクロスの両面
にポリエチレンフィルムを配置し、これを加熱加圧して
誘電体基材を得るようにしたので、ガラスクロス内への
ポリエチレンの浸透が６％且つ充分にでき、また誘電体
基材の構成成分であるポリエチレンを架橋し、その後基
材同志を接合せしめるようにしたので、ポリエチレンフ
ィルムとガラスクロスとの密着力が向上するという特徴
を有する。
にポリエチレンフィルムを配置し、これを加熱加圧して
誘電体基材を得るようにしたので、ガラスクロス内への
ポリエチレンの浸透が６％且つ充分にでき、また誘電体
基材の構成成分であるポリエチレンを架橋し、その後基
材同志を接合せしめるようにしたので、ポリエチレンフ
ィルムとガラスクロスとの密着力が向上するという特徴
を有する。
めるＯ
Claims (3)
- （１）ガラスクロスと、このガラスクロスに含浸され且
つ表面を覆う架橋ポリエチレン層とから成る誘電体基材
の両面に、架橋された超高分子量ポリエチレンＭを介し
て圧延銅箔が接合されていることを特徴とする誘電体基
板。 - （２）ガラスクロスの画面にポリエチレンフィルムを配
置して加熱加圧することにより、ポリエチレンをガラス
クロスに含浸せしめると共にポリエチレンフィルムとガ
ラスクロスを熱圧着せしめて誘電体基材を得、次いで該
基材におけるポリエチレンを架橋し、その後該基材の画
面に電子線照射により架橋せしめた超高分子量ポリエチ
レンフィルムを介して圧延銅箔を重ね合わせて加熱加圧
することにより、基材と圧延銅箔を接合せしめることを
特徴とする誘電体基板の製造法。 - （３）誘電体基材を２枚以上重ね合わせて用いる特許請
求の範囲第２項記載の誘電体基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23079584A JPS61108202A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 誘電体基板およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23079584A JPS61108202A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 誘電体基板およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61108202A true JPS61108202A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=16913388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23079584A Pending JPS61108202A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 誘電体基板およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61108202A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997017199A1 (de) * | 1995-11-05 | 1997-05-15 | Moderne Maschinen-Apparate-Werkzeuge Ag | Laminatmaterial für leiterplatten sowie verfahren zu seiner herstellung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51144265A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-11 | Kayaba Ind Co Ltd | Load measurement device |
| JPS5315911U (ja) * | 1976-07-20 | 1978-02-09 |
-
1984
- 1984-10-31 JP JP23079584A patent/JPS61108202A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51144265A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-11 | Kayaba Ind Co Ltd | Load measurement device |
| JPS5315911U (ja) * | 1976-07-20 | 1978-02-09 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997017199A1 (de) * | 1995-11-05 | 1997-05-15 | Moderne Maschinen-Apparate-Werkzeuge Ag | Laminatmaterial für leiterplatten sowie verfahren zu seiner herstellung |
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