JPS61108125A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS61108125A JPS61108125A JP23074684A JP23074684A JPS61108125A JP S61108125 A JPS61108125 A JP S61108125A JP 23074684 A JP23074684 A JP 23074684A JP 23074684 A JP23074684 A JP 23074684A JP S61108125 A JPS61108125 A JP S61108125A
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- JP
- Japan
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- substrate
- glass tube
- reaction gas
- quartz glass
- reaction chamber
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45517—Confinement of gases to vicinity of substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光化学的に反応ガスを分解して薄膜を基板
上に形成させる方法（ｐｈｏｔｏ ｃｈｅｍｉｃａｌｖ
ａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ：以下光励起Ｃ
ＶＤ法と称す）を用いて薄膜を形成する半導体製造装置
に関するものである。
上に形成させる方法（ｐｈｏｔｏ ｃｈｅｍｉｃａｌｖ
ａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ：以下光励起Ｃ
ＶＤ法と称す）を用いて薄膜を形成する半導体製造装置
に関するものである。
第３図に従来の光励起ＣＶＤ法による半導体製造装置の
基本的な構成を示す。第３図中、１は反応室、２は線状
ランプからなる光源、３は基板加熱用ヒータ、４は反応
ガス、５は基板、６は光透過材からなる光入射窓、７は
反応ガス供給口、８は反応ガス排出口、９は基板５を載
せる台である。
基本的な構成を示す。第３図中、１は反応室、２は線状
ランプからなる光源、３は基板加熱用ヒータ、４は反応
ガス、５は基板、６は光透過材からなる光入射窓、７は
反応ガス供給口、８は反応ガス排出口、９は基板５を載
せる台である。
この装置では、反応ガス４は供給ロアから反応室１に導
入され、入射窓６から投射された光線により反応室１内
で光化学反応を生じ、ヒータ３によって低温加熱された
基板５上に薄膜を形成する。
入され、入射窓６から投射された光線により反応室１内
で光化学反応を生じ、ヒータ３によって低温加熱された
基板５上に薄膜を形成する。
また、一般的に光励起ＣＶＤ法では、光の強度が薄膜の
形成速度に大きな影響を与えることが知られており、基
板温度１反応ガスの組成比、圧力を一定に保った条件下
では薄膜の形成速度は光の照射強度に比例して速くなる
ことが知られている。
形成速度に大きな影響を与えることが知られており、基
板温度１反応ガスの組成比、圧力を一定に保った条件下
では薄膜の形成速度は光の照射強度に比例して速くなる
ことが知られている。
この従来の装置では、反応室１に光の入射窓６を設け、
反応室１外に設けられた光源２から光を投射していた。
反応室１外に設けられた光源２から光を投射していた。
又、反応室１内は一般的に高真空状態に減圧され、反応
室１の壁、光透過材からなる光入射窓６も当然この圧力
に耐えうる構造、板厚により構成されている。
室１の壁、光透過材からなる光入射窓６も当然この圧力
に耐えうる構造、板厚により構成されている。
従来の半導体製造装置は以上のように構成されているの
で、基板５上への薄膜の形成速度を速めるためには基板
５上の光の照度を強くする必要があり、このためにはよ
り出力の大きな光源を用いるか、基板５と光源２の距離
を縮め、基板５上の照度を強くする必要がある。ところ
が、長寿命で出力の大きい実用的な光源を求めることは
現在では困難であり、また従来の構造のまま基板５と光
源２の間の距離を縮めることもこれらの間に光透過材か
らなる光入射窓６を、高真空の圧力に耐えられる構造で
反応室１に取り付けねばならないことからはなはだ困難
であった。
で、基板５上への薄膜の形成速度を速めるためには基板
５上の光の照度を強くする必要があり、このためにはよ
り出力の大きな光源を用いるか、基板５と光源２の距離
を縮め、基板５上の照度を強くする必要がある。ところ
が、長寿命で出力の大きい実用的な光源を求めることは
現在では困難であり、また従来の構造のまま基板５と光
源２の間の距離を縮めることもこれらの間に光透過材か
らなる光入射窓６を、高真空の圧力に耐えられる構造で
反応室１に取り付けねばならないことからはなはだ困難
であった。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、基板上の光の照度を高めることのできる半導
体製造装置を得ることを目的とするものである。
たもので、基板上の光の照度を高めることのできる半導
体製造装置を得ることを目的とするものである。
この発明に係る半導体製造装置は、反応室内の石英ガラ
ス管内に線状ランプを複数個配設してなるものを光源と
して用いたものである。
ス管内に線状ランプを複数個配設してなるものを光源と
して用いたものである。
この発明においては、光源を反応室内に設けたから、該
光源が基板に近づくことで該基板上の光の照度が高まり
、そのため薄膜の形成速度が速まる。
光源が基板に近づくことで該基板上の光の照度が高まり
、そのため薄膜の形成速度が速まる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体製造装置の断面
図、第２図は第１図のＩＩ−ＩＩ線断面図である。両図
において、■は反応室、１３は該反応室１内に設けられ
た円筒形石英ガラス管、１２は該石英ガラス管１３の内
壁に沿って複数の線状ランプが配設されてなる光源、３
は基板加熱用ヒータ、４は反応ガス、５は基板、７は反
応ガス供給口、８は反応ガス排出口、１９は基板５を載
置し、円筒形石英ガラス管１３の軸に直角方向に移動す
る移動テーブル、２０は該移動テーブル１９を駆動する
テーブル移動機構２０であり、これは上記テーブル１９
に固着された連結子１９ａに螺合したボールネジ２３と
これを回転駆動するモータ２４とから構成されている。
図、第２図は第１図のＩＩ−ＩＩ線断面図である。両図
において、■は反応室、１３は該反応室１内に設けられ
た円筒形石英ガラス管、１２は該石英ガラス管１３の内
壁に沿って複数の線状ランプが配設されてなる光源、３
は基板加熱用ヒータ、４は反応ガス、５は基板、７は反
応ガス供給口、８は反応ガス排出口、１９は基板５を載
置し、円筒形石英ガラス管１３の軸に直角方向に移動す
る移動テーブル、２０は該移動テーブル１９を駆動する
テーブル移動機構２０であり、これは上記テーブル１９
に固着された連結子１９ａに螺合したボールネジ２３と
これを回転駆動するモータ２４とから構成されている。
１）は円筒形石英ガラス管１３０曲面側の一端に設けら
れた反応ガス供給ノズル、２１は該供給ノズル１）とと
もに円筒形石英ガラス管１３を挟むよう該ノズル１）と
反対側に設けられた反応ガス排気ノズルである。
れた反応ガス供給ノズル、２１は該供給ノズル１）とと
もに円筒形石英ガラス管１３を挟むよう該ノズル１）と
反対側に設けられた反応ガス排気ノズルである。
この装置では、円筒形石英ガラス管１３内に複数の線状
ランプを配設したものを光源として用いたので、該光源
１２を反応室１内に設けることができ、反応室１の構造
のいかんにかかわらず任意の距離まで基板５に近づける
ことができ、該基板５上の光の強度を必要なまで高める
ことが可能となる。このため光源１２の出力を必要以上
に高めることなく基板５上への薄膜の形成速度を速める
ことができる。
ランプを配設したものを光源として用いたので、該光源
１２を反応室１内に設けることができ、反応室１の構造
のいかんにかかわらず任意の距離まで基板５に近づける
ことができ、該基板５上の光の強度を必要なまで高める
ことが可能となる。このため光源１２の出力を必要以上
に高めることなく基板５上への薄膜の形成速度を速める
ことができる。
また、本実施例では反応ガス供給ノズル１）と反応ガス
排出ノズル２１を円筒形石英ガラス管１３を挟んで該ガ
ラス管１３下方に設けたので、反応ガス４は、円筒形石
英ガラス管１３と基板５との間隔がもっとも狭く、基板
５上の光の照度がもっとも強いところを流れ、該反応ガ
スに光化学反応を速やかに起こさせることができる。ま
たこれらノズル１）．２１を設けることにより、反応ガ
ス４を短い距離だけ流せばよいため、反応室１内の不必
要な部分に反応ガス４が流れるのを防止できる。又、反
応ガスを短い距離を効率よく流すことができるため、反
応ガスの濃度を均一に、しがも反応ガスの光化学反応の
速度に合わせ十分な量の反応ガスを基板５上に流し込む
ことができ、薄膜の形成速度を速めることができる。
排出ノズル２１を円筒形石英ガラス管１３を挟んで該ガ
ラス管１３下方に設けたので、反応ガス４は、円筒形石
英ガラス管１３と基板５との間隔がもっとも狭く、基板
５上の光の照度がもっとも強いところを流れ、該反応ガ
スに光化学反応を速やかに起こさせることができる。ま
たこれらノズル１）．２１を設けることにより、反応ガ
ス４を短い距離だけ流せばよいため、反応室１内の不必
要な部分に反応ガス４が流れるのを防止できる。又、反
応ガスを短い距離を効率よく流すことができるため、反
応ガスの濃度を均一に、しがも反応ガスの光化学反応の
速度に合わせ十分な量の反応ガスを基板５上に流し込む
ことができ、薄膜の形成速度を速めることができる。
又、円筒形石英ガラス管１３内に該ガラス管１３の内壁
に沿って線状ランプを適当な間隔をおいて配置している
ので、上記ガラス管１３の軸と直角な方向において基板
５上の光の照度分布はある程度均一にでき、さらに該方
向に移動テーブル１９を移動させるようにしたので、該
方向の光の照度分布をより均一にでき、従って基板５上
に連続□して均一な薄膜を形成することができる。
に沿って線状ランプを適当な間隔をおいて配置している
ので、上記ガラス管１３の軸と直角な方向において基板
５上の光の照度分布はある程度均一にでき、さらに該方
向に移動テーブル１９を移動させるようにしたので、該
方向の光の照度分布をより均一にでき、従って基板５上
に連続□して均一な薄膜を形成することができる。
また反応ガス供給ノズル１）と反応ガス排出ノズル２ｖ
を円筒形石英ガラス管１３を挟んで設けたことにより、
移動テーブル１９の移動方向に沿って反応ガス４は流れ
ることになり、反応ガスの流れ方向に沿った微妙な反応
ガスの濃度変化により形成される薄膜への膜厚変化に対
する影響を回避できる。
を円筒形石英ガラス管１３を挟んで設けたことにより、
移動テーブル１９の移動方向に沿って反応ガス４は流れ
ることになり、反応ガスの流れ方向に沿った微妙な反応
ガスの濃度変化により形成される薄膜への膜厚変化に対
する影響を回避できる。
以上のように、この発明に係る半導体製造装置によれば
、複数の線状ランプを円筒形石英ガラス管内に組み込ん
だものを光源としたので、該光源を基板に近づけること
ができ、必要以上に出力の大きな光源を必要とせずに基
板上の光の照度を高めることができ、基板上への薄膜の
形成速度を速めることができる効果がある。
、複数の線状ランプを円筒形石英ガラス管内に組み込ん
だものを光源としたので、該光源を基板に近づけること
ができ、必要以上に出力の大きな光源を必要とせずに基
板上の光の照度を高めることができ、基板上への薄膜の
形成速度を速めることができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による半導体製造装置の断面
側面図、第２図は第１図のｎ−ｎ線断面図、第３図は従
来の半導体製造装置の断面側面図である。 １は反応室、１２は光源、４は反応ガス、５は基板、１
３は石英ガラス管である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
側面図、第２図は第１図のｎ−ｎ線断面図、第３図は従
来の半導体製造装置の断面側面図である。 １は反応室、１２は光源、４は反応ガス、５は基板、１
３は石英ガラス管である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）反応室内の反応ガスに光源からの光を投射して光
化学反応を生じさせ該反応ガス中に置かれた基板上に薄
膜を形成させる半導体製造装置において、上記光源が上
記反応室内に設けられた石英ガラス管内に複数の線状ラ
ンプが配設されてなるものであることを特徴とする半導
体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23074684A JPS61108125A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23074684A JPS61108125A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61108125A true JPS61108125A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=16912638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23074684A Pending JPS61108125A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61108125A (ja) |
-
1984
- 1984-11-01 JP JP23074684A patent/JPS61108125A/ja active Pending
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